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文檔簡介

耗盡層近似

假設(shè)空間電荷區(qū)的空穴都已全部耗盡，電荷全由已電離的受主雜質(zhì)構(gòu)成。半導(dǎo)體的摻雜是均勻的，則空間電荷區(qū)的電荷密度，

(x)=-qNA設(shè)xd為耗盡層的厚度

耗盡層近似表面空間電荷區(qū)的電場和電容表面空間電荷區(qū)的電場：F函數(shù)空間電荷層中電勢滿足的泊松方程εrs半導(dǎo)體的相對介電常數(shù),

(x)空間電荷密度V>0,取正;V<0,取負(fù)V=Vs時(shí),半導(dǎo)體表面處的電場強(qiáng)度電荷面密度

金屬為正時(shí)，VG>0，QS為負(fù)號金屬為負(fù)時(shí)，VG<0，QS為正號空間電荷層單位面積上的電容,單位F/m2以p型半導(dǎo)體為例,定量地分析各種表面層的狀態(tài)空間電荷層的電容(1)VG<0，金屬接負(fù)，半導(dǎo)體接正多數(shù)載流子堆積狀態(tài)

隨而

0

C

C0(AB)隨|VG|

積累的空穴越來越少，CS

，C/C0

(BC)1.00.80.60.40.2ABCDEFC0CFBCminC

minVmin1低頻C02高頻GH00+VMIS結(jié)構(gòu)的電容-電容曲線C/C0又（no)p<<(po)p(2)VG=0，VS=0

平帶平帶時(shí)的總電容為CFB

εro為絕緣層的相對介電常數(shù)(3)VG>0，金屬接+，半導(dǎo)體接負(fù)VS>0，表面能帶下彎，是空穴的勢壘

空穴耗盡狀態(tài)電離飽和時(shí)(p0)p=NAVG,C/C0

(CD)(4)VG>>0反型狀態(tài)低頻時(shí),少子的產(chǎn)生與復(fù)合跟得上小信號的變化VS

，少子積累越多，ns

，Cs

，C0/CS

，

C/C0

(DE)

當(dāng)VS

到使C0/C

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