ICS29.045H82ZZB200mmheavilyphosphorus-dopedsinglecrystallineCzochralskisilicon浙江省品牌建設(shè)聯(lián)合會發(fā)布IT/ZZB0648—2018前言 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14產(chǎn)品分類 15基本要求 26技術(shù)要求 27試驗(yàn)方法 48檢驗(yàn)規(guī)則 4 10訂貨單（或合同）內(nèi)容 7 7T/ZZB0648—2017本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任。本標(biāo)準(zhǔn)由浙江省浙江制造品牌建設(shè)促進(jìn)會提出并歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由浙江省標(biāo)準(zhǔn)化研究院牽頭組織制定。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位：浙江金瑞泓科技股份有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)參與起草單位：金瑞泓科技（衢州）有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：許峰、朱華英、陳平人、田達(dá)晰、梁興勃、劉紅方、李方虎、李艷玲。本標(biāo)準(zhǔn)由浙江省標(biāo)準(zhǔn)化研究院負(fù)責(zé)解釋。T/ZZB0648—20171200mm重?fù)搅字崩鑶尉伖馄緲?biāo)準(zhǔn)規(guī)定了200mm重?fù)搅字崩鑶尉伖馄男g(shù)語和定義、產(chǎn)品分類、基本要求、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存、訂貨單（或合同）內(nèi)容和質(zhì)量承諾。本標(biāo)準(zhǔn)適用于以電子級多晶硅為主要原材料，采用直拉法制備的直徑為200mm的硅單晶拋光片。產(chǎn)品主要用于集成電路、分立器件用外延片的襯底。2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T4058硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法GB/T6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法GB/T6619硅片彎曲度測試方法GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12962硅單晶GB/T12963—2014電子級多晶硅GB/T12965硅單晶切割片和研磨片GB/T14140硅片直徑測量方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T19921硅拋光片表面顆粒測試方法GB/T24578硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法GB/T29507硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法GB/T32279硅片訂貨單格式輸入規(guī)范GB/T32280硅片翹曲度測試自動非接觸掃描法YS/T28硅片包裝3術(shù)語和定義GB/T14264界定的術(shù)語及定義適用于本文件。4產(chǎn)品分類T/ZZB0648—20172本產(chǎn)品為N型直拉硅單晶拋光片，按照晶向分為常用的<100>、<111>兩種規(guī)格。5基本要求5.1應(yīng)滿足客戶關(guān)注的要求，包括表面顆粒、硅片平整度、表面金屬雜質(zhì)等；篩選并確定關(guān)鍵制造過程工藝配方，包括直拉單晶硅工藝技術(shù)、CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）工藝技術(shù)、化學(xué)清洗工藝技術(shù)等。5.2原材料多晶硅應(yīng)滿足GB/T12963—2014第4.2條中電子2級要求，具體指標(biāo)見表1。表1多晶硅主要性能要求<1.0×10Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na總金屬雜質(zhì)含5.3應(yīng)采用DCS、PLC等自動化控制系統(tǒng)，以及密閉化、高效節(jié)能的生產(chǎn)設(shè)備和裝置，最終檢驗(yàn)生產(chǎn)車間為潔凈車間，達(dá)到0.1μm顆粒十級以上標(biāo)準(zhǔn)。5.4應(yīng)具備第6章技術(shù)要求中規(guī)定所有出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目的檢測能力。6技術(shù)要求6.1物理性能參數(shù)6.1.1硅拋光片的導(dǎo)電類型、摻雜元素、電阻率及其徑向變化應(yīng)符合表2的規(guī)定，其他氧含量、碳含量的參數(shù)應(yīng)符合GB/T12962的規(guī)定。表2硅拋光片物理性能參數(shù)NP6.1.2硅拋光片的直徑、晶向、參考面晶向、主參考面和副參考面的位置、切口尺寸均應(yīng)符合GB/T129656.2幾何參數(shù)硅拋光片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表3的規(guī)定，表3未包含參數(shù)或?qū)Ρ?中參數(shù)有其他要求時(shí)，由供需雙方協(xié)商確定。T/ZZB0648—20173表3硅拋光片幾何參數(shù)6.3氧化誘生缺陷氧化誘生缺陷不大于50個(gè)/cm2。6.4表面質(zhì)量硅拋光片表面質(zhì)量應(yīng)符合表4的規(guī)定，其中對顆粒的要求可由供需雙方協(xié)商確定。表4拋光片表面質(zhì)量目檢要求1無2無3霧無45無6無7無8無9無無無無無無無無T/ZZB0648—201746.5邊緣輪廓硅拋光片的邊緣輪廓形狀、尺寸應(yīng)滿足GB/T12965的要求，且硅拋光片邊緣輪廓的任何部位不允許有銳利點(diǎn)或凸起物。6.6表面金屬表面金屬（Cr、Fe、Ni、Cu）每種元素應(yīng)不大于1×1010atoms/cm2，表面金屬（Na、K、Ca、Al、Zn）每種元素應(yīng)不大于5×1010atoms/cm2。