半導(dǎo)體封裝劃片工藝及優(yōu)化

作者:王志杰，飛思卡爾半導(dǎo)體中國有限企業(yè)-03-03點(diǎn)擊：1686

在一種晶圓上，一般有幾百個(gè)至數(shù)千個(gè)芯片連在一起。它們之間留有80um至

150um的間隙，此間隙被稱之為劃片街區(qū)(SawStreet)。將每一種具有獨(dú)立電氣性

能日勺芯片分離出來日勺過程叫做劃片或切割(DicingSaw)o目前，機(jī)械式金剛石切割

是劃片工藝日勺主流技術(shù)。在這種切割方式下，金剛石刀片(DiamondBlade)以每分

鐘3萬轉(zhuǎn)到4萬轉(zhuǎn)［I勺高轉(zhuǎn)速切割晶圓的街區(qū)部分，同步，承載著晶圓的工作臺(tái)以一

定口勺速度沿刀片與晶圓接觸點(diǎn)的切線方向呈直線運(yùn)動(dòng)，切割晶圓產(chǎn)生的硅屑被去離

子水(DIwater)沖走。依可以切割晶圓的尺寸，目前半導(dǎo)體界主流H勺劃片機(jī)分，英

寸和12英寸劃片機(jī)兩種。

晶圓劃片工藝口勺重要質(zhì)量缺陷口勺描述

崩角(Chipping)

由于硅材料的脆性，機(jī)械切割方式會(huì)對(duì)晶圓H勺正面和背面產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，成果

在芯片日勺邊緣產(chǎn)生正面崩角(FSC-FrontSideChipping)及背面崩角(BSC-Back

SideChipping)°

正面崩角和背面崩角會(huì)減少芯片H勺機(jī)械強(qiáng)度，初始H勺芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封

裝工藝中或在產(chǎn)品H勺使用中會(huì)深入擴(kuò)散，從而也許引起芯片斷裂，導(dǎo)

致電性失效。此外，假如崩角進(jìn)入了用于保護(hù)芯片內(nèi)部電路、防止劃片損傷的

密封環(huán)(SealRing)內(nèi)部時(shí)，芯片的電氣性能和可

靠性都會(huì)受到影響。

封裝工藝設(shè)計(jì)規(guī)則限定崩角不能進(jìn)入芯片邊緣的密封圈。假如將崩角大小作為評(píng)核

晶圓切割質(zhì)量,能力的一種指標(biāo)，則可用公式來計(jì)算晶圓切割能力指數(shù)(Cpk)(圖

Do

Cpk=[(D-FSCave/(3*Gehip)]

($?ribtWidth-K*rfWidths

?FSC:Fromsld?chipping

Std*vofFSC

mi超片能力攢數(shù)的計(jì)算

D1.D2代表劃片街區(qū)中保留完整日勺部分，F(xiàn)SC是指正面崩角的大小。根據(jù)封裝

工藝設(shè)計(jì)規(guī)則，DLD2的最小值可認(rèn)為0,容許崩角存在的區(qū)域?qū)挾?。?街區(qū)寬度

-刀痕寬度)/2,為D1.D2MJ平均值，為DLD2/J方差。依記錄學(xué)原理，對(duì)于一種

合格的劃片工藝而言，其切割能力指數(shù)應(yīng)不小于1.5o

分層與剝離(Delamination&Peeling)

由于低kILD層獨(dú)特H勺材料特性，低k晶圓切割的失效模式除了崩角缺陷外，芯片

邊緣的金屬層與1LD層H勺分層和剝離是另一種重要缺陷(圖2)。

圖2劃片時(shí)低kILD層與金融層的測離

對(duì)于低k晶圓切割質(zhì)量評(píng)估，除了正面崩角和背面崩角以外，根據(jù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)和

