二維電子器件技術(shù)創(chuàng)新報(bào)告當(dāng)前二維電子器件面臨制備工藝復(fù)雜、性能穩(wěn)定性不足及集成度低等瓶頸，制約其在柔性電子、高頻器件等領(lǐng)域的應(yīng)用。本研究旨在通過(guò)材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝優(yōu)化及界面調(diào)控技術(shù)創(chuàng)新，突破上述關(guān)鍵問(wèn)題，提升器件載流子遷移率、開(kāi)關(guān)比及工作穩(wěn)定性，同時(shí)降低制造成本，推動(dòng)二維電子器件從實(shí)驗(yàn)室研究向規(guī)模化應(yīng)用轉(zhuǎn)化，滿足下一代電子設(shè)備對(duì)高性能、柔性化、集成化的迫切需求，為我國(guó)在新型電子器件領(lǐng)域搶占技術(shù)制高點(diǎn)提供支撐。一、引言當(dāng)前二維電子器件行業(yè)面臨多重發(fā)展瓶頸，嚴(yán)重制約其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。首先，材料制備成本居高不下，高質(zhì)量二維單晶材料的生長(zhǎng)能耗達(dá)傳統(tǒng)硅基材料的8-10倍，單層石墨烯制備成本仍維持在每平方米500美元以上，導(dǎo)致終端器件制造成本較傳統(tǒng)器件高出30%-50%，難以滿足消費(fèi)電子領(lǐng)域?qū)Τ杀究刂频膭傂孕枨?。其次，器件環(huán)境穩(wěn)定性不足，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，多數(shù)二維材料基器件在空氣中工作壽命不足1000小時(shí)，濕度變化導(dǎo)致載流子遷移率衰減幅度超過(guò)40%，遠(yuǎn)低于工業(yè)級(jí)電子器件10年以上的使用壽命標(biāo)準(zhǔn)，成為其在航空航天、汽車電子等高可靠性領(lǐng)域應(yīng)用的主要障礙。此外，集成度與工藝兼容性矛盾突出，現(xiàn)有二維器件的集成密度僅為硅基器件的1/10，且與CMOS工藝的匹配度不足60%，難以支撐復(fù)雜電路的規(guī)?；圃?，限制了其在超高性能計(jì)算芯片領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。政策層面，“十四五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與電子器件”專項(xiàng)明確將二維電子材料列為重點(diǎn)發(fā)展方向，要求突破低成本制備與集成化技術(shù)；但市場(chǎng)供需矛盾日益凸顯，下游柔性顯示、量子傳感等領(lǐng)域?qū)ΧS器件的年需求增長(zhǎng)率達(dá)25%，而產(chǎn)業(yè)化供給增速不足10%，供需缺口持續(xù)擴(kuò)大。疊加成本、穩(wěn)定性、集成度三大痛點(diǎn)形成的“惡性循環(huán)”-高成本抑制市場(chǎng)普及，穩(wěn)定性不足降低用戶信任，集成度瓶頸限制應(yīng)用場(chǎng)景，進(jìn)一步導(dǎo)致我國(guó)二維電子器件進(jìn)口依賴度超過(guò)70%，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。本研究聚焦上述核心問(wèn)題，通過(guò)探索材料結(jié)構(gòu)-性能協(xié)同調(diào)控機(jī)制與新型集成工藝，旨在從理論層面揭示二維器件界面失效與穩(wěn)定性衰減的物理本質(zhì)，為開(kāi)發(fā)高可靠性器件提供科學(xué)基礎(chǔ)；實(shí)踐層面則致力于構(gòu)建低成本、高兼容性的制備技術(shù)體系，推動(dòng)二維電子器件從實(shí)驗(yàn)室研究向工業(yè)化應(yīng)用轉(zhuǎn)化，對(duì)突破我國(guó)在新型電子器件領(lǐng)域的技術(shù)“卡脖子”問(wèn)題、搶占未來(lái)產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)具有重要戰(zhàn)略意義。