第31講晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1．了解晶體和非晶體的區(qū)別。2.了解晶胞的概念，能根據(jù)晶胞確定晶體的組成并進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。3.了解晶體的類(lèi)型，了解不同類(lèi)型晶體中構(gòu)成粒子、粒子間作用力的區(qū)別。4.了解分子晶體、共價(jià)晶體、離子晶體、金屬晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系?？键c(diǎn)一常見(jiàn)物質(zhì)的聚集狀態(tài)晶體與非晶體1．物質(zhì)的聚集狀態(tài)(1)物質(zhì)的聚集狀態(tài)除了固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)，還有晶態(tài)、非晶態(tài)以及介乎晶態(tài)和非晶態(tài)之間的塑晶態(tài)、液晶態(tài)等。(2)等離子體和液晶①等離子體：由電子、陽(yáng)離子和電中性粒子組成的整體上呈電中性的物質(zhì)聚集體。具有良好的導(dǎo)電性和流動(dòng)性。②液晶：介于液態(tài)和晶態(tài)之間的物質(zhì)狀態(tài)。既具有液體的流動(dòng)性、黏度、形變性等，又具有晶體的導(dǎo)熱性、光學(xué)性質(zhì)等。2．晶體與非晶體(1)晶體與非晶體的比較項(xiàng)目晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征原子在三維空間里呈周期性有序排列原子排列相對(duì)無(wú)序性質(zhì)特征自范性有無(wú)熔點(diǎn)固定不固定異同表現(xiàn)各向異性各向同性二者區(qū)別方法間接方法看是否有固定的熔點(diǎn)或根據(jù)某些物理性質(zhì)的各向異性科學(xué)方法對(duì)固體進(jìn)行X射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)(2)獲得晶體的途徑①熔融態(tài)物質(zhì)凝固。②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固（凝華）。③溶質(zhì)從溶液中析出。正確的打“√”，錯(cuò)誤的打“×”。(1)在物質(zhì)的三態(tài)相互轉(zhuǎn)化過(guò)程中只是分子間距離發(fā)生了變化。(√)(2)具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體。(×)(3)晶體有自范性但排列無(wú)序。(×)(4)缺角的NaCl晶體在飽和NaCl溶液中會(huì)慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊。(√)(5)區(qū)分晶體和非晶體最可靠的方法是對(duì)固體進(jìn)行X射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)。(√)題組一物質(zhì)聚集狀態(tài)的多樣性1．下列有關(guān)物質(zhì)特殊聚集狀態(tài)與結(jié)構(gòu)的說(shuō)法不正確的是(B)A．液晶中分子的長(zhǎng)軸取向一致，表現(xiàn)出類(lèi)似晶體的各向異性B．等離子體是一種特殊的氣體，由陽(yáng)離子和電子兩部分構(gòu)成C．純物質(zhì)有固定的熔點(diǎn)，但其晶體顆粒尺寸在納米量級(jí)時(shí)也可能發(fā)生變化D．超分子內(nèi)部的分子間一般通過(guò)非共價(jià)鍵或分子間作用力結(jié)合成聚集體解析：等離子體是由陽(yáng)離子、電子和電中性粒子組成的整體上呈電中性的物質(zhì)聚集體，故B錯(cuò)誤；純物質(zhì)有固定的熔點(diǎn)，但其晶體顆粒尺寸在納米量級(jí)時(shí)也可能發(fā)生變化，熔點(diǎn)可能下降，故C正確。2．水的狀態(tài)除了氣、液和固態(tài)外，還有玻璃態(tài)。它是由液態(tài)水急速冷卻到165K時(shí)形成的。玻璃態(tài)的水無(wú)固定形狀，不存在晶體結(jié)構(gòu)，且密度與普通液態(tài)水的密度相同，下列有關(guān)玻璃態(tài)水的敘述正確的是(C)A．水由液態(tài)變?yōu)椴ＡB(tài)，體積縮小B．水由液態(tài)變?yōu)椴ＡB(tài)，體積膨脹C．玻璃態(tài)是水的一種特殊狀態(tài)D．在玻璃態(tài)水的X射線(xiàn)圖譜上有分立的斑點(diǎn)或明銳的衍射峰解析：玻璃態(tài)水無(wú)固定形狀，不存在晶體結(jié)構(gòu)，因密度與普通液態(tài)水相同，故水由液態(tài)變?yōu)椴ＡB(tài)時(shí)體積不變。題組二晶體與非晶體的區(qū)別3．下列關(guān)于晶體和非晶體的說(shuō)法正確的是(C)A．晶體在三維空間里呈周期性有序排列，因此在各個(gè)不同的方向上具有相同的物理性質(zhì)B．晶體在熔化過(guò)程中需要不斷地吸熱，溫度不斷地升高C．普通玻璃在各個(gè)不同的方向上力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、光學(xué)性質(zhì)相同D．晶體和非晶體之間不可以相互轉(zhuǎn)化解析：晶體的許多物理性質(zhì)常常會(huì)表現(xiàn)出各向異性，A不正確；晶體的熔點(diǎn)是固定的，所以在熔化過(guò)程中溫度不會(huì)變化，B不正確；在一定條件下晶體和非晶體是可以相互轉(zhuǎn)化的，D不正確。4．如圖是某固體的微觀結(jié)構(gòu)示意圖，請(qǐng)認(rèn)真觀察兩圖，判斷下列說(shuō)法正確的是(B)A．兩種物質(zhì)在一定條件下都會(huì)自動(dòng)形成有規(guī)則的幾何外形的晶體B．Ⅰ形成的固體物理性質(zhì)有各向異性C．Ⅱ形成的固體一定有固定的熔、沸點(diǎn)D．