專題09晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考向五年考情（2021-2025）命題趨勢(shì)考點(diǎn)01晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2025·黑吉遼蒙卷、2025·廣東卷、2025·河北卷、2025·云南卷、2024·天津卷、2024·廣西卷、2024·貴州卷、2024·甘肅卷、2024·湖南卷、2024·山東卷、2023·北京卷、2022·天津卷、2022·湖北卷、2022·山東卷、2021·天津卷晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)在高考中常見的命題角度有晶體的類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，晶體熔沸點(diǎn)高低的比較，配位數(shù)、晶胞模型分析及有關(guān)計(jì)算等是物質(zhì)結(jié)構(gòu)選考模塊的必考點(diǎn)試題側(cè)重晶體類型判斷、物質(zhì)熔沸點(diǎn)的比較與原因、晶胞中微粒數(shù)的判斷、配位數(shù)、晶胞密度計(jì)算、晶胞參數(shù)、空間利用率計(jì)算的考查?？键c(diǎn)02晶胞分析與計(jì)算2025·陜晉青寧卷、2025·浙江1月卷、2025·安徽卷、2025·河北卷、2025·云南卷、2025·黑吉遼蒙卷、2025·湖北卷、2025·湖南卷、2024·重慶卷、2024·江西卷、2024·河北卷、2024·湖南卷、2024·湖北卷、2024·安徽卷、2024·吉林卷、2023·河北卷、2023·重慶卷、2023·湖南卷、2023·湖北卷、2023·遼寧卷、2022·湖北卷、2021·江蘇卷、2021·湖北卷、2021·遼寧卷考點(diǎn)一晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1．（2025·黑吉遼蒙卷）侯氏制堿法突破西方技術(shù)壟斷，推動(dòng)了世界制堿技術(shù)的發(fā)展，其主要反應(yīng)為NaCl+。下列有關(guān)化學(xué)用語(yǔ)或說(shuō)法正確的是A．的電子式： B．的空間結(jié)構(gòu)：直線形C．的晶體類型：離子晶體 D．溶解度：2．（2025·廣東卷）聲波封印，材料是音樂(lè)存儲(chǔ)技術(shù)的基礎(chǔ)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．制作黑膠唱片使用的聚氯乙烯，其單體是B．磁帶可由四氧化三鐵涂覆在膠帶上制成，具有磁性C．光碟擦寫過(guò)程中材料在晶態(tài)和非晶態(tài)間的可逆轉(zhuǎn)換，涉及物理變化D．固態(tài)硬盤芯片常使用單晶硅作為基礎(chǔ)材料，單晶硅是一種共價(jià)晶體3．（2025·河北卷）化學(xué)研究應(yīng)當(dāng)注重宏觀與微觀相結(jié)合。下列宏觀現(xiàn)象與微觀解釋不符的是選項(xiàng)宏觀現(xiàn)象微觀解釋A氮?dú)夥€(wěn)定存在于自然界中氮分子中存在氮氮三鍵，斷開該共價(jià)鍵需要較多的能量B苯不能使溴的溶液褪色苯分子中碳原子形成了穩(wěn)定的大鍵C天然水晶呈現(xiàn)多面體外形原子在三維空間里呈周期性有序排列D氯化鈉晶體熔點(diǎn)高于氯化鋁晶體離子晶體中離子所帶電荷數(shù)越少，離子半徑越大，離子晶體熔點(diǎn)越低4．（2025·云南卷）Be及其化合物的轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．是兩性氫氧化物B．和的晶體類型相同C．中Be原子的雜化方式為D．與反應(yīng)：5．（2024·天津卷）我國(guó)學(xué)者在碳化硅表面制備出超高遷移率半導(dǎo)體外延石墨烯。下列說(shuō)法正確的是A．是離子化合物 B．晶體的熔點(diǎn)高、硬度大C．核素的質(zhì)子數(shù)為8 D．石墨烯屬于烯烴6．（2024·廣西卷）一定條件下，存在缺陷位的LiH晶體能吸附使其分解為N，隨后N占據(jù)缺陷位(如圖)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A． B．半徑：C． D．LiH晶體為離子晶體7．（2024·貴州卷）我國(guó)科學(xué)家首次合成了化合物[K(2，2，2-crypt)]5[K@Au12Sb20]。其陰離子[K@Au12Sb20]5-為全金屬富勒烯(結(jié)構(gòu)如圖)，具有與富勒烯C60相似的高對(duì)稱性。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．富勒烯C60是分子晶體B．圖示中的K+位于Au形成的二十面體籠內(nèi)C．全金屬富勒烯和富勒烯C60互為同素異形體D．銻(Sb)位于第五周期第ⅤA族，則其基態(tài)原子價(jià)層電子排布式是5s25p38．（2024·甘肅卷）晶體中，多個(gè)晶胞無(wú)隙并置而成的結(jié)構(gòu)如圖甲所示，其中部分結(jié)構(gòu)顯示為圖乙，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．電負(fù)性： B．單質(zhì)是金屬晶體C．晶體中存在范德華力 D．離子的配位數(shù)為39．（2024·湖南卷）通過(guò)理論計(jì)算方法優(yōu)化了P和Q的分子結(jié)構(gòu)，P和Q呈平面六元并環(huán)結(jié)構(gòu)，原子的連接方式如圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．P為非極性分子，Q為極性分子 B．第一電離能：C．和所含電子數(shù)目相等 D．P和Q分子中C、B和N均為雜化10．（2024·山東卷）下列物質(zhì)均為共價(jià)晶體且成鍵結(jié)構(gòu)相似，其中熔點(diǎn)最低的是A．金剛石(C) B．單晶硅() C．金剛砂() D．氮化硼(，立方相)11．（2023·北京卷）中國(guó)科學(xué)家首次成功制得大面積單晶石墨炔，是碳材料科學(xué)的一大進(jìn)步。下列關(guān)于金剛石、石墨、石墨炔的說(shuō)法正確的是A．