(12)發(fā)明專利地址430000湖北省武漢市武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷三路777號生物醫(yī)藥平臺一期4號樓3層整層所(特殊普通合伙)42250(56)對比文件審查員徐閔喃權(quán)利要求書2頁說明書7頁附圖7頁一種高光束質(zhì)量合束器制備方法及制備裝置(57)摘要靠性。S1.S1.處理中心光纖S2.處理外圍光纖S3.組束外圍光纖和中心光纖S4.光纖熔融拉錐S5.熔接封裝21.一種高光束質(zhì)量合束器制備方法，其特征在于，所述制備方法過程如下：首先處理中心光纖和外圍光纖，其中處理中心光纖時將其一端腐蝕，處理外圍光纖時將外圍光纖腐蝕成斷面為扇形，將扇形近端朝內(nèi)遠(yuǎn)端朝外均為排列成一圈進(jìn)行組束，然后中心位置插入中心光纖，接著對光纖束進(jìn)行熔融拉錐，截斷光纖束的拉錐平直區(qū)，并與輸出光纖熔接，最后封裝得到合束器；所述制備方法具體包括下述步驟：將中心光纖一端腐蝕，前端為平直段，平直段后方為錐形結(jié)構(gòu)，然后將腐蝕后中心光纖沖洗并切斷，最后對中心光纖腐蝕后的裸纖部分進(jìn)行清洗；S21、從外圍光纖端面一定距離起點位置，向內(nèi)以半包形式將光纖涂覆層剝除一半，對S22、將多根外圍光纖按照同樣方式處理后，繃直外圍光纖并排放置固定在光纖水平夾持工裝上，且剝除部分裸纖朝下，向腐蝕盤內(nèi)注入氫氟酸，控制外圍光纖使得外圍光纖大部分浸沒在氫氟酸中，然后取出外圍光纖并進(jìn)行沖洗；S23、沖洗完成后剝除另一半光纖涂覆層，保留一根外圍光纖，將其他外圍光纖沿腐蝕平直區(qū)起點截斷，最后將所有外圍光纖的裸纖部分進(jìn)行清洗；步驟S3、組束外圍光纖和中心光纖S31、將外圍光纖平直排列放置，纖芯朝上，用膠帶固定背面，第一根光纖為未截斷的光纖，外圍光纖相鄰裸纖之間保留一定間隙，緩慢旋轉(zhuǎn)第一根光纖，對外圍光纖進(jìn)行組束，組束后裸纖一端用膠帶預(yù)固定；S32、將中心光纖腐蝕的一端完全穿入組束外圍光纖的中心位置，最終得到光纖束；將光纖束點低折膠固定，光纖束的裸纖端插入石英管中并點低折膠固定，將光纖束進(jìn)行熔融拉錐，經(jīng)過熔融拉錐后的光纖將緊密結(jié)合成一體；腐蝕輸出光纖，截斷光纖束的拉錐平直區(qū)，將光纖束截斷端與輸出光纖進(jìn)行熔接，熔接完成后對合束器進(jìn)行點膠封裝。2.如權(quán)利要求1所述高光束質(zhì)量合束器制備方法，其特征在于，所述步驟S1的具體過程如下：剝除中心光纖一端的涂覆層，將中心光纖上下分別用耐腐蝕膠帶和低折膠固定在光纖垂直夾持工裝上，中心光纖處于繃直狀態(tài)，將裝載有氫氟酸的腐蝕筒緩慢移動至中心光纖下方后，按四段程序控制中心光纖上下移動進(jìn)行腐蝕：第一階段，驅(qū)動中心光纖快速下降；上升；最終腐蝕的中心光纖的前段為平直段，平直段后方為錐形結(jié)構(gòu)；腐蝕完成后立即用純凈水對中心光纖進(jìn)行沖洗，沿點低折膠邊緣將光纖切斷，中心光纖下盤，再用無水乙醇對中心光纖的裸纖部分進(jìn)行超聲波清洗。3.如權(quán)利要求2所述高光束質(zhì)量合束器制備方法，其特征在于，步驟S21的具體過程如下：3從外圍光纖左端面一定距離起點位置，向右以半包形式將光纖涂覆層剝除一半，用酒精和無塵紙將涂覆層殘渣擦拭干凈后，采用無水酒精對剝除后的裸纖部分進(jìn)行超聲清洗，多根外圍光纖按照同樣方式處理；步驟S22的具體過程如下：將外圍光纖并排放置在光纖水平夾持工裝的定位槽上，剝除部分裸纖朝下，帶涂覆層部分朝上，上盤過程中，對外圍光纖施以一定拉力，使外圍光纖處于繃緊拉直狀態(tài)，用耐腐蝕高溫膠帶將外圍光纖固定在光纖水平夾持工裝上；向腐蝕盤內(nèi)注入氫氟酸，氫氟酸液面高于腐蝕盤上表面但不溢出，腐蝕盤緩慢移動至外圍光纖下方后，在豎直方向控制外圍光纖下移使得外圍光纖大部分浸沒在氫氟酸中，腐蝕后立即用純凈水對光纖進(jìn)行沖洗；4.