兩者的X射線(xiàn)圖譜是相同的解析：觀察結(jié)構(gòu)圖可知，Ⅰ中微粒呈周期性有序排列，Ⅱ中微粒排列不規(guī)則，故Ⅰ為晶體，Ⅱ?yàn)榉蔷w。晶體有各向異性，具有固定的熔、沸點(diǎn)，非晶體沒(méi)有固定的熔、沸點(diǎn)，用X射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)檢驗(yàn)晶體和非晶體，圖譜明顯不同，故應(yīng)選B?？键c(diǎn)二常見(jiàn)的晶體模型1．晶胞的概念及計(jì)算(1)概念：晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元，晶體中晶胞的排列——無(wú)隙并置。①無(wú)隙：相鄰晶胞之間沒(méi)有任何間隙。②并置：所有晶胞都是平行排列的，取向相同。(2)晶胞中粒子數(shù)的計(jì)算方法——均攤法①長(zhǎng)方體（包括立方體）晶胞②三棱柱晶胞③六棱柱晶胞(3)晶胞中粒子配位數(shù)的計(jì)算一個(gè)粒子周?chē)钹徑牧Ｗ拥臄?shù)目稱(chēng)為配位數(shù)，它反映了晶體中粒子排列的緊密程度。①晶體中原子（或分子）的配位數(shù)若晶體中的粒子為同種原子（或同種分子），則某原子（或分子）的配位數(shù)指的是該原子（或分子）最接近且等距離的原子（或分子）的數(shù)目，常見(jiàn)晶胞的配位數(shù)如下：簡(jiǎn)單立方：配位數(shù)為6面心立方：配位數(shù)為12體心立方：配位數(shù)為8eq\a\vs4\al()eq\a\vs4\al()eq\a\vs4\al()②離子晶體的配位數(shù)：指一個(gè)離子周?chē)罱咏业染嚯x的異種電性離子的數(shù)目。2．常見(jiàn)晶體結(jié)構(gòu)模型(1)共價(jià)晶體①金剛石晶體中，每個(gè)C與相鄰4個(gè)C形成共價(jià)鍵，C—C—C夾角是109°28′，最小的環(huán)是六元環(huán)。含有1molC的金剛石中，形成的共價(jià)鍵是2mol。②SiO2晶體中，每個(gè)硅原子與4個(gè)氧原子成鍵，每個(gè)氧原子與2個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵，最小的環(huán)是十二元環(huán)，在“硅氧”四面體中，處于中心的是硅原子，1molSiO2中含有4molSi—O。(2)分子晶體①干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周?chē)染嗲揖o鄰的CO2分子有12個(gè)。②冰晶體中，每個(gè)水分子與相鄰的4個(gè)水分子以氫鍵相連接，含1molH2O的冰中，最多可形成2mol氫鍵。(3)離子晶體——NaCl、CsCl、CaF2①NaCl型：在晶體中，每個(gè)Na＋同時(shí)吸引6個(gè)Cl－，每個(gè)Cl－同時(shí)吸引6個(gè)Na＋，配位數(shù)為6。每個(gè)晶胞含4個(gè)Na＋和4個(gè)Cl－。②CsCl型：在晶體中，每個(gè)Cl－吸引8個(gè)Cs＋，每個(gè)Cs＋吸引8個(gè)Cl－，配位數(shù)為8。③CaF2型：在晶體中，每個(gè)Ca2+吸引8個(gè)F－，每個(gè)F－吸引4個(gè)Ca2+，每個(gè)晶胞含4個(gè)Ca2+，8個(gè)F－。(4)混合型晶體——石墨石墨層狀晶體中，層與層之間的作用力是分子間作用力，平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是2，碳原子采取的雜化方式是sp2。題組一晶胞中粒子數(shù)及化學(xué)式的計(jì)算1．儲(chǔ)氫合金是一類(lèi)能夠大量吸收氫氣，并與氫氣結(jié)合成金屬氫化物的材料，如鑭(La)鎳(Ni)合金，它吸收氫氣可結(jié)合成金屬氫化物。某鑭鎳儲(chǔ)氫合金晶胞結(jié)構(gòu)如圖，該材料中鑭、鎳、氫的原子個(gè)數(shù)比為(B)A．8∶9∶10 B．1∶5∶6C．1∶5∶3 D．1∶5∶5解析：利用均攤法，La在晶胞的頂角，N(La)＝8×eq\f(1,8)＝1；Ni在面上和體心，N(Ni)＝8×eq\f(1,2)＋1＝5；氫氣在棱上和面心，N(H2)＝8×eq\f(1,4)＋2×eq\f(1,2)＝3；則鑭、鎳、氫的原子個(gè)數(shù)比為1∶5∶6。2．如圖所示晶體結(jié)構(gòu)是一種具有優(yōu)良的壓電、光電等功能的晶體材料的最小結(jié)構(gòu)單元（晶胞）。晶體內(nèi)與每個(gè)“Ti”緊鄰的氧原子數(shù)和這種晶體材料的化學(xué)式分別是（各元素所帶電荷均已略去）(C)A．8；BaTi8O12 B．8；BaTi4O9C．6；BaTiO3 D．3；BaTi2O3解析：由題圖可知，晶體中鈦原子位于立方體的頂角，為8個(gè)晶胞所共用，每個(gè)晶胞中與鈦原子緊鄰的氧原子數(shù)為3，且每個(gè)氧原子位于晶胞的棱上，為4個(gè)晶胞所共用，故晶體內(nèi)與每個(gè)“Ti”緊鄰的氧原子數(shù)為3×8×eq\f(1,4)＝6；再根據(jù)均攤法可計(jì)算出晶體中每個(gè)晶胞中各元素原子的數(shù)目：Ba為1，Ti為8×eq\f(1,8)＝1，O為12×eq\f(1,4)＝3，故此晶體材料的化學(xué)式為BaTiO3。3．(1)硼化鎂晶體在39K時(shí)呈超導(dǎo)性。在硼化鎂晶體中，鎂原子和硼原子是分層排布的，如圖是該晶體微觀結(jié)構(gòu)的透視圖，圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上。則硼化鎂的化學(xué)式為MgB2。(2)在硼酸鹽中，陰離子有鏈狀、環(huán)狀等多種結(jié)構(gòu)形式。如圖是一種鏈狀結(jié)構(gòu)的多硼酸根，則多硼酸根的離子符號(hào)為BOeq\o\al(－,2)。解析：(1)每個(gè)Mg周?chē)?個(gè)B，而每個(gè)B周?chē)?個(gè)Mg，所以其化學(xué)式為MgB2。