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熱點(diǎn)強(qiáng)化-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選擇題專練
1.(2021?遼寧,7)單質(zhì)硫和氫氣在低溫高壓下可形成一種新型超導(dǎo)材料,其晶胞如圖。下列說(shuō)
法錯(cuò)誤的是()
A.S位于元素周期表p區(qū)
B.該物質(zhì)的化學(xué)式為H3s
C.S位于H構(gòu)成的八面體空隙中
D.該晶體屬于分子晶體
答案D
解析S的價(jià)層電子排布式為3s23P、故S位于元素周期表p區(qū),A正確;由該物質(zhì)的晶胞
可知:S個(gè)數(shù)為8義1+1=2,H個(gè)數(shù)為12x1+6x1=6,故H、S原子個(gè)數(shù)比為3:1,故該
842
物質(zhì)的化學(xué)式為H3S,B正確;S位于H構(gòu)成的八面體空隙中,如圖所示
C正確;由于該晶體是一種新型超導(dǎo)材料,說(shuō)明其是由陰、陽(yáng)離子構(gòu)成的,故該晶體屬于離
子晶體,D錯(cuò)誤。
2.(2023?河北滄州??寄M)冰晶石(Na3AlF6)常用作電解鋁的助熔劑和研磨產(chǎn)品的耐磨添加
劑,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,已知該晶胞參數(shù)為。pm,2VA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)
法錯(cuò)誤的是()
?AlFt
A.A1FA中Al的配位數(shù)為6
B.圖中△位置填充的是Na+
C.晶胞中A1F1形成的全部四面體空隙和A1F1的比值為1:1
D.該晶體的密度為隼"gem-3
QNA
答案c
解析晶胞中A1F,形成的全部四面體空隙和A1F釘?shù)谋戎禐?:1,C錯(cuò)誤;該晶體的密度
為-MX10-
4X21。m3=D正確。
,033
(aX10~)NAaNA
3.(2023?濰坊模擬)CaF2的晶胞結(jié)構(gòu)和部分離子的投影位置如圖所示,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
()
甲乙
A.CaF2屬于離子晶體
B.Ca2+的配位數(shù)為8
C.圖甲為丁沿y軸投影圖
D.圖乙為Ca2+沿面對(duì)角線投影圖
答案D
解析氟化鈣是由鈣離子和氟離子形成的離子晶體,故A正確;由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中位
于頂點(diǎn)的鈣離子與位于體對(duì)角線1處的氟離子的距離最近,則鈣離子的配位數(shù)為8,故B正確;
4
由晶胞結(jié)構(gòu)可知,Ca2+沿面對(duì)角線投影圖的四個(gè)側(cè)面面心應(yīng)在同一條線上,圖乙鈣離子分布
不符合,故D錯(cuò)誤。
4.(2023?廣東梅州統(tǒng)考模擬)FeS2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法不正確的是()
?Fe2+ooSj-
A.陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:I
B.FeS2晶體中距離Fe2+最近的Fe2+的數(shù)目為12
C.若晶胞邊長(zhǎng)均為apm,則Sy和ST之間的最短距離為也。pm
D.陽(yáng)離子位于由陰離子構(gòu)成的正八面體空隙中
答案C
解析由化學(xué)式FeS2知陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:1,A項(xiàng)正確;S歹與S歹之間的最短距離等
于晶胞面對(duì)角線長(zhǎng)的一半,即為]apm,C項(xiàng)錯(cuò)誤。
5.(2023?重慶校聯(lián)考模擬)納米CeCh可催化。2的分解,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于CeO2
的說(shuō)法正確的是()
A.Ce4+的配位數(shù)是4
B.Ce”+與CP-間最短距離為nm
4
C.若A離子的坐標(biāo)為(0,攝3),則B離子的坐標(biāo)為(:,:,1)
D.若晶體密度為0g-cmF,則晶胞參數(shù)〃=*盧^*1()7
PNA
答案C
解析根據(jù)晶胞圖可知,Ce4+的配位數(shù)為8,故A錯(cuò)誤;把晶胞平均分成8個(gè)小立方體,O2
一位于小立方體的中心,即Ce4+與。2-最短距離是體對(duì)角線長(zhǎng)的1,即為查anm,故B錯(cuò)誤;
44
Ce,+位于頂點(diǎn)和面心,個(gè)數(shù)為8X-+6X-=4,CP-位于晶胞內(nèi)部個(gè)數(shù)為8,化學(xué)式為CeO,
