2026三維設(shè)計(jì)一輪總復(fù)習(xí)高中化學(xué)-第28講 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)_第1頁
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第28講晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課標(biāo)要求1.能說出晶體與非晶體的區(qū)別;了解晶體中粒子在微觀空間里的排布存在周期性,認(rèn)識(shí)簡(jiǎn)單的晶胞。2.借助分子晶體、共價(jià)晶體、離子晶體、金屬晶體等模型認(rèn)識(shí)晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。3.知道介于典型晶體之間的過渡晶體及混合型晶體是普遍存在的。知道在一定條件下,物質(zhì)的聚集狀態(tài)隨構(gòu)成物質(zhì)的粒子種類、粒子間相互作用、粒子聚集程度的不同而有所不同。4.知道物質(zhì)的聚集狀態(tài)會(huì)影響物質(zhì)的性質(zhì),通過改變物質(zhì)的聚集狀態(tài)可能獲得特殊的材料??键c(diǎn)一晶體和晶胞1.晶體與非晶體(1)晶體與非晶體的比較比較晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)粒子周期性有序排列結(jié)構(gòu)粒子無序排列性質(zhì)特征自范性有無熔點(diǎn)固定不固定各向異性有無二者區(qū)別方法間接方法測(cè)定其是否有固定的熔點(diǎn)科學(xué)方法對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)(2)獲得晶體的三條途徑①熔融態(tài)物質(zhì)凝固。②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)。③溶質(zhì)從溶液中析出。2.等離子體和液晶(1)等離子體:由電子、陽離子和電中性粒子組成的整體上呈電中性的物質(zhì)聚集體,具有良好的導(dǎo)電性和流動(dòng)性。(2)液晶:介于液態(tài)和晶態(tài)之間的物質(zhì)狀態(tài),既具有液體的流動(dòng)性、黏度、形變性等,又具有晶體的某些物理性質(zhì),如導(dǎo)熱性、光學(xué)性質(zhì)等。3.晶胞(1)概念:描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。(2)晶體中晶胞的排列——無隙并置①無隙:相鄰晶胞之間沒有任何間隙。②并置:所有晶胞都是平行排列的,取向相同。4.晶胞組成的計(jì)算——均攤法(1)原則:晶胞任意位置上的一個(gè)原子如果是被n個(gè)晶胞所共有,那么,每個(gè)晶胞對(duì)這個(gè)原子分得的份額就是1n(2)方法①長方體(包括立方體)晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算:②非長方體結(jié)構(gòu)中粒子數(shù)目視具體情況而定,如石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形,其頂角(1個(gè)碳原子)被三個(gè)六邊形共有,每個(gè)六邊形占13判斷正誤(正確的打“√”,錯(cuò)誤的打“×”)。(1)晶體內(nèi)部的粒子按一定規(guī)律周期性排列。(√)(2)凡有規(guī)則外形的固體一定是晶體。(×)(3)固體SiO2一定是晶體。(×)(4)缺角的NaCl晶體在飽和NaCl溶液中會(huì)慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊。(√)(5)區(qū)分晶體和非晶體最可靠的方法是對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)。(√)一晶體與非晶體1.下列不能區(qū)分晶體和非晶體的是()A.是否具有各向異性 B.能否發(fā)生X射線衍射C.是否具有導(dǎo)電性 D.有無固定熔點(diǎn)解析:C晶體具有各向異性,根據(jù)是否具有各向異性,可以區(qū)分晶體和非晶體,A不選;晶體的X射線衍射圖譜中能看到分立的斑點(diǎn)或明銳的衍射峰,能否發(fā)生X射線衍射,可以區(qū)分晶體和非晶體,B不選;是否具有導(dǎo)電性,不可以區(qū)分晶體和非晶體,C選;晶體有固定的熔點(diǎn),根據(jù)有無固定熔點(diǎn),可以區(qū)分晶體和非晶體,D不選。2.玻璃是常見的非晶體,在生產(chǎn)生活中有著廣泛的用途,如圖是玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖,下列有關(guān)玻璃的說法錯(cuò)誤的是()A.玻璃內(nèi)部微粒排列是無序的B.玻璃熔化時(shí)吸熱,溫度不斷上升C.光導(dǎo)纖維和玻璃的主要成分都可看成是SiO2,二者都是非晶體D.