111.《超高純氙氣制備中顆粒物控制工藝考核》一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共30題）1.超高純氙氣制備中，顆粒物的主要來源是？A.氣體原料B.設(shè)備表面C.空氣中的塵埃D.冷卻介質(zhì)2.在顆粒物控制工藝中，以下哪項(xiàng)不屬于常用的過濾方法？A.活性炭過濾B.混合纖維素酯膜過濾C.超濾膜過濾D.陶瓷過濾3.超高純氙氣制備中，顆粒物檢測(cè)的常用設(shè)備是？A.光學(xué)顯微鏡B.粒度分析儀C.質(zhì)譜儀D.氣相色譜儀4.以下哪項(xiàng)指標(biāo)是衡量顆粒物控制工藝效果的關(guān)鍵參數(shù)？A.氣體流速B.過濾效率C.壓力降D.氣體溫度5.在顆粒物控制工藝中，活性炭的主要作用是？A.吸附雜質(zhì)B.催化反應(yīng)C.催化燃燒D.分解氣體6.超高純氙氣制備中，設(shè)備表面的清潔度對(duì)顆粒物控制的影響是？A.較小B.無影響C.較大D.不確定7.以下哪項(xiàng)措施可以有效減少設(shè)備表面的顆粒物附著？A.定期清洗B.增加氣流C.使用密封材料D.以上都是8.在顆粒物控制工藝中，混合纖維素酯膜過濾的孔徑范圍通常是？A.0.1-1微米B.1-10微米C.10-100微米D.100-1000微米9.超高純氙氣制備中，超濾膜過濾的截留分子量通常是？A.100-1000道爾頓B.1000-10000道爾頓C.10000-100000道爾頓D.100000-1000000道爾頓10.以下哪項(xiàng)是影響顆粒物控制工藝穩(wěn)定性的重要因素？A.氣體流量B.溫濕度控制C.設(shè)備材料D.以上都是11.在顆粒物控制工藝中，陶瓷過濾的主要優(yōu)點(diǎn)是？A.高溫耐受性B.高過濾效率C.低壓降D.以上都是12.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的溫度范圍通常是？A.0-50°CB.50-100°CC.100-200°CD.200-300°C13.以下哪項(xiàng)是衡量顆粒物控制工藝能耗的重要指標(biāo)？A.功率消耗B.能效比C.電能成本D.以上都是14.在顆粒物控制工藝中，壓力降的控制范圍通常是？A.0.1-1巴B.1-10巴C.10-100巴D.100-1000巴15.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的自動(dòng)化程度越高，對(duì)操作人員的要求是？A.越低B.越高C.無影響D.不確定16.以下哪項(xiàng)是顆粒物控制工藝中常見的故障原因？A.設(shè)備老化B.維護(hù)不當(dāng)C.氣體污染D.以上都是17.在顆粒物控制工藝中，設(shè)備的清潔度對(duì)顆粒物控制的影響是？A.較小B.無影響C.較大D.不確定18.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的優(yōu)化目標(biāo)通常是？A.提高氣體純度B.降低能耗C.延長設(shè)備壽命D.以上都是19.以下哪項(xiàng)措施可以有效減少顆粒物在設(shè)備表面的附著？A.定期清洗B.增加氣流C.使用密封材料D.以上都是20.在顆粒物控制工藝中，混合纖維素酯膜過濾的主要缺點(diǎn)是？A.易堵塞B.成本高C.耐溫性差D.以上都是21.超高純氙氣制備中，超濾膜過濾的主要優(yōu)點(diǎn)是？A.高過濾效率B.低壓降C.耐溫性好D.以上都是22.以下哪項(xiàng)是影響顆粒物控制工藝可靠性的重要因素？A.設(shè)備質(zhì)量B.操作規(guī)范C.環(huán)境控制D.以上都是23.在顆粒物控制工藝中，陶瓷過濾的主要缺點(diǎn)是？A.易碎B.成本高C.耐溫性差D.以上都是24.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的自動(dòng)化程度越高，對(duì)設(shè)備的要求是？A.越低B.越高C.無影響D.不確定25.以下哪項(xiàng)是顆粒物控制工藝中常見的維護(hù)措施？A.定期檢查B.更換濾材C.清洗設(shè)備D.以上都是26.在顆粒物控制工藝中，設(shè)備的密封性對(duì)顆粒物控制的影響是？A.較小B.無影響C.較大D.不確定27.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的優(yōu)化方法通常是？A.改進(jìn)設(shè)備B.優(yōu)化操作C.改善環(huán)境D.以上都是28.以下哪項(xiàng)是影響顆粒物控制工藝效率的重要因素？A.氣體流量B.溫濕度控制C.設(shè)備材料D.以上都是29.在顆粒物控制工藝中，活性炭的主要缺點(diǎn)是？A.吸附容量有限B.易中毒C.耐溫性差D.以上都是30.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的最終目標(biāo)是？A.提高氣體純度B.降低能耗C.延長設(shè)備壽命D.以上都是二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20題）1.超高純氙氣制備中，顆粒物的主要來源包括？A.氣體原料B.設(shè)備表面C.