822
43(140+32)
則晶胞的質(zhì)量為ax(140+32)g,根據(jù)密度的定義,晶胞的參數(shù)為飛M__________X107
NAp
nm='的巡X107nm,故D錯(cuò)誤。
WNA
6.(2023?長(zhǎng)沙一中模擬)雙鈣鈦礦型晶體的一種典型結(jié)構(gòu)單元如圖所示,真實(shí)的晶體中存在
5%的氧原子缺陷,能讓02-在其中傳導(dǎo),可用作固體電解質(zhì)材料。已知La為+3價(jià),Ba為
+2價(jià)。以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
QLa
O?°OOBa
?Co
oO
A.該晶體的一個(gè)完整晶胞中含有1個(gè)C。原子
B.晶體中與La距離最近的Ba的數(shù)目為6
C.+3價(jià)Co與+4價(jià)Co的原子個(gè)數(shù)比為4:1
D.忽略氧原子缺陷,每個(gè)Co原子都處于氧原子圍成的正八面體空隙的中心
答案A
解析該晶體的一個(gè)完整晶胞由8個(gè)圖示結(jié)構(gòu)單元組成,該晶體的一個(gè)完整晶胞中含有8個(gè)
Co原子,故A錯(cuò)誤;根據(jù)均攤法,I個(gè)晶胞中La數(shù)為4義1=0.5、Ba數(shù)為4X」=0.5、Co
888
數(shù)為1、O數(shù)為6義1=3,所以化學(xué)式為L(zhǎng)aBaC02C>6,真實(shí)的晶體中存在5%的氧原子缺陷,
2
設(shè)+3價(jià)Co的個(gè)數(shù)為x,根據(jù)各元素化合價(jià)代數(shù)和等于0,3+2+3x+4(2-x)—2X6X95%=0,
x=1.6,所以+3價(jià)Co與+4價(jià)Co的原子個(gè)數(shù)比為4:1,故C正確。
7.(2023?河北模擬預(yù)測(cè))新型超導(dǎo)材料晶體的晶胞結(jié)構(gòu)中鎂原子和銀原子位于頂點(diǎn)和面心,它
們構(gòu)成兩種八面體空隙,一種由銀原子構(gòu)成,另一種由鍥原子和鎂原子一起構(gòu)成,兩種八面
體空隙的數(shù)量之比是1:3,碳原子只填充在銀原子構(gòu)成的八面體空隙中,沿晶胞立方格子對(duì)
角線取得的截圖如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
A.基態(tài)Ni原子的核外電子排布式為[Ar]3d84s2
B.該新型超導(dǎo)材料的化學(xué)式為MgNi3c
C.Mg的C配位數(shù)為6
on
D.若晶胞參數(shù)a=0.3812nm,該晶體密度為——尖——X8.加3刈為阿伏加德羅常
0.38123XNA
數(shù)的值)
答案C
解析在題述晶胞中,八面體空隙的中心位于體心位置和所有棱心位置,它們的比例是1:3,
中心處于體心位置的八面體由鍥原子構(gòu)成,可填入碳原子,而中心處于棱心位置的八面體由
2個(gè)鎂原子和4個(gè)鍥原子一起構(gòu)成,不填入碳原子,所以C處于體心位置,則Mg處于頂點(diǎn)
位置,Ni處于面心位置,該超導(dǎo)材料晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:QMgONi?CO晶胞中含
Mg的個(gè)數(shù)為8義1=1,含Ni的個(gè)數(shù)為6x1=3,含C的個(gè)數(shù)為1,該新型超導(dǎo)材料的化學(xué)
82
式為MgNi3C,B正確;由B項(xiàng)圖可知,與Mg距離最近的C的個(gè)數(shù)為8,配位數(shù)為8,C錯(cuò)
、24+12+59X3_213_
誤;該晶體密度p=-------------------------g-cm3=---------------------X1021g-cm3,D正確。
3
(0.3812X10-7)32VA80.3812X2VA
8.(2023?武漢華中師大一附中模擬)一種由銀、氟和鉀三種元素組成的化合物晶體結(jié)構(gòu)如圖所
示,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
OFOKONi
A.該晶體中Ni的化合價(jià)為+2
B.與保等距離且最近的F有6個(gè)
2
C.圖中A、B原子間的距離為(|-c)+ypm
D.該晶體的密度為生學(xué)"g-cnT3
a16NA
答案B
解析根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知該晶體中F個(gè)數(shù)為1義16+1><4+2=8,K個(gè)數(shù)為1乂8+2=4,Ni
424
的個(gè)數(shù)為1乂8+1=2,根據(jù)化合物中正負(fù)化合價(jià)代數(shù)和為0,可知Ni應(yīng)為+2價(jià),A正確;
8
晶胞中a與c不相等,因此與鍥等距離且最近的F不是6個(gè),B錯(cuò)誤;該晶胞質(zhì)量為婭g,