(2)從題圖可看出，每個(gè)單元中，都有一個(gè)B和一個(gè)O完全屬于這個(gè)單元，剩余的2個(gè)O分別被兩個(gè)結(jié)構(gòu)單元共用，所以B∶O＝1∶eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(1＋\f(2,2)))＝1∶2，化學(xué)式為BOeq\o\al(－,2)。題組二常見(jiàn)晶體結(jié)構(gòu)的分析4．（2024·安徽亳州聯(lián)考）以下是幾種晶體的結(jié)構(gòu)模型。下列說(shuō)法正確的是(B)A．NaCl晶體中，每個(gè)晶胞中含有4個(gè)NaCl分子B．CsCl晶胞中，每個(gè)Cl－周?chē)c其最近且等距的Cs＋有8個(gè)C．CaF2晶胞中，若晶胞棱長(zhǎng)為a，則Ca2+與F－的最短距離為eq\f(1,2)aD．干冰晶體熔化時(shí)破壞的化學(xué)鍵有范德華力和共價(jià)鍵解析：NaCl晶體中，每個(gè)晶胞中均攤4個(gè)Na＋、4個(gè)Cl－，不存在分子，A錯(cuò)誤；由晶胞結(jié)構(gòu)可知每個(gè)Cs＋周?chē)c其最近且等距的Cl－有8個(gè)，則每個(gè)Cl－周?chē)c其最近且等距的Cs＋有8個(gè)，B正確；CaF2晶胞中，若晶胞棱長(zhǎng)為a，則Ca2+與F－的最短距離為體對(duì)角線(xiàn)的四分之一，即eq\f(\r(3)a,4)，C錯(cuò)誤；干冰晶體熔化時(shí)不會(huì)破壞化學(xué)鍵，僅破壞范德華力，D錯(cuò)誤。5．(1)如圖為鈦酸鋇晶體的晶胞結(jié)構(gòu)，該晶體經(jīng)X射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)分析得出，重復(fù)單元為立方體，頂角位置被Ti4+所占據(jù)，體心位置被Ba2+所占據(jù)，棱心位置被O2所占據(jù)。①寫(xiě)出該晶體的化學(xué)式：BaTiO3。②若將Ti4+置于晶胞的體心，Ba2+置于晶胞頂角，則O2處于立方體的面心位置。③Ti4+的氧配位數(shù)和Ba2+的氧配位數(shù)分別為6、12。(2)Li2S是目前正在開(kāi)發(fā)的鋰離子電池的新型固體電解質(zhì)，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，已知晶胞參數(shù)a＝588pm，S2的配位數(shù)為8。解析：(1)①由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Ba2+位于體心有1個(gè)，Ti4+位于頂角，數(shù)目為8×eq\f(1,8)＝1個(gè)，O2位于棱心，數(shù)目為12×eq\f(1,4)＝3個(gè)，故其化學(xué)式為BaTiO3。②根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Ti4+周?chē)?個(gè)O2，若Ti4+位于晶胞的體心，Ba2+位于晶胞的頂角，則O2處于立方體面心上。③根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Ti4+周?chē)?個(gè)O2，所以Ti4+的氧配位數(shù)為6；立方晶胞12條棱上的12個(gè)O2均與體心Ba2+等距，所以Ba2+的氧配位數(shù)為12。(2)以最右面中心S2分析，連接的左邊的晶胞中有4個(gè)鋰離子，則右邊的晶胞中也應(yīng)該有4個(gè)鋰離子，因此配位數(shù)為8?？键c(diǎn)三常見(jiàn)晶體的類(lèi)型及性質(zhì)1．常見(jiàn)晶體類(lèi)型(1)四種晶體類(lèi)型的比較類(lèi)型分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成粒子分子原子金屬陽(yáng)離子、自由電子陰、陽(yáng)離子粒子間的相互作用力范德華力（某些含氫鍵）共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵硬度較小很大有的很大，有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高溶解性相似相溶難溶于一般溶劑一般不溶于水，少數(shù)與水反應(yīng)大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、傳熱性一般不導(dǎo)電，溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性，個(gè)別為半導(dǎo)體電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電(2)過(guò)渡晶體純粹的典型晶體是不多的，大多數(shù)晶體是它們之間的過(guò)渡晶體。如Na2O和Al2O3晶體中都含有離子鍵的成分，它們既不是純粹的離子鍵，也不是純粹的共價(jià)鍵，Na2O更偏向離子晶體，Al2O3更偏向共價(jià)晶體。2．晶體熔、沸點(diǎn)的比較(1)不同類(lèi)型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律：共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。(2)相同類(lèi)型晶體①金屬晶體：金屬陽(yáng)離子半徑越小，所帶電荷越多，則金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔、沸點(diǎn)就越高。②離子晶體：陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，熔、沸點(diǎn)就越高。③共價(jià)晶體：原子半徑越小，鍵長(zhǎng)越短，熔、沸點(diǎn)越高。④分子晶體：a.組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高；具有分子間氫鍵的分子晶體的熔、沸點(diǎn)反常高。b.組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體（相對(duì)分子質(zhì)量接近），其分子的極性越大，熔、沸點(diǎn)越高。