二、核心概念定義1.二維電子材料學(xué)術(shù)定義：指在垂直維度僅由單層或少數(shù)幾層原子構(gòu)成，電子在平面內(nèi)自由運(yùn)動(dòng)的材料體系，厚度通常在0.3-3納米之間，具有量子限域效應(yīng)和各向異性等獨(dú)特性質(zhì)，典型代表包括石墨烯、過(guò)渡金屬硫族化合物（如MoS?）等。生活化類比：如同“原子級(jí)積木”，單層原子像一張極薄卻堅(jiān)固的“紙”，通過(guò)不同原子組合（如碳、硫、鉬）搭建出導(dǎo)電、半導(dǎo)體或絕緣等功能的“積木塊”，但單層結(jié)構(gòu)使其易受外界擾動(dòng)。認(rèn)知偏差：常誤認(rèn)為所有二維材料均具備石墨烯的高導(dǎo)電性，實(shí)際上不同材料電子特性差異顯著，如MoS?是半導(dǎo)體，其帶隙特性使其更適合邏輯器件而非透明電極。2.載流子遷移率學(xué)術(shù)定義：描述單位電場(chǎng)強(qiáng)度下載流子（電子或空穴）定向運(yùn)動(dòng)速度的物理量，單位為cm2/(V·s)，是衡量材料導(dǎo)電能力的關(guān)鍵指標(biāo)，遷移率越高，器件響應(yīng)速度越快。生活化類比：類似于“電子高速公路的通行效率”，遷移率高相當(dāng)于道路寬闊且無(wú)障礙，電子能快速通過(guò)；遷移率低則如同擁堵路段，電子運(yùn)動(dòng)受阻，器件性能下降。認(rèn)知偏差：片面追求高遷移率而忽略其他參數(shù)，如高遷移率材料可能伴隨高漏電流，反而降低器件開(kāi)關(guān)比，需根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景綜合權(quán)衡。3.界面調(diào)控學(xué)術(shù)定義：通過(guò)優(yōu)化材料界面處的原子排列、化學(xué)鍵合狀態(tài)及缺陷密度，改善界面電荷傳輸與穩(wěn)定性的一類技術(shù)手段，包括表面鈍化、鍵合工程等。生活化類比：如同“膠水的精準(zhǔn)涂抹”，不同材料接觸時(shí)界面如“膠水層”，調(diào)控得當(dāng)則粘接牢固、電子傳輸順暢；若界面存在“氣泡”（缺陷），則器件性能“脫膠”衰減。認(rèn)知偏差：將界面調(diào)控簡(jiǎn)單等同于“表面清潔”，實(shí)則需從原子層面設(shè)計(jì)界面電子結(jié)構(gòu)，如通過(guò)化學(xué)修飾減少界面態(tài)密度，而非僅依賴物理清洗。4.集成工藝學(xué)術(shù)定義：將多個(gè)二維器件按電路設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行排列、互連并封裝，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜功能（如邏輯電路、傳感器陣列）的制造技術(shù)，涉及材料轉(zhuǎn)移、微納加工、熱管理等多環(huán)節(jié)。生活化類比：類似“微型樂(lè)高拼裝”，單個(gè)器件是“積木塊”，集成工藝需按“圖紙”（電路設(shè)計(jì)）將積木精準(zhǔn)拼接，同時(shí)確?！斑B接件”（互連導(dǎo)線）導(dǎo)電可靠且不損壞“積木”本身。認(rèn)知偏差：認(rèn)為二維器件集成可沿用硅基工藝，但二維材料機(jī)械強(qiáng)度低、耐高溫性差，需開(kāi)發(fā)低溫、無(wú)接觸式轉(zhuǎn)移等新工藝，難度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)集成電路。5.穩(wěn)定性衰減學(xué)術(shù)定義：二維器件在環(huán)境因素（濕度、氧氣、溫度）或電應(yīng)力作用下，電學(xué)性能（如遷移率、開(kāi)關(guān)比）隨時(shí)間逐漸劣化的現(xiàn)象，本質(zhì)是材料或界面發(fā)生不可逆的物理化學(xué)變化。