電力電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案1.在電力電子電路中，晶閘管的導(dǎo)通條件是（）。A.陽(yáng)極加正向電壓，門(mén)極不加電壓B.陽(yáng)極加反向電壓，門(mén)極加正向電壓C.陽(yáng)極加正向電壓，門(mén)極加正向觸發(fā)脈沖D.陽(yáng)極加反向電壓，門(mén)極加反向電壓答案：C。解析：晶閘管導(dǎo)通需要陽(yáng)極加正向電壓且門(mén)極加正向觸發(fā)脈沖，A選項(xiàng)門(mén)極不加電壓不能導(dǎo)通；B選項(xiàng)陽(yáng)極反向電壓不會(huì)導(dǎo)通；D選項(xiàng)陽(yáng)極和門(mén)極都反向也無(wú)法導(dǎo)通。2.單相半波可控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角α的變化范圍是（）。A.0°-90°B.0°-120°C.0°-150°D.0°-180°答案：D。解析：?jiǎn)蜗喟氩煽卣鲙щ娮栊载?fù)載時(shí)，觸發(fā)角α從0°到180°變化，導(dǎo)通角θ=180°-α，所以導(dǎo)通角α變化范圍是0°-180°。3.三相半波可控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，當(dāng)觸發(fā)角α=30°時(shí)，輸出電壓波形（）。A.連續(xù)B.斷續(xù)C.處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)D.無(wú)法確定答案：A。解析：三相半波可控整流帶電阻性負(fù)載，當(dāng)α≤30°時(shí)，輸出電壓波形連續(xù)；α＞30°時(shí)，輸出電壓波形斷續(xù)。4.以下哪種電力電子器件屬于全控型器件（）。A.二極管B.晶閘管C.門(mén)極可關(guān)斷晶閘管D.雙向晶閘管答案：C。解析：二極管是不可控器件；晶閘管是半控型器件；雙向晶閘管也是半控型；門(mén)極可關(guān)斷晶閘管是全控型器件，能通過(guò)門(mén)極信號(hào)控制其導(dǎo)通和關(guān)斷。5.電壓型逆變電路中反饋二極管的作用是（）。A.整流B.續(xù)流C.反饋能量D.提高輸出電壓答案：C。解析：電壓型逆變電路中，當(dāng)負(fù)載為感性時(shí)，電流滯后電壓，在開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷時(shí)，負(fù)載電感中的能量通過(guò)反饋二極管反饋回直流側(cè)。6.單相橋式全控整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，輸出電壓平均值的計(jì)算公式為（）。A.Ud=0.45U2cosαB.Ud=0.9U2cosαC.Ud=1.17U2cosαD.Ud=2.34U2cosα答案：B。解析：?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣鲙Т箅姼胸?fù)載，輸出電壓平均值Ud=0.9U2cosα，A是單相半波可控整流帶電阻性負(fù)載的公式；C和D分別對(duì)應(yīng)三相半波和三相橋式全控整流帶電阻性負(fù)載公式。7.電力電子電路中常用的過(guò)電流保護(hù)措施不包括（）。A.快速熔斷器B.過(guò)電流繼電器C.壓敏電阻D.過(guò)流截止保護(hù)答案：C。解析：壓敏電阻是用于過(guò)電壓保護(hù)的，快速熔斷器、過(guò)電流繼電器、過(guò)流截止保護(hù)都可用于過(guò)電流保護(hù)。8.在PWM控制技術(shù)中，以下哪種調(diào)制方式不屬于常見(jiàn)的調(diào)制方式（）。A.單極性PWM調(diào)制B.雙極性PWM調(diào)制C.混合極性PWM調(diào)制D.多極性PWM調(diào)制答案：C。解析：常見(jiàn)的PWM調(diào)制方式有單極性PWM調(diào)制、雙極性PWM調(diào)制、多極性PWM調(diào)制，混合極性PWM調(diào)制不是常見(jiàn)方式。9.三相橋式全控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，觸發(fā)脈沖的相位差是（）。A.60°B.90°C.120°D.180°答案：A。解析：三相橋式全控整流電路有6個(gè)晶閘管，依次觸發(fā)，觸發(fā)脈沖相位差為60°。10.晶閘管的關(guān)斷條件是（）。A.陽(yáng)極電流小于維持電流B.陽(yáng)極電壓小于零C.門(mén)極電壓小于零D.陽(yáng)極電流大于擎住電流答案：A。解析：晶閘管關(guān)斷需使陽(yáng)極電流小于維持電流，B選項(xiàng)陽(yáng)極電壓小于零不一定能關(guān)斷；C選項(xiàng)門(mén)極電壓對(duì)關(guān)斷影響不大；D選項(xiàng)陽(yáng)極電流大于擎住電流是導(dǎo)通后的狀態(tài)。11.下列關(guān)于電力電子器件的說(shuō)法，正確的是（）。A.電力電子器件工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，功率損耗小B.