(19)國家知識產(chǎn)權(quán)局(12)發(fā)明專利H03F3/20(2006.01)審查員許晶限公司11270本公開實(shí)施例提供一種可變增益放大器和超前于參考態(tài)的相位時(shí)，第一晶體管的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對中一個(gè)的輸入年2可變增益模塊，被配置為基于接收的增益控制信號進(jìn)行增益調(diào)節(jié)；所述可變增益模塊包括主晶體管對和交叉耦合晶體管對；其中，所述交叉耦合晶體管對用于對流經(jīng)所述主晶體管對的電流進(jìn)行抵消以提供可變增益；補(bǔ)償模塊，包括關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶當(dāng)所述可變增益模塊的衰減態(tài)的相位滯后于參考態(tài)的相位時(shí)，所述第一晶體管的輸入端、輸出端分別與所述主晶體管對中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，所述第二晶體管的輸入當(dāng)所述可變增益模塊的衰減態(tài)的相位超前于所述參考態(tài)的相位時(shí)，所述第一晶體管的輸入端、輸出端分別與所述交叉耦合晶體管對中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，所述第二晶體管的輸入端、輸出端分別與所述交叉耦合晶體管對中另一個(gè)的輸入端、輸出端連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變增益放大器，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管的尺寸與所述參考態(tài)和所述衰減態(tài)之間的相位差成正比。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可變增益放大器，其特征在于，所述可變增益模塊具有多個(gè)所述衰減態(tài)，每一所述衰減態(tài)與所述參考態(tài)具有相位差；多個(gè)所述相位差的中位數(shù)為正，則所述可變增益模塊的相位超前；或者，多個(gè)所述相位差的中位數(shù)為負(fù)，則所述可變增益模塊的相位滯后。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變增益放大器，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管為以下幾種之一：所述第一晶體管和所述第二晶體管均為NMOS晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管的控制端均接地；所述第一晶體管和所述第二晶體管均為PMOS晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管的控制端均接電源電壓VDD;所述第一晶體管和所述第二晶體管均為NPN三極管，所述第一晶體管和所述第二晶體所述第一晶體管和所述第二晶體管均為PNP三極管，所述第一晶體管和所述第二晶體5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變增益放大器，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述主晶體管對和所述交叉耦合晶體管對的晶體管類型一致。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可變增益放大器，其特征在于，所述主晶體管對包括第一主晶體管單元和第二主晶體管單元；所述交叉耦合晶體管對包括第一交叉耦合單元和第二交叉耦合單元；所述第一主晶體管單元的輸入端連接所述第一交叉耦合晶體管單元的輸入端，所述第二主晶體管單元的輸入端連接所述第二交叉耦合晶體管單元的輸入端；所述第一主晶體管單元的輸出端連接所述第二交叉耦合晶體管單元的輸出端，所述第二主晶體管單元的輸出端連接所述第一交叉耦合晶體管單元的輸出端。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可變增益放大器，其特征在于，所述第一主晶體管單元、所述第二主晶體管單元、所述第一交叉耦合晶體管單元、所述3第二交叉耦合晶體管單元均為陣列晶體管，或者均為壓控晶體管。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可變增益放大器，其特征在于，所述主晶體管對、所述交叉耦合晶體管中的晶體管均為共柵晶體管；所述第一主晶體管單元、所述第二主晶體管單元、所述第一交叉耦合晶體管單元、所述第二交叉耦合晶體管單元的所述輸入端為晶體管的源極，所述輸出端為晶體管的漏極。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可變增益放大器，其特征在于，所述可變增益模塊還包括共源極的第三晶體管和第四晶體管；所述第一主晶體管單元和所述第一交叉耦合晶體管單元的輸入端連接所述第三晶體管的漏極，所述第三晶體管的源極接地，所述第三晶體管的柵極接收正輸入信號；所述第二主晶體管單元和所述第二交叉耦合晶體管單元的輸入端連接所述第四晶體管的漏極，所述第四晶體管的源極接地，所述第四晶體管的柵極接收負(fù)輸入信號。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可變增益放大器，其特征在于，所述主晶體管對、所述交叉耦合晶體管中的晶體管均為共源晶體管，所述第一主晶體管單元、所述第二主晶體管單元、所述第一交叉耦合晶體管單元、所述第二交叉耦合晶體管單元的所述輸入端為晶體管的柵極，所述輸出端為晶體管的漏極。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可變增益放大器，其特征在于，所述可變增益模塊還包括共柵極的第三晶體管和第四晶體管；所述第一主晶體管單元和所述第一交叉耦合晶體管單元的輸出端連接所述第三晶體管的源極，所述第三晶體管的漏極用于輸出正輸出信號，所述第三晶體管的柵極接收第一控制信號；所述第二主晶體管單元和所述第二交叉耦合晶體管單元的輸出端連接所述第四晶體管的源極，所述第四晶體管的漏極用于輸出負(fù)輸出信號，所述第四晶體管的柵極接收第二控制信號。