可靠性成果，規(guī)定了下述切割質(zhì)量指標(biāo)：

(,)銅密封環(huán)不容許出現(xiàn)斷裂，分層或其他任何(在200倍顯微鏡下)可見的損

傷。

(,)在劃片街區(qū)上出現(xiàn)金屬與ILD層的分層是容許的，只要這種分層能止步于

銅密封環(huán)外。

(,)在芯片的頂角區(qū)域的金屬，ILD層不容許出現(xiàn)分層或損傷，唯一的例外是有

封裝可靠性數(shù)據(jù)證明在某種特定的芯片設(shè)計(jì)，封裝構(gòu)造的組合下芯片口勺頂角區(qū)域口勺

損傷可以接受。

圖3給出了低k晶圓切割質(zhì)量拒收原則H勺示例。

PeehngnottouchingedgesealFridgenotdamageedgeseal

AcceptaUe.Acoeptabk

FrwgeXlelaminationxdiecomerPeelingdamagingedgeseal

UnacceptableUniccc(table

圖3LmK晶版切割質(zhì)量柜收標(biāo)準(zhǔn)的示例

影響晶圓劃片質(zhì)量的重要原因

劃片工具，材料及戈J片參數(shù)

劃片工具和材料重要包括：劃片刀(Dicingblade)＞承載薄膜(Mountingtape),

劃片參數(shù)重要包括:切割模式、切割參數(shù)(步進(jìn)速度、刀片轉(zhuǎn)速、切割深度等)。對(duì)

于由不一樣日勺半導(dǎo)體工藝制作日勺品圓需要進(jìn)行劃片工具於J選擇和參數(shù)的優(yōu)化，以到

達(dá)最佳啊切割質(zhì)量和最低KI切割成本。

切割街區(qū)H勺測試圖案

在晶圓H勺制造過程中，為了獲得較高H勺成品率、較低H勺制導(dǎo)致本和穩(wěn)定H勺工藝

制程，每一步工藝都處在嚴(yán)格日勺監(jiān)控下。因此，測試

圖案被設(shè)計(jì)出來并對(duì)其進(jìn)行監(jiān)測，以保證關(guān)鍵參數(shù)如電參數(shù)、制程精度如ILD

層，金屬層的淀積厚度、掩膜對(duì)準(zhǔn)精度及金屬線寬容差等滿足設(shè)計(jì)規(guī)定。一般有，種

方式來實(shí)現(xiàn)晶圓工藝制程監(jiān)控：

(,)離線測試，這種馴試將所有的測試圖案放入被稱為一工藝確認(rèn)晶圓II(PVW

-ProcessValidationWafer)的J尤其設(shè)計(jì)W、J晶圓上。長處是可以包括所有需要測

試口勺圖案，因而可以執(zhí)行一種全面的工藝制程監(jiān)控;缺陷是高成本和費(fèi)時(shí)。它一般

應(yīng)用在產(chǎn)品H勺研發(fā)初期。當(dāng)產(chǎn)品技術(shù)口趨成熟后，這種測試措施會(huì)被其他的測試措

施所取代。

(,)測試芯片插入法。所有MJ測試圖案被放入測試芯片內(nèi)，這些測試芯片被安放在

晶圓上日勺不一樣區(qū)域。測試芯片H勺數(shù)目和位置取決于晶圓制造技術(shù)的復(fù)雜度。長處

是它是一種實(shí)時(shí)監(jiān)控。假如某種致命的缺陷發(fā)生在晶圓制造流程的初期，就可以防

止由于整個(gè)晶圓報(bào)廢而帶來日勺損失。這種測試措施的缺陷是它占用了寶貴的硅片資

源，尤其是當(dāng)單個(gè)芯片尺寸較大，而PDPW(PotentialDiePerWafer)數(shù)目較小的

時(shí)候。

劃片街I的mM圖案

(,)周圍測試，測試組案被放置在劃片街區(qū)內(nèi)(圖4)。將測試圖案放在劃片街區(qū)

內(nèi)可以在實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控口勺同步，節(jié)省了寶貴的硅片資源。可以放進(jìn)劃片街區(qū)的測試

