1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)?3.ACCESS:—個EDA(EngineeringDataAnalysis)系統(tǒng)？6?Alignmark(key):對位標記？9.Ammonia?氨10?Ammoniumfluoride氟化銨？11?Ammoniumhydroxide氫氧化銨Amorphoussilicon:aSi,非晶硅(不是多晶硅)？Analog:模擬的？14?Angstrom？Anisotropic：各向異性(如POLYETCH?AQL(AcceptanceQualityLevel):接受質(zhì)量標準，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標準(不同于可靠性，可靠性要ARC(Antireflectivecoating):抗反射層(用于METAL等層的光刻)18?Antimony(Sb)銻？22.Arsine24?Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）？25.Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回摻到外延層）？28.Benchmark:基準？30.Boat:擴散用（石英）舟？32.Characterwindow:特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。？36.CIM：computer-integratedmanufacturing的縮寫。用計算機控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。？Compensationdoping：補償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。？CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。？Computer-aideddesign（CAD）:計算機輔助設(shè)計。?Conductivitytype:傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。？Contact：孔。在工藝中通常指孔1,即連接鋁和硅的孔。44?Controlchart：控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。45?Correlation:相關(guān)性。46?Cp：工藝能力，詳見processcapabilityo47?Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見processcapabilityindexo?Cycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時間。Damage:損傷。Defectdensity：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。Depletionimplant:耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。(耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。)?52?Depletionlayer：耗盡層?？蓜虞d流子密度遠低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。？53?Depletionwidth:耗盡寬度。？Depthoffocus(DOF):焦深。？designofexperiments(DOE):為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計合理性等目的，所設(shè)計的初始工程批試驗計劃。？58?developer：I)顯影設(shè)備；II)顯影液？59?diborane(B2H6):乙硼烷，dichloromethane(CH2CL2):二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。？dichlorosilane(DSC):二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學(xué)氣氛中。？62?die：硅片中一個很小的單位，包括了設(shè)計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。？63?dielectric：I)介質(zhì)，一種絕緣材料;64?diffusedlayer：擴散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴散進入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。?65?disilane(Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產(chǎn)光電單元時，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。?66?drive-in?68.effectivelayerthickness:有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。?69?EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進行的自擴散過程。?70.epitaxiallayer:外延層。?featuresize：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。？field-effecttransistor(FET):場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端。？flat：平邊？flatbandcapacitanse:平帶電容？flatbandvoltage:平帶電壓？flowcoefficicent:流動系數(shù)？flowvelocity:流速計？flowvolume:流量計？flux：單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)?85?forbiddenenergygap:禁帶?four-pointprobe:四點探針臺?functionalarea:功能區(qū)?glasstransitiontemperature:玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度gowning：凈化服？grayarea:灰區(qū)？grazingincidenceinterferometer:切線入射干涉儀?93?hardbake:后烘?heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法？high-currentimplanter:束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)?濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒?host:主機？hotcarriers:熱載流子？hydrophilic:親水性？hydrophobic:疏水性？101.impurity:雜質(zhì)??摻雜102?inductivecoupledplasma(ICP):感應(yīng)等離子體103.inertgas:惰性氣體？104.initialoxide:一氧？105.insulator:絕緣？106.isolatedline:隔離線?junctionspikingn:鋁穿刺？kerf:劃片槽？113.lithographyn制版?114?maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能116.majoritycarriern:多數(shù)載流子？118.materialn:原料?120?meann:平均值？122?mediann:中間值?123.memoryn:記憶體125?nanometer(nm)n:納米?nanosecond(ns)n:納秒?nitrideetchn:氮化物刻蝕?130.ohmspersquaren:歐姆每平方:方塊電阻?131.orientationn:晶向，一組晶列所指的方向?132.overlapn:交迭區(qū)？134.phosphorus(P)n:磷，一種有毒的非金屬元素?135?photomaskn：光刻版，用于光刻的版？136?photomask,negativen:反刻？