三種物質(zhì)中均有碳碳原子間的鍵 B．三種物質(zhì)中的碳原子都是雜化C．三種物質(zhì)的晶體類型相同 D．三種物質(zhì)均能導(dǎo)電12．（2022·天津卷）一定條件下，石墨轉(zhuǎn)化為金剛石吸收能量。下列關(guān)于石墨和金剛石的說(shuō)法正確的是A．金剛石比石墨穩(wěn)定B．兩物質(zhì)的碳碳鍵的鍵角相同C．等質(zhì)量的石墨和金剛石中，碳碳鍵數(shù)目之比為4∶3D．可以用X射線衍射儀鑒別金剛石和石墨13．（2022·湖北卷）在高溫高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂幸欢▽?dǎo)電性、高硬度的非晶態(tài)碳玻璃。下列關(guān)于該碳玻璃的說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．具有自范性 B．與互為同素異形體C．含有雜化的碳原子 D．化學(xué)性質(zhì)與金剛石有差異14．（2022·山東卷）、屬于第三代半導(dǎo)體材料，二者成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，晶體中只存在鍵、鍵。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．的熔點(diǎn)高于 B．晶體中所有化學(xué)鍵均為極性鍵C．晶體中所有原子均采取雜化 D．晶體中所有原子的配位數(shù)均相同15．（2021·天津卷）下列各組物質(zhì)的晶體類型相同的是A．SiO2和SO3 B．I2和NaCl C．Cu和Ag D．SiC和MgO考點(diǎn)二晶體分析與計(jì)算16．（2025·陜晉青寧卷）一種負(fù)熱膨脹材料的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞密度為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．沿晶胞體對(duì)角線方向的投影圖為B．和B均為雜化C．晶體中與最近且距離相等的有6個(gè)D．和B的最短距離為17．（2025·浙江1月卷）某化合物的晶胞如圖所示，下列說(shuō)法不正確的是A．晶體類型為混合晶體 B．與二價(jià)鐵形成配位鍵C．該化合物與水反應(yīng)有難溶物生成 D．該化合物熱穩(wěn)定性比高18．（2025·安徽卷）碘晶體為層狀結(jié)構(gòu)，層間作用為范德華力，層間距為。下圖給出了碘的單層結(jié)構(gòu)，層內(nèi)碘分子間存在“鹵鍵”(強(qiáng)度與氫鍵相近)。為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．碘晶體是混合型晶體 B．液態(tài)碘單質(zhì)中也存在“鹵鍵”C．碘晶體中有個(gè)“鹵鍵” D．碘晶體的密度為19．（2025·河北卷）是一種具有優(yōu)異磁性能的稀土永磁材料，在航空航天等領(lǐng)域中獲得重要應(yīng)用。的六方晶胞示意圖如下，晶胞參數(shù)、，M、N原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為、。設(shè)是阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．該物質(zhì)的化學(xué)式為 B．體心原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．晶體的密度為 D．原子Q到體心的距離為20．（2025·云南卷）是優(yōu)良的固態(tài)電解質(zhì)材料，取代部分后產(chǎn)生空位，可提升傳導(dǎo)性能。取代后材料的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖(未畫出)及其作為電解質(zhì)的電池裝置如下。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．每個(gè)晶胞中個(gè)數(shù)為12B．該晶胞在yz平面的投影為C．取代后，該電解質(zhì)的化學(xué)式為D．若只有發(fā)生遷移，外電路轉(zhuǎn)移的電子數(shù)與通過(guò)截面MNPQ的數(shù)目相等21．（2025·黑吉遼蒙卷）晶體因x變化形成空位而導(dǎo)致顏色各異，當(dāng)時(shí)，其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．與W最近且等距的O有6個(gè) B．x增大時(shí)，W的平均價(jià)態(tài)升高C．密度為時(shí)， D．空位數(shù)不同，吸收的可見光波長(zhǎng)不同22．（2025·湖北卷）晶胞是長(zhǎng)方體，邊長(zhǎng)，如圖所示。下列說(shuō)法正確的是A．一個(gè)晶胞中含有4個(gè)O原子B．晶胞中分子的取向相同C．1號(hào)和2號(hào)S原子間的核間距為D．每個(gè)S原子周圍與其等距且緊鄰的S原子有4個(gè)23．（2025·湖南卷）摻雜的鉍酸鋇具有超導(dǎo)性。替代部分形成(摩爾質(zhì)量為)，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該立方晶胞的參數(shù)為，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法正確的是A．晶體中與鉍離子最近且距離相等的有6個(gè)B．晶胞中含有的鉍離子個(gè)數(shù)為8C．第一電離能：D．晶體的密度為24．（2024·重慶卷）儲(chǔ)氫材料的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，的摩爾質(zhì)量為，阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說(shuō)法正確的是A．的配位數(shù)為2 B．晶胞中含有2個(gè)C．晶體密度的計(jì)算式為 D．(i)和(ii)之間的距離為25．（2024·江西卷）NbO的立方晶胞如圖，晶胞參數(shù)為anm，P的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0)，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，下列說(shuō)法正確的是A．