Q/LB.□XXXXX-XXXXDB45/TXXXX—XXXX目次TOC\o"1-1"\h\t"標(biāo)準(zhǔn)文件_一級(jí)條標(biāo)題,2,標(biāo)準(zhǔn)文件_附錄一級(jí)條標(biāo)題,2,"前言 III1范圍 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語(yǔ)和定義 14基本要求 14.1環(huán)境 14.2人員 14.3設(shè)備 25評(píng)估 26操作要求 36.1操作前準(zhǔn)備 36.2操作流程 36.3操作指導(dǎo) 46.4注意事項(xiàng) 77病情觀察及護(hù)理 77.1減小外界噪音干擾 77.2體位 77.3監(jiān)測(cè)時(shí)間 77.4皮膚保護(hù) 77.5排除偽差 87.6巡視要求 87.7護(hù)理重點(diǎn)觀察 88aEEG數(shù)據(jù)采集 88.1上邊界振幅 88.2下邊界振幅 88.3睡眠周期 88.4異常放電 98.5爆發(fā)間期 98.6爆發(fā)次數(shù) 98.7連續(xù)性 99評(píng)價(jià) 99.1評(píng)價(jià)腦電背景活動(dòng) 99.2評(píng)價(jià)睡眠周期 109.3評(píng)價(jià)是否存在驚厥 109.4正常足月兒aEEG特點(diǎn) 109.5早產(chǎn)兒aEEG特點(diǎn) 109.6評(píng)分系統(tǒng) 109.7復(fù)查指征和時(shí)間間隔 1010維護(hù) 1110.1腦電圖帽清洗 1110.2金屬盤(pán)狀電極清洗 1111書(shū)寫(xiě)報(bào)告內(nèi)容 1111.1新生兒信息 1111.2腦電圖形 1111.3圖形描述 11附錄A（資料性）早產(chǎn)兒振幅整合腦電圖圖形隨胎齡的變化特點(diǎn) 12附錄B（資料性）早產(chǎn)兒腦發(fā)育成熟度評(píng)分系統(tǒng) 13參考文獻(xiàn) 14前言本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由廣西壯族自治區(qū)衛(wèi)生健康委員會(huì)提出、宣貫并歸口。本文件起草單位：廣西醫(yī)科大學(xué)第二附屬醫(yī)院。本文件主要起草人：陳玉君、甄宏、韋巧珍、蘇穎、黃惠橋、梁榕、韋冰梅、陳湘、黃亞芬、韋月秀、胡君紅、趙小蓮、沈麗儀、黃清梅、黎瑞珊、盧瑞紅、楊敏、方玲妮、陸飛、符趙婷。新生兒振幅整合腦電圖技術(shù)規(guī)范范圍本文件界定了新生兒振幅整合腦電圖涉及的術(shù)語(yǔ)和定義，規(guī)定了新生兒振幅整合腦電圖的基本要求、評(píng)估、操作要求、病情觀察及護(hù)理要點(diǎn)、aEEG數(shù)據(jù)采集、評(píng)價(jià)、維護(hù)、書(shū)寫(xiě)報(bào)告內(nèi)容的要求。本文件適用于廣西壯族自治區(qū)行政區(qū)域內(nèi)二級(jí)及以上醫(yī)療機(jī)構(gòu)醫(yī)務(wù)人員進(jìn)行的新生兒振幅整合腦電圖技術(shù)操作。規(guī)范性引用文件本文件沒(méi)有規(guī)范性引用文件。術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

新生兒neonate出生后臍帶結(jié)扎開(kāi)始到整28d以內(nèi)，或早產(chǎn)兒矯正胎齡后在同等年齡段內(nèi)的嬰兒。