137.images：去掉圖形區(qū)域的版？138.photomask,positiven:正刻？139?pilotn：先行批，用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子？142.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝？143?pnjunctionn：pn結(jié)？144?pockedbeadn：麻點，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠？145.polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語?146?polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)?polycrystallinesilicon(poly)n:多晶硅，高濃度摻雜(>5E19)的硅，能導(dǎo)電。polymorphismn:多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象？probern:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。？150?processcontroln:過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。？151.proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。152.purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。153?quantumdevicen:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。?quartzcarriern:石英舟。randomaccessmemory(RAM)n:隨機存儲器。randomlogicdevicen:隨機邏輯器件。157?rapidthermalprocessing(RTP)n:快速熱處理(RTP)。??159?reactorn:反應(yīng)腔。反應(yīng)進行的密封隔離腔。？162.scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微鏡(SEM)。163?scheduleddowntimen:(設(shè)備)預(yù)定停工時間。？164.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管。?scribelinen:劃片槽。？sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。168.sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄層電阻。用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。?169?sideload:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。？170.silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍寶石襯底硅的原片？171jsmallscaleintegration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個圖案的布局。？172?sourcecode:原代碼173?spectralline:光譜線，光譜鑷制機或分光計在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。？174?spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細絲狀的剩余物。?176?stackingfaUt:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯誤。?177?steambath:蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。?178.stepresponsetime:瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛到達特定地帶的那個時刻之間的時間。?179?stepper:步進光刻機（按BLOCK來曝光）?180.stresstest:應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。？181.surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。？182?symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認識。183?tackweld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點進行的點焊（用于連接蓋子）。？184?Taylortray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185?temperaturecycling:溫度周期變化，測量岀的重復(fù)岀現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。？186?testability湯測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。187?thermaldeposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。？189?titanium(Ti):鈦。？190?toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。？191?1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。？193?tungstenhexafluoride(WF6):氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。？194?tinning:金屬性表面覆蓋焊點的薄層。？195.totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負獲得電荷密度(Nit)。196?watt(W):瓦。能量單位。?197.waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。？203?window:在隔離晶片中，允許上下兩層實現(xiàn)電連接的絕緣的通道。？205?vaporpressure:當固體或液體處于平衡態(tài)時自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。PAC感光化合物?Solvent溶劑?Carbide碳?Refractive折射?Expansion膨脹?TM:topmental頂層金屬層?POD裝晶舟和晶片的盒子?Reticle光罩?Spin旋轉(zhuǎn)?A/D［軍］Analog?Digitab模擬數(shù)字?ACMagnitude交流幅度?ACPhase交流相位?Accuracy精度?"ActivityModel?AdditiveProcess加成工藝?Adhesion附著力?Aggressor干擾源?AnalogSource模擬源?AOI,AutomatedOpticalInspection自動光學(xué)檢查?AssemblyVariant不同的裝配版本輸出?Attributes屬性?AXI,AutomatedX-rayInspection自動X光檢查?BIST,Built-inSelfTest內(nèi)建的自測試?Circuit電路基準?circuitdiagram電路圖?Clementine專用共形開線設(shè)計?CommonImpedance共模阻抗?Concurrent并行設(shè)計?ConstantSource恒壓源?CooperPour智能覆銅?Crosstalk串擾CVT,ComponentVerificationandTracking元件確認與跟蹤?DCMagnitude直流幅度?Delays延時?DesignforTesting可測試性設(shè)計?Designator標識?DFC,DesignforCost面向成本的設(shè)計?DFM,DesignforManufacturing面向制造過程的設(shè)計?DFR,DesignforReliability面向可靠性的設(shè)計?DFX,DesignforX面向產(chǎn)品的整個生命周期或某個環(huán)節(jié)的設(shè)計?EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat電子設(shè)計交互格式?EIA,ElectronicIndustriesAssociation電子工業(yè)協(xié)會?ElectromagneticDisturbance電磁干擾?ElectromagneticNoise電磁噪聲EMC,ElctromagneticCompatibilt電磁兼容?Emulation硬件仿真?EngineeringChangeOrder原理圖與PCB版圖的自動對應(yīng)修改?Ensemble多層平面電磁場仿真ESD靜電釋放?FallTime下降時間？