電子電路分析與實(shí)踐1.半導(dǎo)體二極管《電子電路分析與實(shí)踐》教學(xué)團(tuán)隊(duì)二極管：一個(gè)PN結(jié)就是一個(gè)二極管。單向?qū)щ姡憾O管正極接電源正極，負(fù)極接電源負(fù)極時(shí)電流可以通過(guò)。反之電流不能通過(guò)。

符號(hào)半導(dǎo)體二極管根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同，劃分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的電阻率為10-3～109

cm。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。半導(dǎo)體的特點(diǎn)：導(dǎo)電能力不同于導(dǎo)體、絕緣體；受外界光和熱刺激時(shí)電導(dǎo)率發(fā)生很大變化——光敏元件、熱敏元件；摻進(jìn)微量雜質(zhì)，導(dǎo)電能力顯著增加——半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的基本知識(shí)當(dāng)T=0K和無(wú)外界激發(fā)時(shí)，導(dǎo)體中沒(méi)有載流子，不導(dǎo)電。當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)有的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電。

因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)的，稱為電子空穴對(duì)。半導(dǎo)體的基本知識(shí)本征激發(fā)+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子空穴

在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)或五價(jià)元素。摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體（電子型半導(dǎo)體）在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)的元素(磷、砷、銻

)雜質(zhì)半導(dǎo)體+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5+5自由電子多余電子，成為自由電子在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)的元素（硼）P型半導(dǎo)體+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+3+3空穴空穴本征半導(dǎo)體——完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。載流子——可以自由移動(dòng)的帶電粒子。電導(dǎo)率——與材料單位體積中所含載流子數(shù)有關(guān)，載流子濃度越高，電導(dǎo)率越高。N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子為電子，少數(shù)載流子是空穴；P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子為空穴，少數(shù)載流子是電子。本征半導(dǎo)體、空穴及其導(dǎo)電作用本征半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體呈電中性本征半導(dǎo)體：空穴數(shù)=自由電子數(shù)N型半導(dǎo)體：自由電子數(shù)=正離子數(shù)+空穴數(shù)；P型半導(dǎo)體：空穴數(shù)=負(fù)離子數(shù)+自由電子數(shù)。導(dǎo)體顯電性+五價(jià)的元素+三價(jià)的元素產(chǎn)生多余電子產(chǎn)生多余空穴因濃度差多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)

空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)

內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散PN結(jié)的形成外加的正向電壓削弱了內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱擴(kuò)散電流加大擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。

(1)PN結(jié)加正向電壓P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡(jiǎn)稱正偏。

PN結(jié)的形成P區(qū)的電位低于N區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡(jiǎn)稱反偏。（2）PN結(jié)加反向電壓

外加反向電壓加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng)擴(kuò)散電流大大減小漂移電流大于擴(kuò)散電流PN結(jié)呈現(xiàn)高阻性PN結(jié)的形成PN結(jié)正向電阻小，反向電阻大——單向?qū)щ娦?。總結(jié)PN結(jié)面積大，用于大電流整流電路。(1)點(diǎn)接觸型二極管PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。(2)面接觸型二極管半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)電子電路分析與實(shí)踐2.半導(dǎo)體二極管的伏安特性《電子電路分析與實(shí)踐》教學(xué)團(tuán)隊(duì)二極管：一個(gè)PN結(jié)就是一個(gè)二極管。單向?qū)щ姡憾O管正極接電源正極，負(fù)極接電源負(fù)極時(shí)電流可以通過(guò)。反之電流不能通過(guò)。

符號(hào)半導(dǎo)體二極管第一象限的是正向伏安特性曲線第三象限的是反向伏安特性曲線。IS為反向飽和電流，VD

為二極管兩端的電壓降，VT=kT/q

稱為溫度的電壓當(dāng)量，k為玻耳茲曼常數(shù)，q

為電子電荷量，T為熱力學(xué)溫度。對(duì)于室溫（相當(dāng)T=300K），則有VT=26mV。半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線當(dāng)0＜V＜Vth時(shí)，正向電流為零，Vth稱死區(qū)電壓或開啟電壓。正向區(qū)分為兩段：當(dāng)V＞Vth時(shí)，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。硅二極管的死區(qū)電壓Vth=0.5~0.8V左右；鍺二極管的死區(qū)電壓Vth=0.2~0.3V左右。

