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文檔簡介

ICS31.080.01

CCSL93

CASME

中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會(huì)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CASMEXXXX—XXXX

半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗技術(shù)規(guī)范

Technicalspecificationforsemiconductorequipmentcomponentscleaning

(征求意見稿)

在提交反饋意見時(shí),請將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會(huì)??發(fā)布

T/CASMEXXXX—XXXX

目次

前言..................................................................................II

1范圍................................................................................1

2規(guī)范性引用文件......................................................................1

3術(shù)語和定義..........................................................................1

4一般要求............................................................................1

人員............................................................................1

工作場所........................................................................1

材料............................................................................1

儀器和設(shè)備......................................................................2

安全和環(huán)保......................................................................2

5表面處理............................................................................2

設(shè)備及材料......................................................................2

等級劃分........................................................................2

處理方法........................................................................2

處理要求........................................................................3

6化學(xué)清洗流程........................................................................4

等級劃分........................................................................4

清洗步驟........................................................................4

7外觀面檢驗(yàn)..........................................................................6

等級劃分........................................................................6

檢驗(yàn)方法........................................................................6

8標(biāo)識(shí)、包裝和貯存....................................................................7

標(biāo)識(shí)............................................................................7

包裝............................................................................7

貯存............................................................................7

I

T/CASMEXXXX—XXXX

半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗技術(shù)規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗的一般要求、表面處理、化學(xué)清洗流程、外觀面檢驗(yàn)、標(biāo)識(shí)、

包裝和貯存。

本文件適用于沒有經(jīng)過噴漆或電鍍的半導(dǎo)體設(shè)備零配件的清洗工藝。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本

文件。

GB/T7814工業(yè)用異丙醇

GB/T25915.1—2021潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第1部分:按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T39293工業(yè)清洗術(shù)語和分類

3術(shù)語和定義

GB/T39293界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。

外觀面cosmetic

可被使用者看見的零件表面。

4一般要求

人員

應(yīng)滿足如下要求:

a)掌握環(huán)境保護(hù)和職業(yè)健康安全相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí),能應(yīng)急解決工藝過程中可能出現(xiàn)的問題;

b)了解企業(yè)的管理制度,自覺遵守人員著裝和污染防控的各項(xiàng)規(guī)定;

c)熟練掌握工藝設(shè)備和儀器的操作方法;

d)按照工藝要求進(jìn)行操作,并填寫相關(guān)記錄。

工作場所

應(yīng)滿足如下要求:

a)整潔有序,有良好的照明條件;

b)工作臺(tái)面保持干凈,物料擺放有序、整齊,所用設(shè)備儀器保持干凈整潔;

c)具有良好的通風(fēng)設(shè)施,保持不間斷良好通風(fēng),墻面、地面、照明燈進(jìn)行防腐處理。

材料

1

T/CASMEXXXX—XXXX

4.3.1物料

4.3.1.1所有物料應(yīng)按相關(guān)儲(chǔ)存條件分類存放,并進(jìn)行標(biāo)識(shí)。

4.3.1.2物料應(yīng)在有效期內(nèi)使用。

儀器和設(shè)備

4.4.1設(shè)備應(yīng)每年至少進(jìn)行1次檢定,儀器應(yīng)每年至少進(jìn)行2次計(jì)量校準(zhǔn)。

4.4.2儀器和設(shè)備均應(yīng)在有效期內(nèi)使用。

安全和環(huán)保

4.5.1安全

應(yīng)滿足如下規(guī)定:

a)設(shè)備電源可靠接地,設(shè)備的水、電、氣系統(tǒng)定期進(jìn)行安全檢查;

b)操作人員工作前穿戴好防護(hù)用品,按設(shè)備操作規(guī)程進(jìn)行操作;

c)工作時(shí)打開通風(fēng)裝置,通風(fēng)裝置正常工作。

4.5.2環(huán)保

零配件清洗完成后,廢液應(yīng)分類回收,并放入相應(yīng)的專用廢液容器中集中處理。

5表面處理

設(shè)備及材料

使用的設(shè)備及材料如下:

a)砂磨機(jī),轉(zhuǎn)速10000RPM;