Nb的配位數(shù)是6B．Nb和O最短距離為anmC．晶體密度D．M的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為26．（2024·河北卷）金屬鉍及其化合物廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、醫(yī)藥等領(lǐng)域。如圖是鉍的一種氟化物的立方晶胞及晶胞中MNPQ點(diǎn)的截面圖，晶胞的邊長(zhǎng)為為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．該鉍氟化物的化學(xué)式為B．粒子S、T之間的距離為C．該晶體的密度為D．晶體中與鉍離子最近且等距的氟離子有6個(gè)27．（2024·湖南卷）是一種高活性的人工固氮產(chǎn)物，其合成反應(yīng)為，晶胞如圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．合成反應(yīng)中，還原劑是和CB．晶胞中含有的個(gè)數(shù)為4C．每個(gè)周圍與它最近且距離相等的有8個(gè)D．為V型結(jié)構(gòu)28．（2024·湖北卷）黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí)，純金為。合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．I為金B(yǎng)．Ⅱ中的配位數(shù)是12C．Ⅲ中最小核間距D．I、Ⅱ、Ⅲ中，與原子個(gè)數(shù)比依次為、、29．（2024·安徽卷）研究人員制備了一種具有鋰離子通道的導(dǎo)電氧化物()，其立方晶胞和導(dǎo)電時(shí)遷移過(guò)程如下圖所示。已知該氧化物中為價(jià)，為價(jià)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．導(dǎo)電時(shí)，和的價(jià)態(tài)不變 B．若，與空位的數(shù)目相等C．與體心最鄰近的O原子數(shù)為12 D．導(dǎo)電時(shí)、空位移動(dòng)方向與電流方向相反30．（2024·吉林卷）某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鈷硫化物晶胞的一部分，可代表其組成和結(jié)構(gòu)；晶胞2是充電后的晶胞結(jié)構(gòu)；所有晶胞均為立方晶胞。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．結(jié)構(gòu)1鈷硫化物的化學(xué)式為 B．晶胞2中S與S的最短距離為C．晶胞2中距最近的S有4個(gè) D．晶胞2和晶胞3表示同一晶體31．（2023·河北卷）鋯是重要的戰(zhàn)略金屬，可從其氧化物中提取。下圖是某種鋯的氧化物晶體的立方晶胞，為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．該氧化物的化學(xué)式為B．該氧化物的密度為C．原子之間的最短距離為D．若坐標(biāo)取向不變，將p點(diǎn)原子平移至原點(diǎn)，則q點(diǎn)原子位于晶胞面的面心32．（2023·重慶卷）配合物[MA2L2]的分子結(jié)構(gòu)以及分子在晶胞中的位置如圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．中心原子的配位數(shù)是4 B．晶胞中配合物分子的數(shù)目為2C．晶體中相鄰分子間存在范德華力 D．該晶體屬于混合型晶體33．（2023·湖南卷）科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為。阿伏加德羅常數(shù)的值為。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A．晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為B．晶體中與最近且距離相等的有8個(gè)C．晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面D．晶體的密度為34．（2023·湖北卷）鑭La和H可以形成一系列晶體材料，在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下，中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，即得到晶體。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．晶體中La的配位數(shù)為8B．晶體中H和H的最短距離：C．在晶胞中，H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠D．單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為35．（2023·遼寧卷）晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體(圖1)，進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A．圖1晶體密度為g?cm-3 B．圖1中O原子的配位數(shù)為6C．圖2表示的化學(xué)式為 D．取代產(chǎn)生的空位有利于傳導(dǎo)36．（2022·湖北卷）某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．的配位數(shù)為6 B．與距離最近的是C．該物質(zhì)的化學(xué)式為 D．若換為，則晶胞棱長(zhǎng)將改變37．（2021·江蘇卷）通過(guò)下列實(shí)驗(yàn)可從I2，的CCl4溶液中回收I2。下列說(shuō)法正確的是A．NaOH溶液與I2反應(yīng)的離子方程式：I2+2OH-=I-+IO+H2OB．通過(guò)過(guò)濾可將水溶液與CCl4分離C．向加酸后的上層清液中滴加AgNO3溶液生成AgI沉淀，1個(gè)AgI晶胞(如圖)中含14個(gè)I