12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可變增益放大器，其特征在于，所述主晶體管對、所述交叉耦合晶體管中的晶體管均為共基晶體管，所述第一主晶體管單元、所述第二主晶體管單元、所述第一交叉耦合晶體管單元、所述第二交叉耦合晶體管單元的所述輸入端為晶體管的發(fā)射極，所述輸出端為晶體管的集電極。13.一種射頻前端，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的可變增益放大4一種可變增益放大器和射頻前端技術(shù)領(lǐng)域[0001]本公開涉及通信領(lǐng)域，特別涉及一種可變增益放大器和射頻前端。背景技術(shù)[0002]相控陣技術(shù)在毫米波通信、雷達(dá)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。相控陣系統(tǒng)包含大量的收發(fā)組件，且收發(fā)組件的性能會直接影響相控陣系統(tǒng)的性能。相控陣系統(tǒng)的收發(fā)組件同時(shí)包含發(fā)射鏈路和接收鏈路，主要用來實(shí)現(xiàn)放大信號、控制信號的相位和幅度變化等功能。在傳統(tǒng)的收發(fā)組件中，發(fā)射鏈路和接收鏈路均包括可變增益模塊，用于調(diào)節(jié)相位或幅度。[0003]為了適應(yīng)毫米波通信和面向高性能雷達(dá)應(yīng)用等高頻場景，可變增益模塊需要有更小的相位偏移。發(fā)明內(nèi)容[0004]本公開實(shí)施例提出一種可變增益放大器和射頻前端，可以補(bǔ)償可變增益模塊因不同增益下的寄生電容不同，而帶來的相位偏移。[0005]本公開實(shí)施例提供一種可變增益放大器，包括：可變增益模塊，被配置為基于接收的增益控制信號進(jìn)行增益調(diào)節(jié)；可變增益模塊包括主晶體管對和交叉耦合晶體管對；補(bǔ)償模塊，包括關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶體管；其中，當(dāng)可變增益模塊的衰減態(tài)的相位滯后于參考態(tài)的相位時(shí)，第一晶體管的輸入端、輸出端分別與主晶體管對中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，第二晶體管的輸入端、輸出端分別與主晶體管對中另一個(gè)的輸入端、輸出端連接；或者，當(dāng)可變增益模塊的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位時(shí)，第一晶體管的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，第二晶體管的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對中另一個(gè)的輸入端、輸出端連接。[0006]在本公開的方案中，可變增益放大器包括可變增益模塊和補(bǔ)償模塊，可變增益模塊被配置為基于接收的增益控制信號進(jìn)行增益調(diào)節(jié)，其包括主晶體管對和交叉耦合晶體管對；補(bǔ)償模塊包括關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶體管。可變增益模塊包括衰減態(tài)和參考態(tài)，參考態(tài)為可變增益模塊的增益最大的狀態(tài)，衰減態(tài)為可變增益模塊的增益非最大的[0007]當(dāng)可變增益模塊的衰減態(tài)相位超前于參考態(tài)相位時(shí)，第一晶體管的輸入端、輸出端分別與主晶體管對中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，第二晶體管的輸入端、輸出端分別與主晶體管對中另一個(gè)的輸入端、輸出端連接；此時(shí)，關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶體管的寄生電容，可以補(bǔ)償交叉耦合晶體管對的寄生電容，從而降低交叉耦合晶體管對與主晶體管對之間的寄生電容差，從而補(bǔ)償相位偏移。[0008]當(dāng)可變增益模塊的衰減態(tài)相位滯后于參考態(tài)相位時(shí)，第一晶體管的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對中一個(gè)的輸入端、輸出端連接，第二晶體管的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對中另一個(gè)的輸入端、輸出端連接；此時(shí)，關(guān)斷的第一晶體管和關(guān)斷的第二晶體管的寄生電容，可以補(bǔ)償主晶體管對的寄生電容，從而降低交叉耦合晶體管對與5主晶體管對之間的寄生電容差，從而補(bǔ)償相位偏移。[0009]在一些實(shí)施例中，可變增益模塊具有多個(gè)衰減態(tài)，每一衰減態(tài)與參考態(tài)具有相位差；多個(gè)相位差的中位數(shù)為正，則可變增益模塊的相位超前；或者，多個(gè)相位差的中位數(shù)為負(fù)，則可變增益模塊的相位滯后。