半導(dǎo)體應(yīng)聘考試題及答案

一、單項選擇題（每題2分，共10題）1.本征半導(dǎo)體中，電子濃度（）空穴濃度。A.大于B.小于C.等于2.N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）A.電子B.空穴C.離子3.二極管正向?qū)ǖ臈l件是（）A.陽極電位高于陰極電位B.陽極電位低于陰極電位C.無電位差4.三極管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)（）A.正偏B.反偏C.零偏5.以下哪種材料常用于制造半導(dǎo)體器件（）A.銅B.硅C.鐵6.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而（）A.增強(qiáng)B.減弱C.不變7.耗盡層是由（）組成。A.電子B.空穴C.離子8.場效應(yīng)管屬于（）控制型器件。A.電流B.電壓C.功率9.當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時，會形成（）A.耗盡層B.擴(kuò)散層C.絕緣層10.晶體三極管有（）個PN結(jié)。A.1B.2C.3答案：1.C2.A3.A4.A5.B6.A7.C8.B9.A10.B二、多項選擇題（每題2分，共10題）1.常見的半導(dǎo)體材料有（）A.硅B.鍺C.砷化鎵D.鋁2.二極管的主要特性有（）A.單向?qū)щ娦訠.反向擊穿特性C.電容特性D.放大特性3.三極管的三個工作區(qū)域是（）A.放大區(qū)B.飽和區(qū)C.截止區(qū)D.擊穿區(qū)4.以下屬于半導(dǎo)體器件的是（）A.二極管B.三極管C.場效應(yīng)管D.電阻5.影響半導(dǎo)體導(dǎo)電能力的因素有（）A.溫度B.光照C.摻雜D.濕度6.半導(dǎo)體中存在的載流子有（）A.電子B.空穴C.離子D.質(zhì)子7.三極管的電極有（）A.基極B.發(fā)射極C.集電極D.柵極8.場效應(yīng)管的類型有（）A.N溝道增強(qiáng)型B.P溝道增強(qiáng)型C.N溝道耗盡型D.P溝道耗盡型9.二極管按用途可分為（）A.整流二極管B.穩(wěn)壓二極管C.發(fā)光二極管D.光電二極管10.半導(dǎo)體集成電路的優(yōu)點有（）A.體積小B.重量輕C.可靠性高D.成本低答案：1.ABC2.ABC3.ABC4.ABC5.ABC6.AB7.ABC8.ABCD9.ABCD10.ABCD三、判斷題（每題2分，共10題）1.本征半導(dǎo)體是純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。（）2.二極管正向偏置時，一定導(dǎo)通。（）3.三極管可以把小電流放大成大電流。（）4.N型半導(dǎo)體帶負(fù)電，P型半導(dǎo)體帶正電。（）5.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。（）6.場效應(yīng)管的輸入電阻比三極管小。（）7.穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)。（）8.三極管的發(fā)射極和集電極可以互換使用。（）9.半導(dǎo)體受光照后導(dǎo)電能力增強(qiáng)。（）10.集成運(yùn)算放大器是一種高放大倍數(shù)的直接耦合放大器。（）答案：1.√2.×3.√4.×5.√6.×7.√8.×9.√10.√四、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述本征半導(dǎo)體導(dǎo)電的原理。答案：本征半導(dǎo)體受熱或光照等激發(fā)，價電子獲得能量掙脫共價鍵束縛成為自由電子，同時共價鍵中留下空穴。自由電子和空穴都參與導(dǎo)電，是本征半導(dǎo)體導(dǎo)電的原因。2.說明二極管單向?qū)щ娦?。答案：二極管正向偏置時，外電場削弱內(nèi)電場，多數(shù)載流子擴(kuò)散運(yùn)動加劇，形成較大正向電流，二極管導(dǎo)通；反向偏置時，外電場增強(qiáng)內(nèi)電場，只有少數(shù)載流子形成微小反向電流，二極管截止，表現(xiàn)出單向?qū)щ娦浴?.三極管放大作用的條件是什么？答案：三極管放大作用條件是發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)正偏使多數(shù)載流子順利注入基區(qū)，集電結(jié)反偏將基區(qū)擴(kuò)散過來的多數(shù)載流子收集到集電極，實現(xiàn)電流放大。4.簡述場效應(yīng)管的工作特點。答案：場效應(yīng)管是電壓控制型器件，輸入電阻高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)。通過改變柵源電壓來控制漏極電流，功耗小，便于集成。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中的重要性。答案：半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子產(chǎn)品核心。如電腦、手機(jī)等，其邏輯控制、信號處理等都靠半導(dǎo)體芯片。實現(xiàn)小型化、高性能化，推動電子產(chǎn)品不斷創(chuàng)新發(fā)展，改變?nèi)藗兩詈凸ぷ鞣绞健?.談?wù)勀銓Π雽?dǎo)體行業(yè)未來發(fā)展趨勢的看法。答案：未來半導(dǎo)體將向更高性能、更小尺寸發(fā)展，如提升芯片算力。還會在新興領(lǐng)域拓展，如人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等。同時，研發(fā)新的半導(dǎo)體材料和制造工藝，推動行業(yè)持續(xù)進(jìn)步。3.討論如何提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。答案：可從材料、制造工藝等方面著手。研發(fā)高質(zhì)量新型材料，減少雜質(zhì)缺陷。優(yōu)化制造工藝，提高精度和均勻性。改進(jìn)封裝技術(shù)，加強(qiáng)散熱和