半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)合同一、合同訂立背景隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代加速，7納米及以下先進(jìn)制程成為市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的核心領(lǐng)域。甲方作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)，為突破高端芯片自主化瓶頸，需引入具備國(guó)際先進(jìn)水平的制程技術(shù)與研發(fā)經(jīng)驗(yàn)；乙方作為擁有成熟7納米制程解決方案的技術(shù)提供方，致力于通過(guò)技術(shù)合作拓展新興市場(chǎng)。雙方基于《中華人民共和國(guó)合同法》及《半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2021-2025年）》政策要求，經(jīng)三年技術(shù)交流與試點(diǎn)合作，現(xiàn)就2025年度半導(dǎo)體技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)達(dá)成一致。甲方具備芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)與系統(tǒng)集成能力，擁有12項(xiàng)核心專利及年產(chǎn)能300萬(wàn)片的封裝測(cè)試產(chǎn)線；乙方在FinFET晶體管結(jié)構(gòu)、3D堆疊工藝等領(lǐng)域擁有47項(xiàng)國(guó)際專利，其7納米技術(shù)已通過(guò)某國(guó)際頭部企業(yè)驗(yàn)證，良率穩(wěn)定在92%以上。本次合作旨在通過(guò)技術(shù)轉(zhuǎn)移與聯(lián)合研發(fā)，實(shí)現(xiàn)甲方28納米至7納米制程的跨越，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)芯片將應(yīng)用于人工智能服務(wù)器與自動(dòng)駕駛域控制器，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端芯片市場(chǎng)空白。二、合同標(biāo)的與內(nèi)容（一）技術(shù)開(kāi)發(fā)標(biāo)的核心技術(shù)轉(zhuǎn)讓乙方提供7納米邏輯芯片全套技術(shù)包，包括：制程工藝文件：涵蓋光刻、蝕刻、離子注入等42道關(guān)鍵工序參數(shù)，配套ASMLNXE:3400B光刻機(jī)操作指南；設(shè)計(jì)工具鏈：包含SynopsysDesignCompiler2025版、CadenceInnovus布局布線軟件及專屬PDK（工藝設(shè)計(jì)套件）；良率提升方案：提供缺陷檢測(cè)算法與CMP（化學(xué)機(jī)械研磨）工藝優(yōu)化模型，確保流片良率不低于85%。聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目雙方共建“先進(jìn)制程研發(fā)實(shí)驗(yàn)室”，重點(diǎn)攻關(guān)：高遷移率溝道材料：開(kāi)發(fā)銦鎵砷（InGaAs）基NMOS晶體管，目標(biāo)電子遷移率提升300%；3DIC集成技術(shù)：實(shí)現(xiàn)Chiplet間1.2Tbps高速互聯(lián)，功耗控制在0.5pJ/bit以下；車規(guī)級(jí)可靠性設(shè)計(jì)：通過(guò)AEC-Q100Grade2認(rèn)證，確保-40℃至125℃環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。（二）技術(shù)指標(biāo)與交付標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)維度具體指標(biāo)驗(yàn)證方式交付物芯片性能主頻3.8GHz，功耗≤12W第三方實(shí)驗(yàn)室（泰克示波器）性能測(cè)試報(bào)告、SPICE模型庫(kù)存儲(chǔ)接口LPDDR5X-8533，帶寬102GB/s信號(hào)完整性仿真（ANSYS）時(shí)序收斂報(bào)告、眼圖測(cè)試數(shù)據(jù)封裝技術(shù)CoWoS封裝，厚度≤0.8mmX-Ray檢測(cè)封裝工藝規(guī)范、可靠性測(cè)試方案（三）開(kāi)發(fā)周期與里程碑PhaseⅠ：技術(shù)導(dǎo)入階段（0-3個(gè)月）完成200人技術(shù)團(tuán)隊(duì)培訓(xùn)，考核通過(guò)率≥95%；搭建EDA設(shè)計(jì)環(huán)境，實(shí)現(xiàn)與乙方數(shù)據(jù)庫(kù)實(shí)時(shí)同步。PhaseⅡ：原型設(shè)計(jì)階段（4-9個(gè)月）完成芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)，通過(guò)DFT（可測(cè)試性設(shè)計(jì)）驗(yàn)證；流片3批工程樣片，每批25片，首批良率≥60%。