NA
晶胞體積為層方乂1(F3()cm3,因此該晶體的密度為,-------g-cm-3,D正確。
2
abNA
9.(2023?湖南,11)科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該立方晶胞參數(shù)
為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
A.晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6c6
B.晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個(gè)
C.晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面
D.晶體的密度為幺彳—gem-3
a3-NA
答案C
解析根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,其中K個(gè)數(shù):8x1=1,Ca個(gè)數(shù):1,B個(gè)數(shù):12義1=6,C個(gè)數(shù):
82
12X-=6,故其最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6c6,A正確;K卡位于晶胞頂角,Ca2+位于體心,則晶體
2
中與K+最近且距離相等的Ca?+有8個(gè),B正確;根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中B和C原子構(gòu)
717
成的多面體有14個(gè)面,C錯(cuò)誤;由A項(xiàng)分析知晶胞質(zhì)量為---g,晶胞體積為序火10-30cm3,
2vA
2.17X1032
則其密度為gem-3,D正確。
a3-NA
10.(2023?武漢模擬)某儲(chǔ)氫材料錮銀合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
oLa
?Ni
A.該物質(zhì)的化學(xué)式為L(zhǎng)aNis
B.距離La最近且相等的Ni的數(shù)目為6
C.利用原子光譜可鑒定儲(chǔ)氫材料中的La元素
晶體密度2=——普H-g-cm-3
D.
362
3X10XabNA
答案D
解析該晶胞中La個(gè)數(shù)為12義1+2義1=3,Ni個(gè)數(shù)為18義1+6=15,貝ILa、Ni個(gè)數(shù)之比
622
為3:15=1:5,化學(xué)式為L(zhǎng)aNis,A正確;根據(jù)圖知,以底面中心La為例,與其距離最近
且相等的Ni個(gè)數(shù)是6,B正確;原子光譜可以鑒定金屬元素,所以利用原子光譜可鑒定儲(chǔ)氫
材料中的La元素,C正確;該晶胞的體積為3x(aX10r0cm)2><sin60°X6XSX10r0cm)=
o-x/o3X434父6只、A
-----HbX10-3()cm3,晶體密度"=cg-cm-3=---------------------g-errT3,D錯(cuò)誤。
2就義&XIO^NA3a26X10-398
2
11.(2024?福州模擬)氧化鋅億nO)的透明度高,具有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能。氧化鋅的兩種晶胞
結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()
A.甲、乙兩種晶體類型的晶胞內(nèi)Z/+數(shù)目之比為2:1
B.甲中Zd+位于02—形成的四面體空隙中,空隙填充率為50%
C.乙的晶胞沿z軸的二維投影圖如圖丙所示
D.兩種晶胞中。2一的配位數(shù)均為4
答案C
解析甲類型的晶胞中有4個(gè)Zn2+,乙晶胞有2X」+2X1+1=2個(gè)Zn2+,甲、乙兩種晶體
63
類型的晶胞內(nèi)Z/+數(shù)目之比為2:1,故A正確;甲晶胞中。2-形成8個(gè)四面體空隙,Zn2+
Ayo-7
占據(jù)4個(gè)空隙,則空隙填充率為50%,故B正確;乙的晶胞沿z軸的二維投影圖為
故C錯(cuò)誤;。2-的配位數(shù)即為晶胞中距離。2-最近的zn2+個(gè)數(shù),觀察甲乙兩晶胞,可知兩種
晶胞中。2-的配位數(shù)均為4,故D正確。
12.(2023?湖南校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè))BeO晶體是制備氟代硼被酸鉀晶體的原料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)
與ZnS類似,下列說(shuō)法不正確的是()
A.Be原子的配位數(shù)是12
B.若原子a、b的坐標(biāo)分別為(0,0,0)、4J,1),則原子c的坐標(biāo)為(A1,1)
22444
Q-------O-------Q
■
OO
??
