學(xué)習(xí)目標(biāo)了解1、晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點;2、晶體管外部電路結(jié)構(gòu)。1、晶體管放大的條件;2、晶體管的電流分配關(guān)系。掌握晶體管的電流放大原理（a）看一看——三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點（b）集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且體積大，有利于收集電子?；鶇^(qū)很薄，一般在幾個微米至幾十個微米，且摻雜濃度最低，有利于電子從基區(qū)通過，到達(dá)集電區(qū)。發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高，有利于發(fā)射電子。管芯結(jié)構(gòu)剖面圖晶體管的電流放大原理晶體管放大的條件（b）IEIBIC發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大外部條件發(fā)射結(jié)正偏即UBE>0集電結(jié)反偏即UBC<0晶體管的電流放大原理發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子電子，形成發(fā)射極電流IE。電子到達(dá)基區(qū)后，少數(shù)與空穴復(fù)合，形成IB。集電區(qū)收集擴(kuò)散過來的載流子形成集電極電流IC。

三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程IE=IB+IC晶體管的電流放大原理做一做項目：三極管各極電流分配關(guān)系的測試測試設(shè)備：模擬電路綜合測試臺1臺，0～30V直流穩(wěn)壓電源1臺，數(shù)字萬用表1塊，mA表1只，

A表1只。測試電路：圖示電路，圖中RB為100k，RC為1k，VT為三極管S9013。做一做——三極管各極電流分配關(guān)系測試程序：按圖接好電路。接入電源電壓VBB=0V、VCC=20V，觀察三極管中有無集電極電流，并記錄

。晶體管的電流放大原理測試程序：改變電源電壓VBB，使IB為上表中所給的各數(shù)值，并測出此時相應(yīng)的IC值，求出相應(yīng)的IE（=IB+IC）值、IC/IE值和

IC/IB值。晶體管的電流放大原理IB/

A0102050IC/mAIE/mA（=IB+IC）IC/IE—IC/IB—做一做——三極管各極電流分配關(guān)系測試程序：晶體管的電流放大原理做一做——三極管各極電流分配關(guān)系結(jié)論：三極管的電流

（IB,IC,IE）對電流

（IB,IC,IE）有明顯的控制作用；IC/IE

（>>1，＞≈1，＜≈1，<<1），IC/IB

（>>1，＞≈1，＜≈1，<<1），且IC/IE值和IC/IB值在IB變化時

（會/不會）發(fā)生明顯變化。晶體管的電流放大原理晶體管的電流分配關(guān)系以小電流（IB）控制大電流（IC）的作用，稱為晶體管的電流放大作用。晶體管的電流放大原理