利用X射線衍射實(shí)驗(yàn)可以鑒別石英玻璃和水晶解析:C由題圖可知,構(gòu)成玻璃的粒子無周期性排列,是無序的,所以玻璃是非晶體,因此沒有固定的熔點(diǎn),A、B正確;玻璃屬于非晶體,但光導(dǎo)纖維屬于晶體,C錯(cuò)誤;區(qū)分晶體與非晶體最科學(xué)的方法是對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn),D正確。二晶胞中微粒數(shù)與化學(xué)式的確定3.(2024·臨沂模擬)已知某化合物是由鈣、鈦、氧三種元素組成的晶體,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則該物質(zhì)的化學(xué)式為()A.CaTiO3 B.Ca2TiO6C.Ca4TiO3 D.CaTiO12解析:A根據(jù)均攤法,處于晶胞中心的原子被一個(gè)晶胞占有,處于頂角上的原子被8個(gè)晶胞占有,處于棱上的原子被4個(gè)晶胞占有。所給晶胞中,鈣原子有一個(gè),鈦原子的個(gè)數(shù)為8×18=1,氧原子的個(gè)數(shù)為12×14=3,該物質(zhì)的化學(xué)式為CaTiO六棱柱晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算考點(diǎn)二常見晶體類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.四種常見晶體類型的比較類型比較分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成微粒分子原子金屬陽離子、自由電子陰、陽離子粒子間的相互作用力范德華力(某些含氫鍵)共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵硬度較小很大有的很大,有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高,有的很低較高溶解性相似相溶難溶于任何溶劑難溶于常見溶劑大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、導(dǎo)熱性一般不導(dǎo)電,溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電,水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電2.常見晶體的結(jié)構(gòu)模型(1)典型的分子晶體——干冰和冰①干冰晶體中,每個(gè)CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有12個(gè)。②冰晶體中,每個(gè)水分子與相鄰的4個(gè)水分子以氫鍵相連接,含1molH2O的冰中,最多可形成2mol氫鍵。(2)典型的共價(jià)晶體——金剛石、二氧化硅①金剛石和二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)模型比較結(jié)構(gòu)模型晶胞金剛石二氧化硅②金剛石和二氧化硅結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分析比較金剛石a.碳原子采取sp3雜化,鍵角為109°28'b.每個(gè)碳原子與周圍緊鄰的4個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合成正四面體結(jié)構(gòu),向空間伸展形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)c.最小碳環(huán)由6個(gè)碳原子組成,每個(gè)碳原子被12個(gè)六元環(huán)共用d.金剛石晶胞的每個(gè)頂角和面心均有1個(gè)C原子,晶胞內(nèi)部有4個(gè)C原子,內(nèi)部的C在晶胞的體對(duì)角線的14處,每個(gè)金剛石晶胞中含有8個(gè)C二氧化硅a.Si原子采取sp3雜化,正四面體內(nèi)O—Si—O鍵角為109°28'b.每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,Si原子位于正四面體的中心,O原子位于正四面體的頂角,同時(shí)每個(gè)O原子被2個(gè)硅氧正四面體共用,晶體中Si原子與O原子個(gè)數(shù)比為1∶2c.最小環(huán)上有12個(gè)原子,包括6個(gè)O原子和6個(gè)Si原子d.1molSiO2晶體中含Si—O數(shù)目為4NAe.SiO2晶胞中有8個(gè)Si原子位于立方晶胞的頂角,有6個(gè)Si原子位于立方晶胞的面心,還有4個(gè)Si原子與16個(gè)O原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個(gè)硅氧四面體。每個(gè)SiO2晶胞中含有8個(gè)Si原子和16個(gè)O原子(3)典型的離子晶體——NaCl、CsCl、CaF2①NaCl型:在晶體中,每個(gè)Na+同時(shí)吸引6個(gè)Cl-,每個(gè)Cl-同時(shí)吸引6個(gè)Na+,配位數(shù)為6。