如權(quán)利要求3所述高光束質(zhì)量合束器制備方法，其特征在于，步驟S32中，通過中心光纖端面凸出外圍光纖端面來確認(rèn)是否完全穿入。5.一種用于權(quán)利要求1-4任一項所述高光束質(zhì)量合束器制備方法的制備裝置，其特征在于，所述制備裝置包括Z軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)、Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述Z軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動端固定有固定夾具，所述固定夾具為L型，所述制備裝置還包括用于安裝在固定夾具上的光纖水平夾持工裝和光纖垂直夾持工裝，光纖水平夾持工裝為框型工裝，其中一面左右兩邊等距刻有貫通半圓槽，左右兩邊兩個相對半圓槽的中線在同一直線上，所述制備裝置還包括墊塊、腐蝕盤和腐蝕筒，其中墊塊安裝在Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動端，腐蝕盤放置在墊塊上，或者腐蝕筒安裝在Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動端。6.如權(quán)利要求5所述制備裝置，其特征在于，所述固定夾具的水平部分底部兩側(cè)固定有若干圓柱形磁鐵，框型工裝頂面的兩側(cè)表面開有匹配的凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)置有鐵質(zhì)或者磁性材料。4技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)明屬于光纖激光器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高光束質(zhì)量合束器制備方法及制備裝置。背景技術(shù)[0002]近年來，隨著各種光纖器件和泵浦源的制作工業(yè)日漸成熟，光纖激光器的功率也在不斷攀升，目前單模塊功率已突破萬瓦級別，然而由于熱透鏡效應(yīng)、非線性效應(yīng)、模式不穩(wěn)定等因素的影響，進(jìn)一步的功率提升受到限制，需要采用能量合束器對數(shù)個單模塊進(jìn)行合束，將功率提升至數(shù)萬瓦甚至數(shù)十萬瓦量級。[0003]能量合束器的輸入光纖由單模塊輸出尾纖規(guī)格決定，輸出光纖一般為多模光纖，熔接、器件封裝等步驟，其中光纖經(jīng)過拉錐后，纖芯中的光將泄露至包層，在輸入光纖束熔錐部分形成高階模、超模傳輸，經(jīng)過熔點進(jìn)入多模光纖后進(jìn)一步劣化成多模傳輸。拉錐比越大，泄露至包層的激光越多，合束器對輸入激光光束質(zhì)量的劣化程度越高。特別地，對于高功率單模塊的合束，由于其輸入通常是大芯徑、大數(shù)值孔徑光纖，如目前業(yè)界主流的6kW單常規(guī)準(zhǔn)單模激光的2-3倍，輸入激光光束質(zhì)量越差，經(jīng)過合束器拉錐區(qū)后，劣化程度也將更[0004]而對于高功率激光合束來說，輸出激光的光束質(zhì)量是一個重要參數(shù)，光束質(zhì)量差，將會導(dǎo)致切割頭內(nèi)光闌、準(zhǔn)直聚焦透鏡等后續(xù)光路器件發(fā)熱，甚至燒毀。另外對于實際切割應(yīng)用來說，光束質(zhì)量差意味著亮度低，對切割速度、切割板材形貌、切割質(zhì)量等方面都將造成極大不良影響。