(19)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(30)優(yōu)先權(quán)數(shù)據(jù)(62)分案原申請(qǐng)數(shù)據(jù)(71)申請(qǐng)人群創(chuàng)光電股份有限公司地址中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)苗栗縣竹南鎮(zhèn)科學(xué)路160號(hào)(72)發(fā)明人胡順源許嘉修趙明義林明昌顏?zhàn)訒F謝朝樺H10H20/01(2025.01)H10H20/84(2025.01)(74)專利代理機(jī)構(gòu)上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100(54)發(fā)明名稱顯示設(shè)備及其形成方法本公開提供一種顯示設(shè)備的形成方法。形成方法包括提供基板，其中基板上設(shè)置有多個(gè)接合墊；形成粘合層于基板上并覆蓋多個(gè)接合墊；利用光刻制程形成圖案化粘合層以對(duì)應(yīng)多個(gè)接合墊；經(jīng)由圖案化粘合層將發(fā)光單元接合至少接合墊。2提供一基板，其中該基板上設(shè)置有多個(gè)接合墊；形成一粘合層于該基板上并覆蓋該多個(gè)接合墊；利用一光刻制程形成一圖案化粘合層以對(duì)應(yīng)該多個(gè)接合墊；經(jīng)由該圖案化粘合層將一發(fā)光單元接合至少一接合墊。2.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備的形成方法，其特征在于，將該發(fā)光單元接合至少一接合墊的步驟包括進(jìn)行一固化制程以固化該圖案化粘合層。3.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備的形成方法，其特征在于，該發(fā)光單元包括：一第一導(dǎo)體層與一第二導(dǎo)體層相互重疊；一第一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該第一導(dǎo)體層與該第二導(dǎo)體層之間；一第二半導(dǎo)體層，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層與該第一導(dǎo)體層之間；一量子井結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層之間；其中，該第二導(dǎo)體層經(jīng)由該導(dǎo)電材料電性連接該第二半導(dǎo)體層。4.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備的形成方法，其特征在于，該多個(gè)接合墊中的兩相鄰的接合墊具有一間距，該間距為2微米至500微米。5.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備的形成方法，其特征在于，該粘合層為光阻材料、光固6.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備的形成方法，其特征在于，在形成該粘合層于該基板上的步驟之后，更包括進(jìn)行一軟烘烤制程。7.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備的形成方法，其特征在于，該圖案化粘合層具有彎曲的側(cè)壁輪廓。8.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備的形成方法，其特征在于，將該發(fā)光單元接合該至少一接合墊的步驟包括：將該發(fā)光單元插入尚未被固化時(shí)的該圖案化粘合層中；以及進(jìn)行一固化制程固化該圖案化粘合層。9.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備的形成方法，其特征在于，將該發(fā)光單元接合該至少一接合墊的步驟包括使該發(fā)光單元與接合墊發(fā)生共晶反應(yīng)的共晶接合制程。10.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備的形成方法，其特征在于，該圖案化粘合層用于增加該發(fā)光單元于該基板上的強(qiáng)度。3顯示設(shè)備及其形成方法[0001]本發(fā)明是申請(qǐng)?zhí)枮?02110906763.2、申請(qǐng)日為2021年8月9日、發(fā)明名稱為“顯示設(shè)備及其形成方法”的發(fā)明的分案申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)域[0002]本公開是有關(guān)于顯示設(shè)備，且特別有關(guān)于包括發(fā)光單元的顯示設(shè)備。背景技術(shù)[0003]隨著數(shù)字科技的發(fā)展，顯示設(shè)備已被廣泛地應(yīng)用在日常生活的各個(gè)層面中，例如其已廣泛應(yīng)用于電視、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話(例如：智能型手機(jī))等現(xiàn)代化信息設(shè)[0004]在各種類型的顯示設(shè)備中，發(fā)光二極管(LED)顯示設(shè)備因其具有如高效能及使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)而越來(lái)越受歡迎。[0005]然而，現(xiàn)有的發(fā)光二極管顯示設(shè)備并非在各方面皆令人滿意。發(fā)明內(nèi)容[0006]本公開一些實(shí)施例提供一種顯示設(shè)備。顯示設(shè)備包括基板、設(shè)置于基板上的發(fā)光單元。發(fā)光單元包括相互重疊的第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層、設(shè)置于第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間的第一半導(dǎo)體層、設(shè)置于第一半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)體層之間的第二半導(dǎo)體層、設(shè)置于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的量子井結(jié)構(gòu)、貫穿第一半導(dǎo)體層及量子井結(jié)構(gòu)的貫穿孔以及設(shè)置于貫穿孔中的導(dǎo)電材料。第二導(dǎo)體層經(jīng)由導(dǎo)電材料電性連接第二半導(dǎo)體層。在這些實(shí)施例中，發(fā)光單元在上下兩側(cè)皆設(shè)有導(dǎo)體層，因此發(fā)光單元的上下兩側(cè)皆可用來(lái)連接顯示設(shè)備的基板，而可增加形成顯示設(shè)備的制程上的彈性。[0007]本公開一些實(shí)施例提供一種顯示設(shè)備的形成方法。顯示設(shè)備的形成方法包括提供基板?；迳显O(shè)置有多個(gè)接合墊。顯示設(shè)備的形成方法亦包括形成粘合層于基板上并覆蓋此些接合墊、利用光刻制程形成圖案化粘合層以對(duì)應(yīng)此些接合墊、經(jīng)由圖案化粘合層將一發(fā)光單元接合至少一接合墊。在這些實(shí)施例中，由于顯示設(shè)備的圖案化粘合層是經(jīng)由光刻制程形成，因此所形成的圖案可具有較小的尺寸而可應(yīng)用于接合小尺寸的發(fā)光單元與顯示設(shè)備的基板。[0008]本公開一些實(shí)施例提供一種顯示設(shè)備。顯示設(shè)備包括基板、設(shè)置于基板上的第一發(fā)光單元及第二發(fā)光單元。第一發(fā)光單元相鄰第二發(fā)光單元。在第一方向上，第一發(fā)光單元具有長(zhǎng)度P?,且第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元具有間距Z?。顯示設(shè)備亦包括設(shè)置于基板與第一發(fā)光單元之間的第一粘合層、設(shè)置于基板與第二發(fā)光單元之間的第二粘合層。在第一方向上，第一粘合層與第二粘合層具有間距Z?,其中，Z?、Z?與P?符合以下公式：0<Z?<(Z?且Z?、Z?及P?皆大于0微米(micrometer,μm)。在這些實(shí)施例中，借由將第一發(fā)光單元的長(zhǎng)度P、相鄰發(fā)光單元之間距Z?以及相鄰粘合層之間距Z?設(shè)定調(diào)整為符合以下公式0<Z?<(Z?+P?),而可減少粘合層與發(fā)光單元因粘著面積過(guò)小導(dǎo)致附著力不足而造成發(fā)光單元與顯示4設(shè)備基板之間電性連接不良的問(wèn)題。[0009]以下將參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。附圖說(shuō)明[0010]當(dāng)與附圖一起閱讀時(shí)，可從以下的詳細(xì)描述中更充分地理解本公開。值得注意的是，按照業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)做法，各特征并未被等比例繪示。事實(shí)上，為了明確起見，各種特征的尺寸可被任意地放大或縮小。[0011]圖1A、1B、1C、1D、1F為一系列的剖面圖，其繪示出本公開一些實(shí)施例的發(fā)光單元的形成方法。[0012]圖1E是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出發(fā)光單元的上視圖。[0013]圖1G是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備10的剖面圖。[0014]圖1H是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備10的剖面圖。[0015]圖2A及圖2B是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備20的上視圖與剖面圖。[0016]圖3A及圖3B是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備30的上視圖與剖面圖。