ICS31.080L40/49 T/CASA011.1—Testqualificationforpowerdevicesinautomotive 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián) 發(fā)布T/CASAT/CASA011.1— 前 范 A組檢 B組檢 C組檢 D組檢 附錄 附錄 T/CASAT/CASA011.1— 本文件按照GB/T1.1—20201部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定CASAS所有，未經(jīng)CASAS許可不得隨意復(fù)制；其他機(jī)構(gòu)采用本文件的技術(shù)內(nèi)容制定標(biāo)準(zhǔn)需經(jīng)CASAST/CASAT/CASA011.1—GB/T 半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法31部分：塑封器件的易燃性（內(nèi)部的GJB GJB AECQ101 （Failuremechanismbasedstresstestqualificationfordiscretesemiconductorsinautomotiveapplications） 無鉛測試要求（Pb-freetestJEDECJESD 封裝器件可靠性試驗(yàn)方法（ReliabilitytestmethodsforpackagedIEC60747-2 半導(dǎo)體器件第2部分：分立器件整流二極管（SemiconductordevicesPart2:Discretedevices–Rectifierdiodes）IEC60747-8 半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管（SemiconductordevicesDiscretedevices–Part8:Field-effecttransistors）IEC60747-9 半導(dǎo)體器件第9（SemiconductordevicesPart9:Discretedevices–Insulated-gatebipolartransistors(IGBTs)）MILSTD19500 半導(dǎo)體器件總規(guī)范（Semiconductordevices,generalspecificationfor）MILSTD750 半導(dǎo)體器件試驗(yàn)方法（Testmethodsforsemiconductordevices）鑒定檢驗(yàn)identification質(zhì)量一致性檢驗(yàn)qualityconsistencyT/CASAT/CASA011.1—結(jié)構(gòu)相似器件structurallysimilar檢驗(yàn)批inspection1HighTemperatureReverseSteadyStateHighTemperatureGateTemperatureHighlyAcceleratedStressHighHumidityHighTemperatureIntermittentOperationalElectro-StaticDestructivePhysical2T/CASAT/CASA011.1—鑒定檢驗(yàn)批由具備相同技術(shù)狀態(tài)的三個連續(xù)生產(chǎn)批器件構(gòu)成，質(zhì)量一致性檢驗(yàn)批由通過鑒定檢驗(yàn)包含附錄A規(guī)定的項(xiàng)目；5倍；T/CASAT/CASA011.1—2A組檢驗(yàn)，A組檢驗(yàn)由A7分組檢驗(yàn)樣品需從通過A1~A5檢驗(yàn)的樣品中抽取。2A試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)A1分組—A225二極管：IEC60747-2IGBT：IEC60747-9A要A3A4A525二極管：IEC60747-2IGBT：IEC60747-9B要T/CASAT/CASA011.1—2A（續(xù)試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)A6分組方法A2A7分組章節(jié)A23B試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)B1分組循環(huán)次數(shù)≥1000每小時循環(huán)：1~2次Si基：-SiC基：-77×3批A2B2TA=Si基：△TJ≥100℃SiC基：△TJ125℃77×3批迫）A2T/CASAT/CASA011.1—3B（續(xù)試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)B3Si基：TJGJBSiC基：TJ77×3批A2B4僅適用于MOSFET和IGBTSi基：TA=150℃SiCVGS=20V/77×3批A2B5僅適用于MOSFET和IGBTSi基：TA=150℃SiCVGS=-20V/VGE=-77×3批A2B6GJBSiSiC77×3批A2B796h，TA=130℃/85%RH反向偏壓=80%77×3批反向偏壓=80%A2T/CASAT/CASA011.1—4C試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)C1分組C2分組50倍，對直插器件A測試方法，對表BD15引線/電6引線/驗(yàn)證標(biāo)識永久性(不適用C3分組GJB156引線C4A2C5循環(huán)次數(shù)≥1000每小時循環(huán)：1~2Si基：-SiC基：-T/CASAT/CASA011.1—4C（續(xù)試驗(yàn)條件/抽樣樣品數(shù)（接收判定數(shù)C6分組C7X1、Y1和Z15采用恒定位移倍振幅)20~100Hz50gY1方向，15kgA25D（僅供鑒定 試驗(yàn)條件/D1從通過H3TRB、HAST&TC試驗(yàn)的樣品中隨機(jī)D2靜電放電A2D3分組—T/CASAT/CASA011.1—5D（僅供鑒定）（續(xù) 試驗(yàn)條件/D4分組GB/TT/CASAT/