b)砂紙,120目、220目、320目;

c)工業(yè)百潔布;

d)異丙醇,工業(yè)用異丙醇及以上,符合GB/T7814的規(guī)定;

e)軟布或潔凈布。

等級劃分

零配件的表面處理按照應(yīng)用的不同分為表1中的等級。

表1零配件表面處理等級

等級定義

IA級關(guān)鍵面該面暴露于晶片反應(yīng)流程或晶片輸送場合,是腔體內(nèi)部或晶片浸泡的流程環(huán)境

IB級真空密封面該面用于真空密封,如“O”型密封圈的密封底面或機(jī)械零件的密封表面

II級外觀面該面不暴露在晶片反應(yīng)流程或晶片輸送場合

處理方法

5.3.1IA級

5.3.1.1細(xì)微拋光

使用220目或320目的砂紙進(jìn)行打磨,消除加工印跡及痕跡,所有面應(yīng)成均勻一致的順滑連接。

2

T/CASMEXXXX—XXXX

5.3.1.2擦洗

使用浸泡過去脂油的軟布擦拭所有表面。

5.3.1.3最后拋光

使用工業(yè)百潔布再次進(jìn)行打磨,消除加工印跡及痕跡。

5.3.1.4再次擦洗

再次使用浸泡過去脂油的軟布擦所有表面。

5.3.2IB級

5.3.2.1修整方向

使用220目或320目砂紙按圖紙定義的方向消除加工印跡或痕跡,應(yīng)無橫向痕跡。

5.3.2.2最后修整

使用工業(yè)百潔布打磨所有面直至方向如圖紙標(biāo)識(shí)。一般方向與“O”型環(huán)一致。

5.3.2.3擦洗并檢查

使用浸泡過異丙醇的軟布擦拭零配件表面,直至顯示其金屬本色。檢查并確認(rèn)表面紋路為單向。如

擦干后目視檢查表面仍有污物痕跡,可重復(fù)清洗,直到表面潔凈為止。

5.3.3II級

5.3.3.1粗拋

使用砂磨機(jī)裝120目砂紙,用圓周軌跡打磨整個(gè)面消除加工痕跡。

5.3.3.2中拋

使用砂磨機(jī)裝220目砂紙,用圓周軌跡打磨整面消除粗拋留下的打磨痕跡。

5.3.3.3終拋

使用砂磨機(jī)裝320目砂紙,用圓周軌跡打磨整面消除中拋留下的打磨痕跡。

5.3.3.4最終處理

使用工業(yè)百潔布以圓周運(yùn)動(dòng)振動(dòng)表面,所有表面的狀態(tài)應(yīng)均勻一致。如有要求,應(yīng)圓滑連接相關(guān)表