生活化類比：如同“新自行車生銹”，初期性能優(yōu)異，但長(zhǎng)期暴露在潮濕空氣中，金屬部件氧化（界面反應(yīng)），導(dǎo)致騎行阻力增大（遷移率下降）；若防護(hù)不當(dāng)，衰減速度加快。認(rèn)知偏差：將穩(wěn)定性衰減歸因于材料“天生脆弱”，實(shí)則環(huán)境防護(hù)（如封裝）與界面優(yōu)化（如鈍化層）可顯著提升壽命，需從“被動(dòng)耐受”轉(zhuǎn)向“主動(dòng)防護(hù)”。三、現(xiàn)狀及背景分析二維電子器件行業(yè)的發(fā)展軌跡可劃分為四個(gè)關(guān)鍵階段，其標(biāo)志性事件深刻重塑了領(lǐng)域格局。2004-2010年為理論奠基期。2004年，曼徹斯特大學(xué)Geim團(tuán)隊(duì)首次通過(guò)機(jī)械剝離法制備出單層石墨烯，顛覆了“材料厚度不可能小于一個(gè)原子”的傳統(tǒng)認(rèn)知，并于2010年獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。這一突破直接催生了二維材料研究熱潮，但受限于制備工藝（剝離法效率低、成本高），研究長(zhǎng)期停留在實(shí)驗(yàn)室階段，僅發(fā)表超200篇理論論文，未形成實(shí)際應(yīng)用。2011-2015年為材料擴(kuò)展期。2011年，《自然》雜志報(bào)道哥倫比亞大學(xué)團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)單層二硫化鉬（MoS?）的半導(dǎo)體特性，解決了石墨烯零帶隙難以應(yīng)用于邏輯器件的瓶頸。隨后，黑磷、六方氮化硼等二維材料相繼被發(fā)現(xiàn)，形成“石墨烯-過(guò)渡金屬硫族化合物-其他二維材料”的多元體系。全球相關(guān)專利申請(qǐng)量從2011年的120件激增至2015年的860件，但材料生長(zhǎng)仍以CVD法為主，大面積均勻性不足（單晶尺寸多小于1mm），產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢。2016-2020年為產(chǎn)業(yè)探索期。2016年，三星電子展示基于二維材料的柔性顯示原型，首次實(shí)現(xiàn)可彎曲的透明電極，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界關(guān)注。2018年，LG推出二維材料增強(qiáng)的觸摸屏傳感器，將響應(yīng)速度提升40%。然而，同期產(chǎn)業(yè)暴露出核心問(wèn)題：高質(zhì)量材料成本達(dá)硅基材料的50倍以上，器件在空氣中工作壽命不足2000小時(shí)，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擱置率超60%，行業(yè)陷入“技術(shù)先進(jìn)但經(jīng)濟(jì)性不足”的困境。2021年至今為政策驅(qū)動(dòng)期。中國(guó)“十四五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃將二維電子材料列為“前沿新材料”重點(diǎn)方向，2022年專項(xiàng)投入超15億元推動(dòng)制備技術(shù)攻關(guān)；美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》明確支持二維材料在下一代芯片中的應(yīng)用研究。2023年，麻省理工學(xué)院報(bào)道二維材料集成芯片的突破，將晶體管密度提升至硅基器件的3倍。政策與市場(chǎng)雙輪驅(qū)動(dòng)下，全球企業(yè)研發(fā)投入年增速達(dá)35%，但工藝兼容性（與CMOS集成度不足50%）和穩(wěn)定性（高溫下性能衰減超30%）仍是制約規(guī)模化應(yīng)用的瓶頸。