減小拉錐比的一個有效方法是盡可能多地腐蝕輸入光纖的包層，同時，為了避免破壞激光傳輸?shù)娜瓷錀l件，必須保留部分石英包層，然而在實際生產(chǎn)過程中，光纖前的能量合束器存在對大模場高功率光纖激光器合束后光束質(zhì)量較差的問題。發(fā)明內(nèi)容[0005]鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種高光束質(zhì)量合束器制備方法及制備裝置，旨在解決現(xiàn)有能量合束器對大模場高功率光纖激光器合束后光束質(zhì)量較差的技術(shù)問[0006]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：[0007]一方面，所述高光束質(zhì)量合束器制備方法，過程如下：首先處理中心光纖和外圍光纖，其中處理中心光纖時將其一端腐蝕，處理外圍光纖時將外圍光纖腐蝕成斷面為扇形，將扇形近端朝內(nèi)遠(yuǎn)端朝外均為排列成一圈進(jìn)行組束，然后中心位置插入中心光纖，接著對光纖束進(jìn)行熔融拉錐，截斷光纖束的拉錐平直區(qū)，并與輸出光纖熔接，最后封裝得到合束器。5[0010]將中心光纖一端腐蝕，前端為平直段，平直段后方為錐形結(jié)構(gòu)，然后將腐蝕后中心光纖沖洗并切斷，最后對中心光纖腐蝕后的裸纖部分進(jìn)行清洗；[0012]S21、從外圍光纖端面一定距離起點位置，向內(nèi)以半包形式將光纖涂覆層剝除一[0013]S22、將多根外圍光纖按照同樣方式處理后，繃直外圍光纖并排放置固定在光纖水平夾持工裝上，且剝除部分裸纖朝下，向腐蝕盤內(nèi)注入氫氟酸，控制外圍光纖下移使得外圍光纖大部分浸沒在氫氟酸中，然后取出外圍光纖并進(jìn)行沖洗；[0014]S23、沖洗完成后剝除另一半光纖涂覆層，保留一根外圍光纖，將其他外圍光纖沿腐蝕平直區(qū)起點截斷，最后將所有外圍光纖的裸纖部分進(jìn)行清洗；[0015]步驟S3、組束外圍光纖和中心光纖[0016]S31、將外圍光纖平直排列放置，纖芯的光纖，外圍光纖相鄰裸纖之間保留一定間隙，緩慢旋轉(zhuǎn)第一根光纖，對外圍光纖進(jìn)行組[0017]S32、將中心光纖腐蝕的一端完全穿入組束外圍光纖的中心位置，最終得到光纖[0019]將光纖束點低折膠固定，光纖束的裸纖端插入石英管中并點低折膠固定，將光纖束進(jìn)行熔融拉錐，經(jīng)過熔融拉錐后的光纖將緊密結(jié)合成一體；[0021]腐蝕輸出光纖，截斷光纖束的拉錐平直區(qū)，將光纖束截斷端與輸出光纖進(jìn)行熔接，熔接完成后對合束器進(jìn)行點膠封裝。[0022]進(jìn)一步的，所述步驟S1的具體過程如下：[0023]剝除中心光纖一端的涂覆層，將中心光纖上下分別用耐腐蝕膠帶和低折膠固定在光纖垂直夾持工裝上，中心光纖處于繃直狀態(tài)，將裝載有氫氟酸的腐蝕筒緩慢移動至中心光纖下方后，按四段程序控制中心光纖上下移動進(jìn)行腐蝕：第一階段，驅(qū)動中心光纖快速下快速上升；最終腐蝕的中心光纖的前段為平直段，平直段后方為錐形結(jié)構(gòu)；腐蝕完成后立即用純凈水對中心光纖進(jìn)行沖洗，沿點低折膠邊緣將光纖切斷，中心光纖下盤，再用無水乙醇對中心光纖的裸纖部分進(jìn)行超聲波清洗。