振幅整合腦電圖amplitude-integratedelectroencephalography，aEEG采用少量電極通過(guò)頭皮層將腦電圖波形放大記錄成連續(xù)的波形，并把連續(xù)時(shí)間段的原始腦電圖的最大波幅和最小波幅進(jìn)行壓縮，形成長(zhǎng)時(shí)間腦電圖的變化趨勢(shì)圖，得到更直觀的圖譜，同時(shí)進(jìn)行實(shí)時(shí)的視頻監(jiān)測(cè)，并可回放查看的一種腦功能監(jiān)護(hù)儀?；疽蟓h(huán)境在各級(jí)醫(yī)院的新生兒科或新生兒病房進(jìn)行，病房場(chǎng)地面積應(yīng)滿足操作需要，環(huán)境寬敞明亮，有病房治療帶適合操作及搶救，無(wú)電磁波干擾。人員醫(yī)師要求具有執(zhí)業(yè)醫(yī)師資格，有新生兒振幅整合腦電圖培訓(xùn)、進(jìn)修學(xué)習(xí)經(jīng)歷或者具有全國(guó)腦電圖資格證書(shū)。能獨(dú)立進(jìn)行新生兒腦電圖的閱圖和癥狀學(xué)分析，具備對(duì)振幅整合腦電圖(aEEG)的實(shí)時(shí)分析能力和對(duì)原始腦電圖的閱圖能力，負(fù)責(zé)確定新生兒腦電圖監(jiān)測(cè)適應(yīng)證，決定監(jiān)測(cè)過(guò)程中的醫(yī)療干預(yù)。對(duì)新生兒腦電圖的所有記錄結(jié)果進(jìn)行閱圖分析和書(shū)寫(xiě)簽發(fā)報(bào)告。腦電圖數(shù)據(jù)整理，包括截圖、打印、數(shù)據(jù)剪輯、存儲(chǔ)歸檔和數(shù)據(jù)庫(kù)管理等。護(hù)士具有護(hù)士執(zhí)業(yè)證，已完成護(hù)士規(guī)范化培訓(xùn)、完成并通過(guò)新生兒科護(hù)士崗位準(zhǔn)入考核。經(jīng)過(guò)短期的aEEG專業(yè)培訓(xùn)，基本掌握腦電圖儀器的調(diào)試、電極安放、參數(shù)調(diào)整等操作，能及時(shí)識(shí)別和排除記錄中的明顯偽差。主要職責(zé)如下：負(fù)責(zé)腦電圖監(jiān)測(cè)中的各種技術(shù)性操作，包括患者準(zhǔn)備，設(shè)備調(diào)試，電極安放、維護(hù)和拆卸等；負(fù)責(zé)在記錄過(guò)程中隨時(shí)觀察腦電圖記錄質(zhì)量，發(fā)現(xiàn)電極偽差等技術(shù)問(wèn)題及時(shí)進(jìn)行電極維護(hù)；負(fù)責(zé)在記錄全過(guò)程中對(duì)新生兒的觀察和護(hù)理工作，及時(shí)發(fā)現(xiàn)病情變化及aEEG的變化，并及時(shí)與醫(yī)生聯(lián)系并協(xié)助進(jìn)行相關(guān)處置。其他人員負(fù)責(zé)新生兒振幅整合腦電圖儀器的采購(gòu)、管理、供應(yīng)、維修工作和計(jì)量工作，保證醫(yī)療工作的順利進(jìn)行。設(shè)備硬件配置放大器和數(shù)據(jù)采集：建議帶寬在0.0053Hz～500Hz之間。輸入阻抗≥1MΩ（一般要求2MΩ～10MΩ），共模抑制比應(yīng)≥60dB；建議采樣率在250Hz～1000Hz之間。放大器至少應(yīng)包括足夠的腦電通道與篩查設(shè)備（單導(dǎo)聯(lián)、多導(dǎo)聯(lián)）。至少配備5個(gè)腦電記錄電極（C3、C4、T3、T4和Cz）。至少配備１個(gè)彩色高像素?cái)z像頭（圖像刷新率應(yīng)不低于20幀/s）。軟件配置EEG回放軟件應(yīng)便于修改每個(gè)通道的信號(hào)顯示參數(shù)（噪聲濾波、振幅、高通和低通濾波器）和導(dǎo)聯(lián)編排。定量EEG分析軟件建議安裝同步顯示aEEG、功率譜、時(shí)頻圖及暴發(fā)-抑制定量分析等處理和分析軟件。網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)有條件可配置aEEG中央服務(wù)器系統(tǒng)，組建局域網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和多個(gè)終端的遠(yuǎn)程訪問(wèn)。