每個(gè)晶胞含4個(gè)Na+和4個(gè)Cl-。②CsCl型:在晶體中,每個(gè)Cl-吸引8個(gè)Cs+,每個(gè)Cs+吸引8個(gè)Cl-,配位數(shù)為8。③CaF2型:在晶體中,每個(gè)Ca2+吸引8個(gè)F-,每個(gè)F-吸引4個(gè)Ca2+,每個(gè)晶胞含4個(gè)Ca2+,8個(gè)F-。(4)過渡晶體與混合型晶體①過渡晶體:純粹的分子晶體、共價(jià)晶體、離子晶體和金屬晶體四種典型晶體是不多的,大多數(shù)晶體是它們之間的過渡晶體。人們通常把偏向離子晶體的過渡晶體當(dāng)作離子晶體來處理,把偏向共價(jià)晶體的過渡晶體當(dāng)作共價(jià)晶體來處理。②混合型晶體石墨層狀晶體中,層與層之間的作用力是范德華力,平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是2,C原子采取的雜化方式是sp2,碳原子數(shù)與C—C共價(jià)鍵個(gè)數(shù)比為2∶3。判斷正誤(正確的打“√”,錯(cuò)誤的打“×”)。(1)分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低。(×)(2)離子晶體中都一定含有金屬元素。(×)(3)1mol金剛石和SiO2中含有的共價(jià)鍵數(shù)目均為4NA。(×)(4)氯化鈉晶體中,每個(gè)Na+周圍距離相等且最近的Na+共有6個(gè)。(×)(5)冰中包含的作用力有范德華力、氫鍵和共價(jià)鍵。(√)一常見晶體類型的判斷1.下列各組物質(zhì)的晶體類型相同的是()A.SiO2和SO3 B.I2和NaClC.Cu和Ag D.SiC和MgO解析:CSiO2為共價(jià)晶體,SO3為分子晶體,A錯(cuò)誤;I2為分子晶體,NaCl為離子晶體,B錯(cuò)誤;Cu和Ag都為金屬晶體,C正確;SiC為共價(jià)晶體,MgO為離子晶體,D錯(cuò)誤。2.(2024·樂山模擬)已知下列晶體的部分性質(zhì),其晶體類型判斷正確的是()選項(xiàng)性質(zhì)晶體類型A三氯化鐵,沸點(diǎn)316℃,易溶于水,易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑分子晶體B溴化鋁,無色晶體,熔點(diǎn)98℃,易溶于水,熔融狀態(tài)下不導(dǎo)電共價(jià)晶體C硼,熔點(diǎn)2300℃,沸點(diǎn)2550℃,硬度大,不溶于常見溶劑金屬晶體D碳化鋁,黃色晶體,熔點(diǎn)2100℃,熔融狀態(tài)下不導(dǎo)電,晶體不導(dǎo)電離子晶體解析:A三氯化鐵,沸點(diǎn)較低,易溶于乙醚等有機(jī)溶劑,屬于分子晶體,A正確;溴化鋁,熔點(diǎn)低,易溶于水,熔融狀態(tài)下不導(dǎo)電,屬于分子晶體,B錯(cuò)誤;硼,熔、沸點(diǎn)高,硬度大,且不溶于常見溶劑,屬于共價(jià)晶體,C錯(cuò)誤;碳化鋁,熔點(diǎn)高,熔融狀態(tài)和晶體都不導(dǎo)電,屬于共價(jià)晶體,D錯(cuò)誤。判斷晶體類型的方法(1)依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷熔、沸點(diǎn)低的單質(zhì)和化合物一般為分子晶體;熔、沸點(diǎn)較高的化合物一般為離子晶體;熔、沸點(diǎn)很高的晶體一般為共價(jià)晶體。(2)依據(jù)導(dǎo)電性判斷離子晶體處于固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,溶于水及熔融狀態(tài)時(shí)能夠?qū)щ?;共價(jià)晶體一般不導(dǎo)電;分子晶體固態(tài)及液態(tài)均不導(dǎo)電;金屬晶體是電的良導(dǎo)體。(3)依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷離子晶體硬度較大,難于壓縮;共價(jià)晶體硬度大;金屬晶體多數(shù)硬度較大,但也有較低的,且具有金屬光澤,有延展性;分子晶體硬度小且較脆。二常見晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)3.金剛石和石墨是碳元素形成的兩種單質(zhì),下列說法正確的是()A.金剛石和石墨晶體中最小的環(huán)均含有6個(gè)碳原子B.在金剛石中每個(gè)C原子連接4個(gè)六元環(huán),石墨中每個(gè)C原子連接3個(gè)六元環(huán)C.金剛石與石墨中碳原子的雜化方式均為sp2D.