2021-2022學(xué)年高考物理模擬試卷考生請(qǐng)注意：1．答題前請(qǐng)將考場(chǎng)、試室號(hào)、座位號(hào)、考生號(hào)、姓名寫在試卷密封線內(nèi)，不得在試卷上作任何標(biāo)記。2．第一部分選擇題每小題選出答案后，需將答案寫在試卷指定的括號(hào)內(nèi)，第二部分非選擇題答案寫在試卷題目指定的位置上。3．考生必須保證答題卡的整潔?？荚嚱Y(jié)束后，請(qǐng)將本試卷和答題卡一并交回。一、單項(xiàng)選擇題：本題共6小題，每小題4分，共24分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。1．如圖所示，在豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有兩根水平放置的平行粗糙金屬導(dǎo)軌CD、EF，導(dǎo)軌上放有一金屬棒MN．現(xiàn)從t=0時(shí)刻起，給金屬棒通以圖示方向的電流且電流I的大小與時(shí)間t成正比，即I=kt，其中k為常量，不考慮電流對(duì)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的影響，金屬棒與導(dǎo)軌始終垂直且接觸良好．下列關(guān)于金屬棒的加速度a、速度v隨時(shí)間t變化的關(guān)系圖象，可能正確的是A． B．C． D．2．若在某行星和地球上相對(duì)于各自的水平地面附近相同的高度處、以相同的速率平拋一物體，它們?cè)谒椒较蜻\(yùn)動(dòng)的距離之比為2∶3，已知該行星質(zhì)量約為地球的36倍，地球的半徑為R。由此可知，該行星的半徑約為（）A．3R B．4R C．5R D．6R3．如圖所示，OAB為四分之一圓柱體的豎直截面，半徑為R，在B點(diǎn)上方的C點(diǎn)水平拋出一個(gè)小球，小球軌跡恰好在D點(diǎn)與圓柱體相切，OD與OB的夾角為53°，則C點(diǎn)到B點(diǎn)的距離為（sin53°＝0.8，cos53°＝0.6）（）A． B． C． D．4．單鏡頭反光相機(jī)簡(jiǎn)稱單反相機(jī)，它用一塊放置在鏡頭與感光部件之間的透明平面鏡把來(lái)自鏡頭的圖像投射到對(duì)焦屏上。對(duì)焦屏上的圖像通過(guò)五棱鏡的反射進(jìn)入人眼中。如圖為單反照相機(jī)取景器的示意圖，為五棱鏡的一個(gè)截面，，光線垂直射入，分別在和上發(fā)生反射，且兩次反射的入射角相等，最后光線垂直射出。若兩次反射都為全反射，則該五棱鏡折射率的最小值是（）A． B． C． D．5．如圖所示，一固定斜面上兩個(gè)質(zhì)量均為m的小物塊A和B緊挨著勻速下滑，A與B的接觸面光滑。已知A與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)是B與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)的2倍，斜面傾角為α，重力加速度為g。B與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ與A、B間彈力FN的大小分別是（）A．μ=tanα，F(xiàn)N=mgsinαB．μ=tanα，F(xiàn)N=mgsinαC．μ=tanα，F(xiàn)N=mgcosαD．μ=tanα，F(xiàn)N=mgsinα6．我國(guó)新一代可控核聚變研究裝置“中國(guó)環(huán)流器二號(hào)M”目前建設(shè)順利，預(yù)計(jì)2020年投入運(yùn)行，開(kāi)展相關(guān)科學(xué)實(shí)驗(yàn)。該裝置以氫、氘氣體為“燃料”，通過(guò)將其注入裝置并擊穿、“打碎”產(chǎn)生近堆芯級(jí)別的等離子體，來(lái)模擬核聚變反應(yīng)。若已知H的質(zhì)量為m1H的質(zhì)量為m2，He的質(zhì)量為m3，n質(zhì)量為m4，關(guān)于下列核反應(yīng)方程，下列說(shuō)法中正確的是（）A．He+n是熱核反應(yīng)，其中x=2B．HeO+H是熱核反應(yīng)，其中x=1C．B+He是人工轉(zhuǎn)變，其中x=1D．SrXe+n是裂變反應(yīng)，其中x=8二、多項(xiàng)選擇題：本題共4小題，每小題5分，共20分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，有多個(gè)選項(xiàng)是符合題目要求的。全部選對(duì)的得5分，選對(duì)但不全的得3分，有選錯(cuò)的得0分。7．如圖所示，在豎直紙面內(nèi)有四條間距均為L(zhǎng)的水平虛線L1、L2、L3、L4，在L1、L2之間與L3，L4之間存在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)?