原始腦電數(shù)據(jù)至少保存8年。評(píng)估評(píng)估新生兒是否有以下適應(yīng)癥：有腦損傷表現(xiàn)或存在腦損傷高危因素的新生兒，高危因素包括圍產(chǎn)期缺氧窒息史、新生兒頑固性低血糖、先天性遺傳代謝病、顱內(nèi)出血、腦卒中、中樞神經(jīng)系統(tǒng)感染、嚴(yán)重高膽紅素血癥等。評(píng)估新生兒腦發(fā)育情況。評(píng)估新生兒是否有驚厥和可疑驚厥發(fā)作情況。評(píng)估腦損傷治療效果情況，如亞低溫治療、抗驚厥藥物止驚治療等。操作要求操作前準(zhǔn)備消毒應(yīng)嚴(yán)格遵守醫(yī)院和科室的院內(nèi)感染防控和消毒操作規(guī)定，推薦操作人員穿短袖工作服，手或手腕不佩戴首飾，不留長(zhǎng)指甲，操作前規(guī)范洗手；接觸新生兒前，換干凈衣服。所有接觸新生兒的物品都必須消毒。用物用品磨砂膏和導(dǎo)電膏需要用磨砂膏和導(dǎo)電膏降低和穩(wěn)定阻抗，監(jiān)測(cè)時(shí)理想電阻應(yīng)低于5KΩ。電極和電極帽金屬盤(pán)狀電極測(cè)量法時(shí)，首選直徑10mm的銀-氯化銀盤(pán)狀電極，也可使用一次性電極或心電電極；腦電圖帽測(cè)量法時(shí)，根據(jù)新生兒頭圍選取合適尺寸的腦電圖帽，可選擇的尺寸有26cm～30cm，30cm～34cm，34cm～38cm;電極分記錄電極和參考電極。根據(jù)臨床需要可選擇單導(dǎo)(單通道)aEEG、雙導(dǎo)(雙通道)aEEG、多導(dǎo)(多通道)aEEG。安全防范設(shè)備及用具嬰兒復(fù)蘇囊、呼吸機(jī)、搶救車、一次性吸氧裝置、吸引裝置、吸痰管、喉鏡、手柄、葉片、氣管導(dǎo)管。其他用物用品主要有：金屬盤(pán)狀電極測(cè)量法：75％醫(yī)用酒精、棉簽、一次性網(wǎng)帽、新生兒振幅整合腦電圖測(cè)量?jī)x、中央監(jiān)控設(shè)備（網(wǎng)絡(luò)端口已連接）;腦電圖帽測(cè)量法：75％醫(yī)用酒精、棉簽、注射器、腦電圖帽、新生兒振幅整合腦電圖測(cè)量?jī)x、中央監(jiān)控設(shè)備（網(wǎng)絡(luò)端口已連接）。操作流程導(dǎo)聯(lián)設(shè)置單導(dǎo)（單通道）aEEG應(yīng)用于足月兒腦損傷程度的評(píng)估和早產(chǎn)兒腦發(fā)育成熟度的評(píng)價(jià)。首選放置在雙側(cè)頂骨P3-P4或中央?yún)^(qū)C3-C4部位。雙導(dǎo)（雙通道）aEEG應(yīng)用于雙側(cè)大腦病變不對(duì)稱新生兒，如一側(cè)大腦中動(dòng)脈梗塞，記錄通道常選擇F3?P3和F4?P4或C3-P3和C3-P4。應(yīng)用于新生兒驚厥，記錄通道可選擇C3-C4和P3-P4同時(shí)記錄，或C3-C4、P3-P4中任一通道聯(lián)合O1-O2、F3-F4、T3-T4中任一通道同時(shí)記錄。多導(dǎo)aEEG推薦使用9個(gè)或11個(gè)腦電記錄電極，具體如下：9個(gè)記錄電極為10-20系統(tǒng)的Fp1/Fp2、C3/C4、T3/T4、Ｏ1/Ｏ2和Cz，其中Fp1/Fp2也可改為Fp3/Fp4（位于Fp1/Fp2和F3/F4中間的位置），見(jiàn)圖1；11個(gè)記錄電極是在上述9個(gè)電極的基礎(chǔ)上增加Fz和Pz，見(jiàn)圖1。參考電極位于A1和A2。也可用乳突(M1和M2)部位代替。地線(G)位于前額中線或乳突。新生兒腦電圖電極位置電極選擇腦電圖帽無(wú)創(chuàng)、可重復(fù)使用、無(wú)需定位、使用方便、不易脫落移位移位，但每次使用后需要清洗消毒。金屬盤(pán)狀電極無(wú)創(chuàng)、可重復(fù)使用、可自主選擇放置位點(diǎn)，適合所有新生兒使用、抗干擾性能好，但放置位置較難掌握、安放步驟較為復(fù)雜。