面。

5.3.3.5擦洗

使用浸泡過異丙醇的軟布擦拭零配件表面,直至顯示其金屬本色。如擦干后目視檢查表面仍有污物

痕跡,可重復(fù)清洗,直到表面潔凈為止。

處理要求

5.4.1所有成品表面應(yīng)光滑、連續(xù),狀態(tài)均勻一致,無加工痕跡及印跡。

5.4.2成品的尺寸應(yīng)符合設(shè)計(jì)圖紙規(guī)定。

5.4.3成品表面粗糙度應(yīng)符合設(shè)計(jì)圖紙規(guī)定,如無規(guī)定,應(yīng)不超過0.8μm。

3

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6化學(xué)清洗流程

等級劃分

零配件清洗作業(yè)按照重要性可分為表2中的三個(gè)等級。

表2零配件清洗作業(yè)等級

等級定義清洗要求

IA級適用于暴露于晶片流程或晶片輸送場合的關(guān)鍵零件應(yīng)采用精確的清洗方法,如超聲波清洗

IB級適用于晶片運(yùn)送環(huán)境的主要零件宜采用超聲波清洗

II級適用于潔凈室或普通環(huán)境的零件可以不用超聲波清洗

清洗步驟

6.2.1IA級

6.2.1.1脫脂

按脫脂劑說明書的規(guī)定將零配件浸泡在脫脂劑中,脫脂劑應(yīng)加熱至55℃~75℃,或符合說明書

的相關(guān)規(guī)定。

6.2.1.2漂洗

在23℃~25℃的環(huán)境溫度下將零配件浸泡在電阻率不低于200kΩ·cm的純水中進(jìn)行漂洗,

漂洗時(shí)間根據(jù)零配件尺寸及結(jié)構(gòu)決定,直至去除所有脫脂劑。盲孔、未焊接縫、深孔等不易清洗的地方,

宜使用高壓水噴淋漂洗。

6.2.1.3酸洗

在23℃~25℃的環(huán)境溫度下將零配件浸泡在硝酸/氫氟酸混合液中,浸泡時(shí)間15s~45s。硝

酸/氫氟酸混合液的配比應(yīng)為20%體積比的硝酸、1%~3%體積比的氫氟酸,其余為水。應(yīng)提前以重量

比稀釋酸劑,硝酸為70%硝酸兌30%去離子水,氫氟酸為50%氫氟酸兌50%去離子水。可采用水浴

加熱酸劑,溫度應(yīng)保持穩(wěn)定。

6.2.1.4漂洗

在23℃~25℃的環(huán)境溫度下將零配件浸泡在電阻率不低于200kΩ·cm的純水中進(jìn)行漂洗,

漂洗時(shí)間根據(jù)零配件尺寸及結(jié)構(gòu)決定,直至去除所有酸溶液。盲孔、未焊接縫、深孔等不易清洗的地方,

宜使用高壓水噴淋漂洗。

6.2.1.5去酸清洗

在23℃~25℃的環(huán)境溫度下將零配件浸泡在50%體積比的硝酸溶液中30s~60s,對酸進(jìn)行

循環(huán)過濾。應(yīng)提前以重量比稀釋酸劑,硝酸為70%硝酸兌30%去離子水。

6.2.1.6再次漂洗

按下列步驟進(jìn)行:

a)重復(fù)步驟6.2.1.4;

4

T/CASMEXXXX—XXXX

b)在23℃~25℃的環(huán)境溫度下將零配件浸泡在電阻率低于2MΩ·cm的純水中5min~10

min。

6.2.1.7超聲波清洗

在23℃~25℃的環(huán)境溫度下將零配件浸泡在電阻率低于2MΩ·cm的純水中,超聲清洗機(jī)功

率調(diào)節(jié)至40W~100W,清洗時(shí)間宜為5min~10min,具體時(shí)間應(yīng)按零配件尺寸及結(jié)構(gòu)確定。

6.2.1.8噴淋清洗

應(yīng)在不低于GB/T25915.1—2021表1中ISO6級的潔凈環(huán)境中進(jìn)行,零配件應(yīng)浸泡在電阻率低

于2MΩ·cm的純水中進(jìn)行噴淋,噴淋時(shí)間按零配件尺寸及結(jié)構(gòu)來確定。

6.2.1.9干燥

應(yīng)在不低于GB/T25915.1—2021表1中ISO6級的潔凈環(huán)境中進(jìn)行,用經(jīng)過0.1μm過濾器過

濾過的氮?dú)鈱⒘闩浼蹈伞?/p>

6.2.2IB級

6.2.2.1脫脂

按6.2.1.1的步驟進(jìn)行。

6.2.2.2漂洗

按6.2.1.2的步驟進(jìn)行。

6.2.2.3酸洗

按6.2.1.3的步驟進(jìn)行。

6.2.2.4漂洗

按6.2.1.4的步驟進(jìn)行。

6.2.2.5去酸清洗

按6.2.1.5的步驟進(jìn)行。

6.2.2.6再次漂洗

按6.2.1.6的步驟進(jìn)行。

6.2.2.7熱漂洗

將零配件浸泡在不低于1MΩ·cm的純水中漂洗5min~10min,加熱水溫至40℃~45℃并保

持。漂洗時(shí)應(yīng)使零配件來回運(yùn)動(dòng)。

6.2.2.8噴淋漂洗

按6.2.1.8的步驟進(jìn)行。

6.2.3干燥

按6.2.1.9的步驟進(jìn)行。

6.2.4II級

5

T/CASMEXXXX—XXXX

6.2.4.1脫脂

按6.2.1.1的步驟進(jìn)行。

6.2.4.2漂洗

按6.2.1.6的步驟進(jìn)行。

6.2.4.3熱漂洗

按6.2.2.7的步驟進(jìn)行。

6.2.4.4干燥

按6.2.1.9的步驟進(jìn)行。

7外觀面檢驗(yàn)