行業(yè)格局的變遷反映了從“基礎(chǔ)研究突破”到“應(yīng)用場(chǎng)景探索”，再到“政策與市場(chǎng)協(xié)同驅(qū)動(dòng)”的演進(jìn)邏輯，標(biāo)志性事件不僅拓展了材料體系與技術(shù)邊界，更揭示了產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中“性能-成本-穩(wěn)定性”平衡的核心矛盾，為本研究的技術(shù)創(chuàng)新方向提供了現(xiàn)實(shí)依據(jù)。四、要素解構(gòu)二維電子器件的核心系統(tǒng)要素可解構(gòu)為三個(gè)層級(jí)，各要素內(nèi)涵與外延及相互關(guān)系如下：1.材料層1.1內(nèi)涵：原子級(jí)厚度的電子載體，具備量子限域效應(yīng)與各向異性。1.2外延：-單層材料（石墨烯、單層MoS?）；-多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)（石墨烯/BN、MoS?/WSe?）；-新興材料（MXene、黑磷）。1.3關(guān)聯(lián)：構(gòu)成器件功能基礎(chǔ)，其帶隙、載流子遷移率等參數(shù)決定器件電學(xué)特性。2.器件層2.1內(nèi)涵：材料通過(guò)界面調(diào)控與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)形成的功能單元。2.2外延：-邏輯器件（場(chǎng)效應(yīng)晶體管、憶阻器）；-傳感單元（氣體傳感器、光電探測(cè)器）；-能量轉(zhuǎn)換器件（太陽(yáng)能電池、超級(jí)電容）。2.3關(guān)聯(lián)：依賴材料層特性，通過(guò)電極接觸、介電層封裝等工藝實(shí)現(xiàn)信號(hào)處理與能量轉(zhuǎn)換。3.系統(tǒng)層3.1內(nèi)涵：多器件集成的功能系統(tǒng)，滿足特定應(yīng)用場(chǎng)景需求。3.2外延：-柔性電子系統(tǒng)（可穿戴設(shè)備、生物貼片）；-高頻通信系統(tǒng)（5G射頻器件、太赫茲芯片）；-量子計(jì)算系統(tǒng)（量子比特陣列、單光子源）。3.3關(guān)聯(lián)：以器件層為基本單元，通過(guò)互連技術(shù)、熱管理策略實(shí)現(xiàn)復(fù)雜功能協(xié)同，受制于集成工藝與穩(wěn)定性約束。層級(jí)關(guān)系：材料層為底層支撐，器件層為功能實(shí)現(xiàn)層，系統(tǒng)層為應(yīng)用目標(biāo)層；三者通過(guò)界面工程（材料-器件）、集成工藝（器件-系統(tǒng)）實(shí)現(xiàn)跨層耦合，共同構(gòu)成“材料-器件-系統(tǒng)”的完整技術(shù)鏈條。五、方法論原理二維電子器件技術(shù)創(chuàng)新的方法論核心遵循“問(wèn)題導(dǎo)向-機(jī)理解析-技術(shù)突破-驗(yàn)證迭代”的閉環(huán)演進(jìn)邏輯，流程劃分為四個(gè)階段：1.問(wèn)題定位階段：聚焦材料制備、界面穩(wěn)定性、集成兼容性三大核心痛點(diǎn)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論建模量化性能瓶頸（如載流子遷移率衰減率、界面態(tài)密度），特點(diǎn)是多維度參數(shù)關(guān)聯(lián)分析，明確技術(shù)突破的主攻方向。2.機(jī)理解析階段：采用第一性原理計(jì)算與原位表征技術(shù)，揭示材料缺陷形成、界面電荷散射的物理本質(zhì)，特點(diǎn)是跨尺度模擬（原子級(jí)到器件級(jí)），建立“結(jié)構(gòu)-性能”映射關(guān)系，為技術(shù)設(shè)計(jì)提供理論支撐。3.技術(shù)突破階段：基于機(jī)理認(rèn)知開(kāi)發(fā)創(chuàng)新工藝，包括低溫CVD生長(zhǎng)、原子層沉積界面鈍化、激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移等關(guān)鍵技術(shù)，特點(diǎn)是工藝參數(shù)的精準(zhǔn)調(diào)控（如溫度、壓力、時(shí)間），實(shí)現(xiàn)材料性能與穩(wěn)定性的協(xié)同提升。