(19)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(12)發(fā)明專利(10)授權(quán)公告號(hào)CN117153946B(65)同一申請(qǐng)的已公布的文獻(xiàn)號(hào)(73)專利權(quán)人天合光能股份有限公司地址213031江蘇省常州市新北區(qū)天合光伏產(chǎn)業(yè)園天合路2號(hào)(72)發(fā)明人張雅倩劉成法陳紅簡(jiǎn)磊(74)專利代理機(jī)構(gòu)華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司44224專利代理師侯武嬌審查員曹如水硅片除雜方法、硅片及其制備方法和應(yīng)用對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備表面含機(jī)械損傷層，反射率為對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備表面含機(jī)械損傷層，反射率為11%～35%的硅片中間體在所述硅片中間體上制備非晶硅層，且在所述非晶硅層中摻雜磷在所述非晶硅層上制備氧化層，制備第一中間體對(duì)所述第一中間體進(jìn)行退火處理，制備第二中間體對(duì)所述第二中間體進(jìn)行第二制絨處理本發(fā)明涉及一種硅片除雜方法、硅片及其制對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備反射率為11%~35%的硅片中間體；在所述反射率為11%～35%的硅片中間體上制備非晶硅層，且在所述非晶硅層中摻雜磷；在所述非晶硅層上制備氧化層，制備第一中間體；對(duì)所述第一中間體進(jìn)行退火處理，制備第二中間體；對(duì)所述第二中間體進(jìn)行第二制絨處理。該方法具有吸雜效率高、條件溫和、操作簡(jiǎn)單、低成本的優(yōu)點(diǎn)，將除雜后的硅片用于2對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備表面含機(jī)械損傷層，反射率為11%～35%的硅片中間在所述硅片中間體上制備非晶硅層，且在所述非晶硅層中摻雜磷；在所述非晶硅層上制備氧化層，制備第一中間體；對(duì)所述第一中間體進(jìn)行退火處理，制備第二中間體；對(duì)所述第二中間體進(jìn)行第二制絨處理；其中，對(duì)所述第二中間體進(jìn)行第二制絨處理包括如下步驟：將所述第二中間體與酸液混合，制備第三中間體；將所述第三中間體與第二堿液混合，進(jìn)行所述第二制絨處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片除雜方法，其特征在于，所述第一制絨處理的方式為濕式3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片除雜方法，其特征在于，所述對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備反射率為11%～35%的硅片中間體包括如下步驟：將所述硅片與第一堿液混合，在50℃~85℃條件下進(jìn)行所述第一制絨處理。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片除雜方法，其特征在于，所述第一堿液中的堿選自氫氧化鈉和氫氧化鉀中的至少一種。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片除雜方法，其特征在于，通過(guò)PECVD法制備所述非晶硅層，工藝參數(shù)包括：溫度為300℃~500℃,工作氣體流量為8000sccm～15000sccm,時(shí)間為120s～900s,沉積功率為8500w～15000w,爐管壓力為2000mbar～3000mbar。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片除雜方法，其特征在于，滿足如下(1)～(2)中的至少一(1)所述非晶硅層的厚度為30nm～200nm;(2)所述非晶硅層中磷元素百分比為2%～60%。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片除雜方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為800℃~1000℃,時(shí)間為10min～60min。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的硅片除雜方法，其特征在于，通過(guò)PECVD制備所述氧溫度為300℃~500℃,工作氣體流量為5000sccm～10000sccm,時(shí)間為30s～100s,爐管壓力為1000mbar～2000mbar。