正確的打“√”，錯(cuò)誤的打“×”。(1)在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子。(×)(2)離子晶體一定都含有金屬元素。(×)(3)分子晶體不導(dǎo)電，溶于水后也都不導(dǎo)電。(×)(4)共價(jià)晶體中共價(jià)鍵越弱，熔點(diǎn)越低。(√)(5)金屬晶體能導(dǎo)電是因?yàn)榻饘倬w在外加電場(chǎng)作用下可失去電子。(×)題組一晶體類(lèi)型的判斷1．在下列物質(zhì)中：NaCl、NaOH、Na2S、H2O2、Na2S2、(NH4)2S、CO2、CCl4、C2H2、SiO2、SiC、晶體硅、金剛石、晶體氬。(1)其中只含有離子鍵的離子晶體是NaCl、Na2S。(2)其中既含有離子鍵又含有極性共價(jià)鍵的離子晶體是NaOH、(NH4)2S。(3)其中既含有離子鍵又含有極性共價(jià)鍵和配位鍵的離子晶體是(NH4)2S。(4)其中既含有離子鍵又含有非極性共價(jià)鍵的離子晶體是Na2S2。(5)其中形成的晶體是分子晶體的是H2O2、CO2、CCl4、C2H2、晶體氬。(6)其中含有極性共價(jià)鍵的共價(jià)晶體是SiO2、SiC。2．五種物質(zhì)的一些性質(zhì)如表：物質(zhì)熔點(diǎn)/℃沸點(diǎn)/℃其他性質(zhì)單質(zhì)硫120.5271.5—單質(zhì)硼23002550硬度大氯化鋁190182.7177.8℃升華苛性鉀3001320晶體不導(dǎo)電，熔融態(tài)導(dǎo)電銻6301750晶體導(dǎo)電晶體類(lèi)型：?jiǎn)钨|(zhì)硫是分子晶體；單質(zhì)硼是共價(jià)晶體；氯化鋁是分子晶體；苛性鉀是離子晶體；銻是金屬晶體。解析：?jiǎn)钨|(zhì)硫?yàn)榉墙饘賳钨|(zhì)，其熔、沸點(diǎn)都較低，為分子晶體；單質(zhì)硼為非金屬單質(zhì)，其熔、沸點(diǎn)都很高，為共價(jià)晶體；氯化鋁為共價(jià)化合物，其熔、沸點(diǎn)都較低，并能在較低溫度下升華，為分子晶體；苛性鉀為化合物，其熔點(diǎn)較高，沸點(diǎn)很高，晶體不導(dǎo)電，熔融態(tài)導(dǎo)電，為離子晶體；銻固態(tài)時(shí)導(dǎo)電，屬于金屬晶體。判斷晶體類(lèi)型的常見(jiàn)方法(1)依據(jù)粒子的構(gòu)成來(lái)看：由陰、陽(yáng)離子構(gòu)成的晶體，則為離子晶體；由分子構(gòu)成的晶體，則為分子晶體；由金屬或合金構(gòu)成的晶體，則為金屬晶體。(2)依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷：一般，熔點(diǎn)達(dá)到幾千度以上的，為共價(jià)晶體；熔點(diǎn)在幾百至一千度左右的，為離子晶體；熔點(diǎn)很低的，為分子晶體。金屬晶體的熔點(diǎn)有大有小。(3)依據(jù)導(dǎo)電性來(lái)看：離子晶體在熔融狀態(tài)或水溶液中均可以導(dǎo)電；共價(jià)晶體一般不導(dǎo)電；金屬晶體可以導(dǎo)電；分子晶體在熔融狀態(tài)下肯定不導(dǎo)電，但在水溶液中，有部分會(huì)導(dǎo)電。題組二晶體熔、沸點(diǎn)的比較3．關(guān)于下列晶體的熔、沸點(diǎn)高低排列判斷不正確的是(C)A．CF4＜CCl4＜CBr4＜CI4B．金剛石>碳化硅>晶體硅C．H2O＞H2S＞H2Se＞H2TeD．NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI解析：組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，則晶體熔、沸點(diǎn)由低到高順序?yàn)镃F4＜CCl4＜CBr4＜CI4，故A正確；共價(jià)晶體的鍵長(zhǎng)越短，共價(jià)鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高，鍵長(zhǎng)為C—C＜C—Si＜Si—Si，則熔、沸點(diǎn)由高到低為金剛石＞碳化硅＞晶體硅，故B正確；水分子間能夠形成氫鍵，其余不能，分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，則晶體熔、沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)镠2O＞H2Te＞H2Se＞H2S，故C不正確；離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高，F(xiàn)、Cl、Br、I的離子半徑依次增大，則熔、沸點(diǎn)由高到低：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI，故D正確。4．(1)FeF3具有較高的熔點(diǎn)（高于1000℃），其化學(xué)鍵類(lèi)型是離子鍵，F(xiàn)eBr3的相對(duì)分子質(zhì)量大于FeF3，但其熔點(diǎn)只有200℃，原因是FeF3為離子晶體，F(xiàn)eBr3的化學(xué)鍵以共價(jià)鍵為主，屬于分子晶體。(2)已知：K2O的熔點(diǎn)為770℃，Na2O的熔點(diǎn)為1275℃，二者的晶體類(lèi)型均為離子晶體，K2O的熔點(diǎn)低于Na2O的原因是K＋的半徑大于Na＋，故Na2O離子鍵強(qiáng)，熔點(diǎn)高。(3)已知氨（NH3，熔點(diǎn)：－77.8℃、沸點(diǎn)：－33.5℃），聯(lián)氨（N2H4，熔點(diǎn)：2℃、沸點(diǎn)：113.5℃），解釋其熔、沸點(diǎn)高低的主要原因：聯(lián)氨分子間形成氫鍵的數(shù)目多于氨分子形成的氫鍵。(4)已知氮化硼與砷化鎵屬于同種晶體類(lèi)型。則兩種晶體熔點(diǎn)較高的是BN（填化學(xué)式），其理由是兩種晶體均為共價(jià)晶體，N和B原子半徑較小，鍵能較大，熔點(diǎn)較高。