4.驗(yàn)證迭代階段：通過(guò)器件原型測(cè)試（如場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)比、光電探測(cè)器響應(yīng)速度）與長(zhǎng)期老化實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證技術(shù)有效性，特點(diǎn)是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的反饋優(yōu)化，根據(jù)測(cè)試結(jié)果迭代調(diào)整工藝參數(shù)，形成“設(shè)計(jì)-制備-測(cè)試-優(yōu)化”的動(dòng)態(tài)循環(huán)。因果邏輯框架如下：材料缺陷（因）→界面電荷散射（果1）→載流子遷移率下降（果2）→器件性能衰減（果3）；界面鈍化（干預(yù)措施）→界面態(tài)密度降低（果4）→穩(wěn)定性提升（果5）→器件壽命延長(zhǎng)（果6）。各環(huán)節(jié)通過(guò)“問(wèn)題-機(jī)理-技術(shù)-驗(yàn)證”的傳導(dǎo)鏈條緊密耦合，確保技術(shù)創(chuàng)新的系統(tǒng)性與可重復(fù)性。六、實(shí)證案例佐證實(shí)證驗(yàn)證路徑采用“實(shí)驗(yàn)室制備-性能表征-場(chǎng)景化測(cè)試”三步法，確保技術(shù)創(chuàng)新的可靠性與實(shí)用性。具體步驟如下：1.樣品制備階段：采用低溫CVD生長(zhǎng)技術(shù)制備單層MoS?材料，通過(guò)原子層沉積（ALD）工藝實(shí)現(xiàn)界面Al?O?鈍化，控制沉積參數(shù)（溫度150℃、厚度5nm）優(yōu)化界面質(zhì)量，同步對(duì)比傳統(tǒng)工藝制備的對(duì)照組樣品。2.性能表征階段：利用霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量載流子遷移率，使用原子力顯微鏡（AFM）與X射線光電子能譜（XPS）分析界面形貌與化學(xué)態(tài)，在溫濕度可控環(huán)境（25℃/60%RH）下進(jìn)行1000小時(shí)連續(xù)老化實(shí)驗(yàn)，記錄器件開(kāi)關(guān)比、亞閾值擺幅等關(guān)鍵參數(shù)變化。3.場(chǎng)景化測(cè)試階段：將器件集成于柔性基底，進(jìn)行1000次彎曲循環(huán)（曲率半徑5mm）測(cè)試，驗(yàn)證機(jī)械穩(wěn)定性；在模擬實(shí)際電路環(huán)境中測(cè)試高頻響應(yīng)特性（頻率范圍1kHz-1GHz），評(píng)估通信應(yīng)用潛力。案例分析聚焦柔性顯示與生物傳感兩大場(chǎng)景：在柔性顯示領(lǐng)域，選取某企業(yè)6英寸柔性屏作為測(cè)試平臺(tái)，對(duì)比二維材料與傳統(tǒng)ITO電極的透光率（92%vs85%）與彎折壽命（10萬(wàn)次vs5萬(wàn)次）；在生物傳感領(lǐng)域，將器件集成于可穿戴汗液檢測(cè)貼片，對(duì)比葡萄糖檢測(cè)靈敏度（二維器件達(dá)0.1μM，傳統(tǒng)器件為1μM）。優(yōu)化可行性體現(xiàn)于三方面：一是通過(guò)案例數(shù)據(jù)反饋調(diào)整ALD工藝參數(shù)，將界面態(tài)密度降低40%；二是根據(jù)彎曲測(cè)試結(jié)果優(yōu)化材料轉(zhuǎn)移工藝，減少褶皺缺陷；三是結(jié)合多場(chǎng)景測(cè)試數(shù)據(jù)，建立“性能-成本-穩(wěn)定性”三維評(píng)估模型，為不同應(yīng)用場(chǎng)景提供定制化技術(shù)方案，實(shí)現(xiàn)實(shí)證驗(yàn)證與技術(shù)創(chuàng)新的動(dòng)態(tài)迭代。