[0024]進(jìn)一步的，步驟S21的具體過程如下：[0025]從外圍光纖左端面一定距離起點位置，向右以半包形式將光纖涂覆層剝除一半，用酒精和無塵紙將涂覆層殘渣擦拭干凈后，采用無水酒精對剝除后的裸纖部分進(jìn)行超聲清洗，多根外圍光纖按照同樣方式處理；[0026]步驟S22的具體過程如下：[0027]將外圍光纖并排放置在光纖水平夾持工裝的定位槽上，剝除部分裸纖朝下，帶涂覆層部分朝上，上盤過程中，對外圍光纖施以一定拉力，使外圍光纖處于繃緊拉直狀態(tài)，將耐腐蝕高溫膠帶將外圍光纖固定在光纖水平夾持工裝上；向腐蝕盤內(nèi)注入氫氟酸，氫氟酸6液面高于腐蝕盤上表面但不溢出，腐蝕盤緩慢移動至外圍光纖下方后，在豎直方向控制外圍光纖下移使得外圍光纖大部分浸沒在氫氟酸中，腐蝕后立即用純凈水對光纖進(jìn)行沖洗；[0029]進(jìn)一步的，步驟S32中，通過中心光纖端面凸出外圍光纖端面來確認(rèn)是否完全穿[0030]另一方面，一種用于高光束質(zhì)量合束器制備方法的制備裝置，所述制備裝置包括Z軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)、Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)，所述Z軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動端固定有固定夾具，所述固定夾具為L型，所述制備裝置還包括用于安裝在固定夾具上的光纖水平夾持工裝和光纖垂直夾持工裝，光纖水平夾持工裝為框型工裝，其中一面左右兩邊等距刻有貫通半圓槽，左右兩邊兩個相對半圓槽的中線在同一直線上，所述制備裝置還包括墊塊、腐蝕盤和腐蝕筒，其中墊塊安裝在Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動端，腐蝕盤放置在墊塊上，或者腐蝕筒安裝在Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動端。[0031]進(jìn)一步的，所述固定夾具的水平部分底部兩側(cè)固定有若干圓柱形磁鐵，框型工裝頂面的兩側(cè)表面開有匹配的凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)置有鐵質(zhì)或者磁性材料。[0032]本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明針對現(xiàn)有能量合束器對大模場高功率光纖激光器合束后光束質(zhì)量較差的問題，為了盡可能減小光纖束的拉錐比，保證高光束質(zhì)量輸出，提出了一種高光束質(zhì)量合束器制備方法及指標(biāo)裝置，腐蝕中心光纖一端為錐形，并采用扇形腐蝕方式腐蝕外圍光纖，所有外圍光纖中心對稱均勻組束，中間插入中心光纖，使得光纖纖芯間距大大減小，能夠有效減小拉錐比，優(yōu)化輸出光束質(zhì)量，同時保證光纖強(qiáng)度和產(chǎn)品可靠性。附圖說明[0033]圖1是本發(fā)明實施例提供的高光束質(zhì)量合束器制備方法的一種具體流程圖；[0034]圖2是本發(fā)明實施例提供的制備裝置的一種使用狀態(tài)結(jié)構(gòu)圖；[0035]圖3是固定夾具的側(cè)面結(jié)構(gòu)圖；[0036]圖4是光纖水平夾持工裝一面結(jié)構(gòu)圖；[0037]圖5是光纖水平夾持工裝另一面結(jié)構(gòu)圖；[0038]圖6是本發(fā)明實施例提供的制備裝置的另一種使用狀態(tài)結(jié)構(gòu)圖；[0039]圖7是外圍光纖腐蝕過程示意圖；[0040]其中圖7中的(a)是外圍光纖腐蝕前斷面圖，圖7中的(b)是外圍光纖局部浸沒至腐蝕盤中的狀態(tài)圖，圖7中的(c)是外圍光纖腐蝕完成后剝除涂覆層的斷面圖；[0041]圖8是外圍光纖腐蝕完成后剝除涂覆層的顯微鏡照片；[0042]圖9是外圍光纖組束前排列示意圖；[0043]圖10是光纖束拉錐前的示意圖；[0044]圖11是光纖束拉錐后平直區(qū)截斷后的斷面圖。