比較不同晶體熔、沸點(diǎn)的基本思路首先看物質(zhì)的狀態(tài)，一般情況下是固體>液體>氣體；再看物質(zhì)所屬類(lèi)型，一般是共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體，結(jié)構(gòu)類(lèi)型相同時(shí)再根據(jù)相應(yīng)規(guī)律進(jìn)行判斷。同類(lèi)晶體熔、沸點(diǎn)比較思路：共價(jià)晶體→共價(jià)鍵鍵能→鍵長(zhǎng)→原子半徑；分子晶體→分子間作用力→相對(duì)分子質(zhì)量；離子晶體→離子鍵強(qiáng)弱→離子所帶電荷數(shù)、離子半徑；金屬晶體→金屬鍵強(qiáng)弱→金屬陽(yáng)離子所帶電荷數(shù)、金屬陽(yáng)離子半徑。1．（2024·山東卷）下列物質(zhì)均為共價(jià)晶體且成鍵結(jié)構(gòu)相似，其中熔點(diǎn)最低的是(B)A．金剛石(C)B．單晶硅(Si)C．金剛砂(SiC)D．氮化硼（BN，立方相）解析：金剛石(C)、單晶硅(Si)、金剛砂(SiC)、立方氮化硼(BN)，都為共價(jià)晶體，結(jié)構(gòu)相似，則原子半徑越大，鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，鍵能越小，熔、沸點(diǎn)越低，在這幾種晶體中，鍵長(zhǎng)：Si—Si>Si—C>B—N>C—C，所以熔點(diǎn)最低的為單晶硅。2．（2023·北京卷）中國(guó)科學(xué)家首次成功制得大面積單晶石墨炔，是碳材料科學(xué)的一大進(jìn)步。eq\a\vs4\al()eq\a\vs4\al()eq\a\vs4\al()下列關(guān)于金剛石、石墨、石墨炔的說(shuō)法正確的是(A)A．三種物質(zhì)中均有碳碳原子間的σ鍵B．三種物質(zhì)中的碳原子都是sp3雜化C．三種物質(zhì)的晶體類(lèi)型相同D．三種物質(zhì)均能導(dǎo)電解析：原子間優(yōu)先形成σ鍵，三種物質(zhì)中均存在σ鍵，A項(xiàng)正確；金剛石中所有碳原子均采用sp3雜化，石墨中所有碳原子均采用sp2雜化，石墨炔中苯環(huán)上的碳原子采用sp2雜化，碳碳三鍵上的碳原子采用sp雜化，B項(xiàng)錯(cuò)誤；金剛石為共價(jià)晶體，石墨炔為分子晶體，石墨為混合型晶體，C項(xiàng)錯(cuò)誤；金剛石中沒(méi)有自由移動(dòng)的電子，不能導(dǎo)電，D項(xiàng)錯(cuò)誤。3．（2024·甘肅卷）β-MgCl2晶體中，多個(gè)晶胞無(wú)隙并置而成的結(jié)構(gòu)如圖甲所示，其中部分結(jié)構(gòu)顯示為圖乙，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(D)A．電負(fù)性：Mg<ClB．單質(zhì)Mg是金屬晶體C.晶體中存在范德華力D．Mg2+的配位數(shù)為3解析：電負(fù)性越大的元素吸引電子的能力越強(qiáng)，活潑金屬的電負(fù)性小于活潑非金屬，因此，Mg的電負(fù)性小于Cl，A正確；金屬晶體包括金屬單質(zhì)及合金，單質(zhì)Mg是金屬晶體，B正確；由晶體結(jié)構(gòu)可知，該結(jié)構(gòu)中存在層狀結(jié)構(gòu)，層與層之間存在范德華力，C正確；由圖乙中結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Mg2+周?chē)?個(gè)Cl－距離最近且相等，因此，Mg2+的配位數(shù)為6，D錯(cuò)誤。4．（2024·湖北卷）按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí)，純金為24K。Au-Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(C)A．Ⅰ為18K金B(yǎng)．Ⅱ中Au的配位數(shù)是12C．Ⅲ中最小核間距：AuCu<AuAuD．Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au與Cu原子個(gè)數(shù)比依次為1∶1、1∶3、3∶1解析：24K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為100%，則18K金的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為eq\f(18,24)×100%＝75%，Ⅰ中Au和Cu原子個(gè)數(shù)比值為1∶1，則Au的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為eq\f(197,197＋64)×100%≈75%，A正確。Ⅱ中Au處于立方體的八個(gè)頂角，Au的配位數(shù)指距離最近的Cu，Cu處于面心處，類(lèi)似于二氧化碳晶胞結(jié)構(gòu)，二氧化碳分子周?chē)嚯x最近的二氧化碳有12個(gè)，則Au的配位數(shù)為12，B正確。設(shè)Ⅲ的晶胞參數(shù)為a，Au——Cu的核間距為eq\f(\r(2),2)a，Au——Au的最小核間距也為eq\f(\r(2),2)a，最小核間距：Au——Cu＝Au——Au，C錯(cuò)誤。Ⅰ中，Au處于內(nèi)部，Cu處于晶胞的八個(gè)頂角，其原子個(gè)數(shù)比為1∶1；Ⅱ中，Au處于立方體的八個(gè)頂角，Cu處于面心，其原子個(gè)數(shù)比為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(8×\f(1,8)))∶eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(6×\f(1,2)))＝1∶3；Ⅲ中，Au處于立方體的面心，Cu處于頂角，其原子個(gè)數(shù)比為eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(6×\f(1,2)))∶eq\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(8×\f(1,8)))＝3∶1，D正確。