場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)目錄場(chǎng)效應(yīng)管的種類1場(chǎng)效應(yīng)管工作原理2場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)3一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類介紹什么是場(chǎng)效應(yīng)管及特點(diǎn)，場(chǎng)效應(yīng)管的分類，對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管有一個(gè)整體認(rèn)識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管的介紹場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。特點(diǎn):

具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挕岱€(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已得到廣泛應(yīng)用。一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)二、場(chǎng)效應(yīng)管工作原理通過(guò)分析結(jié)型、增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)列出電路符號(hào)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管N基底：N型半導(dǎo)體PP兩邊是P區(qū)GSD導(dǎo)電溝道二、場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理G柵極D漏極S源極結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管NPPG柵極S源極D漏極N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)DGSDGS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管9一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)PNNGSDP型基底兩個(gè)N區(qū)SiO2絕緣層導(dǎo)電溝道金屬鋁GSDN溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管10一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)PNNGSD預(yù)埋了導(dǎo)電溝道GSDN溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管11一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)NPPGSDGSD絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)NPPGSDGSD預(yù)埋了導(dǎo)電溝道三、場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的外形識(shí)別塑料封裝場(chǎng)效應(yīng)管按封裝材料金屬封裝按封裝樣式TO封裝SOT封裝SOP封裝三、場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)識(shí)別場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)編號(hào)等信息是塑封TO-220F

電流8A/耐壓600V三、場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)識(shí)別鐵基TO-2204A/60