電力電子器件工作在放大狀態(tài)，功率損耗大C.電力電子器件工作在截止?fàn)顟B(tài)，功率損耗大D.電力電子器件工作在線性狀態(tài)，功率損耗小答案：A。解析：電力電子器件工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，導(dǎo)通時(shí)壓降小，截止時(shí)電流小，功率損耗?。还ぷ髟诜糯鬆顟B(tài)、線性狀態(tài)功率損耗大；截止?fàn)顟B(tài)功率損耗小但不符合其正常工作方式。12.單相半波可控整流電路帶阻感性負(fù)載時(shí)，為了使晶閘管可靠導(dǎo)通，常在門(mén)極加（）。A.直流觸發(fā)信號(hào)B.交流觸發(fā)信號(hào)C.脈沖觸發(fā)信號(hào)D.正弦觸發(fā)信號(hào)答案：C。解析：為使晶閘管可靠導(dǎo)通，門(mén)極常加脈沖觸發(fā)信號(hào)，直流觸發(fā)信號(hào)可能使晶閘管發(fā)熱等問(wèn)題；交流和正弦觸發(fā)信號(hào)不適合作為常規(guī)觸發(fā)方式。13.三相半波可控整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，輸出電流（）。A.連續(xù)且波形近似為一條直線B.斷續(xù)且波形近似為一條直線C.連續(xù)且波形為正弦波D.斷續(xù)且波形為正弦波答案：A。解析：三相半波可控整流帶大電感負(fù)載時(shí)，電感的儲(chǔ)能作用使電流連續(xù)且波形近似為一條直線。14.以下哪種電力電子器件的開(kāi)關(guān)速度最快（）。A.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）B.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）C.晶閘管D.門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）答案：B。解析：電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，開(kāi)關(guān)速度最快；IGBT開(kāi)關(guān)速度次之；晶閘管和GTO開(kāi)關(guān)速度相對(duì)較慢。15.電壓型逆變電路的直流側(cè)（）。A.串聯(lián)大電感B.并聯(lián)大電容C.串聯(lián)大電容D.并聯(lián)大電感答案：B。解析：電壓型逆變電路直流側(cè)并聯(lián)大電容，使直流側(cè)電壓穩(wěn)定；電流型逆變電路直流側(cè)串聯(lián)大電感。16.單相橋式全控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，當(dāng)觸發(fā)角α=90°時(shí)，輸出電壓平均值為（）。A.0B.0.45U2C.0.9U2D.1.17U2答案：A。解析：?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣鲙щ娮栊载?fù)載，Ud=0.9U2cosα，當(dāng)α=90°時(shí)，cosα=0，所以Ud=0。17.電力電子電路中的緩沖電路的作用是（）。A.提高電路的功率因數(shù)B.減小開(kāi)關(guān)損耗和抑制過(guò)電壓、過(guò)電流C.增加電路的輸出功率D.改善電路的輸入電流波形答案：B。解析：緩沖電路的作用是減小開(kāi)關(guān)損耗，抑制過(guò)電壓、過(guò)電流，保護(hù)電力電子器件；提高功率因數(shù)一般采用功率因數(shù)校正電路；增加輸出功率和改善輸入電流波形不是緩沖電路的主要作用。18.在PWM控制中，載波比N定義為（）。A.載波頻率與調(diào)制波頻率之比B.調(diào)制波頻率與載波頻率之比C.載波幅值與調(diào)制波幅值之比D.調(diào)制波幅值與載波幅值之比答案：A。解析：載波比N是載波頻率與調(diào)制波頻率之比。19.三相橋式全控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，當(dāng)觸發(fā)角α=60°時(shí)，輸出電壓波形（）。A.連續(xù)B.斷續(xù)C.處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)D.無(wú)法確定答案：B。解析：三相橋式全控整流帶電阻性負(fù)載，α≤60°時(shí)輸出電壓波形連續(xù)，α＞60°時(shí)輸出電壓波形斷續(xù)。20.晶閘管的擎住電流IL與維持電流IH的關(guān)系是（）。A.IL＞IHB.IL＜IHC.IL=IHD.沒(méi)有關(guān)系答案：A。解析：晶閘管的擎住電流IL大于維持電流IH，IL是晶閘管剛導(dǎo)通時(shí)能維持導(dǎo)通所需的最小電流，IH是維持導(dǎo)通后能繼續(xù)導(dǎo)通的最小電流。21.電力電子電路中，對(duì)整流電路進(jìn)行有源逆變的條件不包括（）。A.有直流電動(dòng)勢(shì)，其極性和晶閘管導(dǎo)通方向一致B.有直流電動(dòng)勢(shì)，其極性和晶閘管導(dǎo)通方向相反C.