9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的硅片除雜方法，其特征在于，將所述第三中間體與第二堿液混合，進(jìn)行所述第二制絨處理的溫度為50℃~85℃。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅片除雜方法，其特征在于，經(jīng)所述第二制絨處理后，所述第三中間體的反射率為10%以下。11.根據(jù)權(quán)利要求1至7及10任一項(xiàng)所述的硅片除雜方法，其特征在于，所述酸液中的酸選自氫氟酸、氫氟酸和硝酸的混酸以及氫氟酸和鹽酸的混酸中的至少一種。12.根據(jù)權(quán)利要求1至7及10任一項(xiàng)所述的硅片除雜方法，其特征在于，所述第二堿液中的堿選自氫氧化鈉和氫氧化鉀中的至少一種。313.一種硅片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：通過(guò)權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的硅片除雜方法對(duì)硅片進(jìn)行除雜；對(duì)除雜后的硅片進(jìn)行擴(kuò)散、沉積減反射鈍化膜、絲網(wǎng)印刷和光注入退火中的至少一種處理。14.一種硅片，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求13所述的硅片的制備方法制得。15.一種光伏器件，其特征在于，包括權(quán)利要求14所述的硅片。16.一種光伏組件，其特征在于，包括權(quán)利要求15所述的光伏器件。4硅片除雜方法、硅片及其制備方法和應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明涉及光伏器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅片除雜方法、硅片及其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù)[0002]光伏發(fā)電是一種利用半導(dǎo)體界面的光伏效應(yīng)，將光能直接轉(zhuǎn)化為電能的技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)的關(guān)鍵是太陽(yáng)能電池。具體地，陽(yáng)光照射在半導(dǎo)體pn結(jié)上，形成新的空穴-電子對(duì)，在pn結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，空穴從N區(qū)流向P區(qū)，電子從P區(qū)流向N區(qū)，電路接通后，就形成了電流。光伏發(fā)電最基本的元件是太陽(yáng)能電池(芯片),包括單晶硅、多晶硅、非晶硅和薄膜電池。其中，單晶硅和多晶硅電池應(yīng)用最為廣泛。[0003]作為制作太陽(yáng)能電池的基體材料，硅片存在微缺陷和金屬雜質(zhì)，這些缺陷和雜質(zhì)在硅禁帶中引入多重深能級(jí)，成為少數(shù)載流子的復(fù)合中心，嚴(yán)重影響了太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。在單晶硅中，由于雜質(zhì)與雜質(zhì)，雜質(zhì)與缺陷之間的相互作用，重金屬雜質(zhì)或微缺陷在一定的溫度下會(huì)發(fā)生遷移和再凝聚現(xiàn)象，利用這種現(xiàn)象，在硅片的背面引入機(jī)械損傷、缺陷或沉淀某一種薄膜，進(jìn)行雜質(zhì)的吸除，稱為外吸雜；或者在體內(nèi)引入缺陷，使重金屬雜質(zhì)從器件的工作區(qū)域富集到這些特殊的區(qū)域，稱為內(nèi)吸雜。傳統(tǒng)的吸雜方式存在吸雜效率發(fā)明內(nèi)容[0004]基于此，有必要提供一種吸雜效率高、條件溫和、操作簡(jiǎn)單、低成本的硅片除雜方法，并進(jìn)一步得到硅片，以及將其應(yīng)用于光伏器件中。[0005]技術(shù)方案如下：[0006]本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種硅片除雜方法，包括如下步驟：[0007]對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備表面含機(jī)械損傷層，反射率為11%～35%的硅片中間體；[0008]在所述硅片中間體上制備非晶硅層，且在所述非晶硅層中摻雜磷；[0009]在所述非晶硅層上制備氧化層，制備第一中間體；[0010]對(duì)所述第一中間體進(jìn)行退火處理，制備第二中間體；[0011]對(duì)所述第二中間體進(jìn)行第二制絨處理。