[0017]圖4A及圖4B是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備40的上視圖與剖面圖。[0018]圖5A及圖5B是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備50的上視圖與剖面圖。[0019]圖6A、6B、6C、6D、6E為一系列的剖面圖，其繪示出本公開一些實(shí)施例的顯示設(shè)備60的形成方法。[0020]圖6F是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備60’的剖面圖。[0021]圖6G、6H是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備60”的上視圖以及剖面圖。[0022]圖6I是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備60”的上視圖。[0023]圖6J是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備60a的上視圖。[0024]圖6K是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備60a的上視圖。[0025]圖6L是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備60a的上視圖。[0026]圖6M是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備60a的上視圖。[0027]圖6N是根據(jù)本公開一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備60a的上視圖。[0028]圖7A、7B、7C、7D為一系列的剖面圖，其繪示出本公開一些實(shí)施例的顯示設(shè)備70的形成方法。[0029]圖8A、8B、8C、8D為一系列的剖面圖，其繪示出本公開一些實(shí)施例的顯示設(shè)備80的形成方法。為一系列的剖面圖，其繪示出本公開一些實(shí)施例的顯示設(shè)備90的形成方法。[0031]符號(hào)說(shuō)明[0033]100～基板[0034]102～第一半導(dǎo)體層[0035]102a～第一半導(dǎo)體層的第一側(cè)[0036]102b～第一半導(dǎo)體層的第二側(cè)[0037]103～發(fā)光單元5[0038]104～量子井結(jié)構(gòu)[0039]106～第二半導(dǎo)體層[0040]108a～第一導(dǎo)體層[0041]110a～第三導(dǎo)體層[0042]108b～第二導(dǎo)體層[0043]110b～第四導(dǎo)體層[0045]114～暫時(shí)性基板[0046]115～第二絕緣層[0047]116～貫穿孔[0048]116a～導(dǎo)電材料[0049]116b～第一絕緣層[0050]118～基板[0051]120～接合墊[0052]600～第一基板[0053]601～抓取頭[0054]602～粘合層[0056]603～導(dǎo)電粒子[0057]604～發(fā)光單元[0058]606～發(fā)光單元的發(fā)光主體[0059]608～第一導(dǎo)體層或第二導(dǎo)體層[0060]610～第三導(dǎo)體層或第四導(dǎo)體層[0061]612～第二基板[0062]700～基板[0063]704～粘合層[0065]704a～第一圖案的子圖案[0066]704B～第二圖案[0067]704b～第二圖案的子圖案[0068]706～發(fā)光單元[0069]708～發(fā)光單元的發(fā)光主體[0070]710～第一導(dǎo)體層或第二導(dǎo)體層[0071]712～第三導(dǎo)體層或第四導(dǎo)體層[0075]d1～導(dǎo)電粒子的直徑[0076]d2～距離6[0080]Y～第一方向[0081]X～第二方向[0086]Z1、Z2～相鄰發(fā)光單元的間距[0087]Z3、Z4～相鄰粘合層的間距具體實(shí)施方式[0089]以下的公開內(nèi)容提供許多不同的實(shí)施例或范例以實(shí)施本案的不同特征。以下的公開內(nèi)容敘述各個(gè)構(gòu)件及其排列方式的特定范例，以簡(jiǎn)化說(shuō)明。當(dāng)然，這些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公開敘述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征與上述第二特征是直接接觸的實(shí)施例，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征與上述第二特征之間，而使上述第一特征與第二特征可能未直接接觸的實(shí)施[0090]另外，以下所公開的不同范例可能重復(fù)使用相同的參考符號(hào)及/或標(biāo)記。這些重復(fù)是為了簡(jiǎn)化與清晰的目的，并非用以限定所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間有特定的關(guān)[0091]以下將敘述本公開一些實(shí)施例。在此些實(shí)施例中所述的步驟之前、之間及/或之后可提供額外的操作。一些所述的步驟可于不同的實(shí)施例中被取代或省略。此外，雖然后文以特定順序的數(shù)個(gè)步驟說(shuō)明本公開一些實(shí)施例，但亦可以其他合理的順序進(jìn)行此些步驟。[0093]本實(shí)施例的發(fā)光單元在上下兩側(cè)皆設(shè)有導(dǎo)體層，因此上下兩側(cè)皆可用來(lái)連接顯示設(shè)備的基板，而可增加形成顯示設(shè)備的制程上的彈性。舉例而言，上述導(dǎo)體層可為發(fā)光單元的電極，而顯示設(shè)備的基板可為薄膜晶體管基板。[0094]舉例而言，當(dāng)使用氣體或液體以流動(dòng)的方式或震動(dòng)的方式將發(fā)光單元轉(zhuǎn)置到基板上時(shí)，發(fā)光單元與上述基板的接觸面是隨機(jī)地產(chǎn)生。若使用傳統(tǒng)上僅于單側(cè)形成導(dǎo)體層的發(fā)光單元，將有可能造成發(fā)光單元與基板接觸的一側(cè)沒有導(dǎo)體層可用來(lái)電性連接發(fā)光單元與上述基板，使得發(fā)光單元無(wú)法被驅(qū)動(dòng)而導(dǎo)致無(wú)法發(fā)光。[0095]以下將配合圖1A-1F例示性地說(shuō)明本實(shí)施例的發(fā)光單元的形成方法。基板(sapphiresubstrate)。在一些其他的實(shí)施例中，基板100亦可包括碳化硅(S硅(Si)基板、鋁酸鎂(MgAl?0?)基板、氧化鎂(MgO)基板、偏鋁酸鋰(LiAl0?)基板、鋰酸鎵 7當(dāng)?shù)幕寤蛏鲜龅慕M合，但本公開不以此為限。[0097]在一些實(shí)施例中，基板100可包括緩沖層(未繪示于圖中),以減少因基板100以及基板100上的半導(dǎo)體層之間的晶格不匹配(latticemismatch)所產(chǎn)生的缺陷。舉例而言，上述緩沖層可例如包含氮化鋁(A1N)、氮化鋁鎵(AlGaN)、其他適當(dāng)?shù)牟牧匣蛏鲜龅慕M合，但本公開不以此為限。[0098]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1A,基板100上可形成有發(fā)光單元103。舉例而言，發(fā)光單元103可為發(fā)光二極管(例如：藍(lán)色發(fā)光二極管、紅色發(fā)光二極管或綠色發(fā)光二極管)。在一些實(shí)施例中，如圖1A所示，發(fā)光單元103包括垂直堆棧的第一半導(dǎo)體層102與第二半導(dǎo)體層106,以及設(shè)置于第一半導(dǎo)體層102與第二半導(dǎo)體層106之間的量子井結(jié)構(gòu)104。[0099]舉例而言，可經(jīng)由磊晶制程依序形成第一半導(dǎo)體層102、量子井結(jié)構(gòu)104與第二半導(dǎo)體層106于基板100(例如：藍(lán)寶石基板)之上，但本公開不以此為限。舉例而言，上述磊晶制程可包括分子束磊晶制程(molecular-beamepitaxy,MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積制程vaporphaseepitaxy,HVPE)、其他適當(dāng)?shù)睦诰е瞥袒蛏鲜龅慕M合。在一半導(dǎo)體層102、第二半導(dǎo)體層106與量子井結(jié)構(gòu)104可由同一種制程形成，而三者的差異在于摻雜物質(zhì)(Dopants)不同，且三者的摻雜濃度亦可不同。[0100]在一些實(shí)施例中，可使用適當(dāng)?shù)膱D案化制程圖案化第一半導(dǎo)體層102、量子井結(jié)構(gòu)104與第二半導(dǎo)體層106。舉例而言，上述圖案化制程可包括光刻制程、蝕刻制程、其他適當(dāng)?shù)闹瞥袒蛏鲜龅慕M合。在一些實(shí)施例中，上述光刻制程可包括光阻涂布(resistcoating)、(developing)、其他適當(dāng)?shù)闹瞥袒蛏鲜龅慕M合，而上述蝕刻制程可包括濕式蝕刻、干式蝕刻、其他適當(dāng)?shù)闹瞥袒蛏鲜龅慕M合。[0101]舉例而言，第一半導(dǎo)體層102與第二半導(dǎo)體層106以及量子井結(jié)構(gòu)104各自可例如鋁鎵(AlGaAs)、磷化銦(InP)、砷化銦鋁(InAlAs)、砷化銦鎵(InGaAs)、磷化銦鎵鋁(AlGaInP)、其他適當(dāng)?shù)腎II-V族半導(dǎo)體材料或上述的組合，但本公開不以此為限。在一些實(shí)施例中第一半導(dǎo)體層102與第二半導(dǎo)體層106可摻雜有相反導(dǎo)電型態(tài)的摻雜物質(zhì)。舉例而言，可使用離子布植(Ionimplantation)或原位摻雜(in-situdoping)的方式摻雜(doping)第一半導(dǎo)體層102與第二半導(dǎo)體層106。