晶閘管的控制角α＞90°D.負(fù)載為大電感負(fù)載答案：A。解析：有源逆變需有直流電動(dòng)勢(shì)，其極性和晶閘管導(dǎo)通方向相反，且控制角α＞90°，負(fù)載一般為大電感負(fù)載，A選項(xiàng)極性一致不能實(shí)現(xiàn)有源逆變。22.以下哪種調(diào)制方式可以提高PWM逆變電路的直流電壓利用率（）。A.單極性PWM調(diào)制B.雙極性PWM調(diào)制C.三次諧波注入PWM調(diào)制D.正弦波PWM調(diào)制答案：C。解析：三次諧波注入PWM調(diào)制可以提高PWM逆變電路的直流電壓利用率，單極性、雙極性和正弦波PWM調(diào)制在直流電壓利用率方面不如三次諧波注入PWM調(diào)制。23.單相半波可控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，輸出電壓的有效值U與平均值Ud的關(guān)系是（）。A.U＞UdB.U＜UdC.U=UdD.不確定答案：A。解析：由于波形的特點(diǎn)，單相半波可控整流帶電阻性負(fù)載時(shí)，輸出電壓有效值U大于平均值Ud。24.三相半波可控整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，晶閘管承受的最大反向電壓為（）。A.√2U2B.√3U2C.2√2U2D.2√3U2答案：B。解析：三相半波可控整流帶大電感負(fù)載時(shí)，晶閘管承受的最大反向電壓為√3U2。25.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的驅(qū)動(dòng)方式是（）。A.電流驅(qū)動(dòng)B.電壓驅(qū)動(dòng)C.功率驅(qū)動(dòng)D.脈沖驅(qū)動(dòng)答案：B。解析：電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，通過(guò)柵源電壓控制漏極電流。26.電壓型逆變電路輸出的電壓波形（）。A.取決于負(fù)載阻抗B.取決于直流側(cè)電壓C.取決于開(kāi)關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷D.取決于負(fù)載電流答案：C。解析：電壓型逆變電路輸出電壓波形取決于開(kāi)關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷，負(fù)載阻抗和電流影響的是輸出電流波形，直流側(cè)電壓決定輸出電壓的幅值。27.單相橋式全控整流電路帶阻感性負(fù)載時(shí)，為了避免出現(xiàn)失控現(xiàn)象，可在負(fù)載兩端（）。A.串聯(lián)二極管B.并聯(lián)二極管C.串聯(lián)電容D.并聯(lián)電容答案：B。解析：?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣鲙ё韪行载?fù)載時(shí)，為避免失控現(xiàn)象，可在負(fù)載兩端并聯(lián)二極管，起到續(xù)流作用。28.在PWM控制中，當(dāng)載波頻率fc與調(diào)制波頻率fr的比值N為偶數(shù)時(shí)，稱(chēng)為（）。A.同步調(diào)制B.異步調(diào)制C.分段同步調(diào)制D.不對(duì)稱(chēng)調(diào)制答案：A。解析：當(dāng)載波頻率fc與調(diào)制波頻率fr的比值N為偶數(shù)時(shí)，稱(chēng)為同步調(diào)制；N變化時(shí)為異步調(diào)制；分段同步調(diào)制是結(jié)合同步和異步調(diào)制的方式；不對(duì)稱(chēng)調(diào)制不是基于此定義。29.三相橋式全控整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，輸出電壓平均值的計(jì)算公式為（）。A.Ud=0.45U2cosαB.Ud=0.9U2cosαC.1.17U2cosαD.Ud=2.34U2cosα答案：D。解析：三相橋式全控整流帶大電感負(fù)載，輸出電壓平均值Ud=2.34U2cosα。30.晶閘管的通態(tài)平均電流IT（AV）是指（）。A.晶閘管在額定條件下，允許通過(guò)的最大直流電流B.晶閘管在額定條件下，允許通過(guò)的最大交流電流C.晶閘管在額定條件下，允許通過(guò)的正弦半波電流的平均值D.晶閘管在額定條件下，允許通過(guò)的正弦半波電流的有效值答案：C。解析：晶閘管的通態(tài)平均電流IT（AV）是指在額定條件下，允許通過(guò)的正弦半波電流的平均值。31.電力電子電路中，用于抑制過(guò)電壓的器件不包括（）。A.壓敏電阻B.電容C.電感D.避雷器答案：C。解析：壓敏電阻、電容、避雷器都可用于抑制過(guò)電壓，電感主要用于儲(chǔ)能、濾波等，對(duì)過(guò)電壓抑制作用不大。32.單相半波可控整流電路帶阻感性負(fù)載且不接續(xù)流二極管時(shí)，輸出電壓波形（）。A.正面積大于負(fù)面積B.正面積小于負(fù)面積C.正面積等于負(fù)面積D.不確定答案：A。解析：?jiǎn)蜗喟氩煽卣鲙ё韪行载?fù)載且不接續(xù)流二極管時(shí)，電感的儲(chǔ)能使電壓有負(fù)向部分，但正面積大于負(fù)面積。