摩爾定律功能密度

--每個(gè)芯片上的元件數(shù)目每隔二十四個(gè)月增加一倍可購買性

--引入技術(shù)過快可能會增加單位功能的成本，導(dǎo)致芯片對市場需求而言過于昂貴FunctionaldiversificationScaling呈二維發(fā)展態(tài)勢MMICSoC/SiP:highervaluesystems摩爾定律發(fā)展趨勢邏輯器件的要求MOS器件：柵控開關(guān)理想邏輯器件導(dǎo)致的問題晶體管柵極厚度和溝道長度持續(xù)縮減，以減小開關(guān)和存儲操作可靠運(yùn)行所需的電壓和功率—提升器件的運(yùn)行速度；器件尺寸超過納米級尺寸，縮減尺寸技術(shù)接近原子級，會導(dǎo)致器件擊穿和高漏電流—工作電壓不能再減小。解決思路結(jié)構(gòu)，材料，工藝，機(jī)制多方面融合。新材料新工藝新機(jī)制新結(jié)構(gòu)擴(kuò)展摩爾定律工藝技術(shù)的等效按比例縮小

--柵極應(yīng)變

--晶體管柵極采用高K金屬柵極材料

--多柵極FET或FinFET的3D晶體管

--新的通道材料Ⅲ/ⅤGe芯片級和系統(tǒng)級的體系結(jié)構(gòu)和軟件設(shè)計(jì)等效按比例縮小

--SRAM存儲器架構(gòu)

--多核處理器新材料/新工藝Non-siliconelementsadded新結(jié)構(gòu)器件單柵

--準(zhǔn)SOI單柵器件雙柵

--平面雙柵

--雙柵FinFET--垂直雙柵圍柵

--圍柵硅納米線MOSFETFinFETS晶體管FinFET源自于傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管--場效晶體管(Field-effecttransistor；FET)的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，F(xiàn)inFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。閘長已可小于25nm，未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9nm。FinFETS晶體管

傳統(tǒng)晶體管FinFET晶體管（3D晶體管）Finfet的解決方法是另溝道從硅襯底表面豎起，形成垂直型的溝道結(jié)構(gòu)（又被人們形象地稱為Fin-鰭片），然后再在鰭片表面構(gòu)造柵極。Finfet的鰭片厚度極薄，且其凸出的三個(gè)面均為受控面，受到柵極的控制。雙柵型FinFET,右前后兩個(gè)柵極，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。FINFETFinFET最具潛力的結(jié)構(gòu)：版圖修改少、易于實(shí)現(xiàn)雙柵對準(zhǔn)，可集成高K/金屬柵等SOIFinFET

底部寄生管的抑制易于實(shí)現(xiàn)成本高，散熱差提升源漏：選擇外延等基于體硅的FinFET

成本低，散熱好有泄漏通道,需要高深寬比刻蝕半節(jié)距半節(jié)距是指芯片內(nèi)部互聯(lián)線間距離的一半，也即光刻間距的一半；互連半節(jié)距根本上決定了功能器件的尺寸；多閃存和DRAMM1半節(jié)距是光刻技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。光刻利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所襯底上。光刻是保證制造工藝有能力創(chuàng)造互連和晶體管柵極構(gòu)圖長度特征的相應(yīng)尺寸的重要技術(shù)。光刻技術(shù)向更小尺寸的進(jìn)展困難重重單次光學(xué)曝光已經(jīng)達(dá)到極限雙重曝光在32nm半節(jié)距工藝時(shí)遇到困難閃存在22nm半節(jié)距上挑戰(zhàn)雙重曝光的極限更小尺寸的生產(chǎn)工藝

--遠(yuǎn)紫外光刻

--多重曝光

--某些非光刻工藝光刻技術(shù)的困難與挑戰(zhàn)短期挑戰(zhàn)：

長期挑戰(zhàn)備選圖案