舉例而言，在本實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層102是由摻雜有如硅或氧的摻雜物質(zhì)的n型GaN所形成，第二半導(dǎo)體層106是由摻雜有如鎂的摻雜物質(zhì)的p型GaN所形成，而量子井結(jié)構(gòu)104則可包括由如InGaN及GaN交錯(cuò)層疊所形成的疊層結(jié)構(gòu)，并可使電子、電洞在此疊層結(jié)構(gòu)內(nèi)的復(fù)合(recombination)幾率增加而提升發(fā)光效率。[0102]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1A,發(fā)光單元103更包括設(shè)置于發(fā)光單元103的一側(cè)的第一導(dǎo)體層108a以及第三導(dǎo)體層110a。詳細(xì)而言，第一導(dǎo)體層108a以及第三導(dǎo)體層110a可設(shè)置于第一半導(dǎo)體層102的第一側(cè)102a。如圖1A所示，第一導(dǎo)體層108a可與第二半導(dǎo)體層106電性連接，而第三導(dǎo)體層110a則可與第一半導(dǎo)體層102電性連接。在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)體層108a是直接接觸第二半導(dǎo)體層106,而第三導(dǎo)體層110a則直接接觸第一半導(dǎo)體層102。[0103]在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a的材料可包括金屬材料、其8合。在一些其他的實(shí)施例中，第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a的材料可為透明導(dǎo)電材料，適當(dāng)?shù)耐该鲗?dǎo)電材料或上述的組合，但本公開不以此為限。[0104]在一些實(shí)施例中，可先以物理氣相沉積法(例如蒸鍍或?yàn)R鍍)、電鍍、原子層沉積法、其他適當(dāng)?shù)姆椒ɑ蛏鲜龅慕M合形成一金屬毯覆層(blanketlayer)或透明導(dǎo)電材料的毯覆層(未繪示于圖中)于第一半導(dǎo)體層102與第二半導(dǎo)體層106之上，接著使用如光刻制程及蝕刻制程的圖案化制程圖案化上述金屬毯覆層或透明導(dǎo)電材料的毯覆層以形成第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a。[0105]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1A,在一些實(shí)施例中，可視設(shè)計(jì)需求形成保護(hù)層112a于第一半導(dǎo)體層102上，保護(hù)層112a可至少部分地填充第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a之間的間隙，而可提升發(fā)光單元103的可靠度。舉例而言，保護(hù)層112a可包括有機(jī)材料(例如包含：丙烯酸基或上述的組合。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層112a可包括硅基材料(silicon-basedmaterial),但本公開不以此為限。在一些實(shí)施例中，可使用旋轉(zhuǎn)涂布法、化學(xué)氣相沉輔助化學(xué)氣相沉積法(plasma-enhancedCVD,簡(jiǎn)稱PECVD))、其他適當(dāng)?shù)姆椒ɑ蛏鲜龅慕M合形成保護(hù)層112a,但本公開不以此為限。[0106]接著，如圖1B所示，將基板100及發(fā)光單元103倒置，并將發(fā)光單元103接合至?xí)簳r(shí)性基板114上。如圖1B所示，基板100與暫時(shí)性基板114是分別設(shè)置于發(fā)光單元103相對(duì)的兩料或上述的組合所形成，但本公開不以此為限。在一些實(shí)施例中，可經(jīng)由粘合層(未繪示于圖中)接合發(fā)光單元103與暫時(shí)性基板114。舉例而言，上述粘合層可例如包含熱固化材料及/或光固化材料，但本公開不以此為限。offprocess)移除基板100。舉例而言，上述激光剝離制程的激光光源可包括準(zhǔn)分子激光或上述的組合，但本公開不以此為限。在一些其他的實(shí)施例中，亦可使用機(jī)械剝離(mechanicalpeeling)、研磨制程、蝕刻制程、其他適當(dāng)?shù)闹瞥袒蛏鲜龅慕M合移除基但本公開不以此為限。[0108]接著，如圖1D所示，形成第二絕緣層115于第一半導(dǎo)體層102的第二側(cè)102b上。舉例而言，第二絕緣層115可包括有機(jī)材料(例如包含：丙烯酸基材料(acrylic-based開不以此為限。在一些實(shí)施例中，可使用旋轉(zhuǎn)涂布法、化學(xué)氣相沉積學(xué)氣相沉積法)、網(wǎng)印(screenprinting)、其他適當(dāng)?shù)姆椒ɑ蛏鲜龅慕M合形成第二絕緣層115,并以如光刻制程及蝕刻制程圖案化第二絕緣層115。舉例而言，此處所述的光刻制程及蝕刻制程可類似或相同于如前文所述的光刻制程及蝕刻制程。[0109]接著，請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1D,形成貫穿孔(via)116,并于貫穿孔116中形成第一絕緣層9116b與導(dǎo)電材料116a,第一絕緣層116b在貫穿孔116與導(dǎo)電材料116a之間。在一些實(shí)施例中，如圖1D所示，貫穿孔116是貫穿第二絕緣層115、第一半導(dǎo)體層102與量子井結(jié)構(gòu)104,且導(dǎo)電材料116a與第二半導(dǎo)體層106電性連接。舉例而言，導(dǎo)電材料116a可直接接觸第二半導(dǎo)體層106或透過(guò)其他導(dǎo)電組件與第二半導(dǎo)體層106電性連接。[0110]如圖1D所示，在一些實(shí)施例中，第一絕緣層116b可環(huán)設(shè)于導(dǎo)電材料116a的側(cè)壁上。在一些實(shí)施例中，第一絕緣層116b可設(shè)置在貫穿孔116的孔壁與導(dǎo)電材料116a之間。進(jìn)一步而言，在一些實(shí)施例中，如圖1D所示，第一絕緣層116b是環(huán)設(shè)于導(dǎo)電材料116a的側(cè)壁上但仍露出導(dǎo)電材料116a的頂表面及/或底表面。舉例而言，第一絕緣層116b可分隔導(dǎo)電材料116a與第一半導(dǎo)體層102,且第一絕緣層116b分隔導(dǎo)電材料116a與量子井結(jié)構(gòu)104.換句話說(shuō)，第一絕緣層116b可設(shè)置于導(dǎo)電材料116a與第一半導(dǎo)體層102之間，且第一絕緣層116b設(shè)置于導(dǎo)電材料116a與量子井結(jié)構(gòu)104之間。舉例而言，可使用如機(jī)械鉆孔(mechanical合先形成貫穿第二絕緣層115、第一半導(dǎo)體層102與量子井結(jié)構(gòu)104的貫穿孔116,接著可使的制程或上述的組合形成一絕緣層于貫穿孔116的孔壁與底部上，然后經(jīng)由蝕刻制程移除貫穿孔116底部上的絕緣層，留下貫穿孔116孔壁上的絕緣層作為第一絕緣層116b。舉例而言，第一絕緣層116b可包括氧化硅(SiO?)、氮化硅(SiNx)、其他適當(dāng)?shù)慕^緣材料或上述的組合。上述化學(xué)氣相沉積制程可例如包括：高密度等離子化學(xué)氣相沉積制程(high-densityplasmachemicalvapordepositionprocess)、低壓化學(xué)氣相沉積制程(low-pressurechemicalvapordepositionprocess)或等離子輔助化學(xué)氣相沉積制程。上述蝕刻制程可[0111]接著，可以物理氣相沉積法(例如蒸鍍或?yàn)R鍍)、電鍍、原子層沉積法、其他適當(dāng)?shù)乃m當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料或上述的組合于貫穿孔116中以形成導(dǎo)電材料116a。在一些實(shí)施例中，可在沉積上述導(dǎo)電材料的步驟之后進(jìn)行如化學(xué)機(jī)械研磨或回蝕刻的制程移除貫穿孔116外多余的導(dǎo)電材料。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料116a可包括耐酸蝕的金屬(例如包含：銅或鉑)。[0112]接著，如圖1E及圖1F所示，于第一半導(dǎo)體層102的第二側(cè)102b形成第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b,以形成兩側(cè)皆有導(dǎo)體層的發(fā)光單元103。詳細(xì)而言，圖1E為本實(shí)施例的形成發(fā)光單元的方法的制程部分上視圖，而圖1F為沿著圖1E的剖面線A-A而得的剖面圖。應(yīng)注意的是，為了簡(jiǎn)明起見，于圖1E中是省略了保護(hù)層112b。[0113]大抵而言，第一半導(dǎo)體層102第二側(cè)102b的第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b在功能上及/或位置及/或尺寸上是對(duì)應(yīng)第一半導(dǎo)體層102第一側(cè)102a的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a。在一些實(shí)施例中，第二導(dǎo)體層108b可與第二半導(dǎo)體層106電性連接，而第四導(dǎo)體層110b則可與第一半導(dǎo)體層102電性連接。進(jìn)一步而言，在一些實(shí)施例中，第二導(dǎo)體層108b是經(jīng)由貫穿孔116中的導(dǎo)電材料116a電性連接第二半導(dǎo)體層106,而第四導(dǎo)體層110b則直接接觸第一半導(dǎo)體層102。