33.三相半波可控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，當(dāng)觸發(fā)角α=60°時(shí)，每個(gè)晶閘管的導(dǎo)通角為（）。A.60°B.90°C.120°D.180°答案：C。解析：三相半波可控整流帶電阻性負(fù)載，觸發(fā)角α=60°時(shí)，每個(gè)晶閘管導(dǎo)通角為120°。34.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）結(jié)合了（）的優(yōu)點(diǎn)。A.晶閘管和門(mén)極可關(guān)斷晶閘管B.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管和晶閘管C.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管D.晶閘管和雙極型晶體管答案：C。解析：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快）和雙極型晶體管（通態(tài)壓降小、載流能力強(qiáng)）的優(yōu)點(diǎn)。35.電壓型逆變電路中，直流側(cè)電容的作用是（）。A.濾波B.儲(chǔ)能C.限流D.隔離答案：B。解析：電壓型逆變電路中，直流側(cè)電容的主要作用是儲(chǔ)能，維持直流側(cè)電壓穩(wěn)定，濾波是其部分作用，限流和隔離不是主要作用。36.單相橋式全控整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角為（）。A.90°B.120°C.180°D.360°答案：C。解析：?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣鲙Т箅姼胸?fù)載時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角為180°。37.在PWM控制技術(shù)中，采用規(guī)則采樣法的優(yōu)點(diǎn)是（）。A.計(jì)算簡(jiǎn)單B.輸出電壓波形質(zhì)量高C.直流電壓利用率高D.開(kāi)關(guān)損耗小答案：A。解析：規(guī)則采樣法計(jì)算簡(jiǎn)單，輸出電壓波形質(zhì)量、直流電壓利用率和開(kāi)關(guān)損耗等方面不是其主要優(yōu)點(diǎn)。38.三相橋式全控整流電路帶電阻性負(fù)載時(shí)，輸出電流的諧波含量（）。A.比單相整流電路少B.比單相整流電路多C.與單相整流電路相同D.不確定答案：A。解析：三相橋式全控整流電路的輸出電流諧波含量比單相整流電路少，因?yàn)槿嗾鞯拿}動(dòng)程度小。39.晶閘管的門(mén)極觸發(fā)電流IGT是指（）。A.使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需的最小門(mén)極電流B.使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)為阻斷狀態(tài)所需的最小門(mén)極電流C.晶閘管正常工作時(shí)的最大門(mén)極電流D.晶閘管正常工作時(shí)的最小門(mén)極電流答案：A。解析：晶閘管的門(mén)極觸發(fā)電流IGT是使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需的最小門(mén)極電流。40.電力電子電路中，對(duì)逆變電路進(jìn)行無(wú)源逆變的目的是（）。A.將直流電轉(zhuǎn)換為交流電并回饋到電網(wǎng)B.將直流電轉(zhuǎn)換為交流電供負(fù)載使用C.將交流電轉(zhuǎn)換為直流電D.將交流電轉(zhuǎn)換為頻率可調(diào)的交流電答案：B。解析：無(wú)源逆變是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電供負(fù)載使用，有源逆變是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電回饋到電網(wǎng)；將交流電轉(zhuǎn)換為直流電是整流；將交流電轉(zhuǎn)換為頻率可調(diào)的交流電是變頻。41.以下哪種情況會(huì)使電力電子器件的開(kāi)關(guān)損耗增大（）。A.開(kāi)關(guān)速度加快B.開(kāi)關(guān)頻率降低C.開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間延長(zhǎng)D.電壓和電流變化率減小答案：C。解析：開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間延長(zhǎng)，會(huì)使器件在過(guò)渡過(guò)程中承受較高的電壓和電流時(shí)間變長(zhǎng)，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增大。開(kāi)關(guān)速度加快、開(kāi)關(guān)頻率降低、電壓和電流變化率減小都會(huì)使開(kāi)關(guān)損耗減小。