，F(xiàn)有一矩形線圈abcd，長(zhǎng)邊ad=3L，寬邊cd=L，質(zhì)量為m，電阻為R，將其從圖示位置（cd邊與L1重合）由靜止釋放，cd邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L3時(shí)恰好開(kāi)始做勻速直線運(yùn)動(dòng)，整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中線圈始終處于同一豎直面內(nèi)，cd邊始終水平，已知重力加速度g=10m/s2，則（）A．a(chǎn)b邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L1后線圈要做一段減速運(yùn)動(dòng)B．a(chǎn)b邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L3后線圈要做一段減速運(yùn)動(dòng)C．cd邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L2和L4的時(shí)間間隔大于D．從線圈開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到cd邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L4過(guò)程中，線圈產(chǎn)生的熱量為2mgL－8．下列說(shuō)法正確的是A．飽和汽壓與溫度和體積都有關(guān)B．絕對(duì)濕度的單位是Pa，相對(duì)濕度沒(méi)有單位C．空氣相對(duì)濕度越大時(shí)，空氣中水蒸氣壓強(qiáng)越接近飽和汽壓，水蒸發(fā)越快D．氣體做等溫膨脹，氣體分子單位時(shí)間對(duì)汽缸壁單位面積碰撞的次數(shù)一定變少E.飽和汽和液體之間的動(dòng)態(tài)平衡，是指汽化和液化同時(shí)進(jìn)行的過(guò)程，且進(jìn)行的速率相等9．如圖所示，在半徑為R的圓形區(qū)域內(nèi)有垂直紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。P是磁場(chǎng)邊界上的一點(diǎn)，大量電荷量為q、質(zhì)量為m、相同速率的離子從P點(diǎn)沿不同方向同時(shí)射入磁場(chǎng)。其中有兩個(gè)離子先后從磁場(chǎng)邊界上的Q點(diǎn)（圖中未畫(huà)出）射出，兩離子在磁場(chǎng)邊緣的出射方向間的夾角為，P點(diǎn)與Q點(diǎn)的距離等于R。則下列說(shuō)法正確的是（）A．離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)半徑為B．離子的速率為C．兩個(gè)離子從Q點(diǎn)射出的時(shí)間差為D．各種方向的離子在磁場(chǎng)邊緣的出射點(diǎn)與P點(diǎn)的最大距離為10．一定質(zhì)量的理想氣體，其狀態(tài)變化的圖象如圖所示，其中過(guò)程氣體既不吸熱、也不放熱，過(guò)程氣體體積不變。對(duì)此下列說(shuō)法正確的是（）A．過(guò)程中，外界對(duì)氣體做功B．過(guò)程中，氣體分子的平均動(dòng)能不變C．過(guò)程中，單位時(shí)間內(nèi)與器壁單位面積碰撞的分子數(shù)增多D．過(guò)程中，氣體溫度降低E.過(guò)程中，單位體積內(nèi)的氣體分子數(shù)減少三、實(shí)驗(yàn)題：本題共2小題，共18分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，不要求寫出演算過(guò)程。11．（6分）圓柱形陶瓷元器件表面均勻鍍有一層導(dǎo)電薄膜，已知導(dǎo)電薄膜電阻率為，為了測(cè)量該薄膜厚度，某同學(xué)使用銅絲緊繞在元件表面，銅絲繞制成圓形，圓柱體軸線垂直于銅絲圓面，制成電極A、B，如圖甲所示(1)用螺旋測(cè)微器測(cè)量元件的直徑，測(cè)量結(jié)果如圖乙所示，其讀數(shù)為_(kāi)________mm。(2)為了測(cè)量元件電阻，某同學(xué)首先使用多用電表對(duì)元件粗測(cè)，元件電阻約為，現(xiàn)需準(zhǔn)確測(cè)量電阻阻值，可供器材如下A．被測(cè)元件（阻值約）B．直流電源（電動(dòng)勢(shì)約，內(nèi)阻約）C．電流表（量程，內(nèi)阻約）D．電壓表（量程，內(nèi)阻）E.電壓表（量程，內(nèi)阻約）F.定值電阻（）G.滑動(dòng)變阻器（）H.滑動(dòng)變阻器（）I.