[0114]在一些實(shí)施例中，在上視圖中，第一半導(dǎo)體層102第二側(cè)102b的第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b的面積是各自實(shí)質(zhì)上相等于與第一半導(dǎo)體層102第一側(cè)102a的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a的面積。在一些實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體層102的第二側(cè)102b的第二導(dǎo)體層108b、第四導(dǎo)體層110b以及第一半導(dǎo)體層102第一側(cè)102a的第一導(dǎo)體層108a、第三導(dǎo)體層110a為鏡面對(duì)稱。[0115]應(yīng)理解的是，雖然于本實(shí)施例中所形成的發(fā)光單元103是包括三個(gè)貫穿孔116,但本公開并非以此為限。在一些其他的實(shí)施例中，亦可視設(shè)計(jì)需求形成其他數(shù)量(例如：1至20個(gè))的貫穿孔116并于上述貫穿孔116中形成第一絕緣層116b與導(dǎo)電材料116a。舉例而言，在一些實(shí)施例中，發(fā)光單元103可包括一個(gè)或兩個(gè)貫穿孔116。[0116]圖1G根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例繪示出顯示設(shè)備10的部分剖面圖。如圖1G所示，將顯示設(shè)備10中的暫時(shí)性基板114移除，并將發(fā)光單元103設(shè)置于基板118上。顯示設(shè)備10包括前述實(shí)施例的包含貫穿孔116的發(fā)光單元103,且上述發(fā)光單元103是與基板118電性連接。舉例而言，基板118可包括一或多個(gè)有源組件(未繪示于圖中),例如：晶體管。舉例而言，基板118可為薄膜晶體管(Thin-FilmTransistor,TFT)基板，但本公開不以此為限。在一些實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路(未繪示于圖中)可設(shè)置于基板118上，且發(fā)光單元103可設(shè)置于驅(qū)動(dòng)電路上并與驅(qū)動(dòng)電路電性連接。[0117]上述一或多個(gè)有源組件可與發(fā)光單元103電性連接。在一些實(shí)施例中，上述一或多個(gè)有源組件可控制或調(diào)整傳遞至發(fā)光單元103的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(例如：電流信號(hào)),以調(diào)整發(fā)光單元103的亮度。在一些實(shí)施例中，多個(gè)發(fā)光單元103可各自與不同的有源組件電性連接。換句話說(shuō)，傳遞至多個(gè)發(fā)光單元103的驅(qū)動(dòng)信號(hào)可經(jīng)由各自所對(duì)應(yīng)的有源組件分開控制，而可達(dá)到區(qū)域調(diào)光控制(localdimming)的目的。[0118]如圖1G所示，基板118上可設(shè)置有至少一接合墊120。在一些實(shí)施例中，發(fā)光單元103的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a或發(fā)光單元103的第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b是經(jīng)由接合墊120與基板118電性連接。[0119]在一些實(shí)施例中，可進(jìn)行如共晶接合的接合制程將發(fā)光單元103的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a或發(fā)光單元103的第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b接合至接合墊[0120]在一些實(shí)施例中，發(fā)光單元103的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a或發(fā)光單元103的第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b可經(jīng)由如異方向性導(dǎo)電膠(anisotropicconductivefilm,ACF)的粘合層(未繪示于圖中)接合至接合墊120。舉例而言，上述異方向性導(dǎo)電膠可包含多個(gè)位于其中的導(dǎo)電粒子。在一些實(shí)施例中，上述導(dǎo)電粒子包括由高分子所形成的核心部分以及涂布于上述核心部分上的金屬或金屬合金外殼。[0121]如圖1G所示，當(dāng)發(fā)光單元103以第一半導(dǎo)體層102第一側(cè)102a的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a電性連接接合墊120時(shí)(例如圖1G右側(cè)的發(fā)光單元103),電流可經(jīng)由路徑R,流經(jīng)第一導(dǎo)體層108a、第二半導(dǎo)體層106、量子井結(jié)構(gòu)104、第一半導(dǎo)體層102以及第三導(dǎo)體層110a,而可使發(fā)光單元103達(dá)到發(fā)光的功能。[0122]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1G,當(dāng)發(fā)光單元103以第一半導(dǎo)體層102第二側(cè)102b的第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b電性連接接合墊120時(shí)(例如圖1G左側(cè)的發(fā)光單元103),電流可經(jīng)由路徑R?流經(jīng)第二導(dǎo)體層108b、貫穿孔116中的導(dǎo)電材料116a、第二半導(dǎo)體層106、量子井結(jié)構(gòu)104、第一半導(dǎo)體層102以及第四導(dǎo)體層110b,而可使發(fā)光單元103達(dá)到發(fā)光的功能。[0123]在一些實(shí)施例中，由于發(fā)光單元103的第一半導(dǎo)體層102與第二導(dǎo)體層108b之間設(shè)11置有第二絕緣層115,因此可確保電流可經(jīng)由貫穿孔116中的導(dǎo)電材料116a流經(jīng)第二半導(dǎo)體層106與量子井結(jié)構(gòu)104,而不會(huì)從第二導(dǎo)體層108b直接經(jīng)由第一半導(dǎo)體層102流至第四導(dǎo)體層110b。在一些實(shí)施例中，第一絕緣層116b可分隔導(dǎo)電材料116a與第一半導(dǎo)體層102并分隔導(dǎo)電材料116a與量子井結(jié)構(gòu)104,因此可確保電流可流經(jīng)第二半導(dǎo)體層106。[0124]在一些實(shí)施例中，未接合至基板118的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a(或者第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b)是由透明的導(dǎo)電材料所形成，因此在顯示設(shè)備10之中可降低對(duì)發(fā)光單元103的出光的影響。舉例而言，透明導(dǎo)電材料可例如包含：銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銻錫光單元103的第一半導(dǎo)體層102第一側(cè)102a的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a以及圖1G中右側(cè)的發(fā)光單元103的第一半導(dǎo)體層102第二側(cè)102b的第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b是由透明導(dǎo)電材料所形成，因此不須進(jìn)行額外的步驟將其移除而可達(dá)到減少顯示設(shè)備10的制程步驟與縮短工時(shí)的效果。[0125]在一些其他的實(shí)施例中，未接合至基板118的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a(或者第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b)是由不透光的導(dǎo)電材料所形成(例如包含：銅、118的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a(或者第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b)留在顯示設(shè)備10之中，將可能造成發(fā)光單元103無(wú)法正常出光。因此，在此刻及/或研磨的制程移除未接合至基板118的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a(或者第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b)。換句話說(shuō)，未接合至基板118的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a(或者第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b)將不會(huì)留在最終的顯示設(shè)備10中。舉例而言，可以蝕刻制程及/或研磨制程移除圖1G中右側(cè)的發(fā)光單元103的第一半導(dǎo)體層102第二側(cè)102b的第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b以及圖1G中左側(cè)的發(fā)光單元103的第一半導(dǎo)體層102第一側(cè)102a的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a,而得到如圖1H所示的顯示設(shè)備[0126]在一些實(shí)施例中，為了降低貫穿孔116中的導(dǎo)電材料116a被上述蝕刻制程損壞而進(jìn)一步侵蝕發(fā)光單元103的其他組件，可使用耐酸蝕的金屬(例如包含：銅貫穿孔116中的導(dǎo)電材料116a。