圖案H勺數(shù)目取決于在一種掩膜(Reticle)內(nèi)劃片街區(qū)的長度和面積。在一種

Reticle內(nèi)劃片街區(qū)上的測試圖案，會(huì)伴隨步進(jìn)式光刻進(jìn)行，在整個(gè)晶圓上得到

復(fù)制。在Reticle內(nèi)部，所有的測試圖案都是唯一的，互不相似。而在不一樣的

Reticle之間，測試圖案是反復(fù)的。

晶圓劃片工藝口勺優(yōu)化

一種新型口勺劃片質(zhì)量評(píng)估矩陣

為了評(píng)核晶圓切割質(zhì)量，在劃片工序后用光學(xué)顯微鏡對(duì)晶圓進(jìn)行檢查是必不可

少H勺。為獲得對(duì)總體切割質(zhì)量H勺理解，制定一種合理的抽樣計(jì)劃（包括取樣位置和

樣本數(shù)）非常關(guān)鍵。老式的抽樣計(jì)劃中，被檢查FJ芯片的選用是在靠近晶圓邊緣日勺

地方，在時(shí)鐘指針1.3.5.6.7、9、11.12等8個(gè)方向上各拾取一種芯片進(jìn)行芯片缺

陷檢查。這種檢查方式對(duì)于成熟H勺非低k晶圓是合適的。然而，應(yīng)用到低k晶圓時(shí),

它就不再可以提供一種有關(guān)切割質(zhì)量H勺全面反應(yīng)了。

導(dǎo)致上述成果口勺重要原因是低k晶圓口勺切割缺陷較多，且不一樣于非低k晶圓

切割的缺陷。應(yīng)用老式H勺檢查措施對(duì)于不一樣的晶圓，所得到的檢查成果差異很大,

并且不一樣H勺檢查人員對(duì)同一片晶圓檢查所得的成果也不相似。究其原因，首先是

由于不一樣H勺檢查人員采用隨機(jī)抽查H勺措施，很難獲得對(duì)低k晶圓切割質(zhì)量的全面

評(píng)核，也很能難檢測到最嚴(yán)重的狀況。更重要的原因是由于該檢查措施沒有考慮到

芯片上測試圖案H勺構(gòu)造和分布，而測

試圖案的構(gòu)造和分布是與晶圓的制造工藝、工藝控制措施親密有關(guān)口勺。

一般劃片工藝,設(shè)備是穩(wěn)定的，切割質(zhì)量在很大程度上與劃片街區(qū)的構(gòu)造有關(guān)，

例如街區(qū)上啊測試圖案，金屬層與ILD層的材料特性。數(shù)據(jù)顯示，對(duì)處在不一樣

Reticle但具有在Reticle內(nèi)相似位置,相似測試圖案H勺街區(qū)來說，其切割質(zhì)量非

?？拷踔潦峭耆嗨?。于

是，通過對(duì)一種Reticle內(nèi)口勺所有街區(qū)口勺切割質(zhì)量進(jìn)行檢查，就可以獲知整個(gè)

