掃描電子顯微鏡sem考試試題及答案

一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.SEM的分辨率主要取決于（）A.加速電壓B.電子束斑大小C.探測(cè)器類型D.樣品制備答案：B2.SEM中二次電子像主要反映樣品的（）A.化學(xué)成分B.晶體結(jié)構(gòu)C.表面形貌D.內(nèi)部缺陷答案：C3.掃描電子顯微鏡的英文縮寫是（）A.TEMB.SEMC.AFMD.XRD答案：B4.SEM中，增大工作距離會(huì)使（）A.分辨率提高B.景深減小C.圖像亮度增加D.分辨率降低答案：D5.SEM常用的加速電壓范圍是（）A.1-5VB.10-30kVC.100-500kVD.1-10MV答案：B6.以下哪種信號(hào)在SEM成像中最常用（）A.背散射電子B.二次電子C.吸收電子D.特征X射線答案：B7.SEM樣品表面鍍膜的主要目的是（）A.保護(hù)樣品B.增加導(dǎo)電性C.改變顏色D.提高硬度答案：B8.調(diào)節(jié)SEM的亮度旋鈕，改變的是（）A.電子束強(qiáng)度B.探測(cè)器增益C.顯示器亮度D.圖像對(duì)比度答案：C9.SEM成像時(shí)，電子束與樣品作用產(chǎn)生信號(hào)的區(qū)域是（）A.一個(gè)點(diǎn)B.一條線C.一個(gè)面D.一個(gè)體答案：D10.掃描電鏡的電子槍產(chǎn)生（）A.質(zhì)子束B.電子束C.離子束D.中子束答案：B二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.SEM可以用于觀察（）A.材料微觀結(jié)構(gòu)B.生物細(xì)胞形態(tài)C.晶體取向D.表面污染物分布答案：ABCD2.SEM中電子與樣品相互作用產(chǎn)生的信號(hào)有（）A.二次電子B.背散射電子C.俄歇電子D.特征X射線答案：ABCD3.影響SEM分辨率的因素有（）A.電子束斑大小B.樣品表面狀態(tài)C.探測(cè)器性能D.環(huán)境溫度答案：ABC4.SEM樣品制備方法包括（）A.切割B.打磨C.鍍膜D.化學(xué)蝕刻答案：ABCD5.SEM中可調(diào)節(jié)的參數(shù)有（）A.加速電壓B.工作距離C.掃描速度D.放大倍數(shù)答案：ABCD6.二次電子像的特點(diǎn)有（）A.分辨率高B.立體感強(qiáng)C.反映表面形貌D.對(duì)成分敏感答案：ABC7.背散射電子像可以提供關(guān)于樣品的信息有（）A.化學(xué)成分差異B.晶體結(jié)構(gòu)C.表面形貌D.缺陷分布答案：AB8.SEM的探測(cè)器類型有（）A.二次電子探測(cè)器B.背散射電子探測(cè)器C.能量色散X射線探測(cè)器D.波長(zhǎng)色散X射線探測(cè)器答案：AB9.樣品在SEM分析前需要滿足的條件有（）A.干燥B.無(wú)磁性C.導(dǎo)電性良好D.尺寸合適答案：ABCD10.SEM在材料科學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用包括（）A.材料微觀組織觀察B.材料失效分析C.材料表面改性研究D.材料成分定量分析答案：ABC三、判斷題（每題2分，共10題）1.SEM只能觀察固體樣品。（）答案：對(duì)2.二次電子像比背散射電子像分辨率低。（）答案：錯(cuò)3.增加加速電壓，SEM的分辨率一定提高。（）答案：錯(cuò)4.SEM中樣品不需要進(jìn)行任何處理就可直接觀察。（）答案：錯(cuò)5.背散射電子像主要反映樣品表面形貌。（）答案：錯(cuò)6.掃描電鏡的放大倍數(shù)可以連續(xù)調(diào)節(jié)。（）答案：對(duì)7.SEM成像過(guò)程中，電子束是固定不動(dòng)的。（）答案：錯(cuò)8.樣品表面鍍膜厚度對(duì)SEM成像無(wú)影響。（）答案：錯(cuò)9.SEM可以同時(shí)獲得樣品的形貌和成分信息。（）答案：對(duì)10.工作距離越小，SEM的景深越大。（）答案：錯(cuò)四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共4題）1.簡(jiǎn)述SEM的工作原理。答案：SEM利用電子槍發(fā)射電子束，經(jīng)電磁透鏡聚焦后掃描樣品表面，電子與樣品相互作用產(chǎn)生多種信號(hào)，如二次電子、背散射電子等，探測(cè)器收集這些信號(hào)并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)放大處理后在顯示器上成像，反映樣品表面形貌等信息。2.SEM樣品鍍膜的作用和常用鍍膜材料。答案：作用是增加樣品導(dǎo)電性，防止荷電效應(yīng)影響成像。常用鍍膜材料有金、鉑、碳等。金膜應(yīng)用廣泛，導(dǎo)電性好且成像質(zhì)量高；碳膜適合對(duì)成分分析要求高的情況，不會(huì)引入雜質(zhì)。3.說(shuō)明二次電子像和背散射電子像在成像上的主要區(qū)別。答案：二次電子像分辨率高、立體感強(qiáng)，主要反映樣品表面形貌；背散射電子像對(duì)樣品成分敏感，能反映化學(xué)成分差異和晶體結(jié)構(gòu)，分辨率低于二次電子像，形貌反映不如二次電子像細(xì)致。4.列舉SEM操作過(guò)程中的注意事項(xiàng)。答案：操作前確保儀器穩(wěn)定預(yù)熱；樣品需處理干凈且干燥、無(wú)磁性、導(dǎo)電良好；操作時(shí)按順序調(diào)節(jié)參數(shù)，避免碰撞；成像過(guò)程中注意信號(hào)穩(wěn)定性；分析結(jié)束后及時(shí)關(guān)閉相關(guān)部件，定期維護(hù)儀器。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論SEM在納米材料研究中的重要性及應(yīng)用實(shí)例。答案：在納米材料研究中很重要，能清晰觀察納米材料微觀結(jié)構(gòu)、粒徑大小和分布。如研究碳納米管，可看到其形貌、管徑均勻性；研究納米顆粒催化劑，能了解顆粒分散性和團(tuán)聚情況，為性能優(yōu)化提供依據(jù)。2.分析SEM分辨率的影響因素，并探討提高分辨率的方法。答案：影響因素有電子束斑大小、樣品狀態(tài)、探測(cè)器性能等。提高方法：采用更小束斑的電子槍；優(yōu)化樣品制備使表面平整；選用高性能探測(cè)器；精確控制操作參數(shù)，如合適加速電壓和工作距離。3.探討SEM與其他顯微鏡技術(shù)（如TEM）在材料分析中的互補(bǔ)性。答案：SEM可觀察材料較大范圍表面形貌，景深大。TEM能提供材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)信息，分辨率極高。二者互補(bǔ)，SEM初步觀察整體形貌，TEM深入分析微觀結(jié)構(gòu)，全面研究材