電鍵、導(dǎo)線等①在可供選擇的器材中，已經(jīng)選擇A、B、C、I除此之外，應(yīng)該選用________（填寫序號(hào)）②根據(jù)所選器材，在圖丙方框中畫(huà)出實(shí)驗(yàn)電路圖_______③需要測(cè)量的物理量________，請(qǐng)用上述物理量表示被測(cè)電阻______。(3)為了測(cè)量薄膜厚度還需要測(cè)量的物理量為_(kāi)_________。(4)若被測(cè)元件電阻為，元件直徑為，電阻率為，請(qǐng)結(jié)合使用(3)物理量表示薄膜厚度____。12．（12分）用如圖所示的裝置來(lái)驗(yàn)證機(jī)械能守恒定律，A為裝有擋光片的鉤碼，擋光片寬度為b，輕繩跨過(guò)光滑輕質(zhì)定滑輪與A和重物B相連，A的質(zhì)量是B的質(zhì)量的3倍，A、B靜止時(shí)擋光片上端到光電門的距離為h(h>>b)。由靜止釋放B后，擋光片經(jīng)過(guò)光電門的擋光時(shí)間為t，重力加速度為g.(1)實(shí)驗(yàn)中，將擋光片通過(guò)光電門的平均速度當(dāng)作A下落h時(shí)的瞬時(shí)速度，該速度表達(dá)式為_(kāi)___________(用題中所給字母表示)。(2)為減小擋光片通過(guò)光電門的平均速度與A下落h時(shí)的瞬時(shí)速度間存在的誤差，下列做法中可行的是____________(填選項(xiàng)序號(hào)字母)。A．將B改換成密度小而體積大的重物B．減小擋光片的擋光寬度bC．增大擋光片的擋光寬度bD．減小擋光片上端到光電門的距離h(3)在A下落h的過(guò)程中，驗(yàn)證A和B的系統(tǒng)機(jī)械能守恒定律成立的表達(dá)式為_(kāi)_____________________(用題中所給字母表示)。四、計(jì)算題：本題共2小題，共26分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，要求寫出必要的文字說(shuō)明、方程式和演算步驟。13．（10分）小王在實(shí)驗(yàn)室做單擺實(shí)驗(yàn)時(shí)得到如圖甲所示的單擺振動(dòng)情形，O是它的平衡位置，B、C是擺球所能到達(dá)的左右最遠(yuǎn)位置，此時(shí)的擺動(dòng)角度為θ，小王通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)得當(dāng)?shù)刂亓铀俣葹間＝10m/s2，并且根據(jù)實(shí)驗(yàn)情況繪制了單擺的振動(dòng)圖象如圖乙所示，設(shè)圖中單擺向右擺動(dòng)為正方向。求：(1)單擺的振幅、擺長(zhǎng)約為多少；(2)估算單擺振動(dòng)時(shí)最大速度v。(可能用到的公式1－cosθ＝2sin2)(計(jì)算結(jié)果均保留三位有效數(shù)字)14．（16分）理論研究表明暗物質(zhì)湮滅會(huì)產(chǎn)生大量高能正電子，所以在宇宙空間探測(cè)高能正電子是科學(xué)家發(fā)現(xiàn)暗物質(zhì)的一種方法。下圖為我國(guó)某研究小組設(shè)計(jì)的探測(cè)器截面圖：開(kāi)口寬為的正方形鋁筒，下方區(qū)域Ⅰ、Ⅱ?yàn)榉较蛳喾吹膭驈?qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B，區(qū)域Ⅲ為勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)強(qiáng)度，三個(gè)區(qū)域的寬度均為d。經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間，儀器能接收到平行鋁筒射入的不同速率的正電子，其中部分正電子將打在介質(zhì)MN上。已知正電子的質(zhì)量為m，電量為e，不考慮相對(duì)論效應(yīng)及電荷間的相互作用。(1)求能到達(dá)電場(chǎng)區(qū)域的正電子的最小速率；(2)在區(qū)域Ⅱ和Ⅲ的分界線上寬度為的區(qū)域有正電子射入電場(chǎng)，求正電子的最大速率；(3)若L=2d，試求第（2）問(wèn)中最大速度的正電子打到MN上的位置與進(jìn)入鋁筒位置的水平距離。15．（12分）如圖所示，足夠長(zhǎng)的粗糙絕緣軌道AB與處于豎直平面內(nèi)的光滑圓弧形絕緣軌道BC平滑連接，圓弧的半徑。在軌道所在空間存在水平向右的勻強(qiáng)電場(chǎng)E，現(xiàn)有一帶電體（可視為質(zhì)點(diǎn)）放在水平軌道上的A位置，帶電體與粗糙軌道的動(dòng)摩擦因數(shù)均為，從A點(diǎn)由靜止釋放，通過(guò)C點(diǎn)時(shí)恰好與圓軌道無(wú)擠壓，且合力剛好指向圓心，已知，不計(jì)空氣阻力，重力加速度。求：（1）粗糙絕緣軌道AB長(zhǎng)度；（2）小球從C點(diǎn)射出后，第一次運(yùn)動(dòng)到水平地面AB所需要的時(shí)間。

