晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序介紹一、刻蝕工序根本作用目前常規(guī)太陽電池的生產(chǎn)流程如下：刻蝕作為太陽電池生產(chǎn)中的第三道工序，其主要作用是去除集中后硅片四周的N型硅，防止漏電。刻蝕一般狀況下和去PSG聯(lián)系在一起，去PSG顧名思義，其作用是去掉集中前的磷硅玻璃。反響方程式如下：SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O具體的刻蝕示意圖如下：二、刻蝕的根本分類以及一般工藝流程紹兩種刻蝕方法的差異：干法刻蝕干法刻蝕夜叫等離子刻蝕。即承受等離子體轟擊的方法進(jìn)展的刻蝕。10e4K10e5K，分子間和原子間的運動格外猛烈，彼此間已難以束縛，原子中的電子因具有相當(dāng)大的動能而擺脫原子核對它的束縛，成為自由電子，原子失去電子變成帶正電的離子。這樣，物子體。它可以稱為物質(zhì)的第四態(tài)。等離子產(chǎn)生一般有三種方法：具體到太陽能電池中，等離子刻蝕是承受高頻輝光放電反響，即承受感應(yīng)耦合的方式使反響氣體激活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子集中到需刻蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進(jìn)展反響，形成揮發(fā)性生成物而〔這是各向同性反響〕。以下圖為干法刻蝕的示意圖：干法刻蝕具體的工藝過程如下：首先，母體分子CF4在高能量的電子的碰撞作用下分解成多種中性基團(tuán)或離以及它們的離子。SiO2〔O2，提高刻蝕速率。具體的反響過程可參考以下圖：流量，輝光時間，輝光功率。工作氣體流量〔SCCM〕氣壓輝光功率輝光顏色〔pa〕〔W〕O2CF418180100600紫色工作階段時間〔S〕抽氣進(jìn)氣輝光抽氣清洗抽氣充氣6012090030205060干法刻蝕的一般生產(chǎn)流程如下：裝片裝片刻蝕卸片插片去PSG烘干在干法制絨的生產(chǎn)過程中必需留意以下事項：1、制止裸手接觸硅片；2、插片時留意硅片集中方向，制止插反；31mm左右；41h。濕法刻蝕HNO3SiO2，HF再去除SiO2。下面為化學(xué)反響方程式：3Si+4HNO3→3SiO2+4NO+2H2O SiF4+2HF→H2SiF6EtchbathDryer1Rinse1AlkalineEtchbathDryer1Rinse1AlkalineRinseRinse2AcidicRinseRinse3Dryer2濃度、外圍抽風(fēng)、液面高度等。針對刻蝕的效果，主要的檢測工藝點有如下幾個：1、方阻上升在范圍之內(nèi)2、減重在范圍之內(nèi)3、刻蝕槽藥液浸入邊緣在范圍之內(nèi)4、片子是否吹干，外表狀況是否良好相比干法刻蝕，濕法刻蝕具有如下優(yōu)點：CF4。反面更平坦，反面反射率優(yōu)于干刻，能更有效的利用長波增加Isc。被場濕法刻蝕生產(chǎn)必需留意以下事項：1、制止裸手接觸硅片；240mm左右，集中面朝上上片，制止放反；31mm左右；4、下片時留意硅片外表是否吹干；51h。三、刻蝕常用化學(xué)品以及留意事項：CF4CF4：無色無臭毒性氣體。不燃，假設(shè)遇高熱，容器內(nèi)壓增大，有開裂和爆炸的危急。吸入后可引起頭痛、惡心嘔吐、快速窒息等。腐蝕性強，對牙、骨損害較嚴(yán)峻，對皮膚有猛烈的腐蝕性作用。HCL：無色透亮液體，為一種強酸，具有揮發(fā)性。眼和皮膚接觸可致灼傷，長期接觸可引起鼻炎、皮膚損害等。HNO3：無色透亮液體，具有強氧化性、強腐蝕性，有窒息性刺激氣味，在空氣中冒煙，見光易分解生成NO2而顯棕色。KOH：無色透亮液體，有猛烈的腐蝕性。四、刻蝕效果檢測方法PN1、方阻上升：所用儀器：四探針測試儀方阻上升標(biāo)準(zhǔn)：方阻上升5個以內(nèi)2、減薄量：所用儀器：電子天平減薄量標(biāo)準(zhǔn)：多晶0.06-0.07克3PNPNP理：的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸電而言將是正的。同樣道理，P型半導(dǎo)體熱探針觸點相對于室溫觸點而言將是負(fù)的。硅片與探針形成的是歐姆接觸。五、刻蝕常見問題及解決方法刻蝕方法常見問題刻蝕方法常見問題緣由解決方法刻蝕缺乏率過低數(shù)干法刻蝕相應(yīng)調(diào)整刻蝕參過刻刻蝕時間過長、射頻功率過高數(shù)加水稀釋、重酸液串槽配槽3#槽酸性氣體濃度過高檢查、加大抽風(fēng)減小、增大泵浦整體過刻、刻濕法刻蝕液面