PhaseⅢ：量產(chǎn)準(zhǔn)備階段（10-15個(gè)月）提交車規(guī)認(rèn)證申請(qǐng)材料，通過(guò)ISO26262功能安全ASIL-D級(jí)評(píng)估；建立量產(chǎn)工藝窗口，CP（晶圓測(cè)試）良率穩(wěn)定至90%以上。三、合同履行與違約責(zé)任（一）費(fèi)用支付與結(jié)算技術(shù)轉(zhuǎn)讓費(fèi)：總額人民幣3.2億元，分四期支付：合同生效后15日內(nèi)支付30%（9600萬(wàn)元）；技術(shù)文檔交付并驗(yàn)收通過(guò)后支付40%（1.28億元）；首批工程樣片流片成功后支付20%（6400萬(wàn)元）；量產(chǎn)良率達(dá)標(biāo)后支付10%（3200萬(wàn)元）。研發(fā)經(jīng)費(fèi)：年度預(yù)算1.8億元，甲方承擔(dān)60%（1.08億元），乙方承擔(dān)40%（7200萬(wàn)元），每月5日前按實(shí)際支出結(jié)算，逾期支付按日息萬(wàn)分之五計(jì)收滯納金。（二）雙方權(quán)利與義務(wù)甲方責(zé)任提供3000㎡潔凈車間及配套設(shè)備，滿足ISO14644-1Class5標(biāo)準(zhǔn)；每月5日前提交研發(fā)進(jìn)展報(bào)告，包含關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)Gantt圖與風(fēng)險(xiǎn)預(yù)警清單；未經(jīng)乙方書(shū)面許可，不得將技術(shù)用于軍工領(lǐng)域或向第三方反向工程。乙方責(zé)任派駐15人專家團(tuán)隊(duì)現(xiàn)場(chǎng)支持，響應(yīng)時(shí)間≤2小時(shí)；免費(fèi)提供3次技術(shù)迭代升級(jí)，包括EUV光刻膠配方優(yōu)化方案；若因技術(shù)包缺陷導(dǎo)致流片失敗，乙方承擔(dān)全部重投費(fèi)用（單次上限800萬(wàn)美元）。（三）違約責(zé)任技術(shù)延遲交付：每逾期1日，乙方支付違約金50萬(wàn)元，累計(jì)不超過(guò)合同總額5%；指標(biāo)不達(dá)標(biāo)：性能未達(dá)約定值的，按差距比例扣除對(duì)應(yīng)技術(shù)轉(zhuǎn)讓費(fèi)（如良率每降低1%扣減100萬(wàn)元）；保密違約：泄露7納米光刻參數(shù)等核心機(jī)密的，違約方賠償直接損失及預(yù)期利潤(rùn)（按市場(chǎng)份額30%計(jì)算）。四、知識(shí)產(chǎn)權(quán)與保密條款（一）知識(shí)產(chǎn)權(quán)歸屬原有技術(shù)：乙方保留專利號(hào)US11234567B2（FinFET結(jié)構(gòu)）等23項(xiàng)基礎(chǔ)專利的所有權(quán)，甲方獲得全球范圍內(nèi)非獨(dú)占使用權(quán)；衍生成果：聯(lián)合研發(fā)產(chǎn)生的15項(xiàng)預(yù)期專利，雙方共有權(quán)利，甲方享有中國(guó)大陸地區(qū)優(yōu)先實(shí)施權(quán)，乙方享有海外市場(chǎng)獨(dú)家代理權(quán)；商標(biāo)使用：可標(biāo)注“基于XX（乙方）7nm技術(shù)平臺(tái)聯(lián)合開(kāi)發(fā)”，但不得單獨(dú)使用乙方商號(hào)。（二）保密義務(wù)保密范圍：涵蓋工藝參數(shù)、流片數(shù)據(jù)、客戶信息等，特別約定對(duì)EUV掩模版缺陷修復(fù)方案永久保密；人員管理：接觸機(jī)密人員需簽署《競(jìng)業(yè)限制協(xié)議》，離職后2年內(nèi)不得入職競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手企業(yè)；泄密追責(zé)：若甲方工程師私自向臺(tái)積電披露技術(shù)，需承擔(dān)5000萬(wàn)元違約金，并移送司法機(jī)關(guān)處理。五、合同終止與爭(zhēng)議解決（一）終止條件法定終止：因地震、戰(zhàn)爭(zhēng)等不可抗力導(dǎo)致研發(fā)中斷超6個(gè)月，雙方可書(shū)面解除合同，已支付費(fèi)用不予退還；違約終止：乙方技術(shù)包存在欺詐（如偽造良率數(shù)據(jù)），甲方有權(quán)終止合同并索賠雙倍技術(shù)轉(zhuǎn)讓費(fèi)；協(xié)議終止：項(xiàng)目完成后自動(dòng)轉(zhuǎn)為技術(shù)維護(hù)合同，乙方提供5年有償支持（年費(fèi)2000萬(wàn)元）。（二）爭(zhēng)議解決協(xié)商優(yōu)先：產(chǎn)生爭(zhēng)議后30日內(nèi)通過(guò)項(xiàng)目管理委員會(huì)（由雙方高管組成）協(xié)商解決；仲裁條款：協(xié)商未果的，提交中國(guó)國(guó)際經(jīng)濟(jì)貿(mào)易仲裁委員會(huì)（CIETAC）仲裁，適用《半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)糾