[0012]在其中一些實(shí)施方式中，所述第一制絨處理的方式為濕式制絨。[0013]在其中一些實(shí)施方式中，所述對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備反射率為11%~35%的硅片中間體包括如下步驟：[0014]將所述硅片與第一堿液混合，在50℃~85℃條件下進(jìn)行所述第一制絨處理。[0015]在其中一些實(shí)施方式中，所述第一堿液中的堿選自氫氧化鈉和氫氧化鉀中的至少一種。[0016]在其中一些實(shí)施方式中，通過(guò)氣相沉積法制備所述非晶硅層，工藝參數(shù)包括：5[0017]溫度為300℃~500℃,工作氣體流量為8000sccm～15000sccm,時(shí)間為120s~900s,沉積功率為8500w～15000w,爐管壓力為2000mbar～3000mbar。[0018]在其中一些實(shí)施方式中，所述非晶硅層的厚度為30nm～200nm。[0019]在其中一些實(shí)施方式中，所述非晶硅層中磷元素百分比為2%～60%。[0020]在其中一些實(shí)施方式中，所述退火處理的溫度為800℃~1000℃,時(shí)間為10min~[0022]溫度為300℃~500℃,工作氣體流量為5000sccm～10000sccm,時(shí)間為30s～100s,爐管壓力為1000mbar～2000mbar。[0023]在其中一些實(shí)施方式中，所述第二制絨處理的方式為濕式制絨。[0024]在其中一些實(shí)施方式中，對(duì)所述第二中間體進(jìn)行第二制絨處理包括如下步驟：[0025]將所述第二中間體與酸液混合，制備第三中間體；[0026]將所述第三中間體與第二堿液混合，在50℃~85℃條件下進(jìn)行所述第二制絨處理，使所述第三中間體的反射率為10%以下。[0027]在其中一些實(shí)施方式中，所述酸液中的酸選自氫氟酸、氫氟酸和硝酸的混酸以及氫氟酸和鹽酸的混酸中的至少一種。[0028]在其中一些實(shí)施方式中，所述第二堿液中的堿選自氫氧化鈉和氫氧化鉀中的至少一種。[0029]本發(fā)明的第二方面，提供一種硅片的制備方法，包括如下步驟：[0031]通過(guò)如上所述的硅片除雜方法對(duì)所述硅片進(jìn)行除雜；[0032]對(duì)除雜后的硅片進(jìn)行擴(kuò)散、沉積減反射鈍化膜、絲網(wǎng)印刷和光注入退火中的至少一種處理。[0033]本發(fā)明的第三方面，提供一種硅片，其是根據(jù)如上所述的硅片的制備方法制得。[0034]本發(fā)明的第四方面，提供一種光伏器件，其包括如上所述的硅片。[0035]本發(fā)明的第五方面，提供一種光伏組件，其包括如上所述的光伏器件。[0036]本發(fā)明至少具有如下有益效果：[0037]本發(fā)明提供的硅片除雜方法，包括：對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理去除表面的油污和雜質(zhì)，部分保留機(jī)械損傷，反射率為11%～35%,作為外吸雜的條件1;再制備非晶硅層，同步進(jìn)行磷源的摻雜，其中，非晶硅層作為外吸雜條件2,磷源摻雜作為內(nèi)吸雜條件；再制備氧化層以及退火處理，在退火過(guò)程中，雜質(zhì)向表面的吸雜區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散聚集，隨后緩慢降溫進(jìn)行雜質(zhì)的捕獲沉淀；退火后再配合第二制絨處理，去除雜質(zhì)，提高硅片表面的出絨率，使得硅片表面金字塔更加均勻，降低反射率，將除雜后的硅片用于器件中，能夠增加光吸收，提高短路電流(Isc)、開(kāi)路電壓(Uoc)和填充因子(FF),最終提升器件的光電轉(zhuǎn)換效率。并且，該使用成本低的優(yōu)勢(shì)。附圖說(shuō)明[0038]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例所示的硅片除雜方法的流程圖。6具體實(shí)施方式[0039]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。[0040]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“和/關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。下可提供某些有益效果的本發(fā)明實(shí)施方案。然而，在相同的情況下或其他情況下，其他實(shí)施方案也可能是優(yōu)選的。此外，對(duì)一個(gè)或多個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的表述并不暗示其他實(shí)施方案不可用，也并非旨在將其他實(shí)施方案排除在本發(fā)明的范圍之外。