對相位差的中位數(shù)的相位超前或相位滯后進(jìn)行補(bǔ)償，可以通過一個(gè)第一晶體管和第二晶體管對所有的衰減態(tài)進(jìn)行補(bǔ)償，節(jié)約第一晶體管和第二晶體附圖說明[0010]圖1示出了相關(guān)技術(shù)中收發(fā)組件的結(jié)構(gòu)示意圖；[0011]圖2A示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的框圖一；[0012]圖2B示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的框圖二；[0013]圖3A示出了本公開實(shí)施例一提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖一；[0014]圖3B示出了本公開實(shí)施例二提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖二；[0015]圖3C示出了圖3B所示結(jié)構(gòu)的等效電路圖；[0016]圖4A示出了本公開實(shí)施例三提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖三；[0017]圖4B示出了本公開實(shí)施例四提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖四；[0018]圖5A示出了本公開實(shí)施例五提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖五；[0019]圖5B示出了本公開實(shí)施例六提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖六；[0020]圖6A示出了本公開實(shí)施例七提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖七；[0021]圖6B示出了本公開實(shí)施例八提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖八；[0022]圖7A示出了本公開實(shí)施例九提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖九；[0023]圖7B示出了本公開實(shí)施例十提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖十；[0024]圖8A示出了本公開實(shí)施例十一提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖十一；[0025]圖8B示出了本公開實(shí)施例十二提供的可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖十二；[0026]圖9A示出了本公開實(shí)施例三提供的未使用補(bǔ)償模塊時(shí)寄生調(diào)相隨頻率變化示意[0027]圖9B示出了本公開實(shí)施例三提供的使用補(bǔ)償模塊時(shí)寄生調(diào)相隨頻率變化示意圖。具體實(shí)施方式[0028]下面將結(jié)合本公開實(shí)施方式及附圖，對本公開實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施方式僅僅是本公開的一部分實(shí)施方式，而不是全部的實(shí)施方式?；诒竟_中的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施方式，都屬于本公開保護(hù)的范圍。[0029]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本公開更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本公開可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本公開發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述；即，這里不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特同附圖標(biāo)記表示相同的元件。6它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，層?或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分[0032]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本公開的限制。在此使有組合。[0033]為了徹底理解本公開，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本公開的技術(shù)方案。本公開的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本公開還可以具有其他實(shí)施方式。[0034]在相關(guān)技術(shù)中，相控陣電路中每個(gè)天線單元配備一個(gè)收發(fā)組件，將多個(gè)收發(fā)組件進(jìn)行合成得到相控陣列。圖1示出了相關(guān)技術(shù)中收發(fā)組件與天線的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，收發(fā)組件包括發(fā)射鏈路和接收鏈路；發(fā)射鏈路和接收鏈路通過收發(fā)通道開關(guān)101和108進(jìn)行切換。發(fā)射鏈路包括功率放大器102、移相器103和可變增益放大器104;接收鏈路包括低噪聲放大器105、移相器106和可變增益放大器107。其中，移相器103和106分別用于實(shí)現(xiàn)發(fā)射鏈路和接收鏈路的相位控制，可變增益放大器104和107分別用于實(shí)現(xiàn)發(fā)射鏈路和接收鏈路的幅度控制，功率放大器102用于實(shí)現(xiàn)發(fā)射鏈路的信號放大，低噪聲放大器105用于實(shí)現(xiàn)接收鏈路的信號放大。[0035]由于可變增益放大器中的晶體管自身的寄生電容在不同的偏置電流下具備不同的電容值，從而使得該可變增益放大器的輸出相位會隨著偏置電流的變化而變化，如何在不同增益下實(shí)現(xiàn)相對小的相位偏移是亟待解決的問題。[0036]對此，本公開提出了以下實(shí)施方式。