C.沿晶胞面對(duì)角線投影,所得的投影圖是6——O——6
D.設(shè)O與Be的最近距離為〃pm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則BeO晶體的密度為
4X(9+16)
4sgPm「3
W?)*3X4*810-30
答案A
解析由晶胞結(jié)構(gòu)可知Be位于O原子構(gòu)成的四面體的體心,Be原子的配位數(shù)是4,A錯(cuò)誤;
由BeO的晶胞結(jié)構(gòu)可知,每個(gè)Be處于晶胞體對(duì)角線的1處,結(jié)合原子a、b的坐標(biāo)可知原子
4
c的坐標(biāo)為(1,1,3,B正確;若O與Be的最近距離為npm,則題中a、c之間的距離為/7pm,
444
又因?yàn)閍、c之間的距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的1,則晶胞棱長(zhǎng)為生32Pm,晶胞內(nèi)Be的個(gè)數(shù)為
43
j14X(9+16)
4,。的個(gè)數(shù)為8X,+6X,=4,則晶體密度為一TjTg-cm-3,D正確。
82w(臂/AXImo
13.(2023?遼寧丹東統(tǒng)考模擬)TiCh的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其中m、n、p、q的原子坐標(biāo)分別
為m(0,0,0)>n(0.69a,0.69a,。)、p(a,a,c)、q(0.19tz,0.8ltz,0.5c)o下列說(shuō)法正確的是()
,p
A.Ti位于周期表中第四周期第DB族
B.圖中標(biāo)記的微粒中,m、p代表氧原子
C.i的原子坐標(biāo)為(0.81a,0.19a,0.5c)
D.該晶體的密度為-8°--g-cnT3
層CNAXIO306
答案C
解析Ti是22號(hào)元素,位于元素周期表第四周期第WB族,故A錯(cuò)誤;由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,
i原子與q原子處于中心對(duì)稱位置,所以i的原子坐標(biāo)為(0.81a,0.19a,0.5c),故C正確;由晶
胞結(jié)構(gòu)圖可知,該晶胞中有2個(gè)Ti原子,4個(gè)O原子,相當(dāng)于有2個(gè)TiCh,所以晶體密度為
14.(2023-長(zhǎng)沙長(zhǎng)郡中學(xué)校考一模)由于晶體原子或離子的熱運(yùn)動(dòng),導(dǎo)致部分原子或離子偏離
理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域,這就叫晶體的熱缺陷。晶體熱缺陷的存在會(huì)對(duì)晶體的性質(zhì)產(chǎn)生明顯的
影響。如圖為理想NaCl晶體中的某個(gè)結(jié)構(gòu)單元在受熱過(guò)程中出現(xiàn)熱缺陷的模擬過(guò)程圖。下
列有關(guān)說(shuō)法正確的是()
。代表Na+
o代表C「
□代表缺陷
A.理想的NaCl晶體中Na+的配位數(shù)為8
B.由圖可知,NaCl晶體因熱缺陷導(dǎo)致其晶體整體帶負(fù)電
C.NaCl晶體中存在熱缺陷對(duì)晶體的導(dǎo)電性基本無(wú)影響
D.已知理想的NaCl晶體密度為〃g-cmr,阿伏加德羅常數(shù)的值為必,則NaCl的晶胞參數(shù)(晶
胞的邊長(zhǎng))為,盧^cm
答案D
解析理想的NaCl晶體的晶胞為面心立方堆積,其中Na+的配位數(shù)為6,A錯(cuò)誤;根據(jù)熱缺
陷的定義可知,含缺陷的晶體只是因?yàn)槟承╇x子或原子偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域,整個(gè)
NaCl晶體還是不帶電,B錯(cuò)誤;由圖示可知,NaCl中的Na+因熱運(yùn)動(dòng)偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)
區(qū)域,在外加電場(chǎng)的作用下,該類Na+可以發(fā)生遷移,因此導(dǎo)電性增大,C錯(cuò)誤;由晶胞結(jié)
構(gòu)可知晶胞的質(zhì)量為4Mg,密度為0g儲(chǔ)01一3,則晶胞的體積為國(guó)^cm3,晶胞的邊長(zhǎng)為。I4M
NAPNAPNA
cm,代入M的值,則NaCl的晶胞參數(shù)(晶胞的邊長(zhǎng))為D正確。
15.(2023?湖南衡
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