1.正向特性當(dāng)VBR＜V＜0時(shí)，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí)，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：2.反向特性硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過(guò)渡比較圓滑，反向飽和電流較大。若|VBR|≥7V時(shí),主要是雪崩擊穿；若|VBR|≤4V時(shí),則主要是齊納擊穿。3.反向擊穿特性(1)最大整流電流IF(2)反向擊穿電壓VBR二極管連續(xù)工作時(shí)，允許流過(guò)的最大整流電流的平均值。二極管反向電流急劇增加時(shí)對(duì)應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓VBR。為安全計(jì)，在實(shí)際工作時(shí)，最大反向工作電壓VRM一般只按反向擊穿電壓VBR的一半計(jì)算。總結(jié)(3)反向電流IR(4)正向壓降VF在室溫，規(guī)定的反向電壓下，最大反向工作電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級(jí)；鍺二極管在微安(

A)級(jí)。在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。硅二極管約0.6～0.8V；鍺二極管約0.2～0.3V。總結(jié)電子電路分析與實(shí)踐3.半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用《電子電路分析與實(shí)踐》教學(xué)團(tuán)隊(duì)目錄CONTENTS01二極管基本電路分析特殊二極管0201二極管基本電路分析正向偏置時(shí)：管壓降為0，電阻也為0。反向偏置時(shí)：電流為0，電阻為∞。1.理想模型當(dāng)iD≥1mA時(shí)，vD=0.7V。2.恒壓降模型二極管基本電路分析符號(hào)3.折線模型（實(shí)際模型）4.小信號(hào)模型二極管基本電路分析求VDD=10V時(shí)，二極管的電流ID、電壓VD

值。1.靜態(tài)分析符號(hào)解：（1）理想模型正向偏置時(shí)：管壓降為0，電阻也為0。反向偏置時(shí)：電流為0，電阻為∞。當(dāng)iD≥1mA時(shí)，vD=0.7V。（2）恒壓降模型1.靜態(tài)分析符號(hào)（3）實(shí)際模型1.靜態(tài)分析理想二極管電路中vi=VmsinωtV，求輸出波形v0。解：2.限幅電路vit0VmVi>VR時(shí)，二極管導(dǎo)通，vo=vi。Vi<VR時(shí)，二極管截止，vo=VR。利用二極管的單向?qū)щ娦钥勺鳛殡娮娱_關(guān)vI1vI2二極管工作狀態(tài)D1D2v00V0V導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止導(dǎo)通截止截止0V5V5V0V5V5V0V0V0V5V求vI1和vI2不同值組合時(shí)的v0值（二極管為理想模型）。解：3.開關(guān)電路穩(wěn)壓二極管是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線與硅二極管的伏安特性曲線完全一樣特殊二極管符號(hào)(2)動(dòng)態(tài)電阻rZ

在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流IZ下，所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓。

rZ=

VZ/

IZ，

rZ愈小反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡(1)穩(wěn)定電壓VZ特殊二極管符號(hào)

(4)最大穩(wěn)定工作電流

IZmax和最小穩(wěn)定工作電流IZmin最大穩(wěn)定工作電流取決于最大耗散功率，即PZmax=VZIZmax。而Izmin對(duì)應(yīng)VZmin。若IZ＜IZmin則不能穩(wěn)壓。最大功率損耗取決于PN結(jié)的面積和散熱等條件。反向工作時(shí)PN結(jié)的功率損耗為

PZ=VZIZ，由

PZM和VZ可以決定IZmax。

(3)最大耗散功率

PZM

特殊二極管符號(hào)穩(wěn)壓二極管在工作時(shí)應(yīng)反接，并串入一只電阻。電阻起限流作用，保護(hù)穩(wěn)壓管；其次是當(dāng)輸入電壓或負(fù)載電流變化時(shí)，通過(guò)該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號(hào)以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。

