ITO/ZTO薄膜晶體管工作計(jì)劃

薄膜晶體管與先進(jìn)顯示技術(shù)實(shí)驗(yàn)室姓名：劉洋學(xué)號(hào)：1101213713研究小組：TFT一組ThinFilmTransistorandAdvancedDisplayLab組會(huì)匯報(bào)ITO/ZTO

TFT實(shí)驗(yàn)小結(jié)本學(xué)期工作計(jì)劃下一周實(shí)驗(yàn)計(jì)劃匯報(bào)內(nèi)容實(shí)驗(yàn)小結(jié)工作計(jì)劃下一步實(shí)驗(yàn)計(jì)劃實(shí)驗(yàn)背景ITOTFT：高遷移率，低成本問(wèn)題：閾值電壓負(fù)，易結(jié)晶解決辦法一：適當(dāng)氧分壓下濺射；降低有源層厚度實(shí)驗(yàn)問(wèn)題：犧牲遷移率，高溫易結(jié)晶解決辦法二：增加一層非晶輔助層（如ZTO）可行性未驗(yàn)證原理未知實(shí)驗(yàn)小結(jié)工作計(jì)劃下一步實(shí)驗(yàn)計(jì)劃工藝參數(shù)工藝條件：Mo柵：DC濺射功率200W，0.36Pa，Ar:O2=50:0，8E-4；Al2O3柵介質(zhì)：RF濺射功率300W，0.9Pa，Ar:O2=100:30，6E-4Pa；ITO有源層：RF濺射功率80W，Ar:O2=39.5:0.5，1.79Pa，6E-4Pa，

厚度為10nm，15nm；ZTO輔助層：ZnO，DC濺射功率80W，SnO2，RF濺射功率80W，0.4Pa，1E-3Pa，厚度為50nm；ITO源/漏：DC濺射60W，Ar:O2=40:1.3，0.99Pa，6E-4Pa.圖1ITO/ZTOTFT剖面結(jié)構(gòu)示意實(shí)驗(yàn)小結(jié)工作計(jì)劃下一步實(shí)驗(yàn)計(jì)劃實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖2ITO~10nm的ITO/ZTOTFTIds-Vgs轉(zhuǎn)移特性圖圖3ITO~15nm的ITO/ZTOTFTIds-Vgs轉(zhuǎn)移特性圖ZTO輔助層對(duì)于高電導(dǎo)ITO有源層的ZTO/ITOTFT閾值電壓有一定的調(diào)節(jié)作用，當(dāng)ITO有源層厚度增加時(shí)，調(diào)節(jié)作用逐漸下降。實(shí)驗(yàn)小結(jié)工作計(jì)劃下一步實(shí)驗(yàn)計(jì)劃實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖4ITO~10nm的ITO/ZTOTFTIds-Vds輸出特性圖實(shí)驗(yàn)結(jié)論：1、ZTO輔助層對(duì)高電導(dǎo)ITO有源層的ITO/ZTOTFT閾值電壓具有一定

的調(diào)節(jié)作用；2、高電導(dǎo)的ITO有源層開(kāi)態(tài)電流降低，

關(guān)態(tài)電流退火后變?。?、退火有助于改善器件特性。實(shí)驗(yàn)問(wèn)題：1、源/漏接觸電阻很大；2、柵介質(zhì)漏電流較大。實(shí)驗(yàn)小結(jié)工作計(jì)劃下一步實(shí)驗(yàn)計(jì)劃工作計(jì)劃1、本月繼續(xù)完成ITO/ZTOTFT實(shí)驗(yàn)；2、本月補(bǔ)充完成ITO薄膜相關(guān)實(shí)驗(yàn)；3、三月底完成學(xué)位論文初稿；實(shí)驗(yàn)小結(jié)工作計(jì)劃下一步實(shí)驗(yàn)計(jì)劃實(shí)驗(yàn)計(jì)劃實(shí)驗(yàn)?zāi)康模禾骄坎煌瑸R射功率下ZTO薄膜生長(zhǎng)條件；實(shí)驗(yàn)條件：ZnO/SnO2共濺射，ZnODC濺射，SnO2RF濺射，Ar:O2=48:2，

工作氣壓0.4Pa，本底真空8E-4Pa，薄膜厚度50nm，濺射功率

如表所示。靶材#1#2#3#4ZnO406080100SnO280808080測(cè)試分析：XRD薄膜結(jié)構(gòu)分析，XPS/EDX薄膜成分分析。實(shí)驗(yàn)小結(jié)工作計(jì)劃下一步實(shí)驗(yàn)計(jì)劃實(shí)驗(yàn)計(jì)劃實(shí)驗(yàn)?zāi)康模禾骄坎煌煞諾TO輔助層對(duì)ITO/ZTOTFT閾值電壓調(diào)節(jié)作用；器件結(jié)構(gòu)：背柵結(jié)構(gòu)；工藝條件：其他工藝條件不變；ITO溝道：RF濺射，濺射功率80W，Ar:O2=39.5:0.5，工作氣壓0.5Pa，本底真空8E-4Pa，厚度10nm；ZTO輔助層：ZnO/SnO2共濺射，ZnODC濺射，SnO2RF濺射，Ar:O2=48:2，工作氣壓0.4Pa，本底真空8E-4Pa，薄膜厚度50nm，濺射功率如表所示。靶材#1#2#3#4ZnO406080100SnO280808080實(shí)驗(yàn)小結(jié)工作計(jì)劃下一步實(shí)驗(yàn)計(jì)劃實(shí)驗(yàn)計(jì)劃實(shí)驗(yàn)?zāi)康模禾骄縕TO輔助層對(duì)不同導(dǎo)電性ITO溝道層閾值電壓調(diào)節(jié)作用；器件結(jié)構(gòu)：背柵結(jié)構(gòu)；工藝條件：其他工藝條件不變；ITO溝道：RF濺射，濺射功率80W，工作氣壓0.5Pa，本底真空8E-4Pa，厚度10nm，Ar:O2如表所示；ZTO輔助層：ZnO/SnO2共濺射，ZnODC濺射，SnO2RF濺射，Ar:O2=48:2，工作氣壓0.4Pa，本底真空