42.單相半波可控整流電路帶感性負(fù)載時(shí)，若不接續(xù)流二極管，輸出電壓平均值會(huì)（）。A.升高B.降低C.不變D.先升高后降低答案：B。解析：感性負(fù)載時(shí)，電感儲(chǔ)能會(huì)使電壓出現(xiàn)負(fù)向部分，不接續(xù)流二極管，負(fù)向電壓拉低了輸出電壓平均值。43.三相半波可控整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，輸出電壓的脈動(dòng)頻率為（）。A.50HzB.100HzC.150HzD.300Hz答案：C。解析：三相半波可控整流帶大電感負(fù)載，輸出電壓脈動(dòng)頻率是電源頻率的3倍，電源頻率50Hz，所以脈動(dòng)頻率為150Hz。44.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的主要缺點(diǎn)是（）。A.開(kāi)關(guān)速度慢B.通態(tài)電阻大C.耐壓能力強(qiáng)D.驅(qū)動(dòng)功率大答案：B。解析：電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）開(kāi)關(guān)速度快，耐壓能力有限，驅(qū)動(dòng)功率小，主要缺點(diǎn)是通態(tài)電阻大。45.電壓型逆變電路中，開(kāi)關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷是按照（）規(guī)律進(jìn)行的。A.正弦波B.方波C.PWM波D.三角波答案：C。解析：電壓型逆變電路中，開(kāi)關(guān)器件按PWM波規(guī)律導(dǎo)通和關(guān)斷來(lái)實(shí)現(xiàn)逆變功能。46.單相橋式全控整流電路帶阻感性負(fù)載時(shí)，若觸發(fā)角α增大，輸出電壓平均值會(huì)（）。A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：B。解析：根據(jù)單相橋式全控整流帶阻感性負(fù)載輸出電壓平均值公式Ud=0.9U2cosα，α增大，cosα減小，Ud減小。47.在PWM控制中，異步調(diào)制的特點(diǎn)是（）。A.載波比N恒定B.載波比N變化C.輸出電壓波形質(zhì)量高D.直流電壓利用率高答案：B。解析：異步調(diào)制載波比N變化，同步調(diào)制載波比N恒定；異步調(diào)制輸出電壓波形質(zhì)量相對(duì)較差，直流電壓利用率和調(diào)制方式無(wú)直接關(guān)聯(lián)。48.三相橋式全控整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，輸出電流的脈動(dòng)（）。A.很大B.較小C.為零D.不確定答案：B。解析：大電感負(fù)載有平波作用，使三相橋式全控整流輸出電流脈動(dòng)較小。49.晶閘管的維持電流IH是指（）。A.使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需的最小電流B.使晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所需的最小電流C.晶閘管正常工作時(shí)的最大電流D.晶閘管正常工作時(shí)的平均電流答案：B。解析：晶閘管的維持電流IH是維持其導(dǎo)通狀態(tài)所需的最小電流。50.電力電子電路中，采用多重化技術(shù)的目的是（）。A.提高電路的功率因數(shù)B.減小輸出電壓和電流的諧波含量C.增加電路的輸出功率D.降低電路的開(kāi)關(guān)損耗答案：B。解析：多重化技術(shù)可減小輸出電壓和電流的諧波含量，提高電能質(zhì)量。提高功率因數(shù)一般用功率因數(shù)校正；增加輸出功率可通過(guò)提高器件容量等；降低開(kāi)關(guān)損耗有其他專(zhuān)門(mén)方法。51.以下關(guān)于電流型逆變電路的說(shuō)法，正確的是（）。A.直流側(cè)串聯(lián)大電容B.輸出電壓波形取決于負(fù)載C.輸出電流波形取決于負(fù)載D.開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷時(shí)無(wú)需反饋二極管答案：B。解析：電流型逆變電路直流側(cè)串聯(lián)大電感；輸出電壓波形取決于負(fù)載；輸出電流波形由直流側(cè)電流決定；開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷時(shí)可能需要反饋二極管。52.單相半波可控整流電路帶電阻性負(fù)載，當(dāng)觸發(fā)角α=45°時(shí)，導(dǎo)通角為（）。A.45°B.90°C.135°D.180°答案：C。解析：?jiǎn)蜗喟氩煽卣鲙щ娮栊载?fù)載，導(dǎo)通角θ=180°-α，α=45°時(shí)，θ=135°。53.三相半波可控整流電路帶電阻性負(fù)載，若觸發(fā)脈沖丟失一個(gè)，輸出電壓（）。A.變?yōu)榱鉈.變?yōu)樵瓉?lái)的1/3C.變?yōu)樵瓉?lái)的2/3D.不變答案：C。