水凝膠電極無(wú)創(chuàng)、使用方便、適合頭發(fā)較少的早產(chǎn)兒或剃頭的新生兒、新生兒耐受度高、安放和摘除無(wú)不適感，但使用水凝膠電極需要剃頭、無(wú)法開(kāi)展長(zhǎng)程監(jiān)測(cè)、不可重復(fù)使用。操作指導(dǎo)新增新生兒信息、導(dǎo)聯(lián)設(shè)置打開(kāi)“新生兒腦電測(cè)量軟件”，新增新生兒，填寫(xiě)病歷號(hào)、母親姓名、出生胎齡、出生時(shí)間、病史，點(diǎn)擊“開(kāi)始監(jiān)護(hù)”，選擇單/雙通道。備皮用棉簽沾取75％的醫(yī)用酒精擦拭新生兒頭皮，去除局部胎脂、胎糞?？勺们槎啻尾潦茫ㄇ鍧嵈螖?shù)過(guò)少或力度過(guò)輕可能導(dǎo)致清潔度不夠致使后續(xù)阻抗過(guò)高）。腦電圖帽操作佩戴腦電圖帽根據(jù)新生兒頭圍選取合適尺寸的腦電圖帽，可選擇的尺寸有26cm～30cm、30cm～34cm、34cm～38cm。定位見(jiàn)圖2。新生兒腦電圖帽鏈接方法注入導(dǎo)電膏抽取醫(yī)用導(dǎo)電膏，由腦電圖帽內(nèi)測(cè)注入電極孔。輕輕托起新生兒頭部，佩戴腦電圖帽，尺寸標(biāo)簽在大腦后部，保證電極位點(diǎn)緊貼頭皮，頜托固定于新生兒下頜處。金屬盤(pán)狀電極操作定位根據(jù)國(guó)際10-20系統(tǒng)，鼻根和枕骨隆凸之間的前后連線及兩耳前凹左右連線均為100％。前后連線和左右連線在頭頂?shù)慕徊纥c(diǎn)放置Cz電極，從鼻根向后10％為FPz，從FPz向后各間隔20％分別為Fz、Cz、Pz和Oz，Oz距離枕骨隆凸為10％。C3和C4放置在Cz的兩側(cè)，距離為兩耳前凹左右連線的20％，T3和T4分別放置在C3和C4兩側(cè)，距離為兩耳前凹左右連線的20％。通過(guò)T3或T4至Oz的連線為左或右顳連線，從Fpz向左或右10％為Fp1或Fp2，從Oz向左或右10％為O1或O2。見(jiàn)圖3。直觀測(cè)量方法如下：定位Cz：鼻根至枕外隆突連線（中線）與外耳道間連線的交點(diǎn)即為Cz；定位C3和C4：Cz左右兩側(cè)兩指節(jié)（3cm～5cm）處分別為C3，C4；定位P3和P4：C3，C4點(diǎn)分別平行于中線往后兩指節(jié)（3cm～5cm）處分別為P3，P4；定位接地電極：接地電極放置于中線前部Fpz。新生兒盤(pán)狀電極連接方法早產(chǎn)兒可適當(dāng)縮小距離；如果由于靜脈置管、引流管和頭皮血腫等原因必須修改電極的位置，按照等距和左右對(duì)稱原則，相應(yīng)的對(duì)側(cè)電極位置也應(yīng)同樣進(jìn)行修改。如果改變了電極位置，操作人員應(yīng)該在記錄中注明。佩戴網(wǎng)帽、貼放電極戴上一次性網(wǎng)帽，將盤(pán)狀電極片穿過(guò)網(wǎng)帽，挖取適量導(dǎo)電膏（導(dǎo)電膏平電極片凹槽）后，分別將電極片貼放至對(duì)應(yīng)位點(diǎn)。如果電極片貼放不夠牢固，建議用醫(yī)用膠布進(jìn)行加固。將電極線接口接入數(shù)據(jù)采集盒對(duì)應(yīng)的電機(jī)線插孔中，夾于測(cè)量?jī)x收納盒。水凝膠腦電電極操作操作如下：定位均與金屬盤(pán)狀電極一致。在電極邊緣處揭去防粘膜。保持電極導(dǎo)線向上從頭頂?shù)姆较蛞?，撥開(kāi)新生兒毛發(fā)，將電極粘貼在清潔過(guò)的皮膚處，并用手指撫平電極片。該水凝膠腦電電極為一次性使用。數(shù)據(jù)采集盒連接將電極線接口接入數(shù)據(jù)采集盒對(duì)應(yīng)的電極線插孔中，夾于測(cè)量?jī)x收納盒。調(diào)節(jié)阻抗點(diǎn)擊“阻抗測(cè)試”，阻抗需小于20kΩ，顏色由橙色變?yōu)榫G色可以開(kāi)始測(cè)試，見(jiàn)圖4。