IR

IZ

Io穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓過(guò)程RLIoIRVoIZIRVo特殊二極管電子電路分析與實(shí)踐4.半導(dǎo)體三極管《電子電路分析與實(shí)踐》教學(xué)團(tuán)隊(duì)類型：NPN型、PNP型半導(dǎo)體三極管是具有電流放大功能的元件高頻管、低頻管頻率：小、中、大功率管功率：硅管、鍺管材料：半導(dǎo)體三極管發(fā)射結(jié)

集電結(jié)基極發(fā)射極

集電極晶體三極管是由兩個(gè)PN結(jié)組成的發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)半導(dǎo)體三極管發(fā)射結(jié)加正偏時(shí)，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴(kuò)散，形成的電流為IEN。從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，但其數(shù)量小，形成的電流為IEP。進(jìn)入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低很快進(jìn)入集電結(jié)的結(jié)電場(chǎng)區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區(qū)被復(fù)合的電子形成的電流是IBN。

很小的基極電流IB，就可以控制較大的集極電流IC，從而實(shí)現(xiàn)了放大作用。三極的工作原理共集電極接法：集電極作為公共端共發(fā)射極接法：發(fā)射極作為公共端共基極接法：基極作為公共端IE=IC+IB三極管的電流關(guān)系國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體三極管的命名如下:3

D

G

110B

材料器件的種類同種器件型號(hào)的序號(hào)同一型號(hào)中的不同規(guī)格三極管第二位：A鍺PNP管；B鍺NPN管；

C硅PNP管；D硅NPN管。第三位：X低頻小功率管D低頻大功率管G高頻小功率管A高頻大功率管K開關(guān)管半導(dǎo)體三極管的型號(hào)參

數(shù)型

號(hào)

PCM

mW

ICM

mAVR

CBO

VVR

CEO

VVR

EBO

V

IC

BO

μA

f

T

MHz3AX31D

125

125

20

12≤6*≥83BX31C

125

125

40

24≤6*≥

83CG101C

100

30

450.1

1003DG123C

500

50

40

300.353DD101D

5A

5A

300

2504≤2mA3DK100B

100

30

25

15≤0.1

3003DKG23250W

30A

400

325

8注：*為f

雙極型三極管的參數(shù)電子電路分析與實(shí)踐5.半導(dǎo)體三極管的特性曲線《電子電路分析與實(shí)踐》教學(xué)團(tuán)隊(duì)類型：NPN型、PNP型半導(dǎo)體三極管是具有電流放大功能的元件高頻管、低頻管頻率：小、中、大功率管功率：硅管、鍺管材料：半導(dǎo)體三極管iB是輸入電流vBE是加在B、E兩極間的輸電壓。輸入特性曲線—iB=f(vBE)

vCE=常數(shù)導(dǎo)通電壓鍺管0.1~0.3V硅管0.6~0.8V半導(dǎo)體三極管的特性曲線共發(fā)射極接法的輸入特性曲線其中vCE=0V的那一條相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向特性曲線。當(dāng)vCE≥1V時(shí)，vCB=vCE-vBE>0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，且基區(qū)復(fù)合減少，IC/IB

增大，特性曲線將向右稍微移動(dòng)一些vCE再增加時(shí)，曲線右移很不明顯。 半導(dǎo)體三極管的特性曲線⑴放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏⑵截止區(qū)：IB=0以下的區(qū)域⑶飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏I(xiàn)C隨著VCE的變化而迅速變化工程上以VCE=0.3伏作為放大區(qū)和飽和區(qū)的分界線VCE大于0.7

V左右(硅管)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反偏輸出特性曲線

—

iC=f(vCE)

iB=常數(shù)放大區(qū)：條件VCE>0.7V,iB>0,iC隨iB成正比變化，iC=βΔiB飽和區(qū)：條件VCE<0.7V,iB>0,VCE近似等于0.3c—e間“導(dǎo)通”截止區(qū)：條件VBE<0.5V,iB=0,iC=0,c—e間“斷開”輸出特性曲線

