中微公司深度解析-國(guó)內(nèi)半導(dǎo)刻蝕巨頭-邁內(nèi)生、外延平臺(tái)化_第1頁(yè)
中微公司深度解析-國(guó)內(nèi)半導(dǎo)刻蝕巨頭-邁內(nèi)生、外延平臺(tái)化_第2頁(yè)
中微公司深度解析-國(guó)內(nèi)半導(dǎo)刻蝕巨頭-邁內(nèi)生、外延平臺(tái)化_第3頁(yè)
中微公司深度解析-國(guó)內(nèi)半導(dǎo)刻蝕巨頭-邁內(nèi)生、外延平臺(tái)化_第4頁(yè)
中微公司深度解析-國(guó)內(nèi)半導(dǎo)刻蝕巨頭-邁內(nèi)生、外延平臺(tái)化_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩31頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

付費(fèi)下載

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

中微公司深度解析國(guó)內(nèi)半導(dǎo)刻蝕巨頭,邁內(nèi)生、外延平臺(tái)化

報(bào)告綜述:觀點(diǎn)一、刻蝕技術(shù)水平已比肩國(guó)際,邁入薄膜沉積、量測(cè)平臺(tái)化發(fā)展做大做強(qiáng):中微公司CCP電容式刻蝕機(jī)已達(dá)到國(guó)際最先進(jìn)技術(shù)水平7nm/5nm,在存儲(chǔ)器中64層3DNAND已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),128層3DNAND穩(wěn)步推進(jìn)引領(lǐng)國(guó)內(nèi)大規(guī)模進(jìn)口替代,ICP電感式突破至1Xnm,未來(lái)有望導(dǎo)入產(chǎn)線(xiàn)加大應(yīng)用;同時(shí),公司開(kāi)啟平臺(tái)化發(fā)展,參股沈陽(yáng)拓荊(國(guó)內(nèi)PECVD、ALD龍頭)、Solayer(鍍膜設(shè)備)并擬參股上海睿勵(lì)(國(guó)內(nèi)厚膜量測(cè)設(shè)備領(lǐng)先者),擴(kuò)大業(yè)務(wù)領(lǐng)域,滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)對(duì)薄膜設(shè)備、量測(cè)設(shè)備的等巨大需求,順勢(shì)做大做強(qiáng)。觀點(diǎn)二、高性?xún)r(jià)比疊加服務(wù)優(yōu)勢(shì),為客戶(hù)降本增效,實(shí)現(xiàn)由下至上的進(jìn)口替代:公司刻蝕機(jī)不僅技術(shù)水平達(dá)標(biāo)、工藝通過(guò)驗(yàn)證,而是持續(xù)以創(chuàng)新設(shè)計(jì)、高性?xún)r(jià)比為客戶(hù)降本增效;例如:公司雙反應(yīng)爐的產(chǎn)品相較于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手可降低30%至50%的生產(chǎn)成本和占地面積;根據(jù)公司未來(lái)3至5年的技術(shù)升級(jí)和外延擴(kuò)張規(guī)劃,公司除了線(xiàn)寬升級(jí),也將持續(xù)以降本增效為核心,為國(guó)內(nèi)客戶(hù)創(chuàng)造進(jìn)口替代的附加價(jià)值觀點(diǎn)三、進(jìn)入先進(jìn)制程賽道加厚壁壘,同步臺(tái)積電技術(shù)升級(jí),打開(kāi)長(zhǎng)期市場(chǎng)空間:公司CCP刻蝕7nm/5nm均在臺(tái)積電部分工藝量產(chǎn),3nm同步驗(yàn)證中;公司緊跟先進(jìn)制程驗(yàn)證,將有利于在相對(duì)成熟的制程節(jié)點(diǎn)驗(yàn)證;因此,在國(guó)內(nèi)其他14nm及以上Fab的工藝驗(yàn)證時(shí)達(dá)到高效率。此外,公司進(jìn)入先進(jìn)制程將打開(kāi)長(zhǎng)期市場(chǎng)空間,加厚競(jìng)爭(zhēng)護(hù)城河;例如:邏輯、存儲(chǔ)芯片追尋先進(jìn)制程,平均每代刻蝕價(jià)值提升30%;邏輯芯片從28nm至7nm的Fab廠,技術(shù)工藝復(fù)雜化和線(xiàn)寬升級(jí),使得每萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能所需刻蝕設(shè)備從50臺(tái)增加至近140臺(tái);未來(lái),刻蝕機(jī)價(jià)值量將持續(xù)同步5nm/3nm制程升級(jí)。觀點(diǎn)四、工藝通過(guò)驗(yàn)證,推動(dòng)市占率爬升,顯著受益于國(guó)內(nèi)Fab未來(lái)5年設(shè)備密集拉動(dòng)期:2019至2020Q1,中微公司在國(guó)內(nèi)重點(diǎn)客戶(hù)的刻蝕機(jī)采購(gòu)占比,同步工藝驗(yàn)證通過(guò)比例一路爬升,按招標(biāo)階段市占率分別為15%、19%至27%;根據(jù)DIGITIMES采訪(fǎng)訊息,中微公司創(chuàng)始人尹志堯預(yù)計(jì),未來(lái)在Fab廠刻蝕設(shè)備的國(guó)產(chǎn)率將達(dá)50%;中微公司尚有極大增長(zhǎng)空間。根據(jù)國(guó)內(nèi)Fab已公布的投資金額測(cè)算,刻蝕機(jī)在國(guó)內(nèi)Fab的擴(kuò)產(chǎn)市場(chǎng):邏輯芯片為290億元;功率器件和特殊芯片為140億元,存儲(chǔ)芯片為690億元。盈利預(yù)測(cè)及估值:綜合考慮中微公司在行業(yè)技術(shù)水平、產(chǎn)品性?xún)r(jià)比、長(zhǎng)期增量市場(chǎng)空間等各方面皆具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì);我們維持盈利預(yù)測(cè):2020-2022年公司營(yíng)業(yè)收入為24.19億元/32.98億元/44.60億

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論