等級劃分

按照最終使用者對最終產(chǎn)品的看到頻率的不同分為如下三類:

a)Ⅰ級:高頻率看到或關(guān)鍵外觀面;

b)Ⅱ級:代表性的或一般外觀面;

c)Ⅲ級:很少看到的或隱藏面。

檢驗(yàn)方法

7.2.1目視環(huán)境

使用光照度范圍850lx~1300lx的非單一光源進(jìn)行檢查,光源與外觀面的檢驗(yàn)角度為0°~

30°。

7.2.2檢驗(yàn)距離與時(shí)間

應(yīng)符合表3的規(guī)定。

表3檢驗(yàn)距離與時(shí)間

項(xiàng)目

觀察距離/mm觀察時(shí)間/s

零配件尺寸/mm等級

Ⅰ級30020

≤600×600×600Ⅱ級40010

Ⅲ級5005

Ⅰ級60010

>600×600×600Ⅱ級6005

Ⅲ級9003

7.2.3判定規(guī)則

經(jīng)清洗后的零配件與標(biāo)準(zhǔn)樣件比對,應(yīng)呈材料本色,表面無水滴或任何形態(tài)的水印殘留。允許的外

觀面瑕疵應(yīng)符合表4的規(guī)定。

6

T/CASMEXXXX—XXXX

表4允許的外觀面瑕疵

指標(biāo)

項(xiàng)目

Ⅰ級Ⅱ級Ⅲ級

污點(diǎn)1個(gè),直徑1mm內(nèi)2個(gè),直徑2mm內(nèi)2個(gè),直徑3mm內(nèi)

劃傷(寬×長)1個(gè),<0.1mm×2mm1個(gè),<0.1mm×5mm2個(gè),<0.1mm×5mm

凹坑1個(gè),直徑1mm內(nèi)1個(gè),直徑3mm內(nèi)2個(gè),直徑3mm內(nèi)

模糊根據(jù)實(shí)際情況判定,應(yīng)符合技術(shù)要求

注1:污點(diǎn)是指材料固有雜質(zhì)或由不恰當(dāng)?shù)奶幚硪鸬牟煌伾狞c(diǎn)。

注2:劃傷是指由操作不當(dāng)導(dǎo)致的,由硬物劃過表面造成損傷。

注3:凹坑是指深度小于0.2mm的表面可看見的影子,例如由硬物壓過表面產(chǎn)生的一條線或污點(diǎn)。

注4:模糊是指在光線下由于光線散射造成光澤不同,看上去象片狀云。

8標(biāo)識(shí)、包裝和貯存

標(biāo)識(shí)

每批產(chǎn)品加工完后應(yīng)填寫隨工單,并隨該批產(chǎn)品流轉(zhuǎn)到下一工序。隨工單的填寫應(yīng)完整、準(zhǔn)確、清

楚。對于檢驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)的不合格品應(yīng)進(jìn)行標(biāo)識(shí),防止不合格品的非預(yù)期使用。

包裝

8.2.1零件包裝前應(yīng)完全干燥,

8.2.2清潔零件的包裝應(yīng)在不低于GB/T25915.1—2021表1中ISO6級的潔凈環(huán)境中進(jìn)行。

8.2.3除非另外說明,每個(gè)零件應(yīng)單獨(dú)包裝,且雙層包裝。

貯存

8.3.1清洗后的零件應(yīng)存放在干燥、潔凈的環(huán)境中,環(huán)境溫度10℃~30℃,環(huán)境相對濕度不超過

65%。

8.3.2周圍環(huán)境不應(yīng)有粉塵,酸、堿或其他腐蝕性氣體,通風(fēng)應(yīng)良好。

7

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

《半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗技術(shù)規(guī)范》

(征求意見稿)

