GB/T4937.11—2018/IEC60749-11:2002半導體器件機械和氣候試驗方法第11部分：快速溫度變化雙液槽法(IEC60749-11:2002,IDT)國家市場監(jiān)督管理總局中國國家標準化管理委員會GB/T4937.11—2018/IEC60749-11:2002 ——第27部分：靜電放電(ESD)敏感度試驗機械模型(MM); 工Ⅱ——第39部分：半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量；——第44部分：半導體器件的中子束輻照單本部分為GB/T4937的第11部分。本部分使用翻譯法等同采用IEC60749-11:2002《半導體器件機械和氣候試驗方法第11部分：——GB/T4937.3—2012半導體器件機械和氣候試驗方法第3部分外部目檢(IEC60749-——根據(jù)IEC60749-11:2002更改單，表1中一40℃的偏差一30℃更改為一10℃;請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任。1GB/T4937.11—2018/IEC60半導體器件機械和氣候試驗方法第11部分：快速溫度變化雙液槽法GB/T4937的本部分規(guī)定了快速溫度變化——雙液槽法的試驗方法。當器件鑒定既可以采用空GB/T2423.22—2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗N:溫度變化IEC60749-3半導體器件機械和氣候試驗方法第3部分：外部目檢(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part3:Externalvisualmethods)樣品specimen2GB/T4937.11—2018/IEC60749-11滿足溫度容差要求(樣品中心溫度)和恢復時間要求(見5.1)的樣品的最大質(zhì)量。所用的液槽應能在最大負載時，在工作區(qū)提供和控制規(guī)定的溫度。熱容量和液體循環(huán)應能使工作區(qū)和負載滿足規(guī)定的試驗條件和計時要求(見5.1)。在試驗期間用指示儀或記錄儀顯示監(jiān)測傳感器的情況負載溫度。用于條件B、條件C和條件D的全氟碳化合物應滿足表2的規(guī)定。樣品應放于液槽中的合適位置，使液體在樣品中間及周圍的流動不受到阻礙。然后根據(jù)表1的規(guī)定，使負載按試驗條件C或其他規(guī)定的試驗條件進行15次循環(huán)(對于模擬清洗應進行10次循環(huán))。為次數(shù)超過規(guī)定循環(huán)總次數(shù)的10%,試驗應重新開始。從熱到冷或從冷到熱的轉(zhuǎn)移時間不得超過10s。當最壞情況負載溫度達到表1規(guī)定的限值范圍內(nèi)表1快速溫度變化溫度允差和推薦的液體”試驗條件ABCD溫度℃溫度℃溫度℃溫度℃步驟1溫度允差推薦的液體全氟碳化合物b,全氟碳化合物全氟碳化合物全氟碳化合物步驟2溫度允差-40-90-55-90-65-90推薦的液體全氟碳化合物全氟碳化合物全氟碳化合物全氟碳化合物注：在試驗進行前，先確定器件對快速溫度變化液體的化學穩(wěn)定性?！ひ叶疾荒苡米骺焖贉囟茸兓囼灥囊后w。在該溫度范圍內(nèi)，水是可采用的液體。全氟碳化合物不得含有氯和氫。試驗后，按相關文件中規(guī)定的正常和最壞情況條件進行檢測。如果密封試驗(對于密封器件)未通試驗條件BCD步驟1沸點/℃25℃下的密度/(g/cm3)介電強度/(V/mm)殘留物(×10-?)外觀透明、無色液體步驟225℃下的密度/(g/cm3)介電強度/(V/mm)殘留物(×10-?)外觀透明、無色液體·采用的全氟碳化合物在最低溫度下的粘度應小于或等于快速溫度變化設備承制方推薦的黏