半導(dǎo)體應(yīng)聘考試題庫(kù)及答案

一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體中參與導(dǎo)電的載流子是（）A.電子B.空穴C.電子和空穴D.離子答案：C2.硅的原子序數(shù)是（）A.14B.13C.12D.15答案：A3.本征半導(dǎo)體在絕對(duì)零度時(shí)（）A.是導(dǎo)體B.是絕緣體C.是半導(dǎo)體D.無(wú)法確定答案：B4.PN結(jié)加正向電壓時(shí)（）A.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大于漂移運(yùn)動(dòng)B.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)小于漂移運(yùn)動(dòng)C.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等于漂移運(yùn)動(dòng)D.不確定答案：A5.以下哪種半導(dǎo)體材料常用于制作發(fā)光二極管（）A.硅B.鍺C.砷化鎵D.碳化硅答案：C6.半導(dǎo)體二極管的主要特性是（）A.放大特性B.單向?qū)щ娦訡.雙向?qū)щ娦訢.穩(wěn)壓特性答案：B7.晶體管有（）個(gè)PN結(jié)。A.1B.2C.3D.0答案：B8.場(chǎng)效應(yīng)管是（）控制型器件。A.電流B.電壓C.電阻D.功率答案：B9.集成電路按功能可分為（）A.數(shù)字集成電路和模擬集成電路B.小規(guī)模集成電路和大規(guī)模集成電路C.雙極型集成電路和單極型集成電路D.以上都不對(duì)答案：A10.在半導(dǎo)體制造中，光刻的作用是（）A.形成電路圖形B.摻雜C.生長(zhǎng)氧化層D.切割答案：A二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.以下屬于半導(dǎo)體材料特性的有（）A.熱敏性B.光敏性C.摻雜性D.超導(dǎo)性答案：ABC2.PN結(jié)的主要特性有（）A.單向?qū)щ娦訠.電容效應(yīng)C.反向擊穿特性D.整流特性答案：ABC3.以下哪些是晶體管的電極（）A.發(fā)射極B.基極C.集電極D.源極答案：ABC4.場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型包括（）A.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管B.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管C.N溝道場(chǎng)效應(yīng)管D.P溝道場(chǎng)效應(yīng)管答案：AB5.影響半導(dǎo)體器件性能的因素有（）A.材料純度B.溫度C.摻雜濃度D.光照答案：ABCD6.以下屬于模擬集成電路的有（）A.運(yùn)算放大器B.功率放大器C.計(jì)數(shù)器D.電壓比較器答案：ABD7.半導(dǎo)體制造中的摻雜方法有（）A.擴(kuò)散法B.離子注入法C.光刻法D.外延法答案：AB8.以下關(guān)于硅和鍺半導(dǎo)體的說(shuō)法正確的是（）A.硅的禁帶寬度比鍺大B.鍺的電子遷移率比硅高C.硅在集成電路中應(yīng)用更廣泛D.鍺的穩(wěn)定性比硅好答案：ABC9.半導(dǎo)體器件封裝的作用有（）A.保護(hù)芯片B.散熱C.便于安裝D.提高性能答案：ABC10.以下屬于半導(dǎo)體傳感器類(lèi)型的有（）A.溫度傳感器B.壓力傳感器C.光傳感器D.濕度傳感器答案：ABCD三、判斷題（每題2分，共10題）1.本征半導(dǎo)體是純凈的、無(wú)雜質(zhì)的半導(dǎo)體。（）答案：對(duì)2.PN結(jié)加反向電壓時(shí)電流很大。（）答案：錯(cuò)3.晶體管是電流控制型器件。（）答案：對(duì)4.場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比晶體管小。（）答案：錯(cuò)5.所有的半導(dǎo)體材料在常溫下都能表現(xiàn)出良好的半導(dǎo)體特性。（）答案：錯(cuò)6.數(shù)字集成電路主要處理離散的數(shù)字信號(hào)。（）答案：對(duì)7.在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝不重要。（）答案：錯(cuò)8.砷化鎵半導(dǎo)體的電子遷移率比硅高。（）答案：對(duì)9.半導(dǎo)體二極管反向截止時(shí)沒(méi)有電流通過(guò)。（）答案：錯(cuò)10.集成電路的集成度越高，功能越復(fù)雜。（）答案：對(duì)四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共4題）1.簡(jiǎn)述半導(dǎo)體的摻雜原理。答案：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)元素，雜質(zhì)原子替代了原來(lái)的部分原子。如果摻入五價(jià)元素，就會(huì)形成N型半導(dǎo)體，多子為電子；如果摻入三價(jià)元素，就會(huì)形成P型半導(dǎo)體，多子為空穴。通過(guò)摻雜改變了半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)。2.說(shuō)明PN結(jié)的形成過(guò)程。答案：P型半導(dǎo)體中有空穴，N型半導(dǎo)體中有電子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí)，P區(qū)的空穴向N區(qū)擴(kuò)散，N區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散。在交界面處，P區(qū)留下負(fù)離子，N區(qū)留下正離子，形成空間電荷區(qū)即PN結(jié)。3.簡(jiǎn)述晶體管的放大原理。答案：晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，基極電流微小的變化能引起集電極電流較大的變化。基極電流產(chǎn)生的變化使發(fā)射結(jié)正向偏置，從而控制從發(fā)射極到集電極的電流，實(shí)現(xiàn)放大作用。4.描述場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的主要區(qū)別。答案：晶體管是電流控制型，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型；場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻比晶體管高很多；晶體管有兩種載流子參與導(dǎo)電，場(chǎng)效應(yīng)管多為一種載流子導(dǎo)電。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響。答案：溫度升高，半導(dǎo)體中載流子濃度增加，會(huì)改變器件的電學(xué)特性。如PN結(jié)反向電流增大，晶體管的放大倍數(shù)等參數(shù)也會(huì)變化。這可能導(dǎo)致器件性能不穩(wěn)定，所以在設(shè)計(jì)和使用時(shí)要考慮溫度因素。2.闡述半導(dǎo)體在現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要性。答案：半導(dǎo)體是現(xiàn)代電子技術(shù)的基礎(chǔ)。集成電路、晶體管等半導(dǎo)體器件廣泛用于計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。沒(méi)有半導(dǎo)體就沒(méi)有現(xiàn)代的電子設(shè)備，它推動(dòng)了電子技術(shù)的飛速發(fā)展。3.分析半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵步驟及其作用。答案：光刻可形成電路圖形；摻雜改變電學(xué)