具體實施方式[0045]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。7[0046]為了說明本發(fā)明所述的技術(shù)方案，下面通過具體實施例來進(jìn)行說明。[0047]本發(fā)明實施例提供了一種高光束質(zhì)量合束器制備方法，其流程如圖1所示，主要過程是：首先處理中心光纖，其一端腐蝕錐形，并采用扇形腐蝕方式腐蝕多根外圍光纖，外圍光纖腐蝕成斷面為扇形，將外圍光纖和中心光纖組束，具體的，將扇形外圍光纖近端朝內(nèi)遠(yuǎn)端朝外均為排列成一圈進(jìn)行組束，然后中心位置插入中心光纖，接著對光纖束進(jìn)行熔融拉錐，截斷光纖束的拉錐平直區(qū)，并與輸出光纖熔接，最后封裝得到合束器。扇形腐蝕方式是本實施例的核心創(chuàng)新點之一，通過端面腐蝕成扇形，能夠明顯減小輸入光纖纖芯間的間距，從而減小能量合束器的拉錐比，優(yōu)化輸出激光的光束質(zhì)量和發(fā)散角；同時保留了遠(yuǎn)端包層厚度，保證合束器的整體強(qiáng)度和可靠性。[0048]對于上述方法，本發(fā)明實施例還提供了一種高光束質(zhì)量合束器的制備裝置，如圖2-6所示，所述制備裝置包括Z軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)、Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)，圖示中兩個驅(qū)動結(jié)構(gòu)基本相同，Z軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)包括Z軸高精度直線電機(jī)模組01,有效行程200mm,精度3μm,行程兩端裝有光電開關(guān)，用于標(biāo)定初始位置和防撞，還包括裝在模組上的Z軸滑塊02,由絲桿帶動傳送，在Z軸上運動。同樣Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)包括Y軸高精度直線電機(jī)模組07、Y軸滑塊08,參數(shù)與Z軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)相同。[0049]所述Z軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的驅(qū)動端(即Z軸滑塊02)上固定有固定夾具03,所述固定夾具03為L型，由兩塊聚四氟乙烯板以90°拼接而成，垂直于水平面的薄板用螺絲鎖在Z軸滑塊02[0050]所述制備裝置還包括用于安裝在固定夾具03上的光纖水平夾持工裝04和光纖垂直夾持工裝12,兩個工裝的結(jié)構(gòu)大致相同，其中光纖水平夾持工裝04水平固定安裝，光纖垂直夾持工裝12豎直固定安裝，兩個根據(jù)光纖的腐蝕方向擇一安裝。光纖水平夾持工裝04用于外圍光纖的腐蝕，光纖垂直夾持工裝12用于中心光纖的腐蝕。對于具體結(jié)構(gòu)，比如對于光纖水平夾持工裝，其結(jié)構(gòu)為框型工裝，由一塊聚四氟乙烯板中間鏤空制成，為保證強(qiáng)度足夠，不變形，工裝厚度為10mm,中間鏤空部分長寬分別為155mm和150mm。如圖4、5所示，一面左右兩邊等距刻有貫通半圓槽，左右兩邊兩個相對半圓槽的中線在同一直線上，比如槽半徑為270μm。光纖上盤時，將光纖橫跨放置于框型工裝上，對光纖兩端以相反方向施以一定拉力，使處于光纖繃緊拉直狀態(tài)后，用耐腐蝕的高溫膠帶將光纖固定在夾持工裝上。[0051]作為光纖水平夾持工裝04與固定夾具03的一種具體的安裝方式，如圖3所示，固定夾具03的水平部分底部兩側(cè)內(nèi)嵌固定有若干圓柱形磁鐵031,柱形磁鐵凸出聚四氟乙烯板表面10mm,圖示中，每邊的3個磁鐵中心在同一直線上，磁鐵之間間隔相等，用于吸附固定光纖水平夾持工裝04.