[0037]圖2A示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的框圖一，圖2B示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的框圖二。如圖2A和圖2B所示，可變增益放大器包括：可變增益模塊210,被配置為基于接收的增益控制信號進(jìn)行增益調(diào)節(jié)；可變增益模塊210包括主晶體管對211、212和交叉耦合晶體管對213、214;補(bǔ)償模塊220,包括關(guān)斷的第一晶體管M1和關(guān)斷的第二晶體管M2;其中，主晶體管211的輸入端與交叉耦合晶體管213的輸入端連接，主晶體管211的輸出端與交叉耦合晶體管214的輸出端連接，主晶體管212的輸入端與交叉耦合晶體管214的輸入端連接，主晶體管212與交叉耦合晶體管213的輸出端連接，形成交叉耦合關(guān)系。[0038]需要說明的是，圖2A示意出的是可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)7的相位的情況下，補(bǔ)償模塊220與可變增益模塊210的連接方式；圖2B示意出的是可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位滯后于參考態(tài)的相位的情況下，補(bǔ)償模塊220與可變增益模塊210的連接方式。[0039]在一些實(shí)施例中，可變增益放大器為電流抵消型(Currentcanceling)可變增益放大器(VariableGainAmplifier,VGA),該電流抵消型VGA包括主晶體管對211、212和交叉耦合晶體管對213、214,交叉耦合晶體管對213、214用于對流經(jīng)主晶體管對211、212的電流進(jìn)行抵消，通過減少電流抵消并提供可動態(tài)調(diào)整的增益。該可變增益放大器在低頻處的寄生調(diào)相較小。[0040]在一些實(shí)施例中，可變增益模塊210的增益有多個(gè)擋位，參考態(tài)為可變增益模塊210的增益最大的狀態(tài)，衰減態(tài)為可變增益模塊210的增益非最大的狀態(tài)?？勺冊鲆婺K210可以有多個(gè)衰減態(tài)，不同衰減態(tài)時(shí)可變增益模塊210的增益不同，衰減態(tài)包括增益為0的狀態(tài)。當(dāng)增益不同時(shí)，可變增益模塊210處于不同的狀態(tài)(包括不同的衰減態(tài)、參考態(tài)),可變增益模塊210中晶體管的狀態(tài)不同(例如陣列晶體管的關(guān)斷數(shù)量不同，或壓控晶體管的溝道導(dǎo)通電流不同),晶體管的寄生電容不同，從而造成相位不同。[0041]如圖2A所示，當(dāng)可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位時(shí)，主晶體管對211、212的寄生電容大于交叉耦合晶體管對213、214的寄生電容。第一晶體管M1的輸入端、輸出端分別與交叉耦合晶體管對中一個(gè)213的輸入端、輸出端連接，第二晶體管M2的輸一晶體管M1和關(guān)斷的第二晶體管M2具有寄生電容，可以補(bǔ)償交叉耦合晶體管對213、214的寄生電容，從而降低交叉耦合晶體管對213、214與主晶體管對211、212之間的寄生電容差，從而補(bǔ)償相位偏移。[0042]如圖2B所示，當(dāng)可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位滯后于參考態(tài)的相位時(shí)，主晶體管對211、212的寄生電容小于交叉耦合晶體管對213、214的寄生電容。第一晶體管M1的輸入出端分別與主晶體管對中另一個(gè)212的輸入端、輸出端連接；此時(shí)，關(guān)斷的第一晶體管M1和關(guān)斷的第二晶體管M2具有寄生電容，可以補(bǔ)償主晶體管對211、212的寄生電容，從而降低交叉耦合晶體管213、214對與主晶體管211、212對之間的寄生電容差，從而補(bǔ)償相位偏移。[0043]由此，通過補(bǔ)償模塊來實(shí)現(xiàn)可變增益模塊的相位滯后或者相位超前的補(bǔ)償，如此可以減小甚至消除可變增益放大器的相位偏移。該電路簡單，易于實(shí)現(xiàn)，占用面積小。[0044]在一些實(shí)施例中，第一晶體管M1和第二晶體管M2的尺寸與參考態(tài)和衰減態(tài)之間的相位差成正比。這里所說的尺寸可是晶體管的溝道寬長比，也可只是晶體管的溝道長度，當(dāng)有多個(gè)第一晶體管或多個(gè)第二晶體管時(shí)，第一晶體管M1的尺寸為多個(gè)第一晶體管的等效尺寸，第二晶體管M2的尺寸為多個(gè)第二晶體管的等效尺寸。在一些實(shí)施例中，參考態(tài)和衰減態(tài)之間的相位差較大時(shí)，第一晶體管M1和第二晶體管M2的尺寸可以設(shè)置的較大，從而第一晶體管M1和第二晶體管M2的等效電容較大，能夠與參考態(tài)和衰減態(tài)之間的較大的相位差適配，同理，參考態(tài)和衰減態(tài)之間的相位差較小時(shí)，第一晶體管M1和第二晶體管M2的尺寸可以設(shè)置的較小，從而第一晶體管M1和第二晶體管M2的等效電容較小，能夠與參考態(tài)和衰減態(tài)之間的較小的相位差適配。[0045]在另一些實(shí)施例中，在參考態(tài)和衰減態(tài)之間的相位差很大，單個(gè)第一晶體管M1和8單個(gè)第二晶體管M2的尺寸無法滿足該相位差的需求時(shí)，可以增加第一晶體管M1和第二晶體管M2的數(shù)量，但是第一晶體管M1和第二晶體管M2的數(shù)量固定。[0046]在一些實(shí)施例中，第一晶體管M1和第二晶體管M2的晶體管類型與交叉耦合晶體管對和主晶體管對的晶體管類型相同，例如，這些晶體管同時(shí)為NMOS管、同時(shí)為PM為NPN型晶體管，或同時(shí)為PNP型晶體耦合晶體管對和主晶體管對的晶體管的PVT(Process、Voltage、Temperature,制程、電壓、溫度)參數(shù)一致，從而保證該P(yáng)VT參數(shù)下的工藝角一致。