《焊接電工》第4版 課件4-5場(chǎng)效應(yīng)晶體管_第1頁(yè)
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§4-5場(chǎng)效應(yīng)晶體管§4-5場(chǎng)效應(yīng)晶體管一、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)MOS管的結(jié)構(gòu)如圖4-11所示，它是由一個(gè)摻雜濃度低的P型（或N型）硅片做為襯底，在襯底上擴(kuò)散兩個(gè)摻雜濃度高的N型區(qū)（或P型區(qū)），并引出圖4-11N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)兩個(gè)電極分別稱(chēng)為源極S和漏極D。兩個(gè)N（或P）區(qū)中間的半導(dǎo)體表面上有一層二氧化硅薄膜，叫絕緣柵，其上再覆蓋一層金屬薄膜，構(gòu)成柵極G?！?-5場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型增強(qiáng)型耗盡型

表4-1場(chǎng)效應(yīng)管的圖形符號(hào)MOS管的圖形符號(hào)見(jiàn)表4-1。圖4-12N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理§4-5場(chǎng)效應(yīng)晶體管二、導(dǎo)電原理如圖4-12a所示，在漏極D和源極S之間加上正向電壓，當(dāng)時(shí)，由于漏極與襯底之間的PN結(jié)處于反向偏置，漏源極間無(wú)導(dǎo)電溝道，漏極電流，場(chǎng)效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)時(shí)，P型襯底界面（靠絕緣柵一側(cè)）就會(huì)感應(yīng)出一層電子，即為N型層（或反型層）。當(dāng)增加到某一臨界電壓時(shí)，兩個(gè)分離的N型區(qū)便會(huì)接通，形成N型導(dǎo)電溝道，便產(chǎn)生漏極電流，MOS管此時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，這個(gè)臨界電壓即為開(kāi)啟電壓?！?-5場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，即利用柵極電壓

控制漏極電流，

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