晶圓H勺切割質(zhì)量。換言之，在沒有對(duì)一利?Reticle進(jìn)行100%的切割質(zhì)量檢查之前,

不也許對(duì)整個(gè)晶圓[|勺切割質(zhì)量獲得全面地理解，這就是老式的劃片質(zhì)量檢查措施存

在偏差口勺原因。

一種Reticle內(nèi)能容納的芯片日勺個(gè)數(shù)伴隨芯片尺寸及規(guī)定日勺光刻精度而不一

樣。對(duì)于12英寸晶圓90nm技術(shù)、芯片尺寸為6x6nun2而言，一種Reticle可容納

20個(gè)芯片。這種測試措施比100%全檢效率提高98%以上，而檢查工作量只有全檢

口勺2%,從而處理了劃片檢查的可操作性。

基于上述討論，低k劃片質(zhì)量評(píng)估矩陣被設(shè)計(jì)出來(圖5),它也可用于非低k晶圓

口勺切割質(zhì)量評(píng)估。

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圖5劃片質(zhì)是評(píng)估矩降

將一種Reticle從晶圓中取出,用英文字母A.B.C…來代表芯片在Reticle中

所處的行號(hào)，而用數(shù)字1.2.3…代表芯片在Reticle中所處的列號(hào)，每一種芯片在

一種Reticle中就可以被唯一地標(biāo)示。如ALB3等。在每一種芯片的四面有，條邊

和，個(gè)頂點(diǎn)，假如用A1T(A1Top)代表Al芯片上方的街區(qū)，A1L(A1iQft.)代表Al

芯片左邊的街區(qū)，CAI(CornerAl)代表Al芯片左上方口勺街區(qū)交叉部分。這樣，整

個(gè)晶圓H勺切割質(zhì)量就可以通過一種Reticle內(nèi)XT、XL、CX(X代表芯片H勺坐標(biāo))的切

割狀況體現(xiàn)清晰。這個(gè)質(zhì)量評(píng)估矩陣的此外一種長處是可以很以便地在晶圓上找到

一種具有特定測試圖案II勺芯片并觀測其切割質(zhì)量。也可離線對(duì)某個(gè)測試圖案及其切

割質(zhì)量進(jìn)行分析或改善。在此之前，需要經(jīng)驗(yàn)和技巧來確定一種Reticle。

劃片刀的選擇和優(yōu)化

劃片刀又稱金剛石劃片刀，包括三個(gè)重要元素:金剛石顆粒出J大小、密度和粘

結(jié)材料。金剛石顆粒在晶圓的切割過程中起著研磨劑的作用，一般是由CBN(Cubic

BoronNitride)合成而來。金剛石顆粒尺寸從,um到8um之間變化。為到達(dá)更好日勺

切割質(zhì)量，一般選用帶棱角H勺金剛石顆粒。金剛石顆粒的密度代表著金剛石顆粒占

金剛石刀片的體積比。一般劃片刀片供應(yīng)商都會(huì)提供不一樣的金剛石顆粒密度以適

應(yīng)不一樣口勺應(yīng)用場所。金屬銀被用作粘結(jié)劑，將金剛石顆粒粘結(jié)在一起。

劃片刀的選擇一般來說要兼顧切割質(zhì)量、切割刀片壽命和生產(chǎn)成木。金剛石顆

粒尺寸影響劃片刀H勺壽命和切割質(zhì)量。較大H勺金剛石顆粒度可以在相似的刀具轉(zhuǎn)速

下，磨去更多叫硅材料?，因而刀具的壽命可以得到延長。然而，它會(huì)減少切割質(zhì)量

(尤其是正面崩角和金屬，ILD得分層)。因此，對(duì)金剛石顆粒大小的選擇要兼顧切

割質(zhì)量和制導(dǎo)致本。

金剛石顆粒日勺密度對(duì)切割質(zhì)量日勺控制也十分關(guān)鍵。對(duì)于相似日勺金剛石顆粒大小

但具有不一樣密度口勺刀片，劃片刀每一種旋轉(zhuǎn)周期移去的硅材料是相似的J,不過，

平均到每一種金剛石顆苞移去H勺硅材料的量是不一樣的。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，高密度的金剛