參考答案一、單項(xiàng)選擇題：本題共6小題，每小題4分，共24分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。1、D【解析】

AB、由題，棒中通入的電流與時(shí)間成正比，I=kt，棒將受到安培力作用，當(dāng)安培力大于最大靜摩擦力時(shí)，棒才開(kāi)始運(yùn)動(dòng)，根據(jù)牛頓第二定律得：F-f=ma，而F=BIL，I=kt，得到BkL?t-f=ma，可見(jiàn)，a隨t的變化均勻增大。當(dāng)t=0時(shí)，f=-ma，根據(jù)數(shù)學(xué)知識(shí)可知AB錯(cuò)誤，故AB錯(cuò)誤。

CD、速度圖象的斜率等于加速度，a增大，則v-t圖象的斜率增大。故C錯(cuò)誤，D正確。故選D。2、B【解析】

平拋運(yùn)動(dòng)在水平方向上為勻速直線運(yùn)動(dòng)，x=vot在豎直方向上做自由落體運(yùn)動(dòng)，即所以兩種情況下，拋出的速率相同，高度相同，所以根據(jù)公式可得故解得R行=4R故選B。3、B【解析】

由題意知得：小球通過(guò)D點(diǎn)時(shí)速度與圓柱體相切，則有vy=v0tan53°小球從C到D，水平方向有Rsin53°=v0t豎直方向上有聯(lián)立解得根據(jù)幾何關(guān)系得，C點(diǎn)到B點(diǎn)的距離故B正確，ACD錯(cuò)誤。

故選B。4、A【解析】

設(shè)入射到CD面上的入射角為θ，因?yàn)樵贑D和EA上發(fā)生全反射，且兩次反射的入射角相等。如圖：根據(jù)幾何關(guān)系有解得根據(jù)解得最小折射率選項(xiàng)A正確，BCD錯(cuò)誤。故選A。5、A【解析】

以AB整體為研究對(duì)象，根據(jù)平衡條件得2mgsinα=μAmgcosα+μBmgcosα=2μmgcosα+μmgcosα解得對(duì)B受力分析可知，B受重力、支持力、A的彈力及摩擦力而處于平衡狀態(tài)；則有mgsinα=μmgcosα+解得故A正確，BCD錯(cuò)誤。故選A。6、C【解析】