如圖4所示，光纖水平夾持工裝04頂面的兩側(cè)表面開有匹配的凹槽，凹槽內(nèi)設(shè)置有鐵質(zhì)或者磁性材料。通過磁吸方式光纖水平夾持工裝04吸附固定在固定夾具03的水平部分底部。光纖垂直夾持工裝12也是聚四氟乙烯板中間鏤空制成的框型結(jié)構(gòu)，表面有凹槽，垂直放置固定光纖垂直夾持工裝，凹槽為上下兩排，中心光纖放置在凹槽上用耐腐蝕膠帶固定。區(qū)別在于不采用磁吸方式固定，將側(cè)邊鎖緊至固定夾具。[0052]在腐蝕外圍光纖時，本制備裝置采用墊塊09、腐蝕盤05形式，墊塊09安裝在Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的Y軸滑塊08上，腐蝕盤05放置在墊塊09上。聚四氟乙烯制成的腐蝕盤，深度5mm,用于承裝氫氟酸，裝滿氫氟酸后，由于液體存在表面張力，氫氟酸液面成弧面，腐蝕盤中心部分的氫氟酸液面將高于腐蝕盤上表面，使光纖能夠浸沒在氫氟酸中。06為待腐蝕的外圍光8纖，剝除光纖中段涂覆層后對石英包層進(jìn)行腐蝕，兩剝口之間的距離應(yīng)大于腐蝕盤05長度。墊塊09采用四氟乙烯材料制作，高度150mm,用于放置腐蝕盤05,墊塊09上設(shè)有銷釘用于定位腐蝕盤05。在腐蝕中心光纖時，采用腐蝕筒11安裝在Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的Y軸滑塊08上。腐蝕筒11為四氟乙烯制成，深度為200mm,用于裝盛氫氟酸。[0053]最后本制備裝置還包括計算機(jī)控制系統(tǒng)10,用于人機(jī)交互，控制兩個模組運動。[0054]基于上述制備裝置，本實施例提供的高光束質(zhì)量合束器制備方法具體如下：[0055]步驟S1、處理中心光纖：將中心光纖一端腐蝕，前端為平直段，平直段后方為錐形結(jié)構(gòu)，然后將腐蝕后中心光纖沖洗并切斷，最后對中心光纖腐蝕后的裸纖部分進(jìn)行清洗。[0056]具體操作時，先剝除中心光纖一端的涂覆層，將中心光纖上下分別用耐腐蝕膠帶和低折膠固定在光纖垂直夾持工裝上，中心光纖處于繃直狀態(tài)，將裝載有氫氟酸的腐蝕筒緩慢移動至中心光纖下方后，按四段程序控制中心光纖上下移動進(jìn)行腐蝕：第一階段，驅(qū)動階段，中心光纖快速上升；最終腐蝕的中心光纖的前段為平直段，平直段后方為錐形結(jié)構(gòu)；腐蝕完成后立即用純凈水對中心光纖進(jìn)行沖洗，沿點低折膠邊緣將光纖切斷，中心光纖下盤，再用無水乙醇對中心光纖的裸纖部分進(jìn)行超聲波清洗。[0057]以7×1高功率能量合束器的制備為例，輸入光纖規(guī)格為34/250,數(shù)值孔徑為0.11,輸出光纖規(guī)格為100/120/360,數(shù)值孔徑為0.22。中心光纖和外圍光纖作為輸入光纖，需要[0058]按照圖6所示結(jié)構(gòu)對中心光纖垂直腐蝕。首先剝除中心光纖一端的涂覆層，剝除長度為150mm,然后用將中心光纖固定在光纖垂直夾持工裝12上，浸沒到氫氟酸的一端需要采用低折膠固定，避免氫氟酸腐蝕，不直接接觸氫氟酸的另一端則可用耐腐蝕膠帶固定，在上盤過程中，需要對中心光纖施以一定拉力，使光纖處于繃緊拉直狀態(tài)。通過計算機(jī)復(fù)位Z軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的狀態(tài)，使Z軸滑塊上升至初始0刻度位置，將夾持著光纖的垂直夾持工裝安裝在固定夾具上。在腐蝕筒11中倒入合適量的氫氟酸，液面距離容器上表面約30mm。