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(完整word版)BOOST電路參數(shù)計(jì)算公式(完整word版)BOOST電路參數(shù)計(jì)算公式(完整word版)BOOST電路參數(shù)計(jì)算公式輸出電容的選擇和你的開(kāi)關(guān)頻率占空比還有紋波的要求有關(guān),和電感量沒(méi)有直接關(guān)系。也就說(shuō)沒(méi)有所謂的搭配關(guān)系影響效率和MOS發(fā)熱。我感覺(jué)你的電感選小了,或者頻率選低了。電感選小了電感充電迅速完成,之后管子沒(méi)有關(guān)斷導(dǎo)致電感成了直流電阻負(fù)載,消耗電能并導(dǎo)致MOS發(fā)熱.如果頻率高的話可以緩解這種狀況,但是增加電感量是根本。再有Mos發(fā)熱還跟你的開(kāi)關(guān)時(shí)間有關(guān)系,就是說(shuō)加在mos管G極的信號(hào)是不是很好的方波,因?yàn)閙os從截至到飽和必須劃過(guò)放大區(qū),而放大區(qū)的結(jié)功耗要大的多。所以要求換過(guò)放大區(qū)的時(shí)間越短越好,就要求信號(hào)的上升下降沿要足夠陡峭。而mos管本G極和與DS之間是由比較的結(jié)電容的.所以要求mos前面的電路要有一定的驅(qū)動(dòng)能力.下面是從網(wǎng)上看到的一個(gè)計(jì)算用例。你試一下。已知參數(shù):輸入電壓:12V———Vi輸出電壓:18V———Vo輸出電流:1A---Io輸出紋波:36mV—--Vpp工作頻率:100KHz-——f************************************************************************1:占空比穩(wěn)定工作時(shí),每個(gè)開(kāi)關(guān)周期,導(dǎo)通期間電感電流的增加等于關(guān)斷期間電感電流的減少,即Vi*don/(f*L)=(Vo+Vd-Vi)*(1-don)/(f*L),整理后有don=(Vo+Vd-Vi)/(Vo+Vd),參數(shù)帶入,don=0.5722:電感量先求每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)電感初始電流等于輸出電流時(shí)的對(duì)應(yīng)電感的電感量其值為Vi*(1—don)/(f*2*Io),參數(shù)帶入,Lx=38。5uH,deltaI=Vi*don/(L*f),參數(shù)帶入,deltaI=1.1A當(dāng)電感的電感量小于此值Lx時(shí),輸出紋波隨電感量的增加變化較明顯,當(dāng)電感的電感量大于此值Lx時(shí),輸出紋波隨電感量的增加幾乎不再變小,由于增加電感量可以減小磁滯損耗,另外考慮輸入波動(dòng)等其他方面影響取L=60uH,deltaI=Vi*don/(L*f),參數(shù)帶入,deltaI=0.72A,I1=Io/(1—don)—(1/2)*deltaI,I2=Io/(1-don)+(1/2)*deltaI,參數(shù)帶入,I1=1。2A,I2=1。92A3:輸出電容:此例中輸出電容選擇位陶瓷電容,故ESR可以忽略C=Io*don/(f*Vpp),參數(shù)帶入,C=99.5uF,3個(gè)33uF/25V陶瓷電容并聯(lián)4:磁環(huán)及線徑:查找磁環(huán)手冊(cè)選擇對(duì)應(yīng)峰值電流I2=1。92A時(shí)磁環(huán)不飽和的適合磁環(huán)Irms^2=(1/3)*(I1^2+I2^2-I1*I2),參數(shù)帶入,irms=1.6A按此電流有效值及工作頻率選擇線徑其他參數(shù):電感:L占空比:don初始電流:I1
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