即，在本發(fā)明中，“優(yōu)選地”、內(nèi)容上的差異，但并不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。個(gè)等，除非另有明確具體的限定。[0045]當(dāng)本發(fā)明中公開(kāi)一個(gè)數(shù)值范圍時(shí)，上述范圍視為連續(xù)，且包括該范圍的最小值及最大值，以及這種最小值與最大值之間的每一個(gè)值。進(jìn)一步地，當(dāng)范圍是指整數(shù)時(shí)，包括該范圍的最小值與最大值之間的每一個(gè)整數(shù)。此外，當(dāng)提供多個(gè)范圍描述特征或特性時(shí)，可以合并該范圍。換言之，除非另有指明，否則本文中所公開(kāi)之所有范圍應(yīng)理解為包括其中所歸入的任何及所有的子范圍。且本文僅具體地公開(kāi)了一些數(shù)值范圍。然而，任意下限可以與任意上限組合形成未明確記載的范圍；以及任意下限可以與其它下限組合形成未明確記載的范圍，同樣任意上限可以與任意其它上限組合形成未明確記載的范圍。此外，每個(gè)單獨(dú)公開(kāi)的點(diǎn)或單個(gè)數(shù)值自身可以作為下限或上限與任意其它點(diǎn)或單個(gè)數(shù)值組合或與其它下限或上限組合形成未明確記載的范圍。[0046]如果沒(méi)有特別的說(shuō)明，本發(fā)明的所有步驟可以順序進(jìn)行，也可以隨機(jī)進(jìn)行。例如，所述方法包括步驟(a)和(b),表示所述方法可包括順序進(jìn)行的步驟(a)和(b),也可以包括順序進(jìn)行的步驟(b)和(a)。例如，所述提到所述方法還可包括步驟(c),表示步驟(c)可以任意順序加入到所述方法，例如，所述方法可以包括按照步驟(a)、(b)和(c),也可包括步驟7[0047]除非相反地提及，否則單數(shù)形式的術(shù)語(yǔ)可以包括復(fù)數(shù)形式，并不能理解為其數(shù)量為一個(gè)。[0048]本發(fā)明中的溫度參數(shù)，如無(wú)特別限定，既允許為恒溫處理，也允許在一定溫度區(qū)間內(nèi)進(jìn)行處理。所述的恒溫處理允許溫度在儀器控制的精度范圍內(nèi)進(jìn)行波動(dòng)。[0049]本發(fā)明說(shuō)明書(shū)實(shí)施例中所提到的相關(guān)成分的重量不僅僅可以指代各組分的具體含量，也可以表示各組分間重量的比例關(guān)系，因此，只要是按照本發(fā)明說(shuō)明書(shū)實(shí)施例相關(guān)組分的含量按比例放大或縮小均在本發(fā)明說(shuō)明書(shū)實(shí)施例公開(kāi)的范圍之內(nèi)。具體地，本發(fā)明說(shuō)[0050]在本發(fā)明中，涉及數(shù)據(jù)范圍的單位，如果僅在右端點(diǎn)后帶有單位，則表示左端點(diǎn)和[0052]在本發(fā)明中，室溫指10℃~40℃,優(yōu)選為20℃~30℃,進(jìn)一步優(yōu)選為25±2℃。[0053]本發(fā)明所述的氣相沉積法，優(yōu)選為等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法(PECVD)。[0054]此外，附圖并不是以1:1的比例繪制，并且各元件的相對(duì)尺寸在附圖中僅以示例地繪制，以便于理解本發(fā)明，但不一定按照真實(shí)比例繪制，附圖中的比例不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限[0055]吸雜技術(shù)是減少硅片的加工和器件工藝過(guò)程的污染，改善器件的性能的一種非常有效的方法。利用雜質(zhì)向具有晶格不完整的區(qū)域聚集的特性引入缺陷形成雜質(zhì)富集區(qū)域，然后將這一層雜質(zhì)富集的損傷區(qū)域去掉，就可達(dá)到去除硅片中部分雜質(zhì)的目的，減少硅片中少數(shù)載流子的復(fù)合中心，提高電池的短路電流，從而提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率。為了降低硅片成本，最大化的提高硅棒使用率，對(duì)于反切后質(zhì)量較差的硅片進(jìn)行吸雜，可以減少硅片端的成本，同時(shí)提高電池效率。[0056]目前已報(bào)道利用磷擴(kuò)工藝進(jìn)行硅片的內(nèi)吸雜的方案，主要包括將清洗制絨好的硅后都有一定時(shí)間的推進(jìn)，然后冷卻至常溫的步驟，該方案可提升電池片的平均轉(zhuǎn)換效率?；蛞环N用于制造太陽(yáng)電池的硅片磷擴(kuò)散吸雜工藝，主要包括將磷源涂布在硅片表面或者由載氣攜帶POCl?