5．(1)（2024·浙江1月選考）某化合物的晶胞如圖1，其化學(xué)式是CrCl2·4H2O，晶體類(lèi)型是分子晶體。(2)（2024·浙江6月選考）某化合物的晶胞如圖2，Cl－的配位數(shù)（緊鄰的陽(yáng)離子數(shù)）為12；寫(xiě)出該化合物的化學(xué)式：K3ClO。(3)（2024·貴州卷）NaFeO2的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。每個(gè)晶胞中含有NaFeO2的單元數(shù)有3個(gè)。(4)（2024·江蘇卷）鐵酸鉍晶胞如圖所示（圖中有4個(gè)鐵原子位于晶胞體對(duì)角線(xiàn)上，氧原子未畫(huà)出），其中原子數(shù)目比N(Fe)∶N(Bi)＝2∶1。(5)（2024·廣東卷）一種含Ga、Ni、Co元素的記憶合金的晶體結(jié)構(gòu)可描述為Ga與Ni交替填充在Co構(gòu)成的立方體體心，形成如圖所示的結(jié)構(gòu)單元。該合金的晶胞中，粒子個(gè)數(shù)最簡(jiǎn)比Co∶Ga∶Ni＝2∶1∶1，其立方晶胞的體積為8a3nm3。解析：(1)由晶胞圖可知，每個(gè)Cr2+結(jié)合4個(gè)水分子和2個(gè)氯離子，其化學(xué)式為CrCl2·4H2O；由晶胞圖可知構(gòu)成晶胞的粒子為CrCl2·4H2O分子，故為分子晶體。(2)由晶胞結(jié)構(gòu)知，Cl位于8個(gè)頂角，O位于體心，K位于面心，1個(gè)晶胞中含Cl：8×eq\f(1,8)＝1個(gè)、含O：1個(gè)、含K：6×eq\f(1,2)＝3個(gè)，該化合物的化學(xué)式為K3ClO。(3)由NaFeO2的晶胞圖可知，每個(gè)晶胞中含有Fe：4×eq\f(1,4)＋2＝3，Na：8×eq\f(1,8)＋2＝3，O：8×eq\f(1,4)＋4＝6，即每個(gè)晶胞中NaFeO2的單元數(shù)有3個(gè)。(4)由鐵酸鉍晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，晶胞體內(nèi)有4個(gè)鐵原子，面上有8個(gè)鐵原子，根據(jù)均攤法可知，鐵原子的數(shù)目為4×1＋8×eq\f(1,2)＝8；鉍原子全部在晶胞的面上，共有8×eq\f(1,2)＝4個(gè)，因此，其中原子數(shù)目比N(Fe)∶N(Bi)＝2∶1。(5)合金的晶體結(jié)構(gòu)可描述為Ga與Ni交替填充在Co構(gòu)成的立方體體心，形成如圖所示的結(jié)構(gòu)單元，取Ga為晶胞頂點(diǎn)，晶胞面心也是Ga，Ni處于晶胞棱心和體心，Ga和Ni形成類(lèi)似氯化鈉晶胞的結(jié)構(gòu)，晶胞中Ga和Ni形成的8個(gè)小正方體體心為Co，故晶胞中Ga、Ni個(gè)數(shù)為4，Co個(gè)數(shù)為8，粒子個(gè)數(shù)最簡(jiǎn)比Co∶Ga∶Ni＝2∶1∶1，晶胞棱長(zhǎng)為兩個(gè)最近的Ga之間（或最近的Ni之間）的距離，為2anm，故晶胞的體積為8a3nm3。6．(1)（2023·廣東卷節(jié)選）(NH4)2CO3會(huì)使濾泥中的一種膠狀物質(zhì)轉(zhuǎn)化為疏松分布的棒狀顆粒物。濾渣的X射線(xiàn)衍射圖譜中，出現(xiàn)了NH4Al(OH)2CO3的明銳衍射峰，NH4Al(OH)2CO3屬于晶體（填“晶體”或“非晶體”）。(2)（2023·全國(guó)甲卷節(jié)選）如圖所示的幾種碳單質(zhì)，它們互為同素異形體，其中屬于共價(jià)晶體的是金剛石，C60間的作用力是范德華力。(3)（2023·湖南卷）相關(guān)物質(zhì)的沸點(diǎn)：物質(zhì)Ga(CH3)3Et2OCH3INR3沸點(diǎn)/℃55.734.642.4365.8晶體Ga(CH3)3的晶體類(lèi)型是分子晶體。7．(1)（2024·全國(guó)甲卷節(jié)選）早在青銅器時(shí)代，人類(lèi)就認(rèn)識(shí)了錫。錫的鹵化物熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表，結(jié)合變化規(guī)律說(shuō)明原因：SnF4屬于離子晶體，SnCl4、SnBr4、SnI4屬于分子晶體，離子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的高，分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。物質(zhì)SnF4SnCl4SnBr4SnI4熔點(diǎn)/℃442－3429143(2)（2023·全國(guó)乙卷節(jié)選）已知一些物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表：物質(zhì)熔點(diǎn)/℃NaCl800.7SiCl4－68.8GeCl4－51.5SnCl4－34.1Na與Si均為第三周期元素，NaCl熔點(diǎn)明顯高于SiCl4，原因是氯化鈉為離子晶體，SiCl4為分子晶體，氯化鈉中離子鍵強(qiáng)度遠(yuǎn)大于SiCl4分子間作用力。分析同族元素的氯化物SiCl4、GeCl4、SnCl4熔點(diǎn)變化趨勢(shì)及其原因：SiCl4、GeCl4、SnCl4均為分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增強(qiáng)，熔點(diǎn)依次升高。課時(shí)作業(yè)31（總分：60分）一、選擇題（每小題4分，共44分。每小題只有1個(gè)選項(xiàng)符合題意）1．（2025·山西忻州兩校期中聯(lián)考）下列有關(guān)晶體的說(shuō)法錯(cuò)誤的是(B)A．晶胞是晶體中最小的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元B．有金屬光澤的晶體一定是金屬晶體C．