避免出現(xiàn)因PVT參數(shù)不同或者工藝角不同而影響器件性能的情況。[0047]另外，若補(bǔ)償模塊中的晶體管和可變增益模塊中晶體管的PVT參數(shù)一致的情況下，可以使得補(bǔ)償模塊中的晶體管的等效電容和可變增益模塊中晶體管的寄生電容的受PVT參數(shù)的影響是一致的，因此在PVT參數(shù)一致的情況下可以實(shí)現(xiàn)更好的補(bǔ)償效果。[0048]需要說明的是，圖2A和圖2B示意出的可變增益放大器內(nèi)的第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214僅用于示意出包含關(guān)系，而不用于限定第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214之間的連接關(guān)系，具體的連接關(guān)系將在后文進(jìn)行細(xì)述。[0049]圖3A示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖一，圖3B示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖二。需要說明的是，圖3A為圖2A所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，圖3B為圖2B所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，也即圖3A示意出的是可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位的情況，圖3B示意出的是可變增益模塊210體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214均為陣列晶體管。陣列晶體管包括N個(gè)晶體管，N為大于等于2體管中的晶體管為數(shù)控晶體管，其控制端(柵極或基極)的控制信號為數(shù)字信號。也就是說，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214中的晶體管為陣列排布，且陣列晶體管中的晶體管的輸入端連接在一起，陣列晶體管中的晶體管的輸出端連接在一起，以通過控制信號對陣列晶體管的電流進(jìn)行控[0050]第一主晶體管單元211包括N個(gè)第一主晶體管M?p,第二主晶體管單元212包括N個(gè)第二主晶體管M?,第一交叉耦合晶體管單元213包括N個(gè)第一交叉耦合晶體管M?,第二交叉耦第一交叉耦合晶體管M?p的輸入端，N個(gè)第二主晶體管M?的輸入端連接N個(gè)第二交叉耦合晶體管M?的輸入端；N個(gè)第一主晶體管M?p的輸出端連接N個(gè)第二交叉耦合晶體管MN個(gè)第二主晶體管M?的輸出端連接N個(gè)第一交叉耦合晶體管M?p的輸出端。[0051]第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214并行工作，并且第一主晶體管單元211中的N個(gè)晶體管并行工作，第二主晶體管單元212中的N個(gè)晶體管并行工作，第一交叉耦合晶體管單元213中的N個(gè)晶體管并行工作，第二交叉耦合晶體管單元214中的N個(gè)晶體管并行工作。[0052]在一些實(shí)施例中，主晶體管對、交叉耦合晶體管中的晶體管均為共柵晶體管；第一9主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的控制端為晶體管的柵極，并且第一主晶體管單元211和第二主晶體管單元212的控制端受控于第一增益控制信號，第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的控制端受控于第二增益控制信號，第一增益控制信號和第二增益控制信號為同步的反相信號。[0053]第一增益控制信號包括N個(gè)第一控制信號Va1-VaN(為了清楚，圖3A和圖3B中僅示出Va1),每個(gè)第一控制信號控制一個(gè)第一主晶體管M?p和一個(gè)第二主晶體管M?N。例如，第一控制信號Va1控制第一個(gè)第一主晶體管M?p和第一個(gè)第二主晶體管M?,第一控制信號VaN控制第N個(gè)第一主晶體管M?p和第N個(gè)第二主晶體管M?。第二增益控制信號包括N個(gè)第二控制信號Vb1-VbN(為了清楚，圖3A和圖3B中僅示出Vb1),每個(gè)第二控制信號控制一個(gè)第一交叉耦合晶體管M?p和一個(gè)第二交叉耦合晶體管M?。例如，第二控制信號Vb1控制第一個(gè)第一交叉耦合晶體管M?p和第一個(gè)第二交叉耦合晶體管M?,第二控制信號VbN控制第N個(gè)第一交叉耦合晶體管M?p和第N個(gè)第二交叉耦合晶體管M?N。[0054]這里，第一控制信號和第二控制信號具體可以為數(shù)字的電壓信號。并且，第一控制信號和第二控制信號為同步的反相信號，第一控制信號Va1-VaN和第二控制信號Vb1-VbN的有效數(shù)量互補(bǔ)，使得主晶體管和交叉耦合晶體管的導(dǎo)通數(shù)量互補(bǔ)，實(shí)現(xiàn)不同的增益狀態(tài)。其中，第一控制信號或第二控制信號有效指的是，控制信號可以控制對應(yīng)的晶體管導(dǎo)通?！坝行?shù)量互補(bǔ)”指的是，控制信號有效的數(shù)量和為定值，第一控制信號Va1-VaN中有效的數(shù)量與第二控制信號Vb1-VbN中有效的數(shù)量之和為該定值。例如，該定值為N,如果n個(gè)第一控制[0055]在一些實(shí)施例中，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的輸入端為晶體管的源極，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的輸出端為晶體管的漏極。