空氣中的塵埃D.冷卻介質(zhì)2.在顆粒物控制工藝中，常用的過濾方法包括？A.活性炭過濾B.混合纖維素酯膜過濾C.超濾膜過濾D.陶瓷過濾3.超高純氙氣制備中，顆粒物檢測(cè)的常用設(shè)備包括？A.光學(xué)顯微鏡B.粒度分析儀C.質(zhì)譜儀D.氣相色譜儀4.衡量顆粒物控制工藝效果的關(guān)鍵參數(shù)包括？A.氣體流速B.過濾效率C.壓力降D.氣體溫度5.在顆粒物控制工藝中，活性炭的主要作用包括？A.吸附雜質(zhì)B.催化反應(yīng)C.催化燃燒D.分解氣體6.超高純氙氣制備中，設(shè)備表面的清潔度對(duì)顆粒物控制的影響包括？A.較小B.無影響C.較大D.不確定7.在顆粒物控制工藝中，可以有效減少設(shè)備表面顆粒物附著的措施包括？A.定期清洗B.增加氣流C.使用密封材料D.以上都是8.超高純氙氣制備中，混合纖維素酯膜過濾的孔徑范圍通常是？A.0.1-1微米B.1-10微米C.10-100微米D.100-1000微米9.超高純氙氣制備中，超濾膜過濾的截留分子量通常是？A.100-1000道爾頓B.1000-10000道爾頓C.10000-100000道爾頓D.100000-1000000道爾頓10.影響顆粒物控制工藝穩(wěn)定性的重要因素包括？A.氣體流量B.溫濕度控制C.設(shè)備材料D.以上都是11.在顆粒物控制工藝中，陶瓷過濾的主要優(yōu)點(diǎn)包括？A.高溫耐受性B.高過濾效率C.低壓降D.以上都是12.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的溫度范圍通常是？A.0-50°CB.50-100°CC.100-200°CD.200-300°C13.衡量顆粒物控制工藝能耗的重要指標(biāo)包括？A.功率消耗B.能效比C.電能成本D.以上都是14.在顆粒物控制工藝中，壓力降的控制范圍通常是？A.0.1-1巴B.1-10巴C.10-100巴D.100-1000巴15.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的自動(dòng)化程度越高，對(duì)操作人員的要求包括？A.越低B.越高C.無影響D.不確定16.顆粒物控制工藝中常見的故障原因包括？A.設(shè)備老化B.維護(hù)不當(dāng)C.氣體污染D.以上都是17.在顆粒物控制工藝中，設(shè)備的清潔度對(duì)顆粒物控制的影響包括？A.較小B.無影響C.較大D.不確定18.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的優(yōu)化目標(biāo)包括？A.提高氣體純度B.降低能耗C.延長設(shè)備壽命D.以上都是19.在顆粒物控制工藝中，可以有效減少顆粒物在設(shè)備表面附著的措施包括？A.定期清洗B.增加氣流C.使用密封材料D.以上都是20.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的優(yōu)化方法包括？A.改進(jìn)設(shè)備B.優(yōu)化操作C.改善環(huán)境D.以上都是三、判斷題（每題1分，共20題）1.超高純氙氣制備中，顆粒物的主要來源是氣體原料。（×）2.在顆粒物控制工藝中，常用的過濾方法包括活性炭過濾。（√）3.超高純氙氣制備中，顆粒物檢測(cè)的常用設(shè)備是光學(xué)顯微鏡。（×）4.衡量顆粒物控制工藝效果的關(guān)鍵參數(shù)是氣體流速。（×）5.在顆粒物控制工藝中，活性炭的主要作用是吸附雜質(zhì)。（√）6.超高純氙氣制備中，設(shè)備表面的清潔度對(duì)顆粒物控制的影響較大。（√）7.在顆粒物控制工藝中，可以有效減少設(shè)備表面顆粒物附著的措施包括定期清洗。（√）8.超高純氙氣制備中，混合纖維素酯膜過濾的孔徑范圍通常是0.1-1微米。（√）9.超高純氙氣制備中，超濾膜過濾的截留分子量通常是100-1000道爾頓。（×）10.影響顆粒物控制工藝穩(wěn)定性的重要因素是氣體流量。（×）11.在顆粒物控制工藝中，陶瓷過濾的主要優(yōu)點(diǎn)是高溫耐受性。（√）12.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的溫度范圍通常是0-50°C。（×）13.衡量顆粒物控制工藝能耗的重要指標(biāo)是功率消耗。（√）14.在顆粒物控制工藝中，壓力降的控制范圍通常是0.1-1巴。（×）15.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的自動(dòng)化程度越高，對(duì)操作人員的要求越高。（√）16.顆粒物控制工藝中常見的故障原因是設(shè)備老化。（√）17.在顆粒物控制工藝中，設(shè)備的清潔度對(duì)顆粒物控制的影響較小。（×）18.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的優(yōu)化目標(biāo)包括提高氣體純度。（√）19.在顆粒物控制工藝中，可以有效減少顆粒物在設(shè)備表面附著的措施包括增加氣流。（√）20.超高純氙氣制備中，顆粒物控制工藝的優(yōu)化方法包括改善環(huán)境。（√）四、簡答題（每題5分，共2題）1.簡述超高純氙氣制備中顆粒物控制工藝的主要方法和作用。答：超高純氙氣制備中，顆粒