金剛石中碳原子數(shù)與C—C個(gè)數(shù)之比為1∶4,而石墨中碳原子數(shù)與C—C個(gè)數(shù)之比為1∶3解析:A金剛石中每個(gè)C原子連接12個(gè)六元環(huán),石墨中每個(gè)C原子連接3個(gè)六元環(huán),B項(xiàng)錯(cuò)誤;金剛石中碳原子采取sp3雜化,而石墨中碳原子采取sp2雜化,C項(xiàng)錯(cuò)誤;金剛石中每個(gè)碳原子與周圍其他4個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵,而每個(gè)共價(jià)鍵為2個(gè)碳原子所共有,則每個(gè)碳原子平均形成的共價(jià)鍵數(shù)為4×12=2,碳原子數(shù)與C—C個(gè)數(shù)之比為1∶2,石墨晶體中每個(gè)碳原子與周圍其他3個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵,每個(gè)碳原子平均形成的共價(jià)鍵數(shù)為3×12=1.5,碳原子數(shù)與C—C個(gè)數(shù)之比為2∶3,4.(2024·吳忠模擬)有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說法中錯(cuò)誤的是()A.在NaCl晶體中,距Na+最近的Cl-有4個(gè)B.在CaF2晶體中,每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Ca2+C.在金剛石晶體中,碳原子與碳碳鍵個(gè)數(shù)的比為1∶2D.該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為E4F4或F4E4解析:A氯化鈉晶體中,距Na+最近的Cl-有6個(gè),A錯(cuò)誤;氟化鈣晶體中,Ca2+占據(jù)8個(gè)頂角、6個(gè)面心,其晶胞中含Ca2+的個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4,B正確;金剛石晶體中,每個(gè)碳原子與4個(gè)碳原子相連,而碳碳鍵為2個(gè)碳原子共用,碳原子與C—C的個(gè)數(shù)比為1∶2,C正確;由于是氣態(tài)團(tuán)簇分子,則圖中所示為一個(gè)分子的結(jié)構(gòu),由題圖知,其分子式為E4F4或F4E4,考點(diǎn)三晶體熔、沸點(diǎn)高低的判斷1.不同類型晶體熔、沸點(diǎn)高低的判斷(1)不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律:共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。(2)金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大,如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高,汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。2.同種類型晶體熔、沸點(diǎn)高低的判斷(1)共價(jià)晶體如熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>硅(填“>”“<”或“=”,下同)。(2)離子晶體①一般地說,陰、陽離子所帶的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子間的作用力就越強(qiáng),對(duì)應(yīng)離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高,如熔點(diǎn):MgO>MgCl2>NaCl>CsCl。②衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,熔點(diǎn)越高,硬度越大。(3)分子晶體①分子間作用力越大,物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高;具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常地高,如熔、沸點(diǎn):H2O>H2Te>H2Se>H2S。②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,如熔、沸點(diǎn):CH4<SiH4<GeH4。③組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔、沸點(diǎn)越高,如熔、沸點(diǎn):CO>N2,CH3CH3<CH3OH。④狀態(tài)不同的分子晶體的熔、沸點(diǎn):固體>液體>氣體,如S>Br2>O2。(4)金屬晶體金屬離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,其金屬鍵越強(qiáng),金屬熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):Na<Mg<Al。一晶體熔、沸點(diǎn)高低的判斷1.下列各組物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由低到高排列的是()A.O2、I2、Hg B.CO2、KCl、SiO2C.Al、Mg、Na D.NaCl、KCl、RbCl解析:BA項(xiàng),熔點(diǎn):固體>液體>氣體,故熔點(diǎn):I2>Hg>O2;B項(xiàng),熔點(diǎn):共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體,故熔點(diǎn):SiO2>KCl>CO2;C項(xiàng),金屬鍵強(qiáng)度:Al>Mg>Na,故熔點(diǎn):Al>Mg>Na;D項(xiàng),離子鍵強(qiáng)度:NaCl>KCl>RbCl,故熔點(diǎn):NaCl>KCl>RbCl。