標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 45767-2025 氮化硅陶瓷基片》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)范氮化硅陶瓷基片的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。該標(biāo)準(zhǔn)適用于電子器件封裝、高功率模塊散熱等領(lǐng)域使用的氮化硅陶瓷基片。
標(biāo)準(zhǔn)首先定義了氮化硅陶瓷基片的相關(guān)術(shù)語(yǔ)與定義,明確了其作為高性能熱管理材料在電子行業(yè)中應(yīng)用的重要性。接著,從外觀質(zhì)量、尺寸及其偏差、彎曲強(qiáng)度、熱導(dǎo)率等多個(gè)方面對(duì)產(chǎn)品提出了具體的技術(shù)要求,確保了產(chǎn)品的質(zhì)量和性能符合使用需求。
對(duì)于如何驗(yàn)證這些技術(shù)指標(biāo)是否達(dá)標(biāo),《GB/T 45767-2025》還詳細(xì)規(guī)定了一系列的測(cè)試方法,包括但不限于尺寸測(cè)量、表面粗糙度檢測(cè)、抗彎強(qiáng)度測(cè)試及熱物理性能測(cè)定等。通過(guò)科學(xué)合理的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì),能夠準(zhǔn)確評(píng)估出樣品的實(shí)際表現(xiàn)情況。
此外,標(biāo)準(zhǔn)中還涵蓋了抽樣檢查的原則與程序,以及不合格品處理辦法等內(nèi)容,為生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量控制提供了指導(dǎo)性意見(jiàn)。最后,在關(guān)于產(chǎn)品的標(biāo)識(shí)、包裝形式、運(yùn)輸條件等方面也做出了明確指示,以保證在整個(gè)供應(yīng)鏈過(guò)程中產(chǎn)品不會(huì)受到損害,并且用戶可以方便地獲取到所需信息。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2025-06-30 頒布
- 2026-01-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS8106030
CCSQ.32.
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T45767—2025
氮化硅陶瓷基片
Siliconnitrideceramicsubstrates
2025-06-30發(fā)布2026-01-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T45767—2025
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任
。。
本文件由中國(guó)建筑材料聯(lián)合會(huì)提出
。
本文件由全國(guó)工業(yè)陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC194)。
本文件起草單位中材高新氮化物陶瓷有限公司衡陽(yáng)凱新特種材料科技有限公司浙江多面體新
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材料有限公司浙江立泰復(fù)合材料股份有限公司吉林長(zhǎng)玉特陶新材料技術(shù)股份有限公司山東工業(yè)陶
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瓷研究設(shè)計(jì)院有限公司浙江德匯電子陶瓷有限公司株洲瑞德?tīng)栔悄苎b備有限公司河南諾蘭特新材
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科技有限公司山東國(guó)瓷功能材料股份有限公司河北高富氮化硅材料有限公司羅杰斯科技蘇州有
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限公司中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所中國(guó)國(guó)檢測(cè)試控股集團(tuán)淄博有限公司株洲艾森達(dá)新材料科技
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有限公司泰晟新材料科技有限公司江蘇富樂(lè)華功率半導(dǎo)體研究院有限公司基邁克材料科技蘇州
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有限公司福建臻璟新材料科技有限公司安陽(yáng)亨利高科實(shí)業(yè)有限公司南通三責(zé)精密陶瓷有限公司安
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徽藍(lán)訊通信科技有限公司江西氮化硅新材料有限公司福建華清電子材料科技有限公司婁底市安地
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亞斯電子陶瓷有限公司無(wú)錫海古德新技術(shù)有限公司濟(jì)南大學(xué)湖南維尚科技有限公司湖南省新化縣
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鑫星電子陶瓷有限責(zé)任公司浙江正天新材料科技有限公司山東明輝特種陶瓷有限公司
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本文件主要起草人孫峰尚超峰張輝王再義董廷霞張業(yè)雷董偉強(qiáng)陳常祝李勇全欒婷
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張景賢張國(guó)軍王玉金李應(yīng)新蔣丹宇王新剛李凱吳萍張?jiān)弃Q孫偉田卓黃世東高禮文
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李博聞戴瑋明葛荘劉衛(wèi)平曲鵬夏靜豪李秋菊閆永杰朱偉林文松李光黃文思康丁華
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莫雪魁陳平松嚴(yán)回曾小鋒袁振偉張恒舉黃榮廈張雪蓮曹建輝蔣偉鑫劉深趙德剛林德隴
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王美玲
。
Ⅰ
GB/T45767—2025
氮化硅陶瓷基片
1范圍
本文件規(guī)定了氮化硅陶瓷基片的產(chǎn)品分類與標(biāo)記技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸
、、、、、、
和貯存
。
本文件適用于功率半導(dǎo)體模塊氮化硅陶瓷基片其他功能用氮化硅陶瓷基片參照使用
,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T191
絕緣材料電氣強(qiáng)度試驗(yàn)方法第部分工頻下試驗(yàn)
GB/T1408.11:
計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃
GB/T2828.11:(AQL)
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第部分介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切
GB/T5594.44:
值的測(cè)試方法
電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法
GB/T5594.5
產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法接觸觸針式儀器的標(biāo)稱特性
GB/T6062(GPS)()
電子陶瓷名詞術(shù)語(yǔ)
GB/T9530
精細(xì)陶瓷彈性模量試驗(yàn)方法彎曲法
GB/T10700
厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片
GB/T14619—2013
精細(xì)陶瓷室溫硬度試驗(yàn)方法
GB/T16534
精細(xì)陶瓷線熱膨脹系數(shù)試驗(yàn)方法頂桿法
GB/T16535
含碳碳化硅氮化物耐火材料化學(xué)分析方法
GB/T16555、、
精細(xì)陶瓷術(shù)語(yǔ)
GB/T17991
閃光法測(cè)量熱擴(kuò)散系數(shù)或?qū)嵯禂?shù)
GB/T22588
精細(xì)陶瓷密度和顯氣孔率試驗(yàn)方法
GB/T25995
氮化鋁陶瓷散熱基片
GB/T39975—2021
滾動(dòng)軸承球用氮化硅材料室溫壓痕斷裂阻力試驗(yàn)方法壓痕法
GB/T4
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