阻抗顯示紅色則需重新備皮和連接。阻抗調(diào)節(jié)開(kāi)啟監(jiān)護(hù)、調(diào)節(jié)視頻點(diǎn)擊“開(kāi)啟監(jiān)護(hù)”，通過(guò)懸臂和軟件調(diào)節(jié)視頻，視頻畫(huà)面需包含新生兒全身，能清晰觀察到新生兒頭面部，胸部，手足等肢體動(dòng)作。注意事項(xiàng)在新生兒病房或NICU進(jìn)行床旁aEEG監(jiān)測(cè)，減少對(duì)新生兒的搬動(dòng)。檢查前應(yīng)了解新生兒病情和治療情況，避免因腦電圖檢查而影響更重要的檢查和治療。新生兒應(yīng)在嬰兒床內(nèi)，腦電圖放大器應(yīng)盡可能靠近新生兒頭部，而遠(yuǎn)離其他醫(yī)療電器（包括輸液泵、監(jiān)護(hù)儀、呼吸機(jī)、ECMO氧合泵、暖箱、紅外線輻射搶救臺(tái)、藍(lán)光治療儀等)。檢測(cè)新生兒頭部是否有頭顱血腫、局部頭皮破損，頭發(fā)茂密是否需要備皮，避開(kāi)在頭顱水腫、血腫或其他局部病灶位置放置電極。同時(shí)需要注意電極不允許和被褥或枕頭等接觸。新生兒腦電圖監(jiān)測(cè)不常規(guī)使用鎮(zhèn)靜劑誘導(dǎo)睡眠（對(duì)于病情需要使用鎮(zhèn)靜劑者除外），通常在喂奶前安裝電極，開(kāi)始記錄后喂奶哄睡。如因偽差難以排除而影響必要的腦電圖記錄，可在病情允許情況下短暫關(guān)閉某些電器設(shè)備。不應(yīng)讓家長(zhǎng)懷抱新生兒進(jìn)行監(jiān)測(cè)。檢測(cè)時(shí)間要求：對(duì)于有腦損傷高危因素的新生兒，生后6h病情相對(duì)穩(wěn)定時(shí)即開(kāi)始首次檢查；對(duì)于無(wú)高危因素、但臨床出現(xiàn)腦病癥狀的，應(yīng)盡快給予檢測(cè)；檢測(cè)時(shí)間不少于4h，存在睡眠覺(jué)醒周期(睡眠周期)的新生兒，需記錄至少一個(gè)完整的睡眠周期；對(duì)需持續(xù)監(jiān)測(cè)病情變化的新生兒，可延長(zhǎng)監(jiān)測(cè)時(shí)間，如進(jìn)行亞低溫治療的中-重度缺氧缺血性腦病新生兒持續(xù)監(jiān)測(cè)至生后72h～96h。病情觀察及護(hù)理減小外界噪音干擾調(diào)節(jié)心電監(jiān)護(hù)設(shè)備和呼吸機(jī)等儀器報(bào)警音量，安撫新生兒，盡可能的減少哭鬧。體位進(jìn)行aEEG時(shí)新生兒多采取仰臥位，特殊情況下可采用側(cè)臥位。監(jiān)測(cè)過(guò)程中應(yīng)調(diào)整新生兒床旁其他設(shè)備的位置，確保視頻錄像過(guò)程中能夠清晰看到新生兒全身包括頭面部及四肢運(yùn)動(dòng)。監(jiān)測(cè)時(shí)間非緊急情況下，應(yīng)在新生兒狀態(tài)最好的時(shí)間段進(jìn)行監(jiān)測(cè)。EEG監(jiān)測(cè)時(shí)間與新生兒日常護(hù)理一致，在電極放置和監(jiān)測(cè)過(guò)程中不宜喚醒新生兒。建議在喂養(yǎng)前放置電極，開(kāi)始記錄前更換尿布。對(duì)于禁食的新生兒，如監(jiān)護(hù)儀上顯示規(guī)律的心律和呼吸節(jié)律，提示新生兒處于睡眠狀態(tài)，盡量不要打擾新生兒，可先準(zhǔn)備好腦電監(jiān)測(cè)所需要物品，等新生兒醒來(lái)后再放置電極。皮膚保護(hù)不應(yīng)將電極放置到其他病灶、顱腦水腫位置、血腫部位等，不應(yīng)電極接觸被褥、枕頭等，避免異常的振幅整合背景活動(dòng)對(duì)最后的結(jié)果造成影響。每例新生兒完成檢查后，消毒、清潔腦電圖帽、盤(pán)狀電極導(dǎo)聯(lián)線，降低交叉感染發(fā)生率。應(yīng)用磨砂膏備皮時(shí)，動(dòng)作輕柔以免造成損傷。