2.下列各物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由高到低的順序排列正確的是()A.Rb>K>Na>Li B.KCl>NaCl>MgCl2>MgOC.金剛石>SiO2>CsCl>鈉 D.H2O>CH4>硫黃>H2解析:C堿金屬隨原子序數(shù)增加,熔點(diǎn)降低,所以熔點(diǎn):Rb<K<Na<Li,A錯(cuò)誤;離子晶體中,離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,離子間作用力越強(qiáng),晶體熔點(diǎn)越高,因?yàn)榘霃剑篘a+<K+,熔點(diǎn):NaCl>KCl,O2-所帶電荷數(shù)多于Cl-且半徑小于Cl-,所以熔點(diǎn):MgO>MgCl2,B錯(cuò)誤;金剛石和SiO2為共價(jià)晶體,CsCl為離子晶體,鈉為金屬晶體,且金剛石熔點(diǎn)高于二氧化硅,所以熔點(diǎn):金剛石>SiO2>CsCl>鈉,C正確;硫黃為固體,熔點(diǎn)最高,H2O分子中含有氫鍵,熔點(diǎn)較高,CH4相對(duì)分子質(zhì)量大于H2,所以熔點(diǎn):硫黃>H2O>CH4>H2,D錯(cuò)誤。二晶體熔、沸點(diǎn)高低的原因解釋3.(不同類型晶體)(1)金剛石的熔點(diǎn)比NaCl高,原因是金剛石是共價(jià)晶體,而NaCl是離子晶體。(2)SiO2的熔點(diǎn)比CO2高,原因是SiO2是共價(jià)晶體,而CO2是分子晶體?!敬痤}模板】×××為×××晶體,而×××為×××晶體。4.(分子晶體)(1)NH3的沸點(diǎn)比PH3高,原因是同為分子晶體,NH3分子間存在氫鍵,而PH3分子間僅存在較弱的范德華力。(2)CO2比CS2的熔、沸點(diǎn)低,原因是同為分子晶體,CS2的相對(duì)分子質(zhì)量大,范德華力強(qiáng),熔、沸點(diǎn)高。(3)的沸點(diǎn)比高,原因是形成分子內(nèi)氫鍵,而形成分子間氫鍵,分子間氫鍵會(huì)使沸點(diǎn)升高?!敬痤}模板】①同為分子晶體,×××存在氫鍵,而×××僅存在較弱的范德華力。②同為分子晶體,×××的相對(duì)分子質(zhì)量大,范德華力強(qiáng),熔、沸點(diǎn)高。③同為分子晶體,×××形成分子間氫鍵,而×××形成的則是分子內(nèi)氫鍵,分子間氫鍵會(huì)使熔、沸點(diǎn)升高。5.(共價(jià)晶體)Si單質(zhì)比化合物SiC的熔點(diǎn)低,理由是晶體硅與SiC均屬于共價(jià)晶體,晶體硅中的Si—Si比SiC中Si—C的鍵長長,鍵能低,所以熔點(diǎn)低?!敬痤}模板】同為共價(jià)晶體,×××晶體的鍵長短,鍵能大,熔、沸點(diǎn)高。6.(離子晶體)FeO的熔點(diǎn)小于Fe2O3的熔點(diǎn),原因是二者均為離子晶體,F(xiàn)e2+半徑比Fe3+大,所帶電荷數(shù)也小于Fe3+,F(xiàn)eO的離子鍵鍵能比Fe2O3弱(或?。??!敬痤}模板】陰離子(或陽離子)電荷數(shù)不相等,陰離子(或陽離子)半徑不相同:同為離子晶體,Rn-(或Mn+)半徑小于Xm-(或Nm+),Rn-(或Mn+)電荷數(shù)大于Xm-(或Nm+),故×××晶體離子鍵鍵能大,熔、沸點(diǎn)高。1.判斷正誤(正確的打“√”,錯(cuò)誤的打“×”)(1)(2024·安徽高考)鑒別水晶和玻璃:X射線衍射實(shí)驗(yàn)。(√)(2)(2024·浙江6月選考)共價(jià)晶體熔點(diǎn):C>Si。(√)(3)(2024·湖南高考)由R4N+與PF6-組成的離子液體常溫下呈液態(tài),與其離子的體積較大有關(guān)。(√(4)(2024·吉林高考)SiO2的晶體類型:分子晶體。(×)(5)(2024·河北高考)CsCl晶體中Cs+與8個(gè)Cl-配位,而NaCl晶體中Na+與6個(gè)Cl-配位:原因是Cs+比Na+的半徑大。(√)(6)(2024·安徽高考)熔點(diǎn):NH2OH>[NH3OH]Cl。(×)(7)(2024·湖北高考)冰的密度小于干冰的原因是冰晶體中水分子的空間利用率相對(duì)較低。(√)2.(2022·天津高考3題)下列物質(zhì)沸點(diǎn)的比較,正確的是()A.CH4>C2H6 B.HF>HClC.H2S>H2Se D.>CH3CH2CH2CH3解析:B甲烷和乙烷組成結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,沸點(diǎn)越高,因此沸點(diǎn):CH4<C2H6,A錯(cuò)誤;HF存在分子間氫鍵,因此沸點(diǎn):HF>HCl,B正確;H2S、H2Se組成結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,沸點(diǎn)越高,因此沸點(diǎn):H2S<H2Se,C錯(cuò)誤;相同碳原子數(shù)的烷烴,支鏈越多,沸點(diǎn)越低,因此沸點(diǎn):<CH3CH2CH2CH3,D錯(cuò)誤。