可通過(guò)X射線(xiàn)衍射區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶和非晶體D．相同化學(xué)成分的固體可能是晶體，也可能是非晶體解析：晶胞是晶體中最小的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元，A正確；有金屬光澤的晶體不一定是金屬晶體，如晶體硅，故B錯(cuò)誤；準(zhǔn)晶是一種無(wú)平移周期序，但有嚴(yán)格準(zhǔn)周期位置序的獨(dú)特晶體，可通過(guò)X射線(xiàn)衍射方法區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶和非晶體，C正確；同種物質(zhì)可能以晶體和非晶體兩種不同形式出現(xiàn)，例如天然水晶是晶體，而熔化后再凝固的水晶（石英玻璃）就是非晶體，D正確。2．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(B)A．只含分子的晶體一定是分子晶體B．碘晶體升華時(shí)破壞了共價(jià)鍵C．幾乎所有的酸都屬于分子晶體D．稀有氣體中只含原子，但稀有氣體的晶體屬于分子晶體解析：分子晶體是分子通過(guò)相鄰分子間的作用力形成的，只含分子的晶體一定是分子晶體，故A正確；碘晶體屬于分子晶體，升華時(shí)破壞了分子間作用力，故B錯(cuò)誤；幾乎所有的酸都是由分子構(gòu)成的，故幾乎所有的酸都屬于分子晶體，故C正確；稀有氣體是由原子直接構(gòu)成的，只含原子，但稀有氣體的晶體屬于分子晶體，故D正確。3．如圖是金屬晶體內(nèi)部的電子氣理論示意圖。電子氣理論可以用來(lái)解釋金屬的性質(zhì)，其中正確的是(C)A．金屬能導(dǎo)電是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下定向移動(dòng)B．金屬能導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉跓岬淖饔孟孪嗷ヅ鲎?，從而發(fā)生熱的傳導(dǎo)C．金屬具有延展性是因?yàn)樵谕饬Φ淖饔孟?，金屬中各原子層間會(huì)出現(xiàn)相對(duì)滑動(dòng)，但自由電子可以起到潤(rùn)滑劑的作用，使金屬不會(huì)斷裂D．合金與純金屬相比，由于增加了不同的金屬或非金屬，使電子數(shù)目增多，所以合金的延展性比純金屬?gòu)?qiáng)，硬度比純金屬小解析：金屬能導(dǎo)電是因?yàn)樽杂呻娮釉谕饧与妶?chǎng)作用下定向移動(dòng)，A錯(cuò)誤；自由電子在熱的作用下與金屬陽(yáng)離子發(fā)生碰撞，實(shí)現(xiàn)熱的傳導(dǎo)，B錯(cuò)誤；在外力的作用下，金屬中各原子層間會(huì)出現(xiàn)相對(duì)滑動(dòng)，而自由電子與金屬陽(yáng)離子之間的電性作用仍然存在，使得金屬不會(huì)斷裂，C正確；合金與純金屬相比，由于增加了不同的金屬或非金屬，相當(dāng)于填補(bǔ)了金屬陽(yáng)離子之間的空隙，所以一般情況下合金的延展性比純金屬弱，硬度比純金屬大，D錯(cuò)誤。4．根據(jù)表中給出物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)（AlCl3沸點(diǎn)為260℃），判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(C)晶體NaClMgOSiCl4AlCl3晶體硼熔點(diǎn)/℃8012852－701802500A．MgO中的離子鍵比NaCl中的離子鍵強(qiáng)B．SiCl4晶體是分子晶體C．AlCl3晶體是離子晶體D．晶體硼是共價(jià)晶體解析：NaCl和MgO是離子化合物，屬于離子晶體，熔、沸點(diǎn)越高，說(shuō)明鍵能越大，離子鍵越強(qiáng)，A項(xiàng)正確；SiCl4是共價(jià)化合物，熔、沸點(diǎn)較低，為分子晶體，硼為非金屬單質(zhì)，熔、沸點(diǎn)很高，是共價(jià)晶體，B、D項(xiàng)正確；AlCl3雖是由活潑金屬和活潑非金屬形成的化合物，但其晶體熔、沸點(diǎn)較低，應(yīng)屬于分子晶體，C項(xiàng)錯(cuò)誤。5．（2022·湖北卷）C60在高溫高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂幸欢▽?dǎo)電性、高硬度的非晶態(tài)碳玻璃。下列關(guān)于該碳玻璃的說(shuō)法錯(cuò)誤的是(A)A．具有自范性B．與C60互為同素異形體C．含有sp3雜化的碳原子D．化學(xué)性質(zhì)與金剛石有差異解析：自范性是晶體的性質(zhì)，碳玻璃為非晶態(tài)，所以沒(méi)有自范性，A錯(cuò)誤；碳玻璃和C60均是由碳元素形成的不同的單質(zhì)，所以互為同素異形體，B正確；金剛石與碳玻璃互為同素異形體，性質(zhì)差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)上，化學(xué)性質(zhì)上也有差異，D正確。6．下面有關(guān)晶體的敘述中，不正確的是(B)A．金剛石網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中，最小的環(huán)上有6個(gè)碳原子B．氯化鈉晶體中，每個(gè)Na＋周?chē)嚯x相等的Na＋共有6個(gè)C．氯化銫晶體中，每個(gè)Cs＋周?chē)o鄰8個(gè)Cl－D．干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周?chē)o鄰12個(gè)CO2分子解析：氯化鈉晶體中，每個(gè)Na＋周?chē)嚯x相等的Na＋共12個(gè)。每個(gè)Na＋周?chē)嚯x相等且最近的Cl－共有6個(gè)。7．（2022·山東卷）AlN、GaN屬于第三代半導(dǎo)體材料，二者成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，晶體中只存在N—Al、N—Ga。