真空鍍膜工技能測(cè)試題庫(kù)及答案工種：真空鍍膜工等級(jí)：中級(jí)時(shí)間：120分鐘滿分：100分---一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共20分）1.真空鍍膜技術(shù)中最常用的蒸發(fā)源是（）。A.等離子體源B.電子束蒸發(fā)源C.熱絲蒸發(fā)源D.離子鍍?cè)?.真空度通常用（）單位表示。A.Pa（帕斯卡）B.atm（標(biāo)準(zhǔn)大氣壓）C.Torr（托）D.以上都是3.蒸發(fā)速率主要受（）因素影響。A.蒸發(fā)源功率B.蒸發(fā)材料溫度C.真空度D.以上都是4.離子鍍膜與熱蒸發(fā)膜相比，其主要優(yōu)點(diǎn)是（）。A.膜層附著力強(qiáng)B.膜層均勻性差C.蒸發(fā)速率慢D.設(shè)備成本低5.真空系統(tǒng)檢漏常用的方法不包括（）。A.氦質(zhì)譜檢漏B.示蹤氣體法C.熒光檢漏D.真空計(jì)測(cè)量6.鍍膜前基板清潔度不夠會(huì)導(dǎo)致（）。A.膜層針孔B.膜層均勻性差C.附著力差D.以上都是7.真空鍍膜工藝中，常用的基板加熱方式是（）。A.熱輻射B.電阻加熱C.感應(yīng)加熱D.以上都是8.膜層厚度均勻性主要取決于（）。A.蒸發(fā)源形狀B.基板距離C.真空度穩(wěn)定性D.以上都是9.離子鍍膜中，離子束能量主要影響（）。A.膜層致密度B.膜層厚度C.膜層成分D.以上都是10.真空鍍膜設(shè)備中，機(jī)械泵的主要作用是（）。A.抽除高真空B.抽除低真空C.提供離子源D.控制蒸發(fā)速率11.蒸發(fā)材料純度對(duì)膜層質(zhì)量的影響主要體現(xiàn)在（）。A.膜層針孔B.膜層脆性C.膜層成分偏析D.以上都是12.膜層附著力測(cè)試常用的方法不包括（）。A.劃格試驗(yàn)B.拉力測(cè)試C.顯微鏡觀察D.密度測(cè)量13.真空度不穩(wěn)定會(huì)導(dǎo)致（）。A.蒸發(fā)速率波動(dòng)B.膜層厚度不均C.膜層針孔D.以上都是14.離子輔助沉積的主要作用是（）。A.提高膜層附著力B.減少膜層應(yīng)力C.增加膜層厚度D.以上都是15.真空系統(tǒng)抽氣過(guò)程中，油擴(kuò)散泵開始工作的時(shí)間通常在（）。A.真空度低于10?3Pa時(shí)B.真空度低于10??Pa時(shí)C.真空度低于10?1Pa時(shí)D.真空度低于10??Pa時(shí)16.鍍膜后基板冷卻方式不包括（）。A.自然冷卻B.風(fēng)冷C.水冷D.離子轟擊17.真空鍍膜中，膜層應(yīng)力主要來(lái)源于（）。A.膜層與基板的熱膨脹系數(shù)差異B.蒸發(fā)材料成分偏析C.離子束能量D.以上都是18.真空計(jì)測(cè)量真空度時(shí)，常用的類型不包括（）。A.熱偶規(guī)B.電離規(guī)C.Pirani規(guī)D.氦質(zhì)譜規(guī)19.蒸發(fā)源的種類不包括（）。A.熱絲蒸發(fā)源B.電子束蒸發(fā)源C.等離子體源D.化學(xué)氣相沉積源20.真空鍍膜工藝中，基板旋轉(zhuǎn)的主要目的是（）。A.提高膜層均勻性B.增加膜層厚度C.減少膜層針孔D.以上都是---二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10分）21.真空鍍膜工藝中，影響膜層質(zhì)量的因素包括（）。A.真空度B.蒸發(fā)速率C.基板溫度D.蒸發(fā)材料純度E.設(shè)備漏氣22.離子鍍膜的優(yōu)點(diǎn)包括（）。A.膜層附著力強(qiáng)B.膜層均勻性好C.蒸發(fā)速率高D.膜層致密度高E.設(shè)備成本低23.真空系統(tǒng)檢漏的方法包括（）。A.氦質(zhì)譜檢漏B.示蹤氣體法C.熒光檢漏D.真空計(jì)測(cè)量E.視覺檢查24.膜層厚度控制的方法包括（）。A.蒸發(fā)時(shí)間控制B.蒸發(fā)源功率控制C.基板距離控制D.真空度控制E.蒸發(fā)材料流量控制25.