3.按要求回答下列問題:(1)(2023·山東高考)常溫常壓下,HOF為無色氣體,固態(tài)HOF的晶體類型為分子晶體。(2)(2024·新課標(biāo)卷)Ni(CO)4結(jié)構(gòu)如圖所示,其沸點(diǎn)為43℃,Ni(CO)4晶體的類型為分子晶體。(3)(2023·湖北高考)熔點(diǎn):AlF3(1040℃)遠(yuǎn)高于AlCl3(178℃升華)的原因是AlF3為離子晶體、AlCl3為分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體。(4)(2023·廣東高考)(NH4)2CO3會(huì)使濾泥中的一種膠狀物質(zhì)轉(zhuǎn)化為疏松分布的棒狀顆粒物。濾渣的X射線衍射圖譜中,出現(xiàn)了NH4Al(OH)2CO3的明銳衍射峰,NH4Al(OH)2CO3屬于晶體(填“晶體”或“非晶體”)。(5)(2023·浙江6月選考)比較化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù):Ca3N2>Mg3N2(填“>”“<”或“=”)。(6)(2024·全國甲卷)早在青銅器時(shí)代,人類就認(rèn)識(shí)了錫。錫的鹵化物熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如表,結(jié)合變化規(guī)律說明原因:SnF4為離子晶體,其熔點(diǎn)高于其他三種物質(zhì),SnCl4、SnBr4、SnI4均為分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。物質(zhì)SnF4SnCl4SnBr4SnI4熔點(diǎn)/℃442-3429143解析:(1)常溫常壓下,HOF為無色氣體,說明其沸點(diǎn)低,是分子晶體。(2)Ni(CO)4的沸點(diǎn)低,屬于分子晶體。(3)AlF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體的熔點(diǎn)。(4)X射線衍射圖譜中,出現(xiàn)了NH4Al(OH)2CO3的明銳衍射峰,則NH4Al(OH)2CO3屬于晶體。(5)鈣的金屬性比Mg的金屬性強(qiáng),則化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù):Ca3N2>Mg3N2。(6)根據(jù)表中數(shù)據(jù)可知,SnF4的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于其余三種物質(zhì),故SnF4屬于離子晶體,SnCl4、SnBr4、SnI4屬于分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的高,SnCl4、SnBr4、SnI4三種物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量依次增大,范德華力依次增強(qiáng),熔點(diǎn)升高,故原因?yàn)镾nF4屬于離子晶體,SnCl4、SnBr4、SnI4屬于分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的高,分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。4.(1)(2023·天津高考)如圖是銅的一種氯化物晶胞,則這種物質(zhì)的化學(xué)式為CuCl。(2)(2024·浙江6月選考)某化合物的晶胞如圖,Cl-的配位數(shù)(緊鄰的陽離子數(shù))為12;寫出該化合物的化學(xué)式K3ClO。解析:(1)由晶胞結(jié)構(gòu)可知:Cu原子都在晶胞內(nèi)(4個(gè)),Cl原子在頂角和面心上,故N(Cu)∶N(Cl)=4∶8×18+6×12=1∶1,因此該物質(zhì)的化學(xué)式為CuCl。(2)由晶胞結(jié)構(gòu)知,Cl位于8個(gè)頂角,O位于體心,K位于面心,1個(gè)晶胞中含Cl:8×18=1個(gè)、含O:1個(gè)、含K:6×12=3個(gè),該化合物的化學(xué)式為K3ClO;一、選擇題(本題包括12小題,每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意)1.下列有關(guān)晶體的說法正確的是()A.任何晶體中,若含有陽離子就一定有陰離子 B.離子晶體中只含有離子鍵C.分子晶體的熔、沸點(diǎn)較高 D.共價(jià)晶體中只含有共價(jià)鍵解析:D金屬晶體中只有陽離子沒有陰離子,所以晶體中有陽離子不一定有陰離子,A錯(cuò)誤;離子晶體中含有離子鍵,也可能有共價(jià)鍵,如氫氧化鈉既有離子鍵又有共價(jià)鍵,B錯(cuò)誤;分子間作用力較弱,分子晶體的熔、沸點(diǎn)較低,C錯(cuò)誤;共價(jià)晶體中只含有共價(jià)鍵,D正確。