[0056]在一些實(shí)施例中，第一主晶體管單元211和第一交叉耦合晶體管單元213的輸入端接收正輸入信號Vin+,第二主晶體管單元212和第二交叉耦合晶體管單元214的輸入端接收負(fù)輸入信號Vin-。其中，正輸入信號Vin+和負(fù)輸入信號Vin-為差分輸入信號。第一主晶體管單元211和第二交叉耦合晶體管單元214的輸出端輸出正輸出信號Vout+,第二主晶體管單元212和第一交叉耦合晶體管單元213的輸出端輸出負(fù)輸出信號Vout-。其中，正輸出信號Vout+和負(fù)輸出信號Vout-為差分輸入信號。[0057]如圖3A和圖3B所示，第一晶體管M1和第二晶體管M2均為NMOS晶體管，第一晶體管M1和第二晶體管M2的輸入端為晶體管的源極，第一晶體管M1和第二晶體管M2的輸出端為晶體管M2可以構(gòu)成關(guān)斷的第一晶體管M1和關(guān)斷的第二晶體管M2。[0058]在另一些實(shí)施例中，可變增益模塊210中的晶體管可以均為PMOS晶體管，第一晶體管M1和第二晶體管M2也可以均為PMOS晶體管，第一晶體管M1和第二晶體管M2的控制端均接電源電壓VDD。[0059]結(jié)合圖3A和圖3B所示，在電路設(shè)計(jì)時(shí)，對可變增益模塊進(jìn)行仿真，以得到在目標(biāo)頻段下，可變增益模塊在參考態(tài)和衰減態(tài)的相位，參考態(tài)和不同的衰減態(tài)對應(yīng)不同的增益。[0060]參考態(tài)為：第一主晶體管單元211和第二主晶體管單元212中的晶體管全部打開，第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214中的晶體管全部關(guān)斷。此時(shí)，可變增益模塊的增益為第1種增益狀態(tài)。[0062]第1個(gè)衰減態(tài)為：N個(gè)第一主晶體管M?p、N個(gè)第二主晶體管M?N中的晶體管各關(guān)斷一[0063]第2個(gè)衰減態(tài)為：N個(gè)第一主晶體管M?p、N個(gè)第二主晶體管M?N中的晶體管各關(guān)斷2個(gè)，其余打開，N個(gè)第一交叉耦合晶體管M?[0064]以此類推，第N-1個(gè)衰減態(tài)：N個(gè)第一主[0065]第N個(gè)衰減態(tài)：N個(gè)第一主晶體管M?p、N個(gè)第二主晶體管M?N中的晶體管全部關(guān)斷，N個(gè)第一交叉耦合晶體管M?p、N個(gè)第二交叉耦合晶體管M?中的晶體管全部開啟；此時(shí)，可變增益模塊的增益為第N+1種增益狀態(tài)。[0066]因?yàn)镹個(gè)衰減態(tài)與參考態(tài)中，各晶體管的關(guān)斷數(shù)量不同，導(dǎo)致關(guān)斷的晶體管等效電[0067]將N個(gè)衰減態(tài)依次與參考態(tài)進(jìn)行比較，得到N個(gè)相位差，將N個(gè)相位差按照大小順序排序，中位數(shù)為按照大小順序排序的多個(gè)相位差中居于中間位置的相位差，N個(gè)相位差的中位數(shù)為正，則說明衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位，即可變增益模塊的相位超前，則采用圖3A所示的補(bǔ)償模塊220;若N個(gè)相位差的中位數(shù)為負(fù)，則說明衰減態(tài)的相位滯后于參考態(tài)的相位，即可變增益模塊的相位滯后，則采用圖3B所示的補(bǔ)償模塊220。[0068]本公開實(shí)施例中提供的可變增益放大器可以對相位差的中位數(shù)的相位超前或相位滯后進(jìn)行補(bǔ)償，通過一個(gè)第一晶體管和一個(gè)第二晶體管即可對所有的衰減態(tài)進(jìn)行補(bǔ)償，節(jié)約補(bǔ)償模塊包括的晶體管的數(shù)量，從而可以節(jié)約器件面積。[0069]如圖3A所示，當(dāng)可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位時(shí)，第一晶體管M1和第二晶體管M2分別與第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214并聯(lián)，并且第一晶體管M1和第二晶體管M2的柵極接地；此時(shí)，關(guān)斷的第一晶體管M1和關(guān)斷的第二晶體管M2的寄生電容，可以補(bǔ)償交叉耦合晶體管對的寄生電容，從而降低交叉耦合晶體管對與主晶體管對之間的寄生電容差，從而補(bǔ)償相位偏移。[0070]如圖3B所示，當(dāng)可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位滯后于參考態(tài)的相位時(shí)，第一晶體管M1和第二晶體管M2分別與第一主晶體管單元211和第二主晶體管單元212并聯(lián)，并且第一晶體管M1和第二晶體管M2的柵極接地；此時(shí)，關(guān)斷的第一晶體管M1和關(guān)斷的第二晶體管M2的寄生電容，可以補(bǔ)償主晶體管對的寄生電容，從而降低交叉耦合晶體管對與主晶體管對之間的寄生電容差，從而補(bǔ)償相位偏移。[0071]由此，通過補(bǔ)償模塊來實(shí)現(xiàn)可變增益模塊的相位滯后或者相位超前的補(bǔ)償，如此可以減小甚至消除可變增益放大器的相位偏移。[0072]圖3C示出了圖3B所示結(jié)構(gòu)的等效電路圖。這里，陣列晶體管中關(guān)斷的晶體管的等11效電容為Cds,例如，第一主晶體管單元211中關(guān)斷了X個(gè)第一主晶體管M?p,這關(guān)斷的X個(gè)第一主晶體管M?p的等效電容為Cds1,第二主晶體管單元212中關(guān)斷了X個(gè)第二主晶體管M2,這關(guān)斷的X個(gè)第二主晶體管M?x的等效電容為Cds1;第一交叉耦合晶體管單元213中關(guān)斷了N-X個(gè)第一交叉耦合晶體管M?p,這關(guān)斷的N-X個(gè)第一交叉耦合晶體管M?p的等效電容為Cds2,第二交叉耦合晶體管單元214中關(guān)斷了N-X個(gè)第二交叉耦合晶體管M?,這關(guān)斷的N-X個(gè)第二交叉耦合晶體管M?