—

iC=f(vCE)

iB=常數(shù)溫度對(duì)特性曲線的影響電子電路分析與實(shí)踐6.半導(dǎo)體三極管的應(yīng)用《電子電路分析與實(shí)踐》教學(xué)團(tuán)隊(duì)類型：NPN型、PNP型半導(dǎo)體三極管是具有電流放大功能的元件高頻管、低頻管頻率：小、中、大功率管功率：硅管、鍺管材料：半導(dǎo)體三極管測(cè)量三極管三個(gè)電極對(duì)地電位，試判斷三極管的工作狀態(tài)。放大截止飽和放大Vc>Vb>Ve放大Vc<Vb<Ve半導(dǎo)體三極管三極管工作狀態(tài)分析三極管工作狀態(tài)分析三極管工作狀態(tài)分析直流參數(shù)直流電流放大系數(shù)1.共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)

=（IC－ICEO）/IB≈IC/IB

vCE=常數(shù)

2.共基極直流電流放大系數(shù)

=（IC－ICBO）/IE≈IC/IE

顯然與之間有如下關(guān)系:=IC/IE=IB/

1+

IB=/

1+

交流電流放大系數(shù)

1.共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)

=

IC/

IB

vCE=const

在放大區(qū)

值基本不變，通過(guò)垂直于X軸的直線，由

IC/

IB求得。

2.共基極交流電流放大系數(shù)α

α=

IC/

IE

VCB=const當(dāng)ICBO和ICEO很小時(shí)，可以不加區(qū)分。交流參數(shù)集電極最大允許電流ICM當(dāng)IC＞ICM時(shí)，管子性能將顯著下降，甚至?xí)p壞三極管集電極最大允許功率損耗PCM集電極電流通過(guò)集電結(jié)時(shí)所產(chǎn)生的功耗，

PCM=ICVCB≈ICVCE，因發(fā)射結(jié)正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集電結(jié)上三極管極限參數(shù)由PCM、ICM和V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過(guò)損耗區(qū)、過(guò)電流區(qū)和擊穿區(qū)

輸出特性曲線上的過(guò)損耗區(qū)和擊穿區(qū)三極管極限參數(shù)電子電路分析與實(shí)踐7.場(chǎng)效應(yīng)管《電子電路分析與實(shí)踐》教學(xué)團(tuán)隊(duì)目錄CONTENTS01場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管分類02場(chǎng)效應(yīng)晶體三極管是由一種載流子導(dǎo)電的、用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件從參與導(dǎo)電的載流子來(lái)劃分，它有自由電子導(dǎo)電的N溝道器件和空穴導(dǎo)電的P溝道器件。按照?qǐng)鲂?yīng)三極管的結(jié)構(gòu)劃分，有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管兩大類。

場(chǎng)效應(yīng)管1.結(jié)構(gòu)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管2.工作原理N溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，在柵極與源極之間加負(fù)電壓，柵極與溝道之間的PN結(jié)為反偏。在漏極、源極之間加一定正電壓，使N溝道中的多數(shù)載流子(電子)由源極向漏極漂移，形成iD。iD的大小受VGS的控制。P溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)，極性相反，溝道中的多子為空穴。

N溝道PN結(jié)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管①柵源電壓VGS對(duì)iD的控制作用當(dāng)VGS＜0時(shí)，PN結(jié)反偏，耗盡層變厚，溝道變窄，溝道電阻變大，ID減?。籚GS更負(fù)，溝道更窄，ID更??；直至溝道被耗盡層全部覆蓋，溝道被夾斷，ID≈0。這時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管②漏源電壓VDS對(duì)iD的影響

在柵源間加電壓VGS＞VP，漏源間加電壓VDS。VGD=VGS-VDS，比源端耗盡層所受的反偏電壓VGS大,(如:VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,則漏端耗盡層受反)。

當(dāng)VDS繼續(xù)增加時(shí)，預(yù)夾斷點(diǎn)向源極方向伸長(zhǎng)為預(yù)夾斷區(qū)。由于預(yù)夾斷區(qū)電阻很大，能把未夾斷區(qū)漂移到其邊界上的載流子都掃至漏極，形成漏極飽和電流。當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP

時(shí)，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(3)伏安特性曲線①輸出特性曲線恒流區(qū)：(又稱飽和區(qū)或放大區(qū)）特點(diǎn):(1)受控性：輸入電壓vGS控制輸出電流(2)恒流性：輸出電流iD

基本上不受輸出電壓vDS的影響。用途:可做放大器和恒流源。條件:(1)源端溝道未夾斷

(2)源端溝道予夾斷結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn):(1)當(dāng)VGS

為定值時(shí),iD

是VDS

的線性函數(shù),其阻值受VGS

控制。（2）管壓降vDS很小。用途：做壓控線性電阻和無(wú)觸點(diǎn)的、閉合狀態(tài)的電子開關(guān)。條件：源端與漏端溝道都不夾斷

可變電阻區(qū)用途：做無(wú)觸點(diǎn)的、接通狀態(tài)的電子開關(guān)。條件：整個(gè)溝道都夾斷特點(diǎn)：夾斷區(qū)當(dāng)漏源電壓增大到時(shí)，漏端PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，其值一般為（20—50）V之間。由于VGD=VGS-VDS,故VGS越負(fù)，對(duì)應(yīng)的VP就越小。管子不能在擊穿區(qū)工作。擊穿區(qū)可變電阻區(qū)②轉(zhuǎn)移特性曲線輸入電壓VGS對(duì)輸出漏極電流ID的控制可變電阻區(qū)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管N溝道耗盡型P溝道耗盡型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性小結(jié)

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MetalOxideSemiconductor——MOSFET

分為增強(qiáng)型

N溝道、P溝道耗盡型N溝道、P溝道增強(qiáng)型：沒(méi)有導(dǎo)電溝道，耗盡型：存在導(dǎo)電溝道，N溝道P溝道

增強(qiáng)型N溝道P溝道

耗盡型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（1）柵源電壓VGS的控制作用

當(dāng)VGS=0V時(shí)，

在D、S間也不可能形成電流。

當(dāng)0＜VGS＜VT(開啟電壓)時(shí)，在襯底表面形成一薄層負(fù)離子的耗盡層。漏源間仍無(wú)載流子的通道。管子仍不能導(dǎo)通，處于截止?fàn)顟B(tài)。N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理

當(dāng)VGS＞VT時(shí)，襯底表層中的自由電子數(shù)量大于空穴數(shù)量，該薄層轉(zhuǎn)換為N型半導(dǎo)體，稱此為反型層。形成N源區(qū)到N漏區(qū)的N型溝道。

1.柵源電壓VGS的控制作用實(shí)現(xiàn)了輸入電壓VGS對(duì)輸出電流ID的控制把開始形成反型層的VGS值稱為該管的開啟電壓VT。在漏源間加電壓VDS，就能產(chǎn)生漏極電流

i

D即管子開啟當(dāng)VGS＞VT自由電子將沿著溝道漂移到漏區(qū)，形成漏極電流ID；當(dāng)ID從D

S流過(guò)溝道時(shí)，源極端電壓最大，為VGS，由此感生的溝道最深；漏極端，柵漏間電壓最小，其值為：

VGD=VGS-VDS

,由此感生的溝道也最淺?？梢?，在VDS作用下導(dǎo)電溝道的深度是不均勻的，溝道呈錐形分布。若VDS進(jìn)一步增大，直至VGD=VT，即VGS-VDS=VT或VDS=VGS-VT

時(shí)，則漏端溝道消失，出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)。2.漏源電壓VDS對(duì)溝道導(dǎo)電能力的影響當(dāng)VDS為0或較小時(shí)，VGD＞VT，此時(shí)VDS

基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。當(dāng)VDS增加到使VGD=VT時(shí)，漏極處溝道將縮減到剛剛開啟的情況，稱為預(yù)夾斷。形成漏極電流。當(dāng)VDS增加到使VGD

VT時(shí)，預(yù)夾斷點(diǎn)向源極端延伸成小的夾斷區(qū)。從漏端溝道出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)開始，ID基本不隨VDS增加而變化。2.漏源電壓VDS對(duì)溝