A．He+n是熱核反應(yīng)，根據(jù)核電荷數(shù)守恒和質(zhì)量守恒可知，其中x=1，A錯(cuò)誤；B．HeO+H是人工轉(zhuǎn)變，其中x=1，B錯(cuò)誤；C．B+He是人工轉(zhuǎn)變，其中x=1，C正確；D．SrXe+n是裂變反應(yīng)，根據(jù)核反應(yīng)前后電荷數(shù)守恒和質(zhì)量數(shù)守恒知x=10，故D錯(cuò)誤。故選C。二、多項(xiàng)選擇題：本題共4小題，每小題5分，共20分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，有多個(gè)選項(xiàng)是符合題目要求的。全部選對(duì)的得5分，選對(duì)但不全的得3分，有選錯(cuò)的得0分。7、BC【解析】

A．cd邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L3時(shí)恰好開(kāi)始做勻速直線運(yùn)動(dòng)，cd邊從L3到L4的過(guò)程中做勻速直線運(yùn)動(dòng)，cd邊到L4時(shí)ab邊開(kāi)始到達(dá)L1，則ab邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L1后做勻速直線運(yùn)動(dòng)，故A錯(cuò)誤；B．a(chǎn)b邊從L2到L3的過(guò)程中，穿過(guò)線圈的磁通量沒(méi)有改變，沒(méi)有感應(yīng)電流產(chǎn)生，不受安培力，線圈做勻加速直線運(yùn)動(dòng)，則ab邊進(jìn)入下方磁場(chǎng)的速度比cd邊進(jìn)入下方磁場(chǎng)的速度大，所受的安培力增大，所以ab邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L3后線圈要做一段減速運(yùn)動(dòng)，故B正確；C．cd邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L3時(shí)恰好做勻速直線運(yùn)動(dòng)，根據(jù)平衡條件有而聯(lián)立解得cd邊從L3到L4的過(guò)程做勻速運(yùn)動(dòng)，所用時(shí)間為cd邊從L2到L3的過(guò)程中線圈做勻加速直線運(yùn)動(dòng)，加速度為g，設(shè)此過(guò)程的時(shí)間為t1，由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式得得故cd邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L2和L4的時(shí)間間隔為故C正確；D．線圈從開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到cd邊經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)邊界線L4過(guò)程，根據(jù)能量守恒得故D錯(cuò)誤。故選BC。8、BDE【解析】

飽和汽壓與溫度有關(guān)，和體積無(wú)關(guān)，選項(xiàng)A錯(cuò)誤；絕對(duì)濕度及壓強(qiáng)表示其單位是Pa，相對(duì)濕度沒(méi)有單位，則B正確；空氣相對(duì)濕度越大時(shí)，空氣中水蒸氣壓強(qiáng)越接近飽和汽壓，水蒸發(fā)越慢，則C錯(cuò)誤；氣體做等溫膨脹，分子密度變小，氣體分子單位時(shí)間對(duì)汽缸壁單位面積碰撞的次數(shù)一定變少，則D正確；飽和汽和液體之間的動(dòng)態(tài)平衡，是指汽化和液化同時(shí)進(jìn)行的過(guò)程，且進(jìn)行的速率相等，則E正確；故選BDE。9、BCD【解析】

從Q點(diǎn)能射出兩個(gè)離子，則離子圓周運(yùn)動(dòng)半徑r小于磁場(chǎng)區(qū)域圓半徑R，運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示。為等邊三角形。A．由幾何關(guān)系得又有解兩式得①選項(xiàng)A錯(cuò)誤；B．在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)有②解①②式得選項(xiàng)B正確；C．圓周運(yùn)動(dòng)的周期為兩離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間分別為則從磁場(chǎng)射出的時(shí)間差為選項(xiàng)C正確；D．各種方向的離子從磁場(chǎng)中的出射點(diǎn)與P點(diǎn)的最大距離為選項(xiàng)D正確；故選BCD.10、ACE【解析】