予新生兒佩戴柔軟的手套避免拉扯導(dǎo)聯(lián)線。排除偽差監(jiān)測(cè)過(guò)程中，需要對(duì)高阻抗及電極脫落狀況準(zhǔn)確辨別，并對(duì)電極接觸頭皮狀況、腦電圖基線穩(wěn)定程度和導(dǎo)聯(lián)放置狀況進(jìn)行觀察。護(hù)理人員安撫時(shí)不應(yīng)頻繁輕拍新生兒，可使用撫摸、安撫奶嘴、糖水吸吮等方法。對(duì)監(jiān)測(cè)過(guò)程中新生兒出現(xiàn)的特殊事件，如可疑驚厥發(fā)作、呼吸暫?；蛭鼓?、檢查、治療等操作時(shí)記錄發(fā)生時(shí)間及同期新生兒表現(xiàn)。巡視要求aEEG操作人員在監(jiān)測(cè)過(guò)程中每小時(shí)巡視，確保電極固定良好，阻抗≤20kΩ，及時(shí)記錄新生兒在檢測(cè)過(guò)程中發(fā)生的特殊事件。巡視時(shí)隨時(shí)調(diào)整攝像頭監(jiān)測(cè)的范圍和角度來(lái)保證新生兒整個(gè)身體都在監(jiān)控內(nèi)，根據(jù)發(fā)作涉及的部位及眼神改變、口角或四肢遠(yuǎn)端等局部或輕微的動(dòng)作，及時(shí)調(diào)整攝像頭來(lái)提高視頻質(zhì)量，為報(bào)告中發(fā)作鑒別和癥狀學(xué)描述提供更多有用的信息。護(hù)理重點(diǎn)觀察眼睛開(kāi)合、眼球運(yùn)動(dòng)、身體運(yùn)動(dòng)、四肢精細(xì)運(yùn)動(dòng)、面部表情、嘆氣和吸氣運(yùn)動(dòng)，以及其他異常事件，如震顫、肌陣攣、哭叫、自主運(yùn)動(dòng)或呼吸暫停等。所有護(hù)理操作都可能產(chǎn)生難以解讀的偽差，類似癲癇發(fā)作，均應(yīng)及時(shí)記錄。觀察并記錄新生兒頭皮異常情況，如皮膚病變、水腫或頭皮血腫。aEEG數(shù)據(jù)采集上邊界振幅aEEG波普帶的上邊界電壓為上邊界振幅，反應(yīng)腦電活動(dòng)所能達(dá)到的最高強(qiáng)度。早產(chǎn)兒上邊界振幅隨胎齡增加而降低，至37周后上邊界振幅隨胎齡增加而增加。下邊界振幅aEEG波普帶的下邊界電壓為下邊界振幅，反應(yīng)腦電活動(dòng)的基礎(chǔ)水平，隨胎齡增加而增加。睡眠周期無(wú)睡眠周期aEEG背景活動(dòng)無(wú)周期樣變化，無(wú)法區(qū)分AS期和QS期。不成熟睡眠周期背景活動(dòng)可見(jiàn)一些周期樣變化，但僅有較低振幅的周期樣波動(dòng)，沒(méi)有出現(xiàn)典型的正弦樣變化的背景活動(dòng)。睡眠周期未達(dá)到相應(yīng)胎齡的成熟度，以及睡眠周期與胎齡不符，也稱為不成熟睡眠。成熟睡眠周期背景活動(dòng)呈現(xiàn)平滑的正弦樣周期性變化，一個(gè)睡眠周期持續(xù)20min以上。異常放電在aEEG上表現(xiàn)為下邊界和(或)上邊界振幅突然升高，緊隨其后可能出現(xiàn)一段短暫的電壓抑制期。其中單次驚厥發(fā)作表現(xiàn)為背景波譜帶中斷的“駝峰樣”改變，反復(fù)驚厥發(fā)作表現(xiàn)為多次“駝峰樣”改變，驚厥持續(xù)狀態(tài)為驚厥發(fā)作時(shí)間超過(guò)30min，aEEG表現(xiàn)為“鋸齒樣”波形。aEEG可以監(jiān)測(cè)到電極放置位置附近、超過(guò)30s、反復(fù)出現(xiàn)的驚厥發(fā)作。新生兒驚厥在EEG上表現(xiàn)為反復(fù)出現(xiàn)的刻板波形，有確定的起始、高峰和終止時(shí)間，發(fā)作過(guò)程中振幅波動(dòng)＞2μV，持續(xù)時(shí)≥10s。爆發(fā)間期兩次爆發(fā)之間電壓抑制的時(shí)間，反應(yīng)腦成熟度和腦損傷的嚴(yán)重程度。早產(chǎn)兒IBI隨胎齡增加而縮短。