進(jìn)入擴(kuò)散爐管，在保護(hù)氣氛圍下，將硅片置于800～1050℃下保溫10～60分鐘，接著將硅片置于500～800℃下保溫20～60分鐘，冷卻后除去磷硅玻璃層。該方案采用變溫吸雜的方式，結(jié)合高溫易將雜質(zhì)溶解釋放、在較低溫度易使其有效地被吸雜層捕獲的優(yōu)點(diǎn)，能有效地降低硅基體中金屬雜質(zhì)的含量，提高太陽(yáng)電池的光轉(zhuǎn)化效率。但以上方案均采用擴(kuò)散工藝或者涂布工藝進(jìn)行磷源的擴(kuò)散吸雜，且在高溫條件下進(jìn)行磷擴(kuò)散以及主要方法為[0057]基于此，本發(fā)明提供了一種吸雜效率高、條件溫和、操作簡(jiǎn)單、低成本的硅片除雜方法。[0058]技術(shù)方案如下：[0059]參見(jiàn)圖1,本發(fā)明一實(shí)施例所示的硅片除雜方法，包括如下步驟：[0060]對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備表面含機(jī)械損傷層，反射率為11%～35%的硅片8中間體；[0061]在所述硅片中間體上制備非晶硅層，且在所述非晶硅層中摻雜磷；[0062]在所述非晶硅層上制備氧化層，制備第一中間體；[0063]對(duì)所述第一中間體進(jìn)行退火處理，制備第二中間體；[0064]對(duì)所述第二中間體進(jìn)行第二制絨處理。[0065]對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理去除表面的油污和雜質(zhì)，部分保留機(jī)械損傷(反射率為11%～35%),作為外吸雜的條件1;再制備非晶硅層，同步進(jìn)行磷源的摻雜，其中，非晶硅層作為外吸雜條件2,磷源摻雜作為內(nèi)吸雜條件；再制備氧化層以及退火處理，在退火過(guò)程中，雜質(zhì)向表面的吸雜區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散聚集，隨后緩慢降溫進(jìn)行雜質(zhì)的捕獲沉淀；退火后再配合第二制絨處理，去除雜質(zhì)，提高硅片表面的出絨率，使得硅片表面金字塔更加均勻，降低反射率，將除雜后的硅片用于器件中，能夠增加光吸收，提高短路電流(Isc)、開(kāi)路電壓(Uoc)和填充因子(FF),最終提升器件的光電轉(zhuǎn)換效率。并且，該方法能夠提供多種吸雜條件，提高[0066]下面將對(duì)本發(fā)明所述的硅片除雜方法進(jìn)行進(jìn)一步描述。[0067]S100:對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備表面含機(jī)械損傷層，反射率為11%～35%的硅片中間體[0068]傳統(tǒng)的硅片除雜方法，制絨處理后硅片的反射率通常為10%以下，后續(xù)難以作為外吸雜條件。而本發(fā)明通過(guò)第一制絨處理，去除表面的油污和雜質(zhì)，隨后進(jìn)行微絨面的制備，保留部分機(jī)械損傷層(稱作微絨面),使硅片的反射率為11%～35%,作為外吸雜的條件1,提高吸雜效果。[0069]在其中一些實(shí)施方式中，所述第一制絨處理的方式為濕式制絨。濕式制絨主要包括酸性蝕刻和堿性蝕刻法。其中，①酸蝕刻法：主要利用酸(如氫氟酸及硝酸的混合酸)在某一溫度下與硅片發(fā)生反應(yīng)，硅片表面硅氫鍵斷裂，硅片表面產(chǎn)生絨面。②堿蝕刻法：主要利用堿(如)氫氧化鈉溶液在一定的溫度下對(duì)硅片進(jìn)行蝕刻。[0070]在其中一些實(shí)施方式中，所述對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備表面含機(jī)械損傷層，反射率為11%～35%的硅片中間體包括如下步驟：[0071]將所述硅片與第一堿液混合，在50℃~85℃條件下進(jìn)行所述第一制絨處理，制備表面含機(jī)械損傷層，反射率為11%～35%的硅片中間體。[0073]在其中一些實(shí)施方式中，所述第一堿液中的堿選自氫氧化鈉和氫氧化鉀中的至少[0074]可以理解地，在本發(fā)明中，經(jīng)第一制絨處理后的硅片，其射率為11%～35%,包括但不限于為11%、12%、15%、16%、18%、19%、20%、21%、22%、23%、24%、25%、26%、27%、28%、29%、30%、31%、32%、33%、34%或35%。優(yōu)選地，經(jīng)第一制絨處理后的硅片，其反射率為15%～25%。[0075]S200:在所述硅片中間體上制備非晶硅層，且在所述非晶硅層中摻雜磷。[0076]在硅片表面形成磷摻雜層，再通過(guò)遷移和擴(kuò)散作用將雜質(zhì)原子吸收固定在摻雜層，非晶硅層作為外吸雜條件2,磷源摻雜作為內(nèi)吸雜條件，提高除雜效果。