石顆?？梢匝娱L劃片刀H勺壽命，同步也可以減少晶圓背面崩角。而低密度的金剛石

顆粒可以減少正面崩角。硬的粘結(jié)材料可以更好地一固定II金剛石顆粒，因而可以

提高劃片刀的壽命，而軟的粘結(jié)材料可以加速金剛石顆粒的一自我鋒利II(Self

Sharpening）效應(yīng)，令金剛石顆粒保持鋒利的棱角形狀，因而可以減小晶圓口勺正面

崩角或分層，但代價(jià)是劃片刀壽命的

縮短。刀鋒日勺長度應(yīng)根據(jù)晶圓日勺厚度，承載薄膜口勺厚度，最大容許的崩角的尺寸來

進(jìn)行定義，刀鋒不能選得過長，由于長的刀鋒會(huì)在切割時(shí)引起刀片的擺動(dòng)，會(huì)導(dǎo)致

較大H勺崩角。

表劃片刀的比較

BladefypeB山deTypeABladeType8

DiamondDensityHighHigh

Gritsize4-6um2-4um

BondingmaterialHardSoft

Bladeexposure25-30mik30■35mils

Bladethickness1-12mis1-1.2mite

對(duì)于低k晶圓而言，金屬層，ILD層口勺分層或剝離以及崩角相比生產(chǎn)成本更重要（在

生產(chǎn)成本容許范圍內(nèi)）?；谠囼?yàn)，優(yōu)選2-4um歐|金剛石顆粒、較低日勺金剛石密度

和較軟的粘結(jié)材料H勺劃片刀作為深入優(yōu)化劃片制程的基礎(chǔ)。圖6是不一樣類型的劃

片刀切割質(zhì)量口勺比較.劃片刀A具有較大時(shí)金剛石顆粒，較硬的粘結(jié)材料，而劃片

刀B具有較小口勺金剛石顆粒,較軟H勺粘結(jié)材料（表），很明顯，劃片刀B的切割質(zhì)量

優(yōu)于劃片刀A。

Diung2thMadetypeA

不同金剛石刀片類型切制貨■的比收

承載薄膜啊選擇

承載薄膜（MountingTape）在開始劃片前粘貼在晶圓的背面，用來在完畢劃片

工藝后，將已互相分離H勺芯片仍然固定在薄膜上以便于自動(dòng)粘片機(jī)（DieBonder）完

畢粘片工序。薄膜H勺粘度對(duì)劃片切割質(zhì)量來說是一種重要特性。試驗(yàn)證明，較高的

薄膜與硅片的粘結(jié)力可以有效地減低晶圓背面的崩角。另首先，在粘片工藝中，又

但愿薄膜與硅片之間H勺粘接力盡量小，這樣粘片工藝才可以獲得一種穩(wěn)健的工藝窗

口，以防止頂起針

(EjectorPin)設(shè)汽過高或拾片時(shí)間(PickUpTime)設(shè)置過長導(dǎo)致潛在的芯片

斷裂及生產(chǎn)效率減少口勺問題。為了兼顧劃片和粘片

兩個(gè)工序，紫外光敏薄膜(UVTape)被選用作為晶圓的承載薄膜。UV薄膜的一

種明顯特點(diǎn)是它與硅片H勺粘接力在未經(jīng)紫外光照射前非常高，可達(dá)160002/25mm,

而在通過紫外光照射后粘結(jié)力明顯下降，可至600mN/25mni。UV照射前后粘結(jié)力變

化了25倍。UV薄膜的這種性質(zhì)很好的兼容了劃片利粘片對(duì)質(zhì)量的控制。

劃片模式的選擇

劃片機(jī)一般提供兩種切割模式，單刀切割(SingleCut)和臺(tái)階式切割(Step

Cut),它們之間口勺區(qū)別如圖7所示。試驗(yàn)證明，劃片刀的設(shè)計(jì)不也許同步滿足正面

崩角、分層及背面崩角H勺質(zhì)量控制的規(guī)定。這個(gè)結(jié)論對(duì)于晶圓厚度不小于7mil[ft

低k晶圓尤為合用。為了減小正面金屬層與ILD層的分層，薄劃片刀會(huì)被優(yōu)先采用,

若晶圓較厚，則需選用刀鋒較長H勺刀片。但須注意，具有較高刀鋒，刀寬比的劃片

刀在切割時(shí)會(huì)產(chǎn)生擺動(dòng)，反而會(huì)導(dǎo)致較大的正面分層及背面崩角。

臺(tái)階式切割使用兩個(gè)劃片刀，第一劃片刀較厚，依程序切入晶圓內(nèi)某一深度，

第二劃片刀較薄，它沿第?劃片刀切割口勺中心位置切透整個(gè)晶圓并深入承載薄膜的

1/3厚度。臺(tái)階式切割的長處在于:減小了劃片刀在切割過程中對(duì)晶圓施加的壓力；

減少了必須使用較高口勺刀高，刀寬比的劃片刀所帶來口勺機(jī)械擺動(dòng)和嚴(yán)重口勺崩角問題；

提供了選擇不一樣類型R勺劃片刀的也許性來分別優(yōu)化正面崩角，分層及背面崩角。

劃片冷卻水H勺添加劑

在劃片機(jī)冷卻水中添加某些化學(xué)添加劑，可以有效地降DI水在晶圓/劃片刀的表

面張力，從而消除了晶圓切割產(chǎn)生H勺硅屑及金屬顆粒在晶圓表面和劃片刀表面的堆

積，清潔了芯片表面，并減少了芯片的背部崩角。這些硅屑和金屬碎屑的堆積是

導(dǎo)致芯片焊線區(qū)(BondingPad)的污染和晶圓背部崩角的一種重要原因。因此，當(dāng)

優(yōu)化劃片刀和劃片參數(shù)無法消除芯片背部崩角時(shí)，可以考慮劃片冷卻水的添加劑。

圖7單〃切割與臺(tái)階式切判的比較

劃片工藝參數(shù)H勺優(yōu)化

在確定了劃片刀，承載薄膜及切割模式H勺設(shè)計(jì)與選擇之后，下一步就是通過對(duì)劃片

工藝參數(shù)的優(yōu)化來深入減小，減少低k晶圓的劃片缺陷。根據(jù)先前試驗(yàn)成果和對(duì)劃

片工藝參數(shù)日勺篩選，三個(gè)重要日勺工藝參數(shù)被選中進(jìn)行工藝優(yōu)化，包括劃片刀轉(zhuǎn)速、

工作臺(tái)步進(jìn)速度和第一劃片刀切割深度。低k切割工藝優(yōu)化的難點(diǎn)之一是對(duì)于試驗(yàn)