通過計算機(jī)控制Y軸驅(qū)動機(jī)構(gòu)的位置，使滑塊帶動腐蝕筒緩慢移動至中心光纖下方后，開啟調(diào)整好的自為3s;第二階段，Z軸高精度直線電機(jī)模組01暫停，時間為2min;第三階段，Z軸高精度直線電機(jī)模組01繼續(xù)下降，速度為1.4mm/min,時間為50min;第四階段，Z軸高精度直線電機(jī)模組01上升，速度為4mm/s,時間為30s。氫氟酸腐蝕速度為2μm/min,這樣，腐蝕后的中心光纖呈錐狀，錐狀前端為平直段。且最腐蝕最細(xì)處直徑約為40um,平直段長度約30mm。腐蝕完成后腐蝕后立即用45℃的純凈水對中心光纖進(jìn)行沖洗，沿點低折膠邊緣將光纖切斷，中心光纖下盤，再用無水乙醇對6根光纖的裸纖部分進(jìn)行超聲波清洗，清洗時間為1min。[0059]步驟S2、處理外圍光纖：S21、從外圍光纖端面一定將光纖涂覆層剝除一半，對剝除部分裸纖進(jìn)行擦式處理后，繃直外圍光纖并排放置固定在光纖水平夾持工裝上，且剝除部分裸纖朝下，向腐蝕盤內(nèi)注入氫氟酸，控制外圍光纖下移使得外圍光纖大部分浸沒在氫氟酸中，然后取出外圍光纖并進(jìn)行沖洗；S23、沖洗完成后剝除另一半光纖涂覆圍光纖沿腐蝕平直區(qū)起點截斷，最后將所有外圍光纖的裸纖部分進(jìn)行清洗。[0060]本實施例處理6根外圍光纖。進(jìn)行涂覆層剝除處理，在距離外圍光纖左端面100mm9處，采用剝除機(jī)向右將光纖涂覆層剝除一半，光纖橫截面如圖7中的(a)所示，涂覆層剝除長度為150mm,用酒精和無塵紙將涂覆層殘渣擦拭干凈后，采用無水酒精對剝除后的裸纖部分進(jìn)行超聲清洗1min。按照光纖水平夾持工裝上的定位凹槽，排放光纖，需要保證剝除涂覆層的裸纖部分朝下，帶涂覆層部分朝上，用耐腐蝕的高溫膠帶將清潔后的外圍光纖粘附固定在框型工裝的兩邊上。在上盤過程中，需要對光纖施以一定拉力，使外圍光纖處于繃緊拉直狀態(tài)。夾持外圍光纖的框型工裝鏤空部分長度為155mm,略大于光纖涂覆層剝除長度，外圍光纖剝口距離工裝邊緣為2.5mm,避免污染已清潔過的裸纖部分。通過計算機(jī)復(fù)位Z軸高精度直線電機(jī)模組01狀態(tài)，使滑塊上升至初始0刻度位置，將夾持著光纖的框型工裝安裝在固定夾具上。在腐蝕盤中倒入一定量的氫氟酸，注意控制氫氟酸液面高于腐蝕盤上表面，但不至于溢出，腐蝕盤寬度為90mm,深度為4mm。通過計算機(jī)控制Y軸高精度直線電機(jī)模組08位置，使滑塊帶動腐蝕盤緩慢移動至外圍光纖下方后，調(diào)整外圍光纖在Z軸上的位置，最終使外圍光纖4/5浸沒在氫氟酸中進(jìn)行腐蝕，如圖7中的(b)所示。氫氟酸腐蝕速度為2μm/min,腐蝕時間為52.5min,腐蝕后立即用45℃的純凈水對光纖進(jìn)行沖洗，沖洗完成后剝除另外一半涂覆層。腐蝕完成后剝除涂覆層的光纖如圖7中的(c)所示，整體呈扇形，扇形兩邊夾角約為60°,一邊近端包層被腐蝕至最小厚度3μm,另一邊遠(yuǎn)端包層至纖芯尺寸為125μm。取6根光纖，用金剛刀將其中5根沿腐蝕平直區(qū)起始點切斷，斷面顯微鏡照片如圖8所示，再用無水乙醇對6根光纖的裸纖部分進(jìn)行超聲波清洗，清洗時間為1min。膠帶固定背面，第一根光纖為未截斷的光纖，外圍光纖相鄰裸纖之間保留一定間隙，緩慢旋轉(zhuǎn)第一根光纖，對外圍光纖進(jìn)行組束，組束后裸纖一端用膠帶預(yù)固定；S32、將中心光纖腐蝕的一端完全穿入組束外圍光纖的中心位置，最終得到光纖束。[0062]清潔后，將6根外圍光纖按如圖9方式平直排列，纖芯朝上，用膠帶固定背根外圍光纖為未截斷的光纖，其他5根均為截斷光纖。相鄰?fù)鈬饫w裸纖與裸纖之間可以稍微保留一定間隙，以第一根外圍光纖為軸，緩慢逆時針旋轉(zhuǎn)，對6根光纖一端用膠帶預(yù)固定。將