的等效電容為Cds2,Cds2大于Cds1,造成相位滯后。X為小于等于N的整數(shù)。關(guān)斷的第一晶體管M1和關(guān)斷的第二晶體管M2的等效電容為Ccomp。由此，Ccomp可以補(bǔ)償主晶體管對的Cds1,使得Cds1+Ccomp=Cds2,從而降低交叉耦合晶體管對與主晶體管對之間的寄[0073]圖4A示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖三，圖4B示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖四。需要說明的是，圖4A為圖2A所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，圖4B為圖2B所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，也即圖4A示意出的是可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位的情況，圖4B示意出的是可變增益模塊210模塊210還包括共源極的第三晶體管M3和第四晶體管M4;第一主晶體管單元211和第一交叉耦合晶體管單元213的輸入端連接第三晶體管M3的漏極，第三晶體管M3的源極接地，第三晶體管M3的柵極接收正輸入信號Vin+;第二主晶體管單元212和第二交叉耦合晶體管單元214的輸入端連接第四晶體管M4的漏極，第四晶體管M4的源極接地，第四晶體管M4的柵極接收負(fù)輸入信號Vin-。其中，正輸入信號Vin+和負(fù)輸入信號Vin-為差分輸入信號。這里，第三晶體管M3和第四晶體管M4作為輸入差分對管，可以為可變增益模塊的增益提供跨導(dǎo)。[0074]需要說明的是，圖4A和圖4B示意出的主晶體管對、交叉耦合晶體管對和補(bǔ)償模塊220的結(jié)構(gòu)與圖3A和圖3B示意出的主晶體管對、交叉耦合晶體管對和補(bǔ)償模塊220的結(jié)構(gòu)相同，如此，圖4A和圖4B中的主晶體管對、交叉耦合晶體管對和補(bǔ)償模塊220的具體連接關(guān)系可以參照圖3A和圖3B的描述而理解。[0075]圖5A示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖五，圖5B示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖六。需要說明的是，圖5A為圖2A所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，圖5B為圖2B所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，也即圖5A示意出的是可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位的情況，圖5B示意出的是可變增益模塊210體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214均為陣列晶體管。陣列晶體管包括N個(gè)晶體管，N為大于等于2的整數(shù)。這里，圖5A和圖5B以陣列晶體管中的晶體管均為NPN三極管為例進(jìn)行說明。[0076]第一主晶體管單元211包括N個(gè)第一主晶體管Qp,第二主晶體管單元212包括N個(gè)第二主晶體管Q?,第一交叉耦合晶體管單元213包括N個(gè)第一交叉耦合晶體管Q2p,第二交叉耦合晶體管單元214包括N個(gè)第二交叉耦合晶體管Q?N。N個(gè)第一主晶體管Q?p的輸入端連接N個(gè)第一交叉耦合晶體管Q?p的輸入端，N個(gè)第二主晶體管Q?的輸入端連接N個(gè)第二交叉耦合晶N個(gè)第二主晶體管Q?n的輸出端連接N個(gè)第一交叉耦合晶體管Q?p的輸出端。[0077]在一些實(shí)施例中，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶CN119401958B說明書9/12頁元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的控制端為晶體管的基極，并且第一主晶體管單元211和第二主晶體管單元212的控制信號。出Va1),每個(gè)第一控制信號控制一個(gè)第一主晶體管Q?p和一個(gè)第二主晶體管Q?。第二增益控益狀態(tài)。元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元體管的集電極。管M1和第二晶體管M2也可以均為PNP三極管，第一晶體管和第二晶體管的控制端均接電源不再贅述。[0085]第一主晶體管單元211包括N個(gè)第一主晶體管M?P,第二主晶體管單元212包括N個(gè)第二主晶體管M?N,第一交叉耦合晶體管單元213包括N個(gè)第一交叉耦合晶體管M?,第二交叉耦合晶體管單元214包括N個(gè)第二交叉耦合晶體管M?N。第一主晶體管M?p的柵極；第二主晶體管單元212還包括N個(gè)電容C2,每個(gè)電容C2設(shè)于對應(yīng)第二主晶體管M?~的柵極；第一交叉耦合晶體管單元213還包括N個(gè)電容C3,每個(gè)電容C3設(shè)于對應(yīng)第一交叉耦合晶體管M?的柵極；第二交叉耦合晶體管單元214還包括N個(gè)電容C4,每個(gè)電C4還可以用于隔絕直流信號。[0087]在一些實(shí)施例中，主晶體管對、交叉耦合晶體管中的晶體管均為共源晶體管，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的源極均接地，如此可以提高增益，降低寄生相移。[0088]在一些實(shí)施例中，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的輸入端為晶體管的柵極，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的輸出端為晶體管的漏極。