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(A)A．GaN的熔點(diǎn)高于AlNB．晶體中所有化學(xué)鍵均為極性鍵C．晶體中所有原子均采取sp3雜化D．晶體中所有原子的配位數(shù)均相同解析：因?yàn)锳lN、GaN為結(jié)構(gòu)相似的共價(jià)晶體，由于鋁原子的半徑小于Ga，N—Al的鍵長(zhǎng)小于N—Ga的鍵長(zhǎng)，則N—Al的鍵能較大，鍵能越大則其對(duì)應(yīng)的共價(jià)晶體的熔點(diǎn)越高，故GaN的熔點(diǎn)低于AlN，A錯(cuò)誤。不同種元素的原子之間形成的共價(jià)鍵為極性鍵，故兩種晶體中所有化學(xué)鍵均為極性鍵，B正確。金剛石中每個(gè)碳原子形成4個(gè)共價(jià)鍵（即碳原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4），碳原子無(wú)孤電子對(duì)，故碳原子均采取sp3雜化，碳原子的配位數(shù)是4；由于AlN、GaN成鍵結(jié)構(gòu)與金剛石相似，則其晶體中所有原子均采取sp3雜化，其晶體中所有原子的配位數(shù)也均為4，C、D正確。8．（2025·湖北宜城六校期中聯(lián)考）如圖為甲烷晶體的晶胞結(jié)構(gòu)，下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是(B)A．每個(gè)甲烷晶胞中含4個(gè)碳原子B．CH4晶體熔化時(shí)需破壞共價(jià)鍵C．熔點(diǎn)高低：CI4>CBr4>CCl4>CH4D．CH4、CCl4都是含有極性鍵的非極性分子解析：甲烷晶胞中含有的分子的個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，即每個(gè)甲烷晶胞中含4個(gè)碳原子，A項(xiàng)正確；甲烷晶體為分子晶體，所以甲烷晶體熔化時(shí)需要克服分子間作用力，B項(xiàng)錯(cuò)誤；四種物質(zhì)組成、結(jié)構(gòu)相似，均為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔、沸點(diǎn)越高，則CI4>CBr4>CCl4>CH4，C項(xiàng)正確；CH4(CCl4)分子中含有的碳?xì)滏I（碳氯鍵）為極性鍵，該分子屬于正四面體形分子，正、負(fù)電中心重合，屬于非極性分子，D項(xiàng)正確。9．（2025·廣東湛江高三期末）甲為碳單質(zhì)的一種晶體，其二維結(jié)構(gòu)圖如圖，乙為C、K原子構(gòu)成的一種晶體，其二維結(jié)構(gòu)圖如圖。下列敘述錯(cuò)誤的是(C)A．甲、乙的二維材料都具有良好的導(dǎo)電性B．甲、乙中碳原子都是sp2雜化C．乙的化學(xué)式為KC12D．甲中碳原子數(shù)與C—C鍵數(shù)之比為2∶3解析：甲是石墨烯，存在大π鍵，乙的二維材料為石墨烯中鑲嵌鉀原子，石墨烯、鉀都能導(dǎo)電，所以甲、乙的二維材料都具有良好的導(dǎo)電性，A正確；甲、乙中碳原子都形成3個(gè)σ鍵，都是sp2雜化，B正確；根據(jù)均攤原則，每個(gè)鉀原子構(gòu)成的正六邊形中含有鉀原子數(shù)為6×eq\f(1,3)＋1＝3、碳原子數(shù)為24，乙的化學(xué)式為KC8，C錯(cuò)誤；甲中每個(gè)碳原子形成3個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵被2個(gè)碳原子共用，碳原子數(shù)與C—C鍵數(shù)之比為2∶3，D正確。10．（2024·江西重點(diǎn)中學(xué)聯(lián)盟3月聯(lián)考）Ce的某種氧化物具有良好的儲(chǔ)氧放氧能力，可作為氧載體參與有機(jī)物氧化反應(yīng)，其中Ce為面心立方堆積，O填充在Ce立方晶格所有的正四面體空隙中（如圖，未標(biāo)注全部的O）。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(C)A．該氧化物化學(xué)式為CeO2B．氧原子周?chē)染嗲易罱踉觽€(gè)數(shù)為6C．若反應(yīng)后，晶胞中O脫離形成一個(gè)O的空位，則該物質(zhì)中Ce3+與Ce4+的個(gè)數(shù)比為1∶3D．若頂點(diǎn)位置原子位于體心時(shí)，則面心原子位于棱心解析：由示意圖可知，Ce的個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，O填充在Ce立方晶格所有的正四面體空隙中，共有8個(gè)空隙，故O個(gè)數(shù)為8，化學(xué)式為CeO2，故A正確；氧原子在空間上形成簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)，氧原子周?chē)染嗲易罱踉觽€(gè)數(shù)為6，故B正確；晶胞中O脫離形成一個(gè)O的空位，則化學(xué)式可以表示為Ce4O7，如果Ce3+與Ce4+的個(gè)數(shù)比為1∶3，則正化合價(jià)總數(shù)為＋15，不符合代數(shù)和為0的規(guī)則，應(yīng)該有2個(gè)＋3價(jià)、2個(gè)＋4價(jià)，即Ce3+與Ce4+的個(gè)數(shù)比為1∶1，故C錯(cuò)誤；將8個(gè)晶胞重疊為一個(gè)大立方體，將原頂角原子位于體心重新分出一個(gè)晶胞，此時(shí)原面心原子位于棱心，故D正確。11．（2025·八省聯(lián)考四川卷）一種具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的光催化劑，其四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(α＝β＝γ＝90°)，NA是阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(C)A．該物質(zhì)的化學(xué)式為PbTiO3B．1位和2位O2的核間距為eq\f(\r