另外，在一些實(shí)施例中，上述蝕刻制程亦移除了與未接合至基板118的第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)與第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)同一側(cè)的保護(hù)層(例如：圖1G中右側(cè)的發(fā)光單元103的保護(hù)層112b以及圖1G中左側(cè)的發(fā)光單元103的保護(hù)層112a亦被移除)。[0127]綜合上述，在接合至基板(例如：薄膜晶體管基板)之前，本公開一些實(shí)施例的發(fā)光單元的相對(duì)兩側(cè)皆設(shè)置有導(dǎo)體層(例如：電極)。因此發(fā)光單元的相對(duì)兩側(cè)皆可用來(lái)連接上述基板。此外，在一些實(shí)施例中，發(fā)光單元包括前述的貫穿孔以及形成于貫穿孔中的導(dǎo)電材料，而可確保發(fā)光單元以相對(duì)兩側(cè)的任一側(cè)接合至上述基板時(shí)皆可與上述基板產(chǎn)生電性連接以達(dá)到正常出光的功能。注意的是，除非特別說(shuō)明，此些變化例與前述實(shí)施例的相同或類似的組件將以相同的組件符號(hào)表示，且其形成方法亦可相同或類似于前述實(shí)施例的形成方法。[0129]圖2A及圖2B是根據(jù)一些實(shí)施例繪示出本公開的顯示設(shè)備20。詳細(xì)而言，圖2A為顯示設(shè)備20的部分上視圖，而圖2B是為沿著圖2A的剖面線A-A而得的剖面圖。應(yīng)注意的是，為了簡(jiǎn)明起見，并未將顯示設(shè)備20的所有組件繪示于圖2A及圖2B中。[0130]顯示設(shè)備20與顯示設(shè)備10的其中一個(gè)差異在于顯示設(shè)備20的發(fā)光單元103的外型是設(shè)計(jì)為圓形或?qū)ΨQ多邊形(例如：于上視圖圖2A中，顯示設(shè)備20為圓形),而可克服左右不對(duì)稱造成的出光損失。[0131]圖3A及圖3B是根據(jù)一些實(shí)施例繪示出本公開的顯示設(shè)備30。詳細(xì)而言，圖3A為顯示設(shè)備30的部分上視圖，而圖3B為沿著圖3A的剖面線A-A而得的剖面圖。應(yīng)注意的是，為了簡(jiǎn)明起見，并未將顯示設(shè)備30的所有組件繪示于圖3A及圖3B中。[0132]顯示設(shè)備30與前述實(shí)施例的顯示設(shè)備20的其中一個(gè)差異在于顯示設(shè)備30的發(fā)光單元103包括多個(gè)分離的導(dǎo)體層。舉例而言，如圖3A所示，在一些實(shí)施例中，發(fā)光單元103的未與基板118接合的一側(cè)包括四個(gè)分離的第三導(dǎo)體層110a,而與基板118接合的一側(cè)亦包括四個(gè)分離的第四導(dǎo)體層110b。由于上述導(dǎo)體層為相互分離，因此可減少?gòu)陌l(fā)光單元103的量子井結(jié)構(gòu)104所發(fā)出的側(cè)向光被擋住，而可提高發(fā)光效率。應(yīng)理解的是，雖然于此以發(fā)光單元103的一側(cè)包括四個(gè)分離的第三導(dǎo)體層110a或第四導(dǎo)體層110b為例進(jìn)行說(shuō)明，但本公開并非以此為限，亦可視設(shè)計(jì)需求使發(fā)光單元103的一側(cè)包括其他數(shù)量的第三導(dǎo)體層110a或第四導(dǎo)體層110b。[0133]圖4A及圖4B是根據(jù)一些實(shí)施例繪示出本公開的顯示設(shè)備40。詳細(xì)而言，圖4A為顯示設(shè)備40的部分上視圖，而圖4B為沿著圖4A的剖面線A-A而得的剖面圖。應(yīng)注意的是，為了簡(jiǎn)明起見，并未將顯示設(shè)備40的所有組件繪示于圖4A及圖4B中。[0134]如圖4A及圖4B所示，顯示設(shè)備40與前述實(shí)施例的顯示設(shè)備的差異之一在于顯示設(shè)備40的發(fā)光單元103的量子井結(jié)構(gòu)104是設(shè)置于發(fā)光單元103的外圍，因此可更有效地利用從發(fā)光單元103的量子井結(jié)構(gòu)104所發(fā)出的側(cè)向光而提高發(fā)光效率。如圖4B所示，在本實(shí)施例中，貫穿孔116與導(dǎo)電材料116a亦可部分貫穿進(jìn)入第二半導(dǎo)體層106中，但不接觸第一導(dǎo)體層110a。在一些其他的實(shí)施例中，如圖1D所示，貫穿孔116與導(dǎo)電材料116a并未貫穿進(jìn)入第二半導(dǎo)體層106中，但本公開并非以此為限。[0135]圖5A及圖5B是根據(jù)一些實(shí)施例繪示出本公開的顯示設(shè)備50。詳細(xì)而言，圖5A為顯示設(shè)備50的部分上視圖，而圖5B為沿著圖5A的剖面線A-A而得的剖面圖。應(yīng)注意的是，為了簡(jiǎn)明起見，并未將顯示設(shè)備50的所有組件繪示于圖5A及圖5B中。[0136]如圖5A及圖5B所示，顯示設(shè)備50與前述實(shí)施例的顯示設(shè)備40的差異之一在于顯示設(shè)備50的發(fā)光單元103包括多個(gè)分離的量子井結(jié)構(gòu)104,而可提高出光效率。應(yīng)理解的是，雖然于此以發(fā)光單元103包括四個(gè)分離的量子井結(jié)構(gòu)104為例進(jìn)行說(shuō)明，但本公開并非以此為限，亦可視設(shè)計(jì)需求使發(fā)光單元103包括其他數(shù)量的量子井結(jié)構(gòu)104。[0137]應(yīng)注意的是，雖然未繪示于上述圖中，一些其他的組件(例如：蓋板成于上述實(shí)施例的顯示設(shè)備上。舉例而言，上述蓋板可由玻璃、氧化銦錫、聚亞酰胺述的組合所形成，但本公開并非以此為限。舉例而言，上述光學(xué)膜可包括擴(kuò)散板(diffuser[0138]此外，為了方便說(shuō)明起見，在前文的一些圖中僅繪示出顯示設(shè)備的一個(gè)發(fā)光單元。然而，所屬領(lǐng)域具通常知識(shí)者應(yīng)當(dāng)理解可依設(shè)計(jì)需求使顯示設(shè)備包括任何適當(dāng)數(shù)量的發(fā)光[0140]本實(shí)施例提供一種將發(fā)光單元(例如：發(fā)光二極管)接合至基板(例如：薄膜晶體管)而形成顯示設(shè)備的方法。在上述方法中是先將粘合層提供于第一基板上，然后以發(fā)光單元沾附上述粘合層的一部分并經(jīng)由該部分將上述發(fā)光單元接合至如薄膜晶體管基板的第二基板上，以形成本實(shí)施例的顯示設(shè)備。相較于傳統(tǒng)上先將粘合層整片貼合于第二基板上，然后將發(fā)光單元接合至第二基板的接合方式，本實(shí)施例的顯示設(shè)備的形成方法具有較大的制程彈性且可用于修補(bǔ)有缺陷的組件。[0141]圖6A至圖6E為一系列的制程剖面圖，其繪示出本實(shí)施例的形成顯示設(shè)備的方法。[0142]首先，如圖6A所示，提供粘合層602于第一基板600上。在一些實(shí)施例中，于后續(xù)的制程中，粘合層602將被用來(lái)接合發(fā)光單元至另一基板。[0143]在一些實(shí)施例中，粘合層602可由如異方向性導(dǎo)電膠的導(dǎo)電材料所形成。舉例而言，粘合層602可包含多個(gè)大抵上均勻分布于其中的導(dǎo)電粒子603。舉例而言，任一導(dǎo)電粒子603在剖面圖中可為實(shí)質(zhì)上的圓形或橢圓形。舉例而言，任一導(dǎo)電粒子603的直徑d?可為0.1至10微米。[0144]在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電粒子603可為間隔物(spacer),其可用來(lái)控制結(jié)合后發(fā)光單元與基板之間的距離。在一些實(shí)施例中，上述間隔物的長(zhǎng)度(或直徑)小于發(fā)光單元的導(dǎo)體層(例如：后文所述的導(dǎo)體層608、610)的厚度。舉例而言，上述間隔物表面可鍍上可做共晶結(jié)合或低溫焊接的金屬，例如包含錫(Sn)、銀(Ag)、銦(In)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、鈀[0145]在一些實(shí)施例中，粘合層602亦可包括底部填充薄膜(underfillfilm)。[0146]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D6A,將發(fā)光單元604移動(dòng)至第一基板600上并使發(fā)光單元604部分地插入粘合層602中。在一些實(shí)施例中，可使用抓取頭(pickhead)601抓取發(fā)光單元604并將發(fā)光單元604移動(dòng)至粘合層602的上方，然后使抓取頭601下降以使發(fā)光單元604壓印于粘合層602上。[0147]于本實(shí)施例中，在抓取頭601抓取發(fā)光單元604之前，發(fā)光單元604的發(fā)光單元母板(未繪示于圖中)是已被移除，但本公開并非以此為限。在一些其他的實(shí)施例中，在抓取頭601抓取發(fā)光單元604時(shí)，上述發(fā)光單元母板(例如：藍(lán)寶石基板)尚未被移除，因此上述發(fā)光單元母板可位于抓取頭601與發(fā)光單元604之間，而抓取頭601可經(jīng)由抓取并移動(dòng)上述發(fā)光單元母板來(lái)連動(dòng)控制發(fā)光單元604的移動(dòng)。舉例而言，可在將發(fā)光單元604接合至后文所述的第二基板之后，以如激光剝離的制程移除上述發(fā)光單元母板。[0148]如圖6A所示，發(fā)光單元604可包括發(fā)光主體606、導(dǎo)體層608與導(dǎo)體層610。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)體層608與導(dǎo)體層610可相同或類似于前述實(shí)施例的第一導(dǎo)體層108a與第三導(dǎo)體層110a。在一些其他的實(shí)施例中，導(dǎo)體層608與導(dǎo)體層610可相同或類似于前述實(shí)施例的第二導(dǎo)體層108b與第四導(dǎo)體層110b。