解析：三相半波可控整流帶電阻性負(fù)載，正常時(shí)三個(gè)晶閘管輪流導(dǎo)通，丟失一個(gè)觸發(fā)脈沖，只有兩個(gè)晶閘管導(dǎo)通，輸出電壓變?yōu)樵瓉?lái)的2/3。54.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的關(guān)斷是通過(guò)（）來(lái)實(shí)現(xiàn)的。A.減小柵源電壓B.增大柵源電壓C.減小集射極電壓D.增大集射極電壓答案：A。解析：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是電壓驅(qū)動(dòng)器件，減小柵源電壓可使其關(guān)斷。55.電壓型逆變電路中，若負(fù)載為感性負(fù)載，輸出電流（）。A.超前于輸出電壓B.滯后于輸出電壓C.與輸出電壓同相D.不確定答案：B。解析：感性負(fù)載的特點(diǎn)是電流滯后于電壓，所以電壓型逆變電路帶感性負(fù)載時(shí)，輸出電流滯后于輸出電壓。56.單相橋式全控整流電路帶大電感負(fù)載，若有一個(gè)晶閘管損壞斷路，輸出電壓平均值會(huì)（）。A.變?yōu)榱鉈.變?yōu)樵瓉?lái)的1/2C.變?yōu)樵瓉?lái)的1/4D.不變答案：B。解析：?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣鲙Т箅姼胸?fù)載，正常時(shí)四個(gè)晶閘管兩兩導(dǎo)通，一個(gè)損壞斷路后，只有兩個(gè)晶閘管交替導(dǎo)通，輸出電壓平均值變?yōu)樵瓉?lái)的1/2。57.在PWM控制中，采用SPWM調(diào)制時(shí)，載波信號(hào)通常采用（）。A.正弦波B.方波C.三角波D.鋸齒波答案：C。解析：SPWM調(diào)制中，載波信號(hào)通常采用三角波，調(diào)制波采用正弦波。58.三相橋式全控整流電路帶電阻性負(fù)載，當(dāng)觸發(fā)角α=0°時(shí)，輸出電壓平均值為（）。A.1.17U2B.2.34U2C.0.9U2D.0.45U2答案：B。解析：三相橋式全控整流帶電阻性負(fù)載，當(dāng)α=0°時(shí)，輸出電壓平均值Ud=2.34U2。59.晶閘管的開(kāi)通時(shí)間包括（）。A.延遲時(shí)間和上升時(shí)間B.延遲時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間C.上升時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間D.存儲(chǔ)時(shí)間和下降時(shí)間答案：A。解析：晶閘管開(kāi)通時(shí)間包括延遲時(shí)間和上升時(shí)間，關(guān)斷時(shí)間包括存儲(chǔ)時(shí)間和下降時(shí)間。60.電力電子電路中，對(duì)整流電路進(jìn)行有源逆變時(shí)，若逆變角β變小，逆變電壓（）。A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：A。解析：有源逆變中，逆變電壓Ud=-2.34U2cosβ（三相橋式全控整流為例），β變小，cosβ增大，逆變電壓增大。61.以下哪種器件在電力電子電路中主要用于過(guò)電壓保護(hù)（）。A.快速熔斷器B.壓敏電阻C.電抗器D.電流互感器答案：B。解析：壓敏電阻在電壓超過(guò)一定值時(shí)電阻變小，可用于過(guò)電壓保護(hù)。快速熔斷器用于過(guò)電流保護(hù)；電抗器主要用于限流、濾波等；電流互感器用于測(cè)量電流。62.單相半波可控整流電路帶感性負(fù)載且接續(xù)流二極管后，輸出電壓平均值（）。A.升高B.降低C.不變D.先降低后升高答案：A。解析：接續(xù)流二極管后，消除了負(fù)載電感儲(chǔ)能產(chǎn)生的負(fù)向電壓，輸出電壓平均值升高。63.三相半波可控整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，觸發(fā)角α的移相范圍是（）。A.0°-90°B.0°-120°C.0°-150°D.0°-180°答案：A。解析：三相半波可控整流帶大電感負(fù)載，觸發(fā)角α移相范圍是0°-90°。64.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的輸入電容主要影響（）。A.開(kāi)關(guān)速度B.耐壓能力C.通態(tài)電阻D.驅(qū)動(dòng)功率答案：A。解析：輸入電容充放電需要時(shí)間，會(huì)影響電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的開(kāi)關(guān)速度。耐壓能力與器件結(jié)構(gòu)和材料有關(guān)；通態(tài)電阻是其自身特性；驅(qū)動(dòng)功率主要與驅(qū)動(dòng)電壓和輸入電容充放電有關(guān)，但輸入電容主要影響開(kāi)關(guān)速度。65.電壓型逆變電路中，若負(fù)載為容性負(fù)載，輸出電流（）。A.超前于輸出電壓B.滯后于輸出電壓C.與輸出電壓同相D.不確定答案：A。