9[0077]在其中一些實(shí)施方式中，通過(guò)氣相沉積法在所述反射率為11%～35%的硅片中間[0078]溫度為300℃~500℃,工作氣體流量為8000sccm～15000sccm,時(shí)間為120s~900s,沉積功率為8500w～15000w,爐管壓力為2000mbr～3000mbar。[0079]本發(fā)明與常規(guī)的磷擴(kuò)散相比溫度較低，同時(shí)由于微絨面的制備和非晶硅層的沉積以及磷摻雜劑的引入，為吸雜提供了多個(gè)條件，極大的提高后續(xù)的吸雜效果。[0080]可以理解地，在通過(guò)PECVD制備所述非晶硅層的過(guò)程中，溫度包括但不限于為300℃、350℃、400℃、450℃或500℃;工作氣體流量為8000sccm、9000sccm、10000sccm、11000sccm、12000sccm、13000sccm、14000sccm或15000sccm;時(shí)間包括但不限于為120s、150s、200s、200s、300s、400s、500s、600s、700s、800s或900s;沉積功率包括但不限于為[0081]在其中一些實(shí)施方式中，所述非晶硅層的厚度為30nm～200nm,包括但不限于為[0082]在其中一些實(shí)施方式中，所述非晶硅層中磷元素百分比為2%～60%,包括但不限于為2%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%或60%。[0083]S300:在所述非晶硅層上制備氧化層，制備第一中間體。[0084]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化層的材料為氧化硅。[0085]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化層的厚度為7nm～50nm,包括但不限于為7nm、[0086]在其中一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)氣相沉積法在所述非晶硅層上制備氧化層。進(jìn)一步地，[0087]溫度為300℃~500℃,工作氣體流量為5000sccm~10000sccm,時(shí)間為30s～100s,爐管壓力為1000mbar～2000mbar。[0088]可以理解地，在通過(guò)PECVD制備所述氧化層的過(guò)程中，溫度包括但不限于為300℃、350℃、400℃、450℃或500℃;工作氣體流量為5000sccm、6000sccm、7000sccm、8000sccm、9000sccm或10000sccm;時(shí)間包括但不限于為30s、50s、60s、80s、90s或100s;爐管壓力包括[0089]S400:對(duì)所述第一中間體進(jìn)行退火處理，制備第二中間體。[0090]在退火過(guò)程中，雜質(zhì)向表面的吸雜區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散聚集，隨后緩慢降溫進(jìn)行雜質(zhì)的捕[0091]在其中一些實(shí)施方式中，所述退火處理的溫度為800℃~1000℃,包括但不限于為[0092]在其中一些實(shí)施方式中，所述退火處理的時(shí)間為10min～60min,包括但不限于為[0093]S500:對(duì)所述第二中間體進(jìn)行第二制絨處理。[0094]通過(guò)第二制絨處理去除雜質(zhì)，提高硅片表面的出絨率，使得硅片表面金字塔更加均勻，降低反射率，后續(xù)將除雜后的硅片用于器件中，能夠增加光吸收，提高短路電流(Isc)、開(kāi)路電壓(Uoc)和填充因子(FF),最終提升器件的光電轉(zhuǎn)換效率。優(yōu)選地，第二中間體進(jìn)行制絨處理后的產(chǎn)品的反射率<10%。[0095]在其中一些實(shí)施方式中，所述第二制絨處理的方式為濕式制絨。參照上文，濕式制絨主要包括酸性蝕刻和堿性蝕刻法。[0096]在其中一些實(shí)施方式中，對(duì)所述第二中間體進(jìn)行第二制絨處理包括如下步驟：[0098]將所述第三中間體與第二堿液混合，在50℃~85℃條件下進(jìn)行所述第二制絨處理，使所述第三中間體的反射率為10%以下。[0099]在其中一些實(shí)施方式中，所述酸液中的酸選自氫氟酸、硝酸和氫氟酸的混酸、鹽酸和氫氟酸的混酸中的至少一種。[0100]在其中一些實(shí)施方式中，所述第二堿液中的堿選自氫氧化鈉和氫氧化鉀中的至少[0101]本發(fā)明還提供一種硅片的制備方法，包括如下步驟：[0102]通過(guò)如上所述的硅片除雜方法對(duì)硅片進(jìn)行除雜；[0103]對(duì)除雜后的硅片進(jìn)行擴(kuò)散、沉積減反射鈍化膜、絲網(wǎng)印刷和光注入退火中的至少一種處理。[0104]本發(fā)明還提供一種硅片，其是根據(jù)如上所述的硅片的制備方法制得。