其電路類型為CMOS，互連層共有7，互連層共有 其電路類型為CMOS，互連層共有7，互連層共有 。，，;：DIA。25mA電流需要 10um CMOS工藝中集成電路中的電阻主要有_N阱電 ，擴(kuò)散電阻，poly電阻_三種1um2um 。1.NMOS（B）A、NB、PD、耗盡）A、相3.0.13um集成電路技術(shù)中，銅取代鋁成為最主要的互連金屬的主要原因是：（ADA、銅具有更高的D、銅具有更好的抵抗電遷移4.ICFB(ABCDATechnologyB.DRC文件C.LVSDDisplay5.DRACULA做layout的DRC檢查后，應(yīng)該打開那個文件來看錯誤信息 AdrcCsumBlvsDcomAdrcCsumBlvsDcom7.在layoutlableschematicPin線進(jìn)行說明，通常對metal1層加Pin的標(biāo)注是用下列層次中的哪一層 Ametel1laye Bmt1txtCmetal2layeDmt2txt線進(jìn)行說明，通常對metal1層加Pin的標(biāo)注是用下列層次中的哪一層 Ametel1laye Bmt1txtCmetal2layeDmt2txt的？（答案不止一個（BCAmBCD ABCD10.在集成電路版圖設(shè)計中，如果想插入一個器件或單元，請問用哪個快捷鍵？（C 11.在集成電路版圖設(shè)計中，如果想把畫過的尺子清除掉，請問用哪個快捷鍵？（D shiftACompileanewtechfile。BAttachedtoanexistingtechfile。CDon’tneedatechfile。MOS管的版圖，下列說法正確的是（ABCD））A.nmosC.pmosB）A.nmosC.pmosB16.在一個一般的制程中，下列材料集成電阻，方塊電阻（SheetResistance）最大的是（）關(guān)于集成電路中的無源器件說法正確的是（ABD的？（關(guān)于集成電路中的無源器件說法正確的是（ABD的？（C）ACBDAB1uC3uD①多晶硅柵 10K歐姆的電阻（B1M歐姆的電阻（C樣計算的？（CABC下列關(guān)于Latchup效應(yīng)說法不正確的是（D下列關(guān)于保護(hù)環(huán)說法正確的是（ABC A.擴(kuò)散的不一致性B.C.CMP引起的非理想平面D.關(guān)于串?dāng)_（CrossTalk）（BC一般來說，連線上信號的頻率越高，CrossTalk面？(BCD)AB寄生效應(yīng)CD噪聲問題（noise部部請解釋“襯底去偏置效應(yīng)”，并且在CMOSPN雜隔離的輕摻雜襯底：A.B.100uA1mAC.位遍布襯底接觸。D.3、帶輕摻雜隔離區(qū)的輕摻雜襯底：A.賴劃片槽來抽取大的襯底電流B.大量散布襯底接觸以減少襯底去偏置C源幾微安電流的器件都需要獨立的隔離島B.敏感電路應(yīng)與P型場隔離以減少噪聲耦合C.位遍布襯底接觸。D.3、帶輕摻雜隔離區(qū)的輕摻雜襯底：A.賴劃片槽來抽取大的襯底電流B.大量散布襯底接觸以減少襯底去偏置C源幾微安電流的器件都需要獨立的隔離島B.敏感電路應(yīng)與P型場隔離以減少噪聲耦合C.C）每一polygate1TopMetal以自己在作業(yè)紙上繪出）（上次作業(yè)上）0.6um。NMOS1um,0.6um。NMOS繪制100K的電阻，需要占用的版圖面積。折成幾段，估算面積a)兩個電阻，比例為a)兩個電阻，比例為b)兩個電阻，比例為5510/Vcm1.CMOS版圖設(shè)計時，有時為了獲得精確的