IBI長(zhǎng)于相應(yīng)胎齡提示新生兒可能存在腦損傷，IBI延長(zhǎng)時(shí)間越長(zhǎng)，腦損傷程度越重爆發(fā)次數(shù)每小時(shí)出現(xiàn)爆發(fā)性腦電活動(dòng)的次數(shù)，反應(yīng)早產(chǎn)兒腦電活動(dòng)的成熟度，同時(shí)也反應(yīng)腦損傷的嚴(yán)重程度。連續(xù)性連續(xù)圖形aEEG表現(xiàn)為波譜帶寬度不變，下邊界振幅波動(dòng)于5μV～10μV之間，上邊界振幅波動(dòng)于10μV～25μV之間，EEG中腦電活動(dòng)始終保持一定波幅并圍繞基線上下波動(dòng)。不連續(xù)圖形aEEG表現(xiàn)為波譜帶增寬，下邊界振幅低于5μV。EEC中表現(xiàn)為低電壓背景下間斷出現(xiàn)中-高波幅段的爆發(fā)性波群評(píng)價(jià)評(píng)價(jià)腦電背景活動(dòng)按五分類法具體如下：連續(xù)正常電壓。在aEEG上表現(xiàn)為下邊界振幅波動(dòng)于5μV～7μV或lOμV之間，上邊界振幅波動(dòng)于10μV～25μV，最高不超過(guò)50μV；不連續(xù)正常電壓。背景活動(dòng)不連續(xù)，下邊界振幅波動(dòng)，但不超過(guò)5μV，上邊界振幅大于10μV；爆發(fā)-抑制。不連續(xù)的背景活動(dòng)，下邊界振幅波動(dòng)于0μV～2μV之間，爆發(fā)時(shí)的振幅超過(guò)25μV。爆發(fā)次數(shù)≥100次/h稱為BS+，＜100次/h稱為BS-；持續(xù)低電壓。背景活動(dòng)連續(xù)，振幅顯著降低，上邊界振幅小于10μV，下邊界振幅小于5μV或在5μV上下波動(dòng)；電靜止、平坦波。振幅小于5μV并接近于0的極低電壓，相當(dāng)于電靜息。連續(xù)正常電壓為正常，不連續(xù)正常電壓為輕度異常，爆發(fā)-抑制、持續(xù)低電壓為中-重度異常，電靜止、平坦波為重度異常。其中爆發(fā)-抑制、持續(xù)低電壓和電靜止、平坦波預(yù)示新生兒預(yù)后不良。評(píng)價(jià)睡眠周期睡眠周期與胎齡有關(guān)，胎齡28周以前無(wú)睡眠周期，后逐漸出現(xiàn)，多數(shù)胎齡32周的早產(chǎn)兒出現(xiàn)可以識(shí)別的睡眠周期，胎齡37周睡眠周期成熟，清晰可辨。新生兒腦損傷時(shí)可能出現(xiàn)睡眠周期成熟度落后于胎齡。評(píng)價(jià)是否存在驚厥僅應(yīng)用單通道aEEG(P3．P4或C3．C4)檢測(cè)驚厥敏感度較低，為12％～45％。但結(jié)合同期記錄到的原始腦電圖形，即采用aEEG／EEG模式進(jìn)行結(jié)果判讀，診斷驚厥的敏感度可達(dá)76％～90％。雙通道aEEG可使驚厥檢測(cè)敏感度提高18％。推薦單通道或雙通道aEEG結(jié)合同期EEG共同判讀用于新生兒驚厥的篩查。在新生兒驚厥新生兒中，如aEEG表現(xiàn)為背景活動(dòng)重度異常、爆發(fā)間期超過(guò)30S、aEEG檢測(cè)過(guò)程中檢測(cè)到頻繁發(fā)作(發(fā)作＞7次)及睡眠周期消失提示新生兒預(yù)后不良。正常足月兒aEEG特點(diǎn)背景活動(dòng)為連續(xù)正常電壓，即腦電活動(dòng)連續(xù)，下邊界振幅≥5μV，上邊界振幅≥10μV，具有成熟的睡眠周期，未監(jiān)測(cè)到異常波。如aEEG表現(xiàn)為背景異?；蛩咧芷诓怀墒?，提示新生兒可能存在腦損傷。早產(chǎn)兒aEEG特點(diǎn)背景活動(dòng)、睡眠周期隨胎齡變化，隨胎齡的增加上邊界振幅逐漸減低，下邊界振幅逐漸升高，腦電圖形逐漸由不連續(xù)圖形過(guò)渡到交替圖形最后變?yōu)檫B續(xù)圖形，睡眠周期也從最早的無(wú)法辨認(rèn)到出現(xiàn)成熟的正弦樣變化，見(jiàn)附錄A。