2025年（半導(dǎo)體工藝技術(shù)(晶圓制造方向)）晶圓制造技術(shù)試題及答案

第I卷（選擇題，共40分）答題要求：請將正確答案的序號填在括號內(nèi)。1.晶圓制造的第一步通常是（）A.光刻B.氧化C.硅片制備D.摻雜答案：C2.以下哪種材料常用于制造晶圓（）A.銅B.鋁C.硅D.鐵答案：C3.光刻技術(shù)的作用是（）A.定義電路圖案B.去除雜質(zhì)C.增加晶圓厚度D.改變晶圓導(dǎo)電性答案：A4.氧化工藝中生成的二氧化硅主要用于（）A.導(dǎo)電B.絕緣和掩蔽C.散熱D.增強(qiáng)硬度答案：B5.摻雜的目的是（）A.改變晶圓顏色B.調(diào)整晶圓形狀C.改變半導(dǎo)體電學(xué)性能D.提高晶圓透明度答案：C6.濕法刻蝕的優(yōu)點不包括（）A.成本低B.對圖形損傷小C.刻蝕速度快D.可實現(xiàn)高精度刻蝕答案：D7.干法刻蝕常用的氣體不包括（）A.氧氣B.氮氣C.氯氣D.氫氣答案：B8.化學(xué)機(jī)械拋光的主要作用是（）A.去除晶圓表面雜質(zhì)B.使晶圓表面平整C.增加晶圓光澤D.提高晶圓硬度答案：B9.晶圓制造中常用的光刻光源是（）A.紫外線B.紅外線C.可見光D.X射線答案：A10.以下哪種不是常見的晶圓制造工藝步驟（）A.電鍍B.退火C.外延生長D.研磨答案：A第Ⅱ卷（非選擇題，共60分）1.簡答題（共30分）-序號1：簡述光刻工藝的基本流程。（5分）光刻工藝基本流程包括：涂膠，在晶圓表面均勻涂覆光刻膠；曝光，用特定波長光照射光刻膠，使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；顯影，去除曝光部分光刻膠，露出晶圓表面；刻蝕，利用光刻膠作為掩膜，對晶圓表面進(jìn)行刻蝕；去膠，去除剩余光刻膠。-序號2：說明氧化工藝對晶圓性能的影響。（5分）氧化工藝生成的二氧化硅作為絕緣層和掩蔽層，可防止雜質(zhì)擴(kuò)散，保護(hù)晶圓內(nèi)部結(jié)構(gòu)；同時可調(diào)整晶圓表面電場分布，改善半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能，如提高晶體管的閾值電壓等。-序號3：闡述摻雜的兩種主要方式及其特點。（10分）摻雜主要方式有擴(kuò)散摻雜和離子注入摻雜。擴(kuò)散摻雜是將雜質(zhì)原子加熱擴(kuò)散到晶圓內(nèi)部，工藝簡單、成本低，但摻雜精度有限。離子注入摻雜是將高能離子束打入晶圓，能精確控制摻雜位置和濃度，精度高，但設(shè)備成本高。-序號4：解釋化學(xué)機(jī)械拋光的原理。（10分）化學(xué)機(jī)械拋光是利用化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的協(xié)同作用。拋光液中的化學(xué)試劑與晶圓表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，去除表面微觀缺陷；同時拋光墊與晶圓表面相對運動，通過機(jī)械摩擦進(jìn)一步平整表面，從而獲得高平整度的晶圓表面。2.討論題（共30分）-序號1：分析濕法刻蝕和干法刻蝕在晶圓制造中的優(yōu)缺點及適用場景。（15分）濕法刻蝕優(yōu)點是成本低、對圖形損傷小，適用于去除大面積雜質(zhì)和對精度要求不高的刻蝕。缺點是刻蝕速度慢、精度有限。干法刻蝕優(yōu)點是刻蝕速度快、精度高，適用于高精度圖形刻蝕。缺點是設(shè)備成本高、可能對晶圓造成損傷。-序號2：探討未來晶圓制造技術(shù)的發(fā)展趨勢。（15分）未來晶圓制造技術(shù)發(fā)展趨勢包括更高的集成度，不斷縮小芯片