2.下列晶體分類中正確的一組是()選項(xiàng)離子晶體共價(jià)晶體分子晶體ANaOHArSO2BH2SO4石墨SCCH3COONa水晶DBa(OH)2金剛石玻璃解析:CA項(xiàng)中固態(tài)Ar為分子晶體;B項(xiàng)中H2SO4為分子晶體、石墨是混合型晶體;D項(xiàng)中玻璃是非晶體。3.下列說法中,正確的是()A.冰融化時(shí),分子中H—O發(fā)生斷裂B.共價(jià)晶體中共價(jià)鍵的鍵長越短,鍵能越大,熔點(diǎn)越高C.分子晶體中,共價(jià)鍵鍵能越大,該分子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高D.分子晶體中,分子間作用力越大,則分子越穩(wěn)定解析:B冰融化克服氫鍵,屬于物理變化,H—O沒有斷裂,A錯(cuò)誤;影響共價(jià)晶體熔點(diǎn)高低的因素是鍵能的大小,共價(jià)鍵的鍵長越短,鍵能越大,熔點(diǎn)越高,B正確;影響分子晶體熔、沸點(diǎn)高低的因素是分子間相互作用的大小,與共價(jià)鍵的鍵能無關(guān),C錯(cuò)誤;分子的穩(wěn)定性與分子間作用力無關(guān),分子穩(wěn)定性屬于化學(xué)性質(zhì),分子間作用力影響物理性質(zhì),D錯(cuò)誤。4.(2024·樂山模擬)下列關(guān)于晶體性質(zhì)描述正確的是()A.SiO2、NaCl、干冰的熔、沸點(diǎn)依次降低B.自然界中的玻璃、炭黑、蠟狀的白磷(P4)等屬于非晶體C.CO2、H2O、C60等分子晶體中,一個(gè)分子周圍有12個(gè)緊鄰的分子,該特征稱為分子密堆積D.冰晶體具有空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),屬于共價(jià)晶體解析:ASiO2、NaCl、干冰分別為共價(jià)晶體、離子晶體、分子晶體,其熔、沸點(diǎn)依次降低,A正確;白磷(P4)屬于分子晶體,B錯(cuò)誤;分子晶體的結(jié)構(gòu)特征不都是分子密堆積,如冰中存在氫鍵,氫鍵有方向性,冰不是分子密堆積,C錯(cuò)誤;冰晶體是分子晶體,D錯(cuò)誤。5.下列各組物質(zhì)中,化學(xué)鍵類型相同,晶體類型也相同的是()A.金剛石和二氧化碳 B.NaBr和HBrC.氯氣和KCl D.甲烷和H2O解析:D金剛石是共價(jià)鍵結(jié)合成的共價(jià)晶體,二氧化碳是含有共價(jià)鍵的分子晶體,A錯(cuò)誤;溴化鈉是離子晶體,含有離子鍵,溴化氫是分子晶體,含有共價(jià)鍵,B錯(cuò)誤;氯氣是分子晶體,含有共價(jià)鍵,氯化鉀是離子晶體,含有離子鍵,C錯(cuò)誤;CH4和H2O都是分子晶體,都只含共價(jià)鍵,D正確。6.根據(jù)下表中給出的有關(guān)數(shù)據(jù),判斷下列說法錯(cuò)誤的是()AlCl3SiCl4晶體硼金剛石晶體硅熔點(diǎn)/℃190-682300>35501415沸點(diǎn)/℃17857255048272355A.SiCl4是分子晶體B.晶體硼是共價(jià)晶體C.AlCl3是分子晶體,加熱能升華D.金剛石中的C—C比晶體硅中的Si—Si弱解析:DSiCl4、AlCl3的熔、沸點(diǎn)較低,都是分子晶體,AlCl3的沸點(diǎn)低于其熔點(diǎn),即在低于熔化的溫度下就能汽化,故AlCl3加熱能升華,A、C正確;晶體硼的熔、沸點(diǎn)較高,晶體硼是共價(jià)晶體,B正確;由金剛石與晶體硅的熔、沸點(diǎn)相對(duì)高低可知,金剛石中的C—C比晶體硅中的Si—Si強(qiáng),D錯(cuò)誤。7.(2024·葫蘆島模擬)下列有關(guān)說法中正確的是()A.干冰晶體升華時(shí),分子內(nèi)共價(jià)鍵會(huì)發(fā)生斷裂B.等離子體是一種特殊的氣體,是由陰離子、陽離子和電中性粒子組成C.熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)榻饎偸炯冭F>生鐵>氮?dú)釪.H2O分子比H2S分子穩(wěn)定,因?yàn)镠2O分子間存在氫鍵解析:C干冰升華時(shí)克服分子間作用力,屬于物理性質(zhì),共價(jià)鍵沒有斷裂,A錯(cuò)誤;由電子、陽離子和電中性粒子組成的整體上呈電中性的物質(zhì)聚集體稱為等離子體,是一種特殊的氣體,B錯(cuò)誤;金剛石為共價(jià)晶體,純鐵為金屬晶體,固態(tài)氮?dú)鉃榉肿泳w,生鐵為合金,且熔、沸點(diǎn)低于純鐵,因此熔、沸點(diǎn)高低順序?yàn)榻饎偸炯冭F>生鐵>氮?dú)猓珻正確;H2O分子比H2S分子穩(wěn)定的原因是氧氫鍵鍵能大于硫氫鍵,與氫鍵無關(guān),D錯(cuò)誤。8.(2024·撫州模擬)如表是某些共價(jià)晶體的熔點(diǎn)和硬度。共價(jià)晶體金剛石氮化硼碳化硅石英晶體硅晶體鍺熔點(diǎn)/℃大于350030002830171014121211硬度109.59776.0分析表中的數(shù)據(jù),下列敘述正確的是()A.