A．過(guò)程，氣體體積減小，則外界對(duì)氣體做功。所以A正確；B．過(guò)程，由題意知該過(guò)程氣體既不吸熱、也不放熱，由熱力學(xué)第一定律知?dú)怏w內(nèi)能一定增加，則理想氣體分子的平均動(dòng)能一定增大。所以B錯(cuò)誤；C．過(guò)程，氣體體積不變而壓強(qiáng)增大，體積不變則單位體積的氣體分子數(shù)不變，壓強(qiáng)增大則氣體的溫度一定升高，氣體分子的熱運(yùn)動(dòng)更加劇烈，分子在單位時(shí)間內(nèi)與器壁單位面積的碰撞次數(shù)增多。所以C正確；D．過(guò)程，由（常數(shù)）知?dú)怏w溫度升高。所以D錯(cuò)誤；E．過(guò)程中，氣體體積增大，則單位體積內(nèi)的氣體分子數(shù)減少。所以E正確。故選ACE。三、實(shí)驗(yàn)題：本題共2小題，共18分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，不要求寫出演算過(guò)程。11、0.398（0.396~0.399均可給分）DFG（分壓式接法也可以）電流表示數(shù)，電壓表示數(shù)（或）電極A、B之間的距離【解析】

(1)[1]螺旋測(cè)微器主尺刻度為0，可動(dòng)刻度為39.8×0.01mm=0.398mm，所以讀數(shù)為0+0.398mm=0.398mm(2)[2]因?yàn)橹绷麟娫措妱?dòng)勢(shì)為6V，電壓表V2量程太大，不能選擇，可將電壓表V1改裝，因此需要DF；滑動(dòng)變阻器起限流作用，安全下選擇小的，比較方便操作，所以選擇G。[3]該電路設(shè)計(jì)滑動(dòng)變阻器阻值比被測(cè)阻值大，而且能保證儀器安全，因此滑動(dòng)變阻器采用限流方式，使用伏安法測(cè)量被測(cè)電阻，其中電壓表需串聯(lián)一個(gè)分壓電阻，總電阻遠(yuǎn)大于待測(cè)電阻，采用電流表外接。電路如圖：[4]根據(jù)歐姆定律，需要測(cè)量電流表示數(shù)，電壓表示數(shù)；[5]電壓應(yīng)為電壓表和定值電阻的總電壓，電流應(yīng)為流過(guò)待測(cè)電阻的電流，則因?yàn)?，所以也可表示?3)[6]根據(jù)電阻定律其中薄膜很薄，展開(kāi)后可認(rèn)為是以圓周長(zhǎng)為邊，厚度為高的矩形，即所以為了測(cè)量薄膜厚度，還需要測(cè)量連入電路的電阻長(zhǎng)度為電極A、B之間的距離。(4)[7]據(jù)題有因此12、B【解析】

（1）[1]．A經(jīng)過(guò)光電門時(shí)的速度：；（2）[2]．A、運(yùn)動(dòng)過(guò)程中重物B要受到空氣阻力作用，為減小實(shí)驗(yàn)誤差，應(yīng)將B

改換成密度大而體積小的重物，故A錯(cuò)誤；BC、擋光片的寬度越小，擋光片經(jīng)過(guò)光電門時(shí)的平均速度越接近其瞬時(shí)速度，為減小實(shí)驗(yàn)誤差，應(yīng)減小擋光片的擋光寬度b，故B正確，C錯(cuò)誤；D、擋光片經(jīng)過(guò)光電門的時(shí)間越短實(shí)驗(yàn)誤差越小，為減小實(shí)驗(yàn)誤差，應(yīng)增大擋光片上端到光電門的距離h，故D錯(cuò)誤；

故選B．（3）[3]．設(shè)B的質(zhì)量為m，則A的質(zhì)量為3m，由機(jī)械能守恒定律得：整理得gh=v2即：四、計(jì)算題：本題共2小題，共26分。把答案寫在答題卡中指定的答題處，要求寫出必要的文字說(shuō)明、方程式和演算步驟。13、(1)；；(2)