設(shè)計(jì)響應(yīng)確實(shí)定上。曾經(jīng)考慮過不一樣的指標(biāo)，包括測量在垂直和平行于切割街區(qū)

方向日勺金屬/IL剝離rJ天小(a、bl.b2見圖8),或測量剝齒區(qū)域的長度占固定街區(qū)

長度H勺比例，但根據(jù)這些指標(biāo)測量出來H勺數(shù)據(jù)在進(jìn)行記錄分析時(shí)發(fā)現(xiàn)雖然對(duì)于同一

組參數(shù)設(shè)定，也存在著較大的變異，因而不能用來進(jìn)行低k切割工藝的優(yōu)化。

KH切割質(zhì)量指標(biāo)的定義

最終，通過比較發(fā)現(xiàn)計(jì)算存在切割缺陷H勺區(qū)域的面積(S1-S2)與固定區(qū)域的面

積(S3-S2)的比值(S1-S2/S3-S2)可以較精確地反應(yīng)不一樣的劃片參數(shù)下的切割質(zhì)量

口勺差異。在圖8中，容許劃片產(chǎn)生缺陷的區(qū)域S是由W1.L和W2.L所圍成的圖形，

由于在劃片后，街區(qū)中劃片刀切過日勺部分由于承載薄膜的張力作用會(huì)產(chǎn)生變形，因

此(wl+wO+w2)并不等于街區(qū)日勺寬度，因此WLL和W2.L需要分別計(jì)算“而由bl.a

和b2.a所圍成的劃片缺陷區(qū)域(S1)不可以直接通過線性尺寸計(jì)算求得，通過運(yùn)用

Photoshop軟件繪出降缺陷區(qū)域輪廓線，再運(yùn)用像素填充、反顯等措施將缺陷國形

轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制黑白圖案，最終通過計(jì)算固定區(qū)域黑像素?cái)?shù)量，來求得（S1S2）/（S3-

S2）比例，從而得到試驗(yàn)設(shè)計(jì)的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，缺陷區(qū)域日勺圖形面積確實(shí)定措施如圖9

所示。

劃片街區(qū)上測試圖案的改善

雖然通過工藝優(yōu)化，金屬層，ILD口勺分層與剝離被嚴(yán)格地控制在了銅密封環(huán)之外，

然而分層，剝離現(xiàn)象并沒有完全被消除。并且這種分層，剝離對(duì)其他半導(dǎo)體封裝形式

封裝（如FlipChip）的可靠性的影響仍需要有關(guān)的可靠性數(shù)據(jù)來驗(yàn)證。因此有必要

繼續(xù)研究徹底消除金屬,ILD分層,剝離的處理方案c

國9切飄“絡(luò)向快由計(jì)算

首先，芯片設(shè)計(jì),制造廠與封裝廠的合作是必需的。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，某些嚴(yán)重的金

屬ILD分層,剝離總是發(fā)生在幾種包括特定的測試圖案的街區(qū)上。而在某些不包括

測試圖案的街區(qū)，分層與剝離的缺陷幾乎為…這里得出一種啟示，芯片廠可以對(duì)

測試圖案進(jìn)行修改，使它可以抵御在劃片工藝中出現(xiàn)的分層，剝離。例如，通過在

劃片街區(qū)日勺測試圖案中增長了虛擬一LII形圖案，嚴(yán)重日勺金屬，ILD層的）分層與剝離

幾乎被消除。

此外，在有限H勺街區(qū)寬度內(nèi)（例如120uin）,假如能將測試圖案限制在70四之內(nèi),

并將其偏置于街區(qū)H勺一側(cè)，那末，在街區(qū)H勺另一側(cè)，就形成了一種寬為50um的一

空白II區(qū)域。假如將這個(gè)50um寬的區(qū)域作為假想街區(qū)，則低k晶圓日勺劃

片就演變?yōu)橐环N窄街區(qū)：50um）非低k晶圓的劃片問題（圖