6.7其他硅拋光片的激光刻號、邊緣拋光等其他要求，由供需雙方協(xié)商確定。7試驗(yàn)方法7.1導(dǎo)電類型測量按照GB/T1550進(jìn)行。7.2電阻率測量按照GB/T6616進(jìn)行。7.3硅片徑向電阻率變化按照GB/T11073進(jìn)行。7.4硅單晶直徑及允許偏差的測量按照GB/T14140進(jìn)行。7.5硅單晶晶向及晶向偏離度的測量按照GB/T1555進(jìn)行。7.6厚度和總厚度變化的測量按照GB/T29507進(jìn)行。7.7彎曲度測量按照GB/T6619進(jìn)行。7.8翹曲度測量按照GB/T32280進(jìn)行。7.9硅拋光片的平整度和局部平整度測量按照GB/T29507進(jìn)行。7.10拋光片氧化誘生缺陷按照GB/T4058進(jìn)行。7.11表面質(zhì)量檢驗(yàn)按照GB/T6624進(jìn)行。7.12局部光散射體（微小顆粒沾污）按照GB/T19921進(jìn)行。7.13表面金屬沾污的測量按照GB/T24578進(jìn)行，或按照供需雙方協(xié)商的方法進(jìn)行。8檢驗(yàn)規(guī)則8.1檢驗(yàn)分類檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)。8.2出廠檢驗(yàn)8.2.1組批產(chǎn)品以成批的形式提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由同一批號、相同規(guī)格的硅拋光片組成，每批硅拋光片應(yīng)不少T/ZZB0648—201758.2.2檢驗(yàn)項(xiàng)目8.2.2.1每批產(chǎn)品應(yīng)對電阻率、厚度、總厚度變化、彎曲度、翹曲度、總平整度、表面質(zhì)量（除局部光散射體外）進(jìn)行檢驗(yàn)。8.2.2.2導(dǎo)電類型、徑向電阻率變化、局部平整度、氧化誘生缺陷、表面金屬、邊緣輪廓、局部光散射體（顆粒）是否檢驗(yàn)由供需雙方協(xié)商確定。8.2.3取樣8.2.3.1非破壞性檢驗(yàn)項(xiàng)目的檢驗(yàn)取樣按GB/T2828.1—2012一般檢查水平Ⅱ、正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行，或由供需雙方協(xié)商確定抽樣方案。8.2.3.2破壞性檢驗(yàn)項(xiàng)目的檢驗(yàn)取樣按GB/T2828.1—2012特殊檢查水平S-2、正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行，或由供需雙方協(xié)商確定抽樣方案。8.2.4檢驗(yàn)結(jié)果的判定8.2.4.1導(dǎo)電類型檢驗(yàn)若有一片不合格，則該批產(chǎn)品為不合格，其他檢驗(yàn)項(xiàng)目的接收質(zhì)量限（AQL）見表5。表5接收質(zhì)量限1234567898.2.4.2氧化誘生缺陷、表面金屬、邊緣輪廓、局部光散射體（顆粒）、霧、背表面處理的檢驗(yàn)結(jié)果判定由供需雙方協(xié)商確定。8.2.4.3抽檢不合格的產(chǎn)品，供方可對不合格項(xiàng)進(jìn)行全數(shù)檢驗(yàn)，除去不合格品后，合格品可以重新組批。8.3型式檢驗(yàn)8.3.1條件有下列情況之一時(shí)，必須進(jìn)行型式檢驗(yàn)：T/ZZB0648—20176a)新產(chǎn)品或老產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)試制的定型鑒定；b)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、工藝、原材料有重大改變并可能影響到產(chǎn)品性能時(shí)；c)產(chǎn)品停產(chǎn)半年以上，重新恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)；d)出廠檢驗(yàn)結(jié)果和最近一次型式檢驗(yàn)結(jié)果有較大差異時(shí)；e)質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)提出型式檢驗(yàn)要求時(shí)。8.3.2項(xiàng)目型式檢驗(yàn)的項(xiàng)目為本標(biāo)準(zhǔn)第6章的全部要求。8.3.3抽樣規(guī)則型式檢驗(yàn)的樣本：a)針對電阻率范圍、徑向電阻率變化、厚度、總厚度變化、彎曲度、翹曲度、總平整度、目檢表面質(zhì)量、局部平整度、局部光散射體（顆粒）等項(xiàng)目，應(yīng)從出廠檢驗(yàn)合格的產(chǎn)品中抽取，每次隨機(jī)抽取樣品總量的5‰，單次抽樣不小于25片；b)針對直徑、晶向及晶向偏離度、參考面位置和晶向、切口尺寸、邊緣輪廓、導(dǎo)電類型、氧化誘生缺陷、表面金屬含量等項(xiàng)目，應(yīng)從出廠檢驗(yàn)合格的產(chǎn)品中每次隨機(jī)抽取，1片/加工批次。9包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存9.1包裝硅拋光片的包裝按YS/T28的相關(guān)內(nèi)容執(zhí)行或由供需雙方協(xié)商，每批產(chǎn)品應(yīng)有質(zhì)量證明書，內(nèi)容可a)供方名稱；b)產(chǎn)品名稱；d)產(chǎn)品批號；e)產(chǎn)品片數(shù)（盒數(shù)）；f)各項(xiàng)參數(shù)檢驗(yàn)結(jié)果和檢驗(yàn)部門的印記；9.2標(biāo)志硅拋光片的包裝箱內(nèi)應(yīng)有裝箱單，外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等標(biāo)識，并標(biāo)明：a)供方名稱；b)產(chǎn)品名稱；d)產(chǎn)品件數(shù)或數(shù)量。9.3運(yùn)輸和貯存產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，勿壓勿擠，并采取防震、防潮措施，產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。T/ZZB0648—2017710訂貨單（或合同）內(nèi)容本文件所列產(chǎn)