編制說明

《半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗技術(shù)規(guī)范》

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)制定小組

二○二四年十一月

一、工作簡況

(一)任務(wù)來源

為完善半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗技術(shù)規(guī)范的質(zhì)量要求,為借助標(biāo)準(zhǔn)化手段,填補(bǔ)

行業(yè)內(nèi)該方面的標(biāo)準(zhǔn)空白,依據(jù)《中華人民共和國標(biāo)準(zhǔn)化法》以及《團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)管理

規(guī)定》相關(guān)規(guī)定,中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會(huì)決定立項(xiàng)并聯(lián)合蘇州飛思達(dá)精密機(jī)械有限

公司等相關(guān)單位共同制定《半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。2024年10

月中國中小商業(yè)企業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布了《半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗技術(shù)規(guī)范》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)

通知,正式立項(xiàng)。

(二)編制背景及目的

半導(dǎo)體設(shè)備零配件是指光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備所用零配

件,其清洗是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體制造過程要求極高的潔凈度,

任何微小的污染物都可能對芯片質(zhì)量產(chǎn)生嚴(yán)重影響。如果零配件上帶有灰塵、微粒、

金屬離子、有機(jī)物等污染物,在設(shè)備運(yùn)行過程中,這些污染物可能會(huì)脫落并傳播到

晶圓表面,導(dǎo)致芯片出現(xiàn)缺陷、短路、漏電等問題。零配件的清洗能夠確保其表面

的潔凈度,避免將污染物帶入半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié),從而保證設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和

芯片的高質(zhì)量生產(chǎn)。半導(dǎo)體設(shè)備零配件的清洗效果直接影響半導(dǎo)體設(shè)備的性能和芯

片的良率,對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著至關(guān)重要的作用。

截止目前,尚未有國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體設(shè)備零配件的清洗進(jìn)行規(guī)范。

《半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗技術(shù)規(guī)范》標(biāo)準(zhǔn)的制定,對半導(dǎo)體設(shè)備零配件的清洗工藝

從表面處理、化學(xué)清洗流程、清洗效果檢驗(yàn)、標(biāo)識(shí)、包裝、貯存等方面進(jìn)行詳細(xì)的

規(guī)定,包括在表面處理環(huán)節(jié)按照零配件的應(yīng)用場景分為關(guān)鍵表面(IA級)、真空密

封面(IB級)和外觀面(II級),分別進(jìn)行處理要求的規(guī)定,并按照最終使用者對

最終產(chǎn)品的看到頻率將處理后的零配件外觀檢驗(yàn)劃分為高頻率看到或關(guān)鍵外觀面(I

級)、代表性的或一般外觀面(II級)和很少看到的或隱藏面(III級)三個(gè)等級,

對不同級別外觀面的檢測觀察距離、檢測觀察時(shí)間和瑕疵認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行規(guī)定;以及

將化學(xué)清洗流程按照清潔度需求的不同劃分為關(guān)鍵零件(IA級)、主要零件(IB級)

和普通零件(II級),并分別規(guī)定其清洗流程。

—1—

本項(xiàng)目的提出,旨在借助標(biāo)準(zhǔn)化手段,填補(bǔ)標(biāo)準(zhǔn)空白,提高半導(dǎo)體設(shè)備零配件

清洗的技術(shù)水平,提高半導(dǎo)體器件的良品率,保障半導(dǎo)體設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

同時(shí)進(jìn)一步促進(jìn)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化應(yīng)用水平升級,推動(dòng)行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

(三)編制過程

2024年10月,完成《半導(dǎo)體設(shè)備零配件清洗技術(shù)規(guī)范》的立項(xiàng)。標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)計(jì)

劃下達(dá)后,根據(jù)相關(guān)文件的要求,明確小組成員工作任務(wù)并制定了詳細(xì)的工作計(jì)劃。

2024年10月至2024年11月,標(biāo)準(zhǔn)編制組對國內(nèi)外的相關(guān)行業(yè)、標(biāo)準(zhǔn)、科

研成果、專著等開展廣泛、深入的調(diào)研,在此基礎(chǔ)上完成《半導(dǎo)體設(shè)備零

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