真空鍍膜設(shè)備中，常用的泵包括（）。A.機(jī)械泵B.油擴(kuò)散泵C.真空分子泵D.低溫泵E.離子泵---三、判斷題（每題1分，共10分）26.真空鍍膜工藝中，真空度越高，膜層質(zhì)量越好。（×）27.離子鍍膜比熱蒸發(fā)膜的附著力更好。（√）28.蒸發(fā)材料的純度越高，膜層質(zhì)量越好。（√）29.真空系統(tǒng)檢漏時(shí)，氦質(zhì)譜檢漏是最常用的方法。（√）30.膜層厚度均勻性與基板距離無(wú)關(guān)。（×）31.真空鍍膜工藝中，基板加熱可以提高膜層附著力。（√）32.離子輔助沉積可以減少膜層應(yīng)力。（√）33.真空度不穩(wěn)定會(huì)導(dǎo)致膜層厚度不均。（√）34.蒸發(fā)源的種類對(duì)膜層成分沒有影響。（×）35.真空鍍膜工藝中，基板旋轉(zhuǎn)可以提高膜層均勻性。（√）---四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共20分）36.簡(jiǎn)述真空鍍膜工藝的基本步驟。答：1.真空系統(tǒng)抽氣，達(dá)到所需真空度；2.加熱蒸發(fā)源，使材料蒸發(fā)；3.蒸發(fā)材料在基板上沉積形成膜層；4.控制工藝參數(shù)，確保膜層質(zhì)量；5.鍍膜后基板冷卻，取出膜件。37.簡(jiǎn)述離子鍍膜與熱蒸發(fā)膜的主要區(qū)別。答：1.離子鍍膜利用離子轟擊提高膜層附著力，而熱蒸發(fā)膜主要依靠材料蒸發(fā)現(xiàn)象；2.離子鍍膜膜層均勻性好，而熱蒸發(fā)膜易出現(xiàn)厚度不均；3.離子鍍膜適用于復(fù)雜基板，而熱蒸發(fā)膜設(shè)備簡(jiǎn)單。38.簡(jiǎn)述真空系統(tǒng)檢漏的方法及原理。答：1.氦質(zhì)譜檢漏：利用氦氣的高穿透性，通過(guò)質(zhì)譜儀檢測(cè)漏氣；2.示蹤氣體法：利用示蹤氣體（如氦氣）在真空系統(tǒng)中的擴(kuò)散檢測(cè)漏點(diǎn)；3.熒光檢漏：利用熒光劑在漏氣處發(fā)光檢測(cè)漏點(diǎn)。39.簡(jiǎn)述影響膜層附著力的主要因素。答：1.基板清潔度：基板表面雜質(zhì)會(huì)降低附著力；2.膜層應(yīng)力：膜層應(yīng)力過(guò)大易導(dǎo)致膜層脫落；3.真空度：真空度低會(huì)導(dǎo)致膜層針孔，影響附著力；4.離子輔助沉積：離子轟擊可以提高附著力。---五、論述題（10分）40.論述真空鍍膜工藝中，如何控制膜層厚度均勻性？答：1.蒸發(fā)源設(shè)計(jì)：采用對(duì)稱或環(huán)形蒸發(fā)源，減少熱陰影效應(yīng)；2.基板距離控制：保持基板與蒸發(fā)源距離一致，避免厚度不均；3.基板旋轉(zhuǎn)：通過(guò)旋轉(zhuǎn)基板，使膜層均勻沉積；4.真空度穩(wěn)定：確保真空度穩(wěn)定，避免蒸發(fā)速率波動(dòng)；5.蒸發(fā)時(shí)間控制：精確控制蒸發(fā)時(shí)間，避免膜層過(guò)厚或過(guò)??；6.多蒸發(fā)源協(xié)同：采用多個(gè)蒸發(fā)源，提高膜層均勻性。---答案及解析一、單項(xiàng)選擇題1.B2.D3.D4.A5.D6.D7.D8.D9.D10.B11.D12.D13.D14.D15.C16.D17.D18.D19.D20.A二、多項(xiàng)選擇題21.A,B,C,D,E22.A,B,D23.A,B,C24.A,B,C,D,E25.A,B,C,D三、判斷題26.×27.√28.√29.√30.×31.√32.√33.√34.×35.√四、簡(jiǎn)答題36.真空鍍膜工藝的基本步驟：抽真空→加熱蒸發(fā)→沉積膜層→控制參數(shù)→冷卻取出。37.離子鍍膜與熱蒸發(fā)膜的主要區(qū)別：離子鍍膜利用離子轟擊提高附著力，膜層均勻性好；熱蒸發(fā)膜依靠蒸發(fā)現(xiàn)象，設(shè)備簡(jiǎn)單但附著力差。38.真空系統(tǒng)檢漏的方法及原理：氦質(zhì)譜檢漏利用氦氣高穿透性檢測(cè)漏