[0105]本發(fā)明還提供一種光伏器件，其包括如上所述的硅片。[0106]本發(fā)明還提供一種光伏組件，其包括如上所述的[0107]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加簡(jiǎn)潔明了，本發(fā)明用以下具體實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明絕非僅限于這些實(shí)施例。以下所描述的實(shí)施例僅為本發(fā)明較好的實(shí)施例，可用于描述本發(fā)明，不能理解為對(duì)本發(fā)明的范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。[0110]本實(shí)施例提供一種多晶硅光伏器件及其制備方法，具體如下：[0111](1)裸硅片首先采用氫氧化鈉進(jìn)行堿洗，去除表面的油污和雜質(zhì)，隨后進(jìn)行微絨面的制備，保留部分機(jī)械損傷層，在80℃制備硅片表面反射率在10%～20%范圍內(nèi)；本步驟主要目的在于硅片的清洗和微絨面的制備；[0112](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行50nm厚、5%磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層的制備，其中沉積非晶硅層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為12000sccm,時(shí)間為300s,沉積功率9500w,爐管壓力為2500mbar;沉積氧化層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為7500sccm,時(shí)間為30s,爐管壓力為1200mbar;[0113](3)膜層制備結(jié)束后，硅片送至退火爐進(jìn)行900℃,30min的熱退火，在該條件下，體內(nèi)雜質(zhì)及缺陷向硅片表層進(jìn)行擴(kuò)散聚集；隨后進(jìn)行緩慢降溫步，使得雜質(zhì)保留沉積在雜質(zhì)[0115](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)層進(jìn)行去除，同步實(shí)現(xiàn)了微絨面的二次制絨，反射率控制約9.8%,使得表面絨面更加均勻，11[0116](6)硅片進(jìn)行正常電池工藝的制備周轉(zhuǎn)。[0118]本實(shí)施例提供一種多晶硅光伏器件及其制備方法，具體如下：[0119](1)裸硅片首先采用氫氧化鈉進(jìn)行堿洗，去除表面的油污和雜質(zhì)，隨后進(jìn)行微絨面的制備，保留部分機(jī)械損傷層，在75℃制備硅片表面反射率在20%～35%范圍內(nèi)；本步驟主要目的在于硅片的清洗和微絨面的制備；[0120](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行50nm厚、5%磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層的制備，其中沉積非晶硅層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為12000sccm,時(shí)間為300s,沉積功率9500w,爐管壓力為2500mbar;沉積氧化層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為7500sccm,時(shí)間為30s,爐管壓力為1200mbar;;[0121](3)膜層制備結(jié)束后，硅片送至退火爐進(jìn)行900℃,30min的熱退火，在該條件下，體內(nèi)雜質(zhì)及缺陷向硅片表層進(jìn)行擴(kuò)散聚集；隨后進(jìn)行緩慢降溫步，使得雜質(zhì)保留沉積在雜質(zhì)[0123]5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)層進(jìn)行去除，同步實(shí)現(xiàn)了微絨面的二次制絨，反射率控制約9.6%,使得表面絨面更加均勻，[0124](6)硅片進(jìn)行正常電池工藝的制備周轉(zhuǎn)。