故可通過(guò)aEEG圖形變化定性評(píng)價(jià)早產(chǎn)兒的腦發(fā)育。評(píng)分系統(tǒng)由aEEG的連續(xù)性、周期性、下邊界振幅和帶寬組成的評(píng)分系統(tǒng)，以定量評(píng)價(jià)早產(chǎn)兒腦發(fā)育成熟度，結(jié)果可靠。胎齡24～25周、27～28周、29～30周、3l～32周、34周、36～37周評(píng)分總分分別為2、6、8、10、11、13分，具體評(píng)分系統(tǒng)見(jiàn)附錄B。僅應(yīng)用該評(píng)分系統(tǒng)對(duì)早產(chǎn)兒腦發(fā)育進(jìn)行評(píng)價(jià)，不能避免部分?jǐn)?shù)據(jù)信息的丟失。早產(chǎn)兒aEEG圖形或腦功能評(píng)分是否與胎齡相符反應(yīng)了腦發(fā)育成熟度，生后隨日齡增長(zhǎng)，還需動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)評(píng)分是否與校正胎齡相符。發(fā)生腦損傷的早產(chǎn)兒，其分值較相應(yīng)胎齡或校正胎齡降低。復(fù)查指征和時(shí)間間隔腦損傷新生兒首次檢查后每24h復(fù)查一次，持續(xù)至72h或aEEG正常，若72h復(fù)查aEEG仍異常，1周左右復(fù)查，其后每周1次，直至aEEG正常。驚厥新生兒連續(xù)監(jiān)測(cè)至驚厥控制(即新生兒臨床表現(xiàn)和EEG檢查均未檢測(cè)到發(fā)作)后24h。如持續(xù)腦電監(jiān)測(cè)實(shí)施困難，可根據(jù)各單位具體情況適當(dāng)調(diào)整。早產(chǎn)兒建議每2周復(fù)查一次至校正胎齡40周或腦電成熟度同足月兒。維護(hù)腦電圖帽清洗將腦電圖帽置于溫水中浸泡15min～20min，如感染性疾病新生兒可使用250mg/L的含氯消毒液浸泡5min。若電極頭上有殘留的導(dǎo)電膏，可用軟刷刷洗。將浸泡后的腦電圖帽輕輕揉干水份，懸掛于通風(fēng)處陰干。清洗時(shí)避免將接插件端接觸到水和消毒液；不能使用含強(qiáng)氧化或強(qiáng)還原劑的消毒劑，如雙氧水、高猛酸鉀溶液、碘酒、新潔爾滅、巴氏消毒液、漂白粉等。用消毒液浸泡后的腦電圖帽必須用清水進(jìn)行漂洗。金屬盤(pán)狀電極清洗使用后擦除多余導(dǎo)電膏，再用清水沖洗，可選醫(yī)用酒精擦拭消毒。不應(yīng)與核磁（MRI）設(shè)備同時(shí)使用、皮膚過(guò)敏者慎用、避免電極線纏繞、彎折、不得在含硫環(huán)境存儲(chǔ)、不得使用熱水或含氯漂白劑清潔。書(shū)寫(xiě)報(bào)告內(nèi)容新生兒信息需包括檢測(cè)當(dāng)日的校正胎齡(出生胎齡+生后日齡)、使用藥物(主要是鎮(zhèn)靜劑、抗癲癇藥物)、低溫治療的程度及持續(xù)時(shí)間、可能影響腦損傷和腦發(fā)育的高危因素，如早產(chǎn)兒、圍產(chǎn)期缺氧窒息史、顱內(nèi)出血、低血糖、嚴(yán)重高膽紅素血癥等。腦電圖形附完整的aEEG圖形，在圖形中標(biāo)注睡眠周期，同時(shí)對(duì)特殊事件進(jìn)行標(biāo)記。同期特征性的EEG圖形也應(yīng)附在報(bào)告中，如爆發(fā)．抑制、驚厥發(fā)作、不連續(xù)圖形等。圖形描述需包括aEEG背景活動(dòng)(上、下邊界的振幅和圖形連續(xù)性)、睡眠周期及有無(wú)驚厥發(fā)作。如檢測(cè)到驚厥發(fā)作，需描述發(fā)作的開(kāi)始、持續(xù)和結(jié)束時(shí)間，如存在驚厥持續(xù)狀態(tài)，需記錄開(kāi)始和結(jié)束的時(shí)間。

（資料性）

早產(chǎn)兒振幅整合腦電圖圖形隨胎齡的變化特點(diǎn)早產(chǎn)兒振幅整合腦電