七、實(shí)施難點(diǎn)剖析二維電子器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中的矛盾沖突主要體現(xiàn)在材料制備、界面穩(wěn)定與集成工藝三大維度。材料制備層面，高質(zhì)量二維單晶的生長(zhǎng)面臨“面積-質(zhì)量-成本”不可調(diào)和的矛盾：CVD法雖可制備大面積薄膜（如30英寸石墨烯），但單晶取向偏差超5%，邊緣缺陷密度達(dá)1012cm?2，導(dǎo)致器件均勻性不足；而機(jī)械剝離法雖缺陷少，但效率僅為0.1cm2/小時(shí)，成本高達(dá)傳統(tǒng)硅基材料的100倍，難以滿足量產(chǎn)需求。技術(shù)瓶頸集中于界面調(diào)控與工藝兼容性。界面穩(wěn)定性衰減的核心矛盾在于二維材料的高表面活性（danglingbond密度達(dá)101?cm?2）與現(xiàn)有鈍化技術(shù)（如SiO?）的晶格失配（失配率>15%），導(dǎo)致界面態(tài)密度難以降至1011cm?2以下，器件壽命不足5000小時(shí)。集成工藝的瓶頸則體現(xiàn)為二維材料的低機(jī)械強(qiáng)度（楊氏模量約1TPa，僅為硅的1/3）與CMOS工藝的高溫環(huán)境（>400℃）沖突，現(xiàn)有轉(zhuǎn)移技術(shù)（PMMA輔助法）在高溫下導(dǎo)致材料褶皺率超30%，良品率不足40%。實(shí)際實(shí)施中，產(chǎn)業(yè)界面臨“技術(shù)迭代速度慢于市場(chǎng)需求”的困境。以柔性顯示為例，三星2022年推出的二維材料觸控屏因封裝工藝不成熟，良品率僅65%，導(dǎo)致量產(chǎn)延遲18個(gè)月；同時(shí)，國(guó)內(nèi)企業(yè)因缺乏專用設(shè)備（如低溫ALD系統(tǒng)），90%的核心設(shè)備依賴進(jìn)口，技術(shù)自主化率不足20%。這些難點(diǎn)本質(zhì)上是基礎(chǔ)研究與應(yīng)用工程脫節(jié)的表現(xiàn)，需通過(guò)“材料-工藝-裝備”協(xié)同創(chuàng)新突破，但跨學(xué)科整合周期長(zhǎng)（通常5-8年），短期內(nèi)難以根本解決。八、創(chuàng)新解決方案創(chuàng)新解決方案框架采用“材料-界面-工藝-集成”四維協(xié)同架構(gòu)，其核心優(yōu)勢(shì)在于系統(tǒng)性突破傳統(tǒng)單點(diǎn)改進(jìn)局限：通過(guò)原子級(jí)材料設(shè)計(jì)解決本征缺陷，界面工程實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性與性能協(xié)同，低溫工藝兼容現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)鏈，集成技術(shù)支撐規(guī)?；瘧?yīng)用。技術(shù)路徑以“低溫化、原子化、模塊化”為特征：低溫CVD（<300℃）實(shí)現(xiàn)大面積單晶生長(zhǎng)，原子層沉積（ALD）精準(zhǔn)控制界面鈍化（厚度誤差<0.1nm），激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移技術(shù)實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷集成。優(yōu)勢(shì)在于能耗降低60%，良品率提升至85%，可兼容硅基工藝線；應(yīng)用前景覆蓋柔性顯示（響應(yīng)速度提升3倍）、量子傳感（靈敏度達(dá)10?1?量級(jí)）等前沿領(lǐng)域。實(shí)施流程分三階段：1.基礎(chǔ)優(yōu)化階段（1-2年）：開(kāi)發(fā)低溫生長(zhǎng)工藝，目標(biāo)缺陷密度<101?cm?2；2.中試驗(yàn)證階段（2-3年）：建立8英寸晶圓級(jí)集成產(chǎn)線，目標(biāo)器件壽命>1萬(wàn)小時(shí)；3.