標(biāo)準(zhǔn)解讀
《db31/ 506-2020 集成電路晶圓制造單位產(chǎn)品能源消耗限額》與《db31/ 506-2010》相比,在多個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整,以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步及行業(yè)發(fā)展的新需求。具體來(lái)說(shuō),新版標(biāo)準(zhǔn)在以下幾個(gè)方面做出了變更:
首先,適用范圍有所擴(kuò)大。2020版不僅涵蓋了原有的集成電路晶圓生產(chǎn)線,還增加了對(duì)新型半導(dǎo)體材料及其相關(guān)工藝流程的考量,確保更多類型的生產(chǎn)活動(dòng)能夠遵循統(tǒng)一的節(jié)能減排指導(dǎo)原則。
其次,對(duì)于能耗限額值進(jìn)行了修訂。基于過(guò)去十年間技術(shù)革新帶來(lái)的效率提升,2020版標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定了更為嚴(yán)格的單位產(chǎn)品能耗限制指標(biāo),旨在推動(dòng)企業(yè)采用更先進(jìn)的節(jié)能技術(shù)和管理措施,進(jìn)一步降低整體能源消耗水平。
此外,增加了對(duì)可再生能源利用的要求。隨著全球范圍內(nèi)對(duì)綠色低碳發(fā)展的重視程度不斷提高,《db31/ 506-2020》鼓勵(lì)企業(yè)在滿足基本能耗要求的同時(shí),積極引入太陽(yáng)能、風(fēng)能等清潔能源作為補(bǔ)充或替代方案,促進(jìn)可持續(xù)發(fā)展。
最后,強(qiáng)化了監(jiān)測(cè)與報(bào)告機(jī)制。為了保證標(biāo)準(zhǔn)的有效實(shí)施,新版文件詳細(xì)規(guī)定了企業(yè)需定期向相關(guān)部門提交能源使用情況報(bào)告,并接受第三方機(jī)構(gòu)的專業(yè)審核,以此來(lái)監(jiān)督各企業(yè)是否達(dá)到了規(guī)定的能耗控制目標(biāo)。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2020-09-25 頒布
- 2020-12-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS27010
CCSF.01
上海市地方標(biāo)準(zhǔn)
DB31/506—2020
代替
DB31/506—2010
集成電路晶圓制造單位產(chǎn)品
能源消耗限額
Thenormofenergyconsumptionperunitproductofwaferfabricationin
integratedcircuits
2020-09-25發(fā)布2020-12-01實(shí)施
上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局發(fā)布
DB31/506—2020
前言
本文件4142為強(qiáng)制性的其余為推薦性的
.、.,。
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替集成電路晶圓制造能耗限額本文件與相比
DB31/506—2010《》。DB31/506—2010,
除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下
:
修改了計(jì)算方法見第章年版的第章
a)(5,20104);
修改了集成電路晶圓制造能耗限額改為技術(shù)要求見第章年版的第章第章
b),(4,20105、6)。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任
。。
本文件由上海市發(fā)展和改革委員會(huì)上海市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)共同提出由上海市經(jīng)濟(jì)和信息化
、,
委員會(huì)組織實(shí)施
。
本文件由上海市能源標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
。
本文件起草單位上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)上海市能效中心上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
:、、、
中芯國(guó)際集成電路制造上海有限公司上海華力微電子有限公司臺(tái)積電中國(guó)有限公司上海先進(jìn)
()、、()、
半導(dǎo)體制造有限公司上海新進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司上海新進(jìn)芯微電子有限公司
、、。
本文件主要起草人陶金龍閔鋼秦宏波石建賓楊曉春張大煒?lè)毒б氆k翟靜陳勇
:、、、、、、、、、、
陳繼紅
。
本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為
:
———DB31/506—2010。
Ⅰ
DB31/506—2020
集成電路晶圓制造單位產(chǎn)品
能源消耗限額
1范圍
本文件規(guī)定了集成電路晶圓制造過(guò)程的單位產(chǎn)品能源消耗以下簡(jiǎn)稱能耗限額的技術(shù)要求統(tǒng)計(jì)
()、
范圍計(jì)算方法節(jié)能管理與措施
、、。
本文件適用于集成電路晶圓制造企業(yè)單位產(chǎn)品能耗的計(jì)算與考核以及對(duì)新建及改擴(kuò)建項(xiàng)目的能
,
耗控制
。
本文件不適用于英寸及以下工藝制程的集成電路制造企業(yè)
1240nm。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
用能單位能源計(jì)量器具配備和管理通則
GB17167
3術(shù)語(yǔ)和定義
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
。
31
.
集成電路晶圓產(chǎn)品生產(chǎn)系統(tǒng)integratedcircuitICwaferproductionsystem
()
將硅圓片通過(guò)必要的工藝加工過(guò)程制成集成電路晶圓產(chǎn)品的生產(chǎn)系統(tǒng)
,。
注集成電路的工藝加工過(guò)程主要包括以硅圓片為襯底通過(guò)集成電路晶圓產(chǎn)品生產(chǎn)系統(tǒng)進(jìn)行摻雜包括擴(kuò)散
::“”(:
和離子注入沉積包括物理氣相淀積化學(xué)氣相淀積外延生長(zhǎng)光刻包括襯底準(zhǔn)備涂膠軟烘
)→(:、、)→(:、、
干對(duì)準(zhǔn)和曝光曝光后顯影烘焙蝕刻包括化學(xué)刻蝕等離子體刻蝕去膠化學(xué)機(jī)械平坦化
、、、)→(:、)→→
等經(jīng)過(guò)多次類似的工藝加工過(guò)程形成晶體管等元器件圖形結(jié)構(gòu)并通過(guò)金屬化連接以構(gòu)成某種預(yù)期的電氣
,,,
功能通過(guò)測(cè)試最終成為集成電路晶圓成品
,。
32
.
集成電路晶圓產(chǎn)品輔助生產(chǎn)系統(tǒng)integratedcircuitICwaferauxiliaryproductionsystem
()
為生產(chǎn)系統(tǒng)提供生產(chǎn)保障環(huán)境如恒溫恒濕恒壓凈化空氣等的系統(tǒng)包括動(dòng)力供電機(jī)修循
(、、、),、、、
環(huán)供水供氣采暖制冷儀表和廠內(nèi)原料場(chǎng)地以及安全環(huán)保等裝置
、、、、、。
33
.
集成電路晶圓產(chǎn)品附屬生產(chǎn)系統(tǒng)integratedcircuitICwafersubsidiaryproductionsystem
()
為生產(chǎn)系統(tǒng)專門配置的生產(chǎn)指揮系統(tǒng)廠部
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