極通過電容C5連接正輸入信號Vin+,第一晶體管M1的柵極通過電阻R1接地，第二晶體管M2的柵極通過電容C6連接負(fù)輸入信號Vin+,第二晶體管M2的柵極通過電阻R2接地。其中，電容C5-C6為濾波電容，電阻R1-R2為濾波電阻。電容C5-C6和電阻R1-R2構(gòu)成補(bǔ)償模塊220的濾波[0090]圖6A和圖6B中可變增益模塊的仿真過程可以參照圖3A和圖3B的描述而理解，這里不再贅述。[0091]如圖6A和圖6B所示，第一晶體管M1和第二晶體管M2均為NMOS晶體管，第一晶體管M1和第二晶體管M2的輸入端為晶體管的柵極，體管的漏極。[0092]圖7A示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖九，圖7B示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖十。需要說明的是，圖7A為圖2A所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，圖7B為圖2B所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，也即圖7A示意出的是可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位的情況，圖7B示意出的是可變增益模塊210體管單元211和第二交叉耦合晶體管單元214的輸入端接收正輸入信號Vin+,第二主晶體管單元212和第一交叉耦合晶體管單元213的輸入端接收負(fù)輸入信號Vin-。其中，正輸入信號Vin+和負(fù)輸入信號Vin-為差分輸入信號。[0093]在一些實(shí)施例中，可變增益模塊210還包括共源極的第三晶體管M3'和第四晶體管M4';第一主晶體管單元211和第一交叉耦合晶體管單元213的輸出端連接第三晶體管M3'的源極，第三晶體管M3'的漏極用于輸出正輸出信號Vout+,第三晶體管M3'的柵極接收第一控制信號Vx;第二主晶體管單元212和第二交叉耦合晶體管單元214的輸出端連接第四晶體管M4'的源極，第四晶體管M4’漏極用于輸出負(fù)輸出信號Vout-,第四晶體管M4’的柵極接收第二控制信號Vy。其中，正輸出信號Vout+和負(fù)輸出信號Vout-為差分輸入信號。這里，控制信號Vx和控制信號Vy具體可以為電壓信號。并且，第一控制信號Vx和第二控制信號Vy為同步的反相信號。[0094]需要說明的是，圖7A和圖7B示意出的主晶體管對、交叉耦合晶體管對和補(bǔ)償模塊220的結(jié)構(gòu)與圖6A和圖6B示意出的主晶體管對、交叉耦合晶體管對和補(bǔ)償模塊220的結(jié)構(gòu)相同，如此，圖7A和圖7B中的主晶體管對、交叉耦合晶體管對和補(bǔ)償模塊220的具體連接關(guān)系可以參照圖6A和圖6B的描述而理解。[0095]圖8A示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖十一，圖8B示出了本公開實(shí)施例提供的一種可變增益放大器的結(jié)構(gòu)示意圖十二。需要說明的是，圖8A為圖2A所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，圖8B為圖2B所示的框圖的結(jié)構(gòu)細(xì)化，也即圖8A示意出的是可變增益模塊210的衰減態(tài)的相位超前于參考態(tài)的相位的情況，圖8B示意出的是可變增益模主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214均為壓控晶體管，壓控晶體管的控制端接收模擬電壓。這里，圖8A和圖8B以壓[0096]在一些實(shí)施例中，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214為共源晶體管，也即第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的源極[0097]在一些實(shí)施例中，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的柵極即作為輸入端，也作為控制端，第一主晶體管單元211、第二主晶體管單元212、第一交叉耦合晶體管單元213和第二交叉耦合晶體管單元214的漏極作為輸出端。[0098]在一些實(shí)施例中，第一主晶體管單元211還包括電阻R3,第一主晶體管單元211的柵極通過電阻R3接收第一控制信號Va;第二主晶體管單元212還包括電阻R4,第二主晶體管單元212的柵極通過電阻R4接收第一控制信號Va;第一交叉耦合晶體管單元213還包括電阻R5,第一交叉耦合晶體管單元213的柵極通過電阻R5接收第二控制信號Vb;第二交叉耦合晶體管單元214還包括電阻R6,第二交叉耦合晶體管單元214的柵極通過電阻R6接收第二控制[0099]在一些實(shí)施例中，補(bǔ)償模塊220還包括電阻R7-R8,第一晶體管M1的柵極通過電阻R8還可以用于隔絕交流信號。[0100]如圖8A和圖8B所示，第一晶體管M1和第二晶體管M2均為NMOS晶體管，第一晶體管[0101]圖9A示出了本公開實(shí)施例提供的未使用補(bǔ)償模塊時(shí)寄生調(diào)相隨頻率變化示意圖，圖9B示出了本公開實(shí)施例提供的使用補(bǔ)償模塊時(shí)寄生調(diào)相隨頻率變化示意圖。需要說明的是，圖9A示出了圖4A中可變增益模塊(不包括補(bǔ)償模塊的可變增益放大器)的寄生調(diào)相隨頻率變化示意圖，圖9B示出了圖4A中包括補(bǔ)償模塊的可變增益放大器的寄生調(diào)相隨頻率變化示意圖。這里的寄生調(diào)相指的是衰減態(tài)與參考態(tài)的相位差。圖9A和圖9B中橫坐標(biāo)為頻率，頻率的單位是GHz,縱坐標(biāo)為寄生調(diào)相，寄生調(diào)相的單位是deg(度)。圖9A和圖9B以3bit的可變增益模塊為例進(jìn)行說明。3bit的可變增益模塊具