ICS27.160F12T/CEC中國電力企業(yè)聯(lián)合會標準T/CEC20191128光伏發(fā)電系統(tǒng)背接觸單晶硅片技術(shù)要求Technicalrequirementofinterdigitatedbackcontactmonocrystallinesiliconwaferforphotovoltaicsystem(征求意見稿）20XX-XX-XX發(fā)布 20XX-XX-XX實施中國電力企業(yè)聯(lián)合會發(fā) 布光伏發(fā)電系統(tǒng)背接觸單晶硅片技術(shù)要求范圍本標準規(guī)定了光伏發(fā)電系統(tǒng)背接觸單晶硅片外觀與性能要求、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和儲存等技術(shù)要求。本標準適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)背結(jié)背接觸晶體硅電池用單晶硅片。規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本標準。GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法檢測。GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法GB/T1556硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1557硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6619硅片彎曲度測量方法GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T13384機電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T26068硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測試方法GB/T30860太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測試方法術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標準。GB/T14264界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本標準。背結(jié)背接觸晶體硅電池rearjunctioninterdigitatedbackcontactcrystallinesiliconcell電池受光面（正表面）無柵線、所有正負柵線及PN結(jié)位于背面的晶體硅太陽能電池。隱裂crack延伸到單晶硅片表面的解理或斷裂，其可能或許沒有穿過單晶硅片的整個厚度。劃痕scratch由于外力接觸單晶硅片而造成單晶硅片表面肉眼可見的條型痕跡，或經(jīng)其他檢測技術(shù)顯現(xiàn)出的條型狀發(fā)暗、發(fā)黑的現(xiàn)象。沾污contamination在單晶硅片表面上，非有意地附加到單晶硅片表面上的物質(zhì)，它的線度遠大于局部光散射體。區(qū)域沾污可以是由吸盤印，手指或手套印記、污跡、蠟或溶劑殘留物等形成的晶片表面上的外來物質(zhì)。崩邊（缺口）chip（indents）單晶硅片表面或邊緣非有意的造成脫落材料的區(qū)域。某些崩邊是在單晶硅片加工、測量或檢測時，因傳送或放置樣品等操作引起的。崩邊的尺寸由樣品外形的正投影圖上所測量的最大徑向深度和圓周弦長確定。線痕sawmark單晶硅錠切割時，在單晶硅片表面留下的一系列弧狀凸紋和凹紋交替形狀的不規(guī)則痕跡。使用內(nèi)圓切割時，其弧狀的半徑與切割刀具的半徑是相同的；而鋼線切割產(chǎn)生的刀痕特點取決于切割過程。外觀和性能要求外觀要求幾何參數(shù)硅片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表1的規(guī)定：表1單晶硅片幾何參數(shù)單位為微米硅片厚度允許偏差TV總厚度變化TTV彎曲度bow翹曲度Warp﹢20/﹣10≤25≤40≤40外形尺寸硅片的外形尺寸參見附錄A.1。外觀質(zhì)量要求單晶硅片的外觀要求見表2：表2單晶硅片外觀要求序號項目要求檢驗方式1顏色單晶硅片的顏色應(yīng)均勻一致，無肉眼可見色差、水痕、手指印等外觀缺陷肉眼/每片2裂紋及孔洞單晶硅片不應(yīng)有肉眼可見的孔洞、裂紋肉眼/每片

表2單晶硅片外觀要求（續(xù)）序號項目要求檢驗方式3崩邊及缺口不允許“V”型崩邊及類“V”形缺口；同一片單晶硅片上出現(xiàn)的崩邊、鈍形缺口不應(yīng)超過兩處，且外形缺陷的長度≤0.5mm，由邊緣向中心的深度≤0.3mm肉眼/每片4沾污單晶硅片表面、棱邊允許有輕微沾污，單個面積應(yīng)≤25mm2，個數(shù)應(yīng)≤1個；且距離硅片60cm處目測不可見肉眼/每片5劃痕劃痕寬度應(yīng)≤1mm,長度≤10mm,個數(shù)≤1個，不允許有劃傷肉眼/每片6線痕單晶硅片的線痕深度應(yīng)≤12μm，方向一致肉眼/每片電學(xué)性能電阻率單晶硅片電阻率應(yīng)為(0.5～25)Ω?cm。少數(shù)載流子壽命少數(shù)載流子壽命應(yīng)≥60μs。徑向電阻率不均徑向電阻率不均應(yīng)≤15%。理化性能間隙氧含量單晶硅片間隙氧含量應(yīng)≤0.81018atoms/cm3。代位碳含量單晶硅片代位碳含量應(yīng)≤5.01016atoms/cm3。晶體完整性單晶硅片位錯密度應(yīng)≤500個/cm2。晶向及晶向偏離度單晶硅片的晶向應(yīng)為<100>，晶向偏離度應(yīng)不大于3°,單晶硅片四個邊緣晶向應(yīng)為<100>±2°。檢測規(guī)則檢驗分類檢驗分為型式檢驗、出廠檢驗，具體檢驗項目見表3。檢驗方法外觀檢驗5.2.1.1.