舉例而言，第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)608與第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)610可為發(fā)光單元604的電極并電性連接顯示設(shè)備的基板。[0149]接著，如圖6B所示，可經(jīng)由抓取頭601將發(fā)光單元604向上提起，使得粘合層602的一部分602a附著于發(fā)光單元604上并與第一基板600分離。詳細(xì)而言，上述與第一基板600分離的粘合層602的部分602a可附著于發(fā)光單元604的第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)608與第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)610上。[0150]接著，如圖6C所示，在一些實(shí)施例中，以抓取頭601將發(fā)光單元604及粘合層602的部分602a移動(dòng)至第二基板612上，然后經(jīng)由粘合層602的部分602a將發(fā)光單元604接合至第二基板612上并將抓取頭601自發(fā)光單元604移開。詳細(xì)而言，在一些實(shí)施例中，可經(jīng)由粘合層602的部分602a將發(fā)光單元604的第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)608與第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)610接合至第二基板612的接合墊(未個(gè)別繪示于圖中)上。舉例而言，上述接合墊可由如金屬的導(dǎo)電材料所形成。[0151]舉例而言，第二基板612可包括一或多個(gè)有源組件(未繪示于圖中),例如：晶體管。舉例而言，第二基板612可為薄膜晶體管基板。在一些實(shí)施例中，上述一或多個(gè)有源組件可經(jīng)由上述第二基板612的接合墊與第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)608與第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)610電性連接發(fā)光單元604。在一些實(shí)施例中，上述一或多個(gè)有源組件可控制或調(diào)整傳遞至發(fā)光單元604的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(例如：電流信號(hào)),以調(diào)整發(fā)光單元604的亮度。[0152]在一些實(shí)施例中，將發(fā)光單元604接合至第二基板612的步驟可包括對(duì)粘合層602的部分602a施加適當(dāng)?shù)膲毫?例如：1至100MPa)及/或溫度(例如：100至300℃)以增加粘合層602的部分602a的粘附力，使得粘合層602的部分602a可接合發(fā)光單元604與第二基板[0153]在一些實(shí)施例中，將發(fā)光單元604接合至第二基板612的步驟可包括共晶接合制程(eutecticbondingprocess)。共晶接合制程可能需要特定的金屬材料(例如包含錫合金或銀-金混合物等),且若將制程溫度提高到合適的溫度就可能會(huì)發(fā)生。舉例而言，上述共晶接合制程可使第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)608、第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)610與導(dǎo)電粒子603之間以及上述基板118的接合墊與導(dǎo)電粒子603之間發(fā)生共晶反應(yīng)，以接合發(fā)光單元604與第二基板612。[0154]承前述，在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電粒子603可為當(dāng)間隔物，其可用來(lái)控制發(fā)光單元604與基板612之間的距離d?。在一些導(dǎo)電粒子603可為間隔物的實(shí)施例中，發(fā)光單元604與第二基板612之間的距離d?大抵上等于任一導(dǎo)電粒子603的直徑d?[0155]接著，如圖6D及圖6E所示，可重復(fù)上述步驟將另一發(fā)光單元604經(jīng)由粘合層602的部分602b接合至基板618,而形成本公開的顯示設(shè)備60。在一些實(shí)施例中，可重復(fù)多次上述步驟將多個(gè)不同顏色(例如：紅色、藍(lán)色以及綠色)的發(fā)光單元604經(jīng)由粘合層602接合至基板612。[0156]在一些實(shí)施例中，每一發(fā)光單元604皆有其相應(yīng)的接合步驟。換句話說(shuō)，在此些實(shí)施例中，在一發(fā)光單元604及附著于其上的粘合層的部分被移動(dòng)至所對(duì)應(yīng)的第二基板612的接合墊上之后，皆進(jìn)行一相應(yīng)的接合步驟以將該發(fā)光單元接合至第二基板612。然而，在一些其他的實(shí)施例中，亦可先將多個(gè)發(fā)光單元604以及附著于其上的粘合層的部分各自移動(dòng)至所對(duì)應(yīng)的第二基板612的接合墊上之后，才統(tǒng)一進(jìn)行一接合步驟(例如施加前述適當(dāng)?shù)膲毫?或溫度或進(jìn)行一共晶接合制程)以將數(shù)個(gè)發(fā)光單元604同時(shí)接合至第二基板612,而達(dá)到減少制程步驟與縮短工時(shí)的效果。[0157]在一些實(shí)施例中，在將數(shù)個(gè)發(fā)光單元604接合至第二基板612之后，可對(duì)上述數(shù)個(gè)發(fā)光單元604進(jìn)行質(zhì)量測(cè)試。舉例而言，若任一發(fā)光單元604的質(zhì)量出現(xiàn)異常，則可將該發(fā)光單元604以及所對(duì)應(yīng)的粘合層的部分自第二基板612移除(例如：以機(jī)械力將其自第二基板612剝離),然后可進(jìn)行圖6A至圖6C所述的步驟將另一發(fā)光單元604接合至第二基板612上以取代該質(zhì)量異常的發(fā)光單元604。換句話說(shuō)，相較于傳統(tǒng)上將粘合層整片貼合于第二基板上的接合方式，本實(shí)施例的方法可局部替換質(zhì)量異常的發(fā)光單元，因此可增加制程彈性并達(dá)到減少制程步驟與縮短工時(shí)的效果。[0158]以下提供本實(shí)施例的一些變化例。應(yīng)注意的是，除非特別說(shuō)明，此些變化例與前述實(shí)施例的相同或類似的組件將以相同的組件符號(hào)表示，且其形成方法亦可相同或類似于前述實(shí)施例的形成方法。[0159]圖6F繪示出本公開一些實(shí)施例的顯示設(shè)備60’。顯示設(shè)備60與顯示設(shè)備60其中一個(gè)差異在于顯示設(shè)備60'的粘合層602是由不導(dǎo)電的材料所形成。舉例而言，上述不導(dǎo)電的材料可包聚亞酰胺、包含環(huán)氧基(epoxy-containing)的樹脂、硅、光阻其他適當(dāng)?shù)牟牧匣蛏鲜龅慕M合。在一些實(shí)施例中，由于粘合層602不導(dǎo)電，因此發(fā)光單元604的第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)608與第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)610是直接接觸第二基板612的接合墊(未繪示于圖中)以電性連接第二基板612。在一些實(shí)施例中，可進(jìn)一步使第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)608與第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)610與上述第二基板612的接合墊進(jìn)行共晶反應(yīng)以增加兩者之間的接合力。[0160]在一些實(shí)施例中，粘合層602可包括光固化材料及/或熱固化材料。舉例而言，可將未經(jīng)固化的粘合層602提供于第一基板600上，接著進(jìn)行相同或類似于圖6A至圖6E所述的步驟將發(fā)光單元604及其對(duì)應(yīng)的粘合層的部分602a及/或602b轉(zhuǎn)移至第二基板612上，接著可進(jìn)行一光固化及/或熱固化制程固化粘合層602的部分602a及/或602b以增加其粘附力，使得粘合層602的部分602a及/或602b可接合發(fā)光單元604與第二基板612。[0161]圖6G、6H是各自繪示出本公開一些實(shí)施例的顯示設(shè)備60”的部分上視圖以及剖面圖。詳細(xì)而言，圖6H為沿著圖6G的剖面線B-B所繪示的單元604,并將所抓取的此些發(fā)光單元604經(jīng)由粘合層602的一部分(例如：圖6G所繪示的部分602a-602i的任一者)接合至第二基板612上，接著可重復(fù)上述步驟以抓取頭601同時(shí)抓取多個(gè)其他發(fā)光單元604并將所抓取的此些發(fā)光單元604經(jīng)由粘合層602的另一部分(例如：圖6G所繪示的部分602a-602i的另一者)接合至第二基板612。換句話說(shuō)，在圖6G所繪示的實(shí)施例中，是重復(fù)性地以抓取頭601一次同時(shí)抓取多個(gè)發(fā)光單元604并經(jīng)由粘合層602的一部分(例如：部分602a-602i的任一者)將所抓取的此些發(fā)光單元604接合至第二基板612。在一些實(shí)施例中，如圖6G所示，粘合層602的多個(gè)分離的部分602a-602i的任一者可對(duì)應(yīng)八個(gè)發(fā)光單元604,但本公開不以此為限。應(yīng)理解的是，粘合層602的多個(gè)分離的部分的任一者(例如：部分602a-602i的任一者)是將所對(duì)應(yīng)的發(fā)光單元604接合至第二基板612,且在上視圖中粘合層602的多個(gè)分離的部分的任一者是與所對(duì)應(yīng)的發(fā)光單元604重疊或部分地重疊。