模塊二：結(jié)構(gòu)表征025.2各類化合物的核磁共振氫譜化學(xué)品研發(fā)過程中的分析1、各類有機(jī)化合物的化學(xué)位移-CH3:

CH3=0.791.10ppm-CH2:

CH2=0.981.54ppm-CH:

CH=CH3+(0.50.6)ppm

H=3.2~4.0ppm

H=2.2~3.2ppm

H=1.8ppm

H=2.1ppm

H=2~3ppm（1）、飽和烴端烯質(zhì)子：H=4.8~5.0ppm內(nèi)烯質(zhì)子：H=5.1~5.7ppm與烯基，芳基共軛：H=4~7ppm芳烴質(zhì)子：H=6.5~8.0ppm供電子基團(tuán)取代-OR，-NR2時：H=6.5~7.0ppm吸電子基團(tuán)取代-COCH3，-CN，-NO2時：H=7.2~8.0ppm（2）、烯烴（3）、芳香烴1、各類有機(jī)化合物的化學(xué)位移-COOH：H=10~13ppm-OH：（醇）H=1.0~6.0ppm（酚）H=4~12ppm-NH2：（脂肪）H=0.4~3.5ppm（芳香）H=2.9~4.8ppm（酰胺）H=9.0~10.2ppm-CHO：H=9~10ppm（4）、與雜原子相連的氫1、各類有機(jī)化合物的化學(xué)位移常見結(jié)構(gòu)單元化學(xué)位移范圍2.影響化學(xué)位移的因素factorsinfluencedchemicalshift-CH3，

=1.6~2.0，高場；-CH2I，

=3.0~3.5,-O-H，-C-H，

大

小低場高場

與質(zhì)子相連元素的電負(fù)性越強(qiáng)，吸電子作用越強(qiáng)，價電子偏離質(zhì)子，屏蔽作用減弱，信號峰在低場出現(xiàn)。（1）、電負(fù)性--去屏蔽效應(yīng)電負(fù)性對化學(xué)位移的影響碳雜化軌道電負(fù)性：SP>SP2>SP3形成氫鍵后1H核屏蔽作用減少，氫鍵屬于去屏蔽效應(yīng)。2.影響化學(xué)位移的因素

factorsinfluencedchemicalshift（2）、氫鍵效應(yīng)①雙鍵：（3）、磁各向異性效應(yīng)2.影響化學(xué)位移的因素

factorsinfluencedchemicalshift價電子產(chǎn)生誘導(dǎo)磁場，質(zhì)子位于其磁力線上，與外磁場方向一致，去屏蔽。②空間效應(yīng)2.影響化學(xué)位移的因素

factorsinfluencedchemicalshift去屏蔽效應(yīng)③三鍵

價電子產(chǎn)生誘導(dǎo)磁場，質(zhì)子位于其磁力線上，與外磁場方向一致，去屏蔽。2.影響化學(xué)位移的因素

factorsinfluencedchemicalshift苯環(huán)上的6個

電子產(chǎn)生較強(qiáng)的誘導(dǎo)磁場，質(zhì)子位于其磁力線上，與外磁場方向一致，去屏蔽。（4）、芳環(huán)體系2.影響化學(xué)位移的因素

factorsinfluencedchemicalshift6個質(zhì)子處于完全相同的化學(xué)環(huán)境，單峰。沒有直接與吸電子基團(tuán)（或元素）相連，在高場出現(xiàn)。案例：譜圖解析（1）

質(zhì)子a與質(zhì)子b所處的化學(xué)環(huán)境不同，兩個單峰。單峰：沒有相鄰碳原子（或相鄰碳原子無質(zhì)子）質(zhì)子b直接與吸電子元素相連，產(chǎn)生去屏蔽效應(yīng)，峰在低場（相對與質(zhì)子a）出現(xiàn)。質(zhì)子b也受其影響，峰也向低場位移。案例：譜圖解析（2）裂分與位移案例：