幾何參數(shù)檢驗總厚度變化按GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法的規(guī)定進行測試。彎曲度按GB/T6619硅片彎曲度測量方法的規(guī)定進行測試。翹曲度按GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測試方法的規(guī)定進行測試。5.2.1.2.外形尺寸檢驗單晶硅片外形尺寸（邊長、標稱直徑、弧長投影）檢驗采用分辨率優(yōu)于0.02mm的游標卡尺或相應(yīng)精度的量具進行。5.2.1.3.外觀檢驗在光照度不低于1000Lx的白色光源下，對硅片表面進行目檢，產(chǎn)品與雙眼距離約30cm-50cm。線痕深度的測量按GB/T30860的規(guī)定進行檢驗。檢驗方法見表3。表3硅片外觀檢驗方法序號項目試驗方法1顏色目測2裂紋及孔洞目測3崩邊及缺口目測，使用菲林卡尺測量4沾污目測，使用游標卡尺5劃痕目測，使用游標卡尺測量6線痕按GB/T30860規(guī)定電性能檢驗電阻率按GB/T6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法的規(guī)定進行測試。少數(shù)載流子壽命按GB/T26068硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測試方法的規(guī)定進行測試。徑向電阻率不均勻按GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法的規(guī)定進行測試。理化性能檢驗間隙氧含量按GB/T1556硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法的規(guī)定進行測試。代位碳含量按GB/T1557硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法的規(guī)定進行測試。晶體完整性按GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法的規(guī)定進行測試。晶向及晶向偏離度按GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法的規(guī)定進行測試。出廠檢驗單晶硅片進行100%出廠檢驗，出廠檢驗項目包括本標準規(guī)定的全部檢驗項目，見表4。產(chǎn)品應(yīng)經(jīng)生產(chǎn)企業(yè)質(zhì)檢部門檢驗合格，并簽發(fā)合格證后方可出廠。型式檢驗型式檢驗項目包括本標準規(guī)定的全部檢驗項目（見表4），型式檢驗項目包括本標準規(guī)定的全部檢驗項目，見表4。型式檢驗每年應(yīng)進行1次。有下列情況之一時，宜應(yīng)進行型式試驗；a)新產(chǎn)品投產(chǎn)鑒定或鑒定新產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)時;b)正式生產(chǎn)后，如結(jié)構(gòu)、材料、工藝及關(guān)鍵設(shè)備有較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時;c)停產(chǎn)半年以上恢復(fù)生產(chǎn)時;d)供需雙方發(fā)生產(chǎn)品質(zhì)量爭議需要仲裁時;e)國家質(zhì)量監(jiān)督部門或主管部門提出型式檢驗要求時。表4檢驗項目、技術(shù)要求和試驗方法序號檢驗項目型式檢驗出廠檢驗技術(shù)要求試驗方法1總厚度變化√本標準4.1.1本標準5.2.1.12彎曲度√本標準4.1.1本標準5.2.1.13翹曲度√本標準4.1.1本標準5.2.1.14外形尺寸√√本標準4.1.2本標準5.2.1.25外觀要求√√本標準4.1.3本標準5.2.1.36電阻率√本標準4.2.1本標準5.2.27少數(shù)載流子壽命√本標準4.2.2本標準5.2.28徑向電阻率變化√本標準4.2.3本標準5.2.29間隙氧含量√本標準4.3.1本標準5.2.310代位碳含量√本標準4.3.2本標準5.2.311晶體完整性√本標準4.3.3本標準5.2.312晶向及晶向偏離度√本標準4.1.1本標準5.2.3標志、包裝、運輸和儲存標志單晶硅片包裝盒（或箱）上至少印有如下產(chǎn)品標志：制造廠名、產(chǎn)品名稱、產(chǎn)品型號、制造日期、單晶編號、包裝數(shù)量、切割刀紋方向、合格標識。外包裝箱印有正放置、防潮、防曬、易碎、堆碼極限等標志。包裝硅片內(nèi)包裝應(yīng)做好防護防撞措施并密封，避免摩擦、晃動、擠壓。對于批量出售和長途運輸?shù)膯尉Ч杵?，?yīng)防潮、防曬、防震動，箱內(nèi)有產(chǎn)品清單和檢驗合格證書，包裝儲運標志應(yīng)符合GB/T13384的規(guī)定。運輸產(chǎn)品應(yīng)使用有緩沖材料的包裝進行運輸，運輸過程中做好防護措施。儲存產(chǎn)品應(yīng)在有包裝的條件下儲存在通風(fēng)、干燥（相對濕度≤60%，溫度小于42℃）、無腐蝕性氣體的環(huán)境下。附錄A（資料性附錄）單晶硅片尺寸規(guī)格A.1單晶硅片直徑及允許偏差單晶硅片的端面如圖A.1所示，端面尺寸應(yīng)符合表A.1的規(guī)定。圖A.1單晶硅片尺寸示意圖表A.1單晶硅片尺寸要求單位為毫米規(guī)格尺寸A（邊長）B（標稱直徑）E（垂直度）156.75×156.75156.75±0.25210±0.2590±0.25°158.75×158.75158.75±0.25223±0.2590±0.25°166.00×166.00166.00±0.25213±0.2590±0.25°223±0.2590±0.25°233±0.2590±0.25°附錄B（規(guī)范性附錄）B.1單晶硅片性能檢驗記錄如表B.1。表B.1單晶硅片性能檢驗記錄表測試時間晶體編號電阻率厚度TTV邊緣厚度少子壽命線痕翹曲邊長1邊長2表面積標稱直徑1標稱直徑2弧長投影X1弧長投影X2弧長投影X3弧長投影X4弧長投影Y1弧長投影Y2弧長投影Y3弧長投影Y4垂直度1垂直度2垂直度3垂直度4沾污附錄