[0126]本實(shí)施例提供一種多晶硅光伏器件及其制備方法，具體如下：[0127](1)裸硅片首先采用氫氧化鈉進(jìn)行堿洗，去除表面的油污和雜質(zhì)，隨后進(jìn)行微絨面的制備，保留部分機(jī)械損傷層，在75℃制備硅片表面反射率在20%～35%范圍內(nèi)；本步驟主要目的在于硅片的清洗和微絨面的制備；[0128](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行50nm厚、5%磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層的制備，其中沉積非晶硅層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為12000sccm,時(shí)間為300s,沉積功率9500w,爐管壓力為2500mbar;沉積氧化層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為7500sccm,時(shí)間為30s,爐管壓力為1200mbar;[0129](3)膜層制備結(jié)束后，硅片送至退火爐進(jìn)行840℃,30mi內(nèi)雜質(zhì)及缺陷向硅片表層進(jìn)行擴(kuò)散聚集；隨后進(jìn)行緩慢降溫步，使得雜質(zhì)保留沉積在雜質(zhì)[0131](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)層進(jìn)行去除，同步實(shí)現(xiàn)了微絨面的二次制絨，反射率控制約9.3%,使得表面絨面更加均勻，[0132](6)硅片進(jìn)行正常電池工藝的制備周轉(zhuǎn)。[0134]本實(shí)施例提供一種多晶硅光伏器件及其制備方法，具體如下：[0135](1)裸硅片首先采用氫氧化鈉進(jìn)行堿洗，去除表面的油污和雜質(zhì)，隨后進(jìn)行微絨面的制備，保留部分機(jī)械損傷層，在75℃制備硅片表面反射率在20%～35%范圍內(nèi)；本步驟主要目的在于硅片的清洗和微絨面的制備；[0136](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行80nm厚、8%磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層的制備，其中沉積非晶硅層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為12000sccm,時(shí)間為500s,沉積功率9500w,爐管壓力為2500mbar;沉積氧化層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為7500sccm,時(shí)間為30s,爐管壓力為1200mbar;[0137](3)膜層制備結(jié)束后，硅片送至退火爐進(jìn)行900℃,30min的熱退火，在該條件下，體內(nèi)雜質(zhì)及缺陷向硅片表層進(jìn)行擴(kuò)散聚集；隨后進(jìn)行緩慢降溫步，使得雜質(zhì)保留沉積在雜質(zhì)[0139](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)層進(jìn)行去除，同步實(shí)現(xiàn)了微絨面的二次制絨，反射率控制約9.5%,使得表面絨面更加均勻，減少光反射，提高光吸收效果；[0140](6)硅片進(jìn)行正常電池工藝的制備周轉(zhuǎn)。[0142]本對(duì)比例提供一種多晶硅光伏器件及其制備方法，具體如下：[0143](1)裸硅片首先采用氫氧化鈉進(jìn)行堿洗，去除表面的油污和雜質(zhì)，隨后進(jìn)行微絨面的制備，保留部分機(jī)械損傷層，在75℃制備硅片表面反射率在20%～35%左右；本步驟主要目的在于硅片的清洗和部分機(jī)械損傷層的去除；[0144](2)隨后硅片送至退火爐進(jìn)行840℃,40min的熱退火；[0146](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)層進(jìn)行去除，同步實(shí)現(xiàn)了微絨面的二次制絨，反射率控制約9.8%,使得表面絨面更加均勻，減少光反射，提高光吸收效果；[0147](6)硅片進(jìn)行正常電池工藝的制備周轉(zhuǎn)。[0149]本對(duì)比例提供一種多晶硅光伏器件及其制備方法，具體如下：[0151](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行50nm厚、5%磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層的制備，其中沉積非晶硅層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為12000sccm,時(shí)間為300s,沉積功率9500w,爐管壓力為2500mbar;沉積氧化層的工藝參數(shù)為：溫度為400℃,工作氣體流量為7500sccm,時(shí)間為30s,爐管壓力為1200mbar;[0152](3)膜層制備結(jié)束后，硅片送至退火爐進(jìn)行840℃,40min的熱退火；[0154](