舉例而言，如圖6G所示，粘合層602的多個(gè)分離的部分602a-602i的任一者是與八個(gè)發(fā)光單元604重疊并將所對(duì)應(yīng)的八個(gè)發(fā)光單元604接合至第二基板612。[0162]如圖6G所示，在一些實(shí)施例中，顯示設(shè)備置60”的粘合層602的多個(gè)部分在第一方向Y以及第二方向X(第二方向X可大抵上垂直于第一方向Y)上皆彼此對(duì)齊排列，但本公開并不以此為限。在一些其他的實(shí)施例中，粘合層602的多個(gè)部分于第一方向Y以及第二方向X的至少一者上可具有一錯(cuò)位。舉例而言，在圖6I所繪示的實(shí)施例中602的相鄰兩列之間具有錯(cuò)位。詳細(xì)而言，在圖6I所繪示的實(shí)施例中，粘合層602的第一列L?(包括部分602a、602b與602c)與第二列L?(包括部分602d、602e、602f與602g)之間具有錯(cuò)位，而第二列L?與第三列L?(包括部分602h、602i、與602j)之間亦具有錯(cuò)位。在一些實(shí)施例中，上述錯(cuò)位可定義為兩相鄰的粘合層602的部分(上述兩部分是各自位于相鄰的兩列上)各自的中心線之間的距離(例如：第一列L?的部分602b的中心線F?與第二列L?的部分602f的中心線F?之間的距離M)。[0163]以下提供本實(shí)施例的另一些變化例。應(yīng)注意的是，除非特別說(shuō)明，此些變化例與前述實(shí)施例的相同或類似的組件將以相同的組件符號(hào)表示，且其形成方法亦可相同或類似于前述實(shí)施例的形成方法。[0164]圖6J是繪示出本公開一些實(shí)施例的顯示設(shè)備60a的部分上視圖。應(yīng)理解的是，為了簡(jiǎn)明起見，于圖6J中僅繪示出顯示設(shè)備60a的數(shù)個(gè)發(fā)光單元604以及對(duì)應(yīng)此些發(fā)光單元604的粘合層602的數(shù)個(gè)部分(例如：部分602a-602d)。如圖6J所示，粘合層602是包括多個(gè)大抵上緊鄰的部分(例如：部分602a-602d)。于后文中為了方便說(shuō)明起見，部分602a、部分602b、部分602c與部分602d亦可分別稱為第一粘合層602a、第二粘合層602b、第三粘合層602c與第四粘合層602d。[0165]在一些實(shí)施例中，顯示設(shè)備60a可具有多個(gè)像素V。舉例而言，在一些實(shí)施例中，一個(gè)像素V可對(duì)應(yīng)(或包括)至少一個(gè)發(fā)光單元604(如圖6J所示)并對(duì)應(yīng)(或包括)與該發(fā)光單元604對(duì)應(yīng)的粘合層602的部分，但本公開不以此為限。應(yīng)理解的是，雖然于圖6J中僅繪示出四個(gè)像素V,但本公開不以此為限，可視設(shè)計(jì)需求使顯示設(shè)備60a具有任何適當(dāng)數(shù)量的像素[0166]如圖6J所示，多個(gè)發(fā)光單元604的一個(gè)在第一方向Y上可具有長(zhǎng)度P?(例如：1至100微米)且在第二方向X上(第二方向X可大抵上垂直于第一方向Y)可具有長(zhǎng)度P?(例如：1至100微米)。在一些實(shí)施例中，長(zhǎng)度P?可小于長(zhǎng)度P?,但本公開不以此為限。在一些其他的實(shí)施例中，長(zhǎng)度P?亦可大于或者是等于長(zhǎng)度P?。如圖6J所示，兩相鄰的發(fā)光單元604之間在第一方向Y上可具有間距Z?且在第二方向X上可具有間距Z?。在一些實(shí)施例中，間距Z?可為1至1000[0167]如圖6J所示，顯示設(shè)備60a的數(shù)個(gè)粘合層的一個(gè)(例如：第一粘合層602a、第二粘合層602b、第三粘合層602c與第四粘合層602d的一個(gè))是與各自所對(duì)應(yīng)的發(fā)光單元604至少部三粘合層602c與第四粘合層602d是各自與一發(fā)光單元604部分地重疊。在一些實(shí)施例中，如第6J圖所示，于第一方向Y上相鄰的粘合層(例如：第一粘合層602a與第二粘合層602b)之間可具有間距Z?,而于第二方向X上相鄰的粘合層(例如：第一粘合層602a與第三粘合層602c)之間可具有間距Z?。在一些實(shí)施例中，0<Z?<(Z?+P?)且/或0<Z?<(Z?+P?),而可減少粘合層與發(fā)光單元604因粘著面積過(guò)小導(dǎo)致附著力不足，所造成的發(fā)光單元604與第二基板612之間電性連接不良的問(wèn)題。[0168]在一些實(shí)施例中，如圖6K所示，一個(gè)像素V可對(duì)應(yīng)三個(gè)發(fā)光單元604并對(duì)應(yīng)與此三個(gè)發(fā)光單元604對(duì)應(yīng)的粘合層。舉例而言，顯示設(shè)備60a的數(shù)個(gè)粘合層的一個(gè)(例如：第一粘合層602a、第二粘合層602b、第三粘合層602c與第四粘合層602d的一個(gè))所對(duì)應(yīng)的三個(gè)發(fā)光單元604可包括一紅色發(fā)光單元、一藍(lán)色發(fā)光單元以及一綠色發(fā)光單元，但本公開并不以此為限。在一些其他實(shí)施例中，顯示設(shè)備60a的數(shù)個(gè)粘合層的一個(gè)所對(duì)應(yīng)的三個(gè)發(fā)光單元604亦可皆為相同顏色的發(fā)光單元。[0169]類似地，在一些圖6K所繪示的實(shí)施例中，0<Z?<(Z?+P?)且/或0<Z<(Z?+P?),而可減少粘合層602與發(fā)光單元604因粘著面積過(guò)小導(dǎo)致附著力不足所造成的發(fā)光單元604與第二基板612之間電性連接不良的問(wèn)題。應(yīng)理解的是，雖然于前述的實(shí)施例中，一個(gè)像素V是對(duì)應(yīng)三個(gè)發(fā)單光單元604,且顯示設(shè)備60a的數(shù)個(gè)粘合層的一個(gè)(例如：第一粘合層602a、第二粘合層602b、第三粘合層602c與第四粘合層602d的一個(gè))所對(duì)應(yīng)的三個(gè)發(fā)光單元604是排列成一列(或一行),但本公開并不以此為限。在一些其他的實(shí)施例中，顯示設(shè)備60a的數(shù)個(gè)粘合層的一個(gè)所對(duì)應(yīng)的三個(gè)發(fā)光單元604亦可排列成三角形(如圖6L、6M所示)。可減少粘合層602與發(fā)光單元604因粘著面積過(guò)小導(dǎo)致附著力不足所造成的發(fā)光單元604與第二基板612之間電性連接不良的問(wèn)題。[0171]在一些其他的實(shí)施例中，顯示設(shè)備60a的數(shù)個(gè)粘合層的一個(gè)(例如：第一粘合層602a、第二粘合層602b、第三粘合層602c與第四粘合層602d的一個(gè))是對(duì)應(yīng)于六個(gè)發(fā)光單元604設(shè)置(如圖6N所示)。在此些實(shí)施例中，顯示設(shè)備60a的數(shù)個(gè)粘合層的一個(gè)所對(duì)應(yīng)的六個(gè)發(fā)光單元604可皆為相同顏色的發(fā)光單元或者包括不同顏色的發(fā)光單元。[0172]類似地，在一些圖6N所繪示的實(shí)施例中，0<Z?<(Z?+P?)且/或0<Z<(Z?+P?),而可減少粘合層602與發(fā)光單元604因粘著面積過(guò)小導(dǎo)致附著力不足所造成的發(fā)光單元604與第二基板612之間電性連接不良的問(wèn)題。[0173]應(yīng)理解的是，在一些其他的實(shí)施例中，可視設(shè)計(jì)需求使一個(gè)像素V對(duì)應(yīng)任何其他適當(dāng)數(shù)量的發(fā)光單元604。[0174]本實(shí)施例的發(fā)光單元604亦可包括前述第一實(shí)施例中所述的發(fā)光單元103。換句話說(shuō)，可使用本實(shí)施例所述的方法將發(fā)光單元103接合至如薄膜晶體管基板的基板上。[0176]本實(shí)施例提供一種將發(fā)光單元(例如：發(fā)光二極管)接合至基板(例如：薄膜晶體管)而形成顯示設(shè)備的方法。在上述方法中是將粘合層提供于如薄膜晶體管基板的基板上，然后以光刻制程圖案化上述粘合層。由于上述圖案化的粘合層是經(jīng)由光刻制程形成，因此所形成的圖案可具有較小的尺寸而可應(yīng)用于接合小尺寸的發(fā)光單元與顯示設(shè)備的基板(例[0177]圖7A至圖7D為一系列的制程剖面圖，其繪示出本實(shí)施例的形成顯示設(shè)備的方法。[0178]如圖7A所示，提供基板700。在一些實(shí)施例中，基板700可包括一或多個(gè)設(shè)置于其上的接合墊。舉例而言，在圖7A所繪示的實(shí)施例中，基板700是包括四個(gè)接合墊C?、C?、C?以及C?,但本公開并非以此為限，亦可根據(jù)設(shè)計(jì)需求(例如：接合至基板700的發(fā)光單元的數(shù)量)C?)可由如金屬的導(dǎo)電材料所形成。[0179]在一些實(shí)施例中，兩相鄰的接合墊C?、C?以及接合墊C?、C?可各自對(duì)應(yīng)到不同的發(fā)光單元。如圖7A所示，對(duì)應(yīng)至同一發(fā)光單元的相鄰的接合墊之間可具有間距S?(例如：接合[0180]在一些實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)至不同發(fā)光單元的相鄰的接合墊之間可具有間距S?(例如：接合墊C?與C?的間距)。舉例而言，應(yīng)用于大型顯示設(shè)備中時(shí)，間距S?可達(dá)50公厘距S?可為小至2微米(例如：2微米至500微米)。應(yīng)理解的是，本制程方法均可適用于微型裝置與大型顯示設(shè)備。[0181]接著，如圖7B所示，形成粘合層704于基板700之上，且粘合C?以及接合墊C?、C?。在一些實(shí)施例中，粘合層704是由不導(dǎo)電的材料所形成。在一些實(shí)施例基丙烯酸甲酯(Acrylic)、硅氧烷(Siloxane)或聚酰亞胺(Polyimide)等，但本公開不以此為限。在一些實(shí)施例中，粘合層704可包括尚未被固化的光固化材料及/或熱固化材料。