解析：容性負(fù)載的特點(diǎn)是電流超前于電壓，所以電壓型逆變電路帶容性負(fù)載時(shí)，輸出電流超前于輸出電壓。66.單相橋式全控整流電路帶阻感性負(fù)載，當(dāng)α=120°時(shí)，輸出電壓波形（）。A.連續(xù)B.斷續(xù)C.處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)D.無(wú)法確定答案：B。解析：?jiǎn)蜗鄻蚴饺卣鲙ё韪行载?fù)載，α＞90°時(shí)，輸出電壓波形斷續(xù)。67.在PWM控制中，采用優(yōu)化PWM控制的目的是（）。A.提高開(kāi)關(guān)頻率B.降低開(kāi)關(guān)頻率C.減小輸出電壓諧波含量D.增大輸出電壓幅值答案：C。解析：優(yōu)化PWM控制目的是減小輸出電壓諧波含量，提高輸出電壓質(zhì)量，與開(kāi)關(guān)頻率和輸出電壓幅值無(wú)直接關(guān)聯(lián)。68.三相橋式全控整流電路帶大電感負(fù)載，若觸發(fā)脈沖順序錯(cuò)誤，輸出電壓（）。A.變?yōu)榱鉈.出現(xiàn)異常波動(dòng)C.不變D.變?yōu)樵瓉?lái)的一半答案：B。解析：觸發(fā)脈沖順序錯(cuò)誤會(huì)導(dǎo)致晶閘管導(dǎo)通順序混亂，輸出電壓出現(xiàn)異常波動(dòng)。69.晶閘管的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM是指（）。A.晶閘管在阻斷狀態(tài)下能承受的最大正向電壓B.晶閘管在阻斷狀態(tài)下能承受的最大反向電壓C.晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下能承受的最大正向電壓D.晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下能承受的最大反向電壓答案：A。解析：晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM是指在阻斷狀態(tài)下能承受的最大正向電壓。70.電力電子電路中，采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的主要目的是（）。A.提高電路的功率因數(shù)B.減小開(kāi)關(guān)損耗C.增加電路的輸出功率D.改善電路的輸入電流波形答案：B。解析：軟開(kāi)關(guān)技術(shù)使開(kāi)關(guān)器件在零電壓或零電流條件下導(dǎo)通和關(guān)斷，減小開(kāi)關(guān)損耗。提高功率因數(shù)有專(zhuān)門(mén)的功率因數(shù)校正方法；增加輸出功率可通過(guò)提高器件容量等；改善輸入電流波形有其他相應(yīng)措施。71.以下關(guān)于電壓型逆變電路和電流型逆變電路的說(shuō)法，錯(cuò)誤的是（）。A.電壓型逆變電路直流側(cè)并聯(lián)大電容B.電流型逆變電路直流側(cè)串聯(lián)大電感C.電壓型逆變電路輸出電壓波形取決于負(fù)載D.電流型逆變電路輸出電流波形取決于直流側(cè)電流答案：C。解析：電壓型逆變電路輸出電壓波形取決于開(kāi)關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷，不是取決于負(fù)載。A、B、D說(shuō)法均正確。72.單相半波可控整流電路帶電阻性負(fù)載，當(dāng)觸發(fā)角α=120°時(shí)，輸出電壓平均值為（）。A.0.225U2B.0.45U2C.0.9U2D.1.17U2答案：A。解析：?jiǎn)蜗喟氩煽卣鲙щ娮栊载?fù)載，輸出電壓平均值Ud=0.45U2（1+cosα）/2，α=120°時(shí)，Ud=0.225U2。73.三相半波可控整流電路帶電阻性負(fù)載，當(dāng)觸發(fā)角α=90°時(shí)，每個(gè)晶閘管的導(dǎo)通角為（）。A.30°B.60°C.90°D.120°答案：C。解析：三相半波可控整流帶電阻性負(fù)載，α=90°時(shí)，每個(gè)晶閘管導(dǎo)通角為90°。74.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的安全工作區(qū)由（）決定。A.集射極電壓和集電極電流B.柵源電壓和集電極電流C.集射極電壓和柵源電壓D.基極電流和集電極電流答案：A。解析：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）安全工作區(qū)由集射極電壓和集電極電流決定。75.電壓型逆變電路中，若開(kāi)關(guān)頻率升高，輸出電壓諧波含量（）。A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：B。解析：開(kāi)關(guān)頻率升高，輸出電壓諧波頻率升高，低次諧波含量減小。76.單相橋式全控整流電路帶大電感負(fù)載，若控制角α增大，輸出電流（）。A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：B。解析：根據(jù)輸出電壓和負(fù)載關(guān)系，控制角α增大，輸出電壓減小，負(fù)載為大電感負(fù)載可近似認(rèn)為電阻不變，輸出電流減小。