FalseClocking假時鐘?FFT,FastFourierTransform快速傅里葉變換?FloatLicense網(wǎng)絡(luò)浮動?FrequencyDomain頻域?GaussianDistribution高斯分布?GroundBounce地彈反射?GUI,GraphicalUserInterface圖形用戶界面?Harmonica射頻微波電路仿真?HFSS三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場仿真?IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification模型?ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE項目里就是指制作PCB?IEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers國際電氣和電子工程師協(xié)會IGES,InitialGraphicsExchangeSpecification三維立體幾何模型和工程描述的標準?ImageFiducial電路基準Impedance阻抗?!InitialVoltage初始電壓?InputRiseTime輸入躍升時間?IPC,TheInstituteforPackagingandIntereonnect封裝與互連協(xié)會?IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互過程優(yōu)化?ISO,TheInternationalStandardsOrganization國際標準化組織?Jumper跳線?LocalFiducial個別基準manufacturing制造業(yè)?MCMs,Multi-ChipModules多芯片組件?MDE,MaxwellDesignEnvironment?ODB++OpenDataBase公開數(shù)據(jù)庫?OLEAutomation目標連接與嵌入?On-lineDRC在線設(shè)計規(guī)則檢查?Optimetrics優(yōu)化和參數(shù)掃描PCBPCBoardLayoutTools電路板布局布線?PCB,PrintedCircuitBoard印制電路板?Period周期?PeriodicPulseSource周期脈沖源?PhysicalDesignReuse物理設(shè)計可重復(fù)PI,PowerIntegrity電源完整性?Piece-Wise-linearSource分段線性源?PulsedVoltage脈沖電壓QuiescentLine靜態(tài)線Reflection反射?RiseTime上升時間?Rnging振蕩,信號的振鈴?Rounding環(huán)繞振蕩?RulesDriven規(guī)則驅(qū)動設(shè)計SaxBasicEngine設(shè)計系統(tǒng)中嵌入SDE,SerenadeDesignEnvironment?SDT,SchematicDesignTools電路原理設(shè)計工具SettlingTime建立時間?ShapeBase以外形為基礎(chǔ)的無網(wǎng)格布線?Shove元器件的推擠布局？SI,SignalIntegrity信號完整性?Simulation軟件仿真Sketch草圖法布線？SlewRate斜率？SPI,Signal-PowerIntegrity將信號完整性和電源完整性集成于一體的分析工具?SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成電路模擬的仿真程序?Split/MxedLayer多電源/地線的自動分SSO同步交換?STEP,StandardfortheExchangeofProductModelData?Symphony系統(tǒng)仿真?Timedomain時域?TimestepSetting步進時間設(shè)置?UHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述語言?Undershoot下沖UniformDistribution均勻分布?Variant派生?VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架聯(lián)盟?Victim被干擾對象?VirtualSystemPrototype虛擬系統(tǒng)原型VST,VerficationandSimulationTools驗證和仿真工具?Wizard智能建庫工具，向?qū)?術(shù)語英文意義中文解釋?LCDLiquidCrystalDisplay液晶顯示?LCMLiquidCrystalModule液晶模塊?TNTwistedNematic扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏轉(zhuǎn)90度?STNSuperTwistedNematic超級扭曲向列。約180?270度扭曲向列?FSTNFormulatedSuperTwistedNematic格式化超級扭曲向列。一層光程補償偏甲于STN,用于單色顯示?TFTThinFilmTransistor薄膜晶體管？Backlight-背光Inverter-逆變器？OSDOnScreenDisplay在屏上顯示?DVIDigitalVisualInterface（VGA）數(shù)字接口？TMDSTransitionMinimizedDifferentialSingnaling?LVDSLowVoltageDifferentialSignaling低壓差分信號Panelink-？TCPTapeCarrierPackage柔性線路板？COBChipOnBoard通過綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上?COFChipOnFPC將IC固定于柔性線路板上COGChipOnGlass將芯偏固定于玻璃上？Duty-占空比，高岀點亮的閥值電壓的部分在一個周期中所占的比率？ELElextroLuminescence電致發(fā)光。CCFL(CCFT)ColdCathodeFluorescentLight/Tude冷陰極熒光燈?PDPPlasmaDisplayPanel等離子顯示屏CRTCathodeRadialTude陰極射線管?VGAVideoGraphicAnay視頻圖形陳列?PCBPrintedCircuitBoard印刷電路板Compositevideo-復(fù)合視頻？S-video-S端子，與復(fù)合視頻信號比，將對比和顏色分離傳輸？NTSCNationalTelevisionSystemsCommitteeNTSC制式。全國電視系統(tǒng)委員會制式？PhaseAlrernatingLinePAL制式（逐行倒相制式）SEquentialCouleurAvecMemoireSECAM制式（順序與存儲彩色電視系統(tǒng)）？VideoOnDemand視頻點播？DPIDotPerInch點每英寸？A.M.U原子質(zhì)量數(shù)？ADIAfterdevelopinspection顯影后檢視Alignment排成一直線，對平Alloy融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值？ARC：anti-reflectcoating防反射層？13.Beam-Current電子束電流?15?Break中斷，stepper機臺內(nèi)中途停止鍵?23?Coater光阻覆蓋（機臺）25?ContactHole接觸窗？26?ControlWafer控片27?Criticallayer重要層29?Cycletime生產(chǎn)周期?35?DG:dualgate雙門?38?Doping摻雜?39?Dose劑量?40?Downgrade降級?48?ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage靜電離子損傷?55?Flatness平坦度?57