舉例而言，可使用涂布噴嘴(SlitNozzle)將粘合層704涂布于基板700之上。[0182]在一些實(shí)施例中，在將粘合層704涂布于基板700之上的步驟之后可進(jìn)行一軟烘烤制程，以增加粘合層704在基板700表面的附著性。[0183]接著，如圖7C所示，將粘合層704圖案化以形成圖案化的粘合層704。舉例而言，上述圖案化的步驟可包括曝光(exposure)、曝光后烘烤(post-exposurebaking)、顯影(developing)、其他適當(dāng)?shù)闹瞥袒蛏鲜龅慕M合。[0184]在一些實(shí)施例中，在上述圖案化步驟之后，圖案化的粘合層704可具有對(duì)應(yīng)于不同發(fā)光單元的多個(gè)彼此分離的圖案(例如：第一圖案704A與第二圖案704B)。在一些實(shí)施例中，如圖7C所示，第一圖案704A是對(duì)應(yīng)至接合墊C?、C?所對(duì)應(yīng)的發(fā)光單元，而第二圖案704B則對(duì)應(yīng)到接合墊C?、C?所對(duì)應(yīng)的發(fā)光單元。[0185]承前述，隨著顯示設(shè)備的微型化，間距S?可能逐漸縮小，因此第一圖案704A與第二圖案704B之間的間距S?亦逐漸縮小(例如：間距S?可由傳統(tǒng)上的50公厘縮小至2微米)。因此，若使用傳統(tǒng)上如網(wǎng)印的方式形成圖案化的粘合層704,將使得間距S?過(guò)大而不利于顯示設(shè)備的微型化。相較之下，本實(shí)施例所述的方法是以光刻制程形成圖案化的粘合層704,因此具有較小之間距S?(例如：間距S?可縮小至約為2微米至200微米)。[0186]此外，隨著發(fā)光單元的尺寸縮減(例如寬度),發(fā)光單元所對(duì)應(yīng)的第一圖案704A與第二圖案704B的寬度W?亦需相應(yīng)縮小。因此，若使用傳統(tǒng)上如網(wǎng)印的方式形成圖案化的粘合層704,將使得寬度W?過(guò)大而不適合用來(lái)接合小尺寸的發(fā)光單元。相較之下，本實(shí)施例所述的方法是以光刻制程形成圖案化的粘合層704,因此第一圖案704A與第二圖案704B可具有較小的寬度W。在一些實(shí)施例中，第一圖案704A與第二圖案704B的寬度W?可縮小至約為8微米(例如：約為8微米至240微米)。[0187]在一些實(shí)施例中，如圖7C所示，在上述圖案化步驟之后，圖案化的粘合層704仍覆例中，圖案704A是覆蓋相應(yīng)的接合墊C?、C?,而圖案704B則覆蓋相應(yīng)的接合墊C?、C?。[0188]接著，如圖7D所示，將發(fā)光單元706插入圖案化的粘合層704的圖案704A以及圖案[0189]在一些實(shí)施例中，如圖7D所示，由于在圖案化的粘合層704尚未被固化時(shí)就將發(fā)光單元706插入圖案化的粘合層704的第一圖案704A與第二圖案704B中，因此第一圖案704A與第二圖案704B的材料可受到發(fā)光單元706的擠壓而向外側(cè)流動(dòng)。在一些實(shí)施例中，如圖7D所示，在將發(fā)光單元706插入圖案化的粘合層704的第一圖案704A與第二圖案704B中的步驟之后，第一圖案704A與第二圖案704B可具有彎曲的側(cè)壁輪廓。[0190]接著，仍如圖7D所示，進(jìn)行一固化制程(例如：熱固化制程及/或光固化制程)固化圖案化的粘合層704,以增加圖案化的粘合層704的粘附力，使得圖案化的粘合層704可接合發(fā)光單元706與基板700以形成本公開的顯示設(shè)備70。在一些實(shí)施例中，由于經(jīng)固化的圖案化粘合層704可接合發(fā)光單元706與基板700,因此不需進(jìn)行額外的接合制程(例如：使發(fā)光單元706的第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)710、第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)712與基板700的接發(fā)生共晶反應(yīng)的共晶接合制程)即可將發(fā)光單元706的第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)710、第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)712接合至基板700的接合墊C?、C?、C?、C?,以經(jīng)由[0191]如圖7D所示，顯示設(shè)備70的相鄰的發(fā)光單元706可具有間距S?。在一些實(shí)施例中，由于以光刻制程形成圖案化的粘合層704,因此第一圖案704A與第二圖案704B可具有較小之間距S?,使得相鄰的發(fā)光單元706亦可具有較小之間距S?,因而可增加單位面積上發(fā)光單元706的數(shù)量而有利于顯示設(shè)備的微型化。舉例而言，在一些實(shí)施例中，間距S?可為縮小至約為2微米(例如：約為2微米至200微米)。[0192]承前述，在一些實(shí)施例中，由于以光刻制程形成圖案化的粘合層704,因此第一圖案704A與第二圖案704B可具有較小的寬度W?(例如：8微米至240微米)。換句話說(shuō)，在此些實(shí)施例中，第一圖案704A與第二圖2案704B適合用來(lái)將小尺寸的發(fā)光單元706接合至基板700。舉例而言，在一些實(shí)施例中，第一圖案704A與第二圖案704B可用來(lái)將寬度W?為8微米至240微米的發(fā)光單元706接合至基板700。[0193]在一些實(shí)施例中，如圖7D所示，第一圖案704A與第二圖案704B可填充或者部分填充發(fā)光單元706的導(dǎo)體層710與712之間的間隙，而可增加發(fā)光單元706固定于基板700上的強(qiáng)度。在一些實(shí)施例中，由于第一圖案704A與第二圖案704B環(huán)繞發(fā)光單元706的導(dǎo)體層710、712與基板700的接合墊C?、C?、C?、C?,因此可保護(hù)發(fā)光單元706的導(dǎo)體層710、712與基板700[0194]圖8A至圖8D是繪示出本實(shí)施例的顯示設(shè)備的形成方法的一些變化例。應(yīng)注意的是，除非特別說(shuō)明，此些變化例與前述實(shí)施例的相同或類似的組件將以相同的組件符號(hào)表示，且其形成方法亦可相同或類似于前述實(shí)施例的形成方法。所述的步驟，因此以下僅針對(duì)不同的處進(jìn)行說(shuō)明。[0196]如圖8C所示，在一些實(shí)施例中，圖案化的粘合層704的第一圖案704A與第二圖案704B是露出接合墊C?、C?與接合墊C?、C?的頂表面。詳細(xì)而言，在一些實(shí)施例中，第一圖案704A系包括露出接合墊C?、C?的開口0?、0?,而第二圖案704B則包括露出接合墊C?、C?的開口[0197]接著，如第8D圖所示，經(jīng)由第一圖案704A與第二圖案704B接合發(fā)光單元706至基板700以形成本公開的顯示設(shè)備80。在一些實(shí)施例中，如第8D圖，由于第一圖案704A與第二圖案704B包括開口0?、0?與0?、0?,且導(dǎo)體層710、712是插入開口0?、0?、0?與0?,因此第一圖案704A與第二圖案704B的材料大抵上可降低受到發(fā)光單元706的擠壓而向外側(cè)流動(dòng)，使得第一圖案704A與第二圖案704B在上述接合制程之后可具有大抵上筆直的側(cè)壁。[0198]在一些實(shí)施例中，在將發(fā)光單元706接合至基板700的時(shí)候，可改善第一圖案704A與第二圖案704B的材料大量向外溢出的情形。[0199]另外，本實(shí)施例的發(fā)光單元706亦可包括前述第一實(shí)施例中所述的發(fā)光單元103。換句話說(shuō)，可使用本實(shí)施例所述的方法將發(fā)光單元103接合至如薄膜晶體管基板的基板上。[0201]本實(shí)施例亦提供一種將發(fā)光單元(例如：發(fā)光二極管)接合至基板(例如：薄膜晶體管)而形成顯示設(shè)備的方法。本實(shí)施例與第三實(shí)施例其中一個(gè)差異在于本實(shí)施例所使用的粘合層是包括導(dǎo)電材料。換句話說(shuō)，發(fā)光單元可經(jīng)由粘合層電性連接顯示設(shè)備的基板。[0202]應(yīng)注意的是，除非特別說(shuō)明，本實(shí)施例與前述實(shí)施例的相同或類似的組件將以相同的組件符號(hào)表示，且其形成方法亦可相同或類似于前述實(shí)施例的形成方法。所述的步驟，因此以下僅針對(duì)不同的處進(jìn)行說(shuō)明。[0204]如圖9B所示，在一些實(shí)施例中，粘合層704可由光阻材料(例如：壓克硅氧烷(Siloxane)材料或聚酰亞胺(PI,Polyimide)等)以及添加于上述光阻材料中的導(dǎo)電材料所形成。在一些實(shí)施例中，粘合層704可包括尚未被固化的光固化材料及/或熱固化材化物(IndiumTinOxide,ITO)、氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(I錫鋅(ITZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銻鋅(AZO))、其他適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料，但本公開不以此為[0205]接著，如圖9C所示，將粘合層704圖案化。在一些實(shí)施例中，圖案化包括第一圖案704A與第二圖案704B,且第一圖案704A可包括兩個(gè)子圖案704a而第二圖案704B可包括兩個(gè)子圖案704b。在一些實(shí)施例中，第一圖案704A的兩個(gè)子圖案704a相互分離(第二圖案704B的兩個(gè)子圖案704b亦相互分離),而可減少經(jīng)由第一圖案704A及/或第二圖案704B接合至基板700的發(fā)光單元706的第一導(dǎo)體層(或第二導(dǎo)體層)710與第三導(dǎo)體層(或第四導(dǎo)體層)712之間發(fā)生短路的情形。[0206]接著，如圖9D所示，將發(fā)光單元706設(shè)置于圖案化的粘合層704上并進(jìn)行如光固化及/或熱固化的制程固化圖案化的粘合層704以