構(gòu)成共價(jià)晶體的原子種類越多,晶體的熔點(diǎn)越高B.構(gòu)成共價(jià)晶體的原子間的共價(jià)鍵鍵能越大,晶體的熔點(diǎn)越低C.構(gòu)成共價(jià)晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,晶體的硬度越大D.構(gòu)成共價(jià)晶體的原子的半徑越小,晶體的硬度越大解析:D共價(jià)晶體的熔點(diǎn)和硬度與構(gòu)成共價(jià)晶體的原子間的共價(jià)鍵鍵能有關(guān),而原子間的共價(jià)鍵鍵能與原子半徑的大小有關(guān),即原子半徑越小,鍵能越大,熔點(diǎn)越高,硬度越大。9.X是核外電子數(shù)最少的元素,Y是地殼中含量最豐富的元素,Z在地殼中的含量僅次于Y,W可以形成自然界中硬度最大的共價(jià)晶體。下列敘述錯(cuò)誤的是()A.X2Y晶體的熔點(diǎn)高于WX4晶體的熔點(diǎn)B.固態(tài)X2Y2是分子晶體C.ZW是共價(jià)晶體,其硬度比Z晶體的大D.Z、W是同一主族的元素,Z、W與元素Y形成的晶體都是共價(jià)晶體解析:DX為H元素,Y為O元素,Z為Si元素,W為C元素。X2Y晶體是冰,分子間存在氫鍵,熔點(diǎn)高于CH4,A正確;固態(tài)X2Y2是H2O2,屬于分子晶體,B正確;SiC、晶體硅均為共價(jià)晶體,碳的原子半徑小于硅,SiC的硬度比晶體硅的大,C正確;CO2、CO均是分子晶體,D錯(cuò)誤。10.(2024·長春模擬)PCl5晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。下列說法正確的是()A.該晶體為分子晶體B.晶胞體心上微粒為PCl4C.晶胞頂點(diǎn)上微粒的空間結(jié)構(gòu)為正八面體D.存在的化學(xué)鍵類型僅有極性共價(jià)鍵解析:CPCl5晶體中存在PCl4+和PCl6-,屬于離子晶體,A錯(cuò)誤;晶胞體心上微粒為PCl4+,B11.(2025·云南調(diào)研測(cè)試)鈣鈦礦在高溫超導(dǎo)及電子傳感領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。一種鈣鈦礦的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖,下列說法錯(cuò)誤的是()A.該物質(zhì)的化學(xué)式為CaTiO3B.Ti元素位于元素周期表的d區(qū)C.每個(gè)Ti4+周圍與其最近且距離相等的Ti4+有12個(gè)D.該鈣鈦礦晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中,Ca2+處于各頂角位置,則Ti4+處于體心位置,O2-處于面心位置解析:C由晶胞結(jié)構(gòu)及均攤法可知,Ca2+位于體心,個(gè)數(shù)為1,Ti4+位于頂角,個(gè)數(shù)為8×18=1,O2-位于棱心,個(gè)數(shù)為12×14=3,故該物質(zhì)的化學(xué)式為CaTiO3,A正確;Ti為22號(hào)元素,位于元素周期表的d區(qū),B正確;Ti4+位于頂角,每個(gè)Ti4+周圍與其最近且距離相等的Ti4+有6個(gè),C錯(cuò)誤;結(jié)合晶胞的結(jié)構(gòu)分析可知,12.如圖是NaCl晶體的一個(gè)晶胞結(jié)構(gòu)模型。KO2的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相似,可以看作是Na+的位置用K+代替,Cl-位置用O2-代替,則關(guān)于KO2晶體結(jié)構(gòu)的描述不正確的是(A.與K+距離相等且最近的O2-共有B.與K+距離相等且最近的O2C.與K+距離相等且最近的K+有8個(gè)D.一個(gè)KO2晶胞中攤得的K+和O2-數(shù)目均為解析:CK+位于晶胞棱心和體心,與K+距離相等且最近的O2-位于頂角和面心,共有6個(gè),A正確;與K+距離相等且最近的O2-共有6個(gè),構(gòu)成正八面體,K+位于正八面體中心,B正確;與K+距離相等且最近的K+有12個(gè),C錯(cuò)誤;K+位于晶胞棱心和體心,數(shù)目為12×14+1=4,O2-位于頂角和面心,數(shù)目為8×18+6×12=4,即一個(gè)KO2晶胞中攤得的K二、非選擇題(本題包括2小題)13.(2024·濰坊期末)按要求完成下列題目。(1)CdSnAs2是一種高遷移率的新型熱電材料,回答下列問題:①Sn為ⅣA族元素,單質(zhì)Sn與干燥Cl2反應(yīng)生成SnCl4。常溫常壓下SnCl4為無色液體,SnCl4的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形,其固體的晶體類型為分子晶體。②NH3、PH3、AsH3的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹H3>AsH3>PH3(填化學(xué)式)。

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