77.在PWM控制中，自然采樣法的缺點(diǎn)是（）。A.計(jì)算復(fù)雜B.輸出電壓波形質(zhì)量差C.直流電壓利用率低D.開(kāi)關(guān)損耗大答案：A。解析：自然采樣法需要求解復(fù)雜的方程來(lái)確定脈沖寬度，計(jì)算復(fù)雜。78.三相橋式全控整流電路帶電阻性負(fù)載，當(dāng)觸發(fā)角α=120°時(shí)，輸出電壓平均值為（）。A.0B.0.585U2C.1.17U2D.2.34U2答案：A。解析：三相橋式全控整流帶電阻性負(fù)載，α=120°時(shí)，輸出電壓平均值為0。79.晶閘管的通態(tài)平均電流IT（AV）的選擇應(yīng)（）實(shí)際工作電流的平均值。A.大于B.小于C.等于D.不確定答案：A。解析：為保證晶閘管安全工作，通態(tài)平均電流IT（AV）應(yīng)大于實(shí)際工作電流的平均值。80.電力電子電路中，對(duì)逆變電路進(jìn)行無(wú)源逆變時(shí)，若負(fù)載為阻性負(fù)載，輸出電壓和電流（）。A.同相B.電壓超前電流C.電流超前電壓D.不確定答案：A。解析：阻性負(fù)載電壓和電流同相，所以無(wú)源逆變帶阻性負(fù)載時(shí)，輸出電壓和電流同相。81.以下哪種電力電子器件的耐壓能力最強(qiáng)（）。A.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）B.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）C.晶閘管D.門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）答案：D。解析：門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）耐壓能力最強(qiáng)，MOSFET耐壓相對(duì)較低，IGBT和晶閘管耐壓能力次之。82.單相半波可控整流電路帶感性負(fù)載，若不采取措施，可能會(huì)出現(xiàn)（）現(xiàn)象。A.失控B.過(guò)流C.過(guò)壓D.欠壓答案：A。解析：?jiǎn)蜗喟氩煽卣鲙Ц行载?fù)載，不采取措施（如接續(xù)流二極管），可能會(huì)出現(xiàn)失控現(xiàn)象。83.三相半波可控整流電路帶大電感負(fù)載，若負(fù)載電阻增大，輸出電壓（）。A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：C。解析：三相半波可控整流帶大電感負(fù)載，輸出電壓只與觸發(fā)角和電源電壓有關(guān)，與負(fù)載電阻無(wú)關(guān)，所以負(fù)載電阻增大時(shí)輸出電壓不變。84.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的跨導(dǎo)gm反映了（）。A.柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力B.漏源電壓對(duì)漏極電流的控制能力C.柵源電壓對(duì)柵極電流的控制能力D.漏源電壓對(duì)柵極電流的控制能力答案：A。解析：跨導(dǎo)gm定義為柵源電壓變化量引起的漏極電流變化量的比值，反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力。85.電壓型逆變電路中，若直流側(cè)電壓升高，輸出電壓的幅值（）。A.升高B.降低C.不變D.先升高后降低答案：A。解析：電壓型逆變電路輸出電壓幅值與直流側(cè)電壓成正比，直流側(cè)電壓升高，輸出電壓幅值升高。86.單相橋式全控整流電路帶阻感性負(fù)載，若在負(fù)載兩端并聯(lián)電容，輸出電壓平均值會(huì)（）。A.升高B.降低C.不變D.先升高后降低答案：A。解析：并聯(lián)電容有濾波作用，減少電壓波動(dòng)，使輸出電壓平均值升高。87.在PWM控制中，當(dāng)載波比N為奇數(shù)且同步調(diào)制時(shí)，會(huì)出現(xiàn)（）。A.偶次諧波B.奇次諧波C.分?jǐn)?shù)次諧波D.無(wú)諧波答案：B。解析：載波比N為奇數(shù)且同步調(diào)制時(shí)，輸出電壓中會(huì)出現(xiàn)奇次諧波。88.三相橋式全控整流電路帶大電感負(fù)載，若有一個(gè)晶閘管短路，可能會(huì)導(dǎo)致（）。A.輸出電壓變?yōu)榱鉈.其他晶閘管損壞C.輸出電流減小D.輸出電壓升高答案：B。解析：一個(gè)晶閘管短路會(huì)使電路中電流異常增大，可能導(dǎo)致其他晶閘管因過(guò)流而損壞。89.晶閘管的浪涌電流ITSM是指（）。A.晶閘管在短時(shí)間內(nèi)所能承受的最大正向電流B.晶閘管在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)所能承受的最大正向電流C.晶閘管在短時(shí)間內(nèi)所能承受的最大反向電流D.晶閘管在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)所能承受的最大反向電流答案：A。解析：浪涌電流ITSM是晶閘管在短時(shí)間內(nèi)所能承受的最大正向電流。90.電力電子電路