光纖測試題及答案一、單項選擇題（每題2分，共20分）1.單模光纖中傳輸?shù)闹饕Ｊ绞牵ǎ〢.LP01模B.LP11模C.LP02模D.LP21模2.光纖衰減系數(shù)的常用單位是（）A.dBB.dBmC.dB/kmD.mW3.以下哪種因素不會引起光纖的本征衰減？（）A.材料吸收B.瑞利散射C.彎曲損耗D.紫外吸收4.OTDR（光時域反射儀）測量光纖長度時，主要依據(jù)的是（）A.前向散射光B.后向散射光C.反射光D.透射光5.多模光纖的色散主要由（）引起A.材料色散B.波導色散C.模式色散D.偏振模色散6.熔接機顯示的熔接損耗值通常采用（）原理測量A.后向散射法B.插入損耗法C.剪斷法D.前向散射法7.1550nm波長的光纖損耗通常比1310nm波長（）A.更低B.更高C.相同D.不確定8.光纖鏈路測試中，參考測試法需要（）A.1根跳纖B.2根跳纖C.3根跳纖D.不需要跳纖9.衡量OTDR距離分辨率的關鍵參數(shù)是（）A.動態(tài)范圍B.脈寬C.采樣頻率D.波長10.以下哪種光纖類型適用于長距離高速傳輸？（）A.G.651B.G.652C.G.655D.多模漸變型二、多項選擇題（每題3分，共15分，少選得1分，錯選不得分）1.光纖的基本結構包括（）A.纖芯B.包層C.涂覆層D.加強件2.光纖色散的主要類型有（）A.模式色散B.材料色散C.波導色散D.偏振模色散3.使用OTDR測試時，可能產(chǎn)生的偽峰包括（）A.菲涅爾反射峰B.事件盲區(qū)C.瑞利散射尾D.鬼反射峰4.影響光纖熔接損耗的因素包括（）A.光纖端面切割質(zhì)量B.熔接機對芯精度C.光纖類型匹配度D.環(huán)境溫度5.光纖鏈路損耗預算需要考慮的因素有（）A.光纖長度×衰減系數(shù)B.連接器損耗×數(shù)量C.熔接點損耗×數(shù)量D.色散容限三、判斷題（每題2分，共10分，正確打√，錯誤打×）1.單模光纖的芯徑比多模光纖大（）2.光纖的彎曲半徑越小，彎曲損耗越大（）3.OTDR的動態(tài)范圍越大，可測試的光纖長度越短（）4.插入損耗法測量熔接損耗時，需要先測試參考功率，再測試包含熔接點的功率（）5.多模光纖的數(shù)值孔徑越大，接收光的能力越強（）四、簡答題（每題6分，共30分）1.簡述模場直徑（MFD）的定義及其對光纖接續(xù)的影響。2.說明OTDR測試中的“事件盲區(qū)”和“衰減盲區(qū)”的區(qū)別。3.列舉三種常用的光纖衰減測試方法，并比較其優(yōu)缺點。4.分析光纖鏈路中出現(xiàn)“鬼影”（GhostPeak）的原因及消除方法。5.簡述熔接機的“預熔”和“主熔”階段的作用。五、計算題（每題8分，共16分）1.某單模光纖鏈路長度為45km，工作波長1550nm，光纖衰減系數(shù)0.22dB/km，包含8個熔接點（平均0.08dB/個），6個連接器（平均0.3dB/個）。計算該鏈路的總損耗。2.用OTDR測試光纖時，設置脈寬為100ns，光在光纖中的傳播速度為2×10?m/s。計算該OTDR的理論距離分辨率（注：距離分辨率=脈寬×光速/(2×折射率)，光纖折射率取1.46）。六、案例分析題（9分）某運營商新建10Gbps光纖鏈路，測試時發(fā)現(xiàn)：-OTDR測試曲線在20km處出現(xiàn)明顯的損耗突增（約1.2dB），但該位置無熔接點或連接器；-用光功率計配合光源測試鏈路總損耗，結果比設計值高1.8dB；-檢查光纖路由，發(fā)現(xiàn)20km處管道有近期施工痕跡。請分析可能的故障原因，并提出排查步驟和解決措施。答案及解析一、單項選擇題1.A（單模光纖只傳輸基模LP01）2.C（衰減系數(shù)表示單位長度的損耗，單位dB/km）3.C（彎曲損耗屬于非本征衰減，由外界因素引起）4.B（OTDR通過接收后向散射光和反射光進行測量）5.C（多模光纖中不同模式傳輸速度不同，模式色散是主要因素）6.B（熔接機通過比較熔接前后的光功率變化估算損耗，屬于插入損耗法）7.A（1550nm波長處于光纖的最低損耗窗口，典型值0.22dB/km）8.B（參考測試法需兩根跳纖分別連接光源和光功率計，消除設備接口影響）9.B（脈寬越窄，距離分辨率越高，通常分辨率≈脈寬×光速/(2×折射率)）10.C（G.655光纖為非零色散位移光纖，適用于長距離高速DWDM系統(tǒng)）二、多項選擇題1.ABC（加強件屬于光纜結構，非光纖本身結構）2.ABCD（四種色散類型均需考慮，其中多模主要是模式色散，單模主要是材料和波導色散）3.AD（事件盲區(qū)是近距離無法識別事件的區(qū)域，瑞利散射尾是正?，F(xiàn)象）4.ABCD（環(huán)境溫度會影響熔接機電極放電穩(wěn)定性，進而影響損耗）5.ABC（色散容限屬于帶寬指標，不直接影響損耗預算）三、判斷題1.×（單模芯徑約8-10μm，多模芯徑50/62.5μm）2.√（彎曲半徑小于臨界值時，會產(chǎn)生輻射損耗，半徑越小損耗越大）3.×（動態(tài)范圍越大，可測試的光纖越長，因為能檢測到更弱的后向散射光）4.√（插入損耗法=參考功率-測試功率，需先測參考值）5.√（數(shù)值孔徑NA=√(n?2-n?2)，NA越大，接收角越大，收光能力越強）四、簡答題1.模場直徑是描述單模光纖中光功率分布的等效直徑，定義為光強下降到中心值1/e2處的直徑。影響：MFD不匹配會導致接續(xù)損耗增加，因為光場重疊面積減少，一般要求MFD偏差≤10%。2.事件盲區(qū)：OTDR接收強反射光（如連接器端面）后，探測器飽和無法識別后續(xù)小事件的距離范圍（通?！?0m）；衰減盲區(qū)：從強反射峰下降到與瑞利散射電平相差0.5dB的距離范圍（通?！?00m）。事件盲區(qū)關注事件識別能力，衰減盲區(qū)關注衰減測量精度。3.（1）剪斷法：精度高（±0.02dB），但破壞性測試，用于實驗室；（2）插入損耗法：非破壞性，操作簡單，但受光源穩(wěn)定性影響；（3）后向散射法（OTDR）：可定位損耗點，動態(tài)范圍大，但精度較低（±0.1dB）。4.原因：光纖鏈路中存在兩個反射點（如兩個連接器），OTDR發(fā)射的光脈沖在兩個反射點之間多次反射，形成疊加的偽峰。消除方法：增加兩個反射點之間的距離（>OTDR距離分辨率）；在鏈路中插入衰減器（如跳纖）降低反射強度；調(diào)整OTDR脈寬，減小反射峰重疊。5.預熔階段：通過低能量放電清潔光纖端面（去除灰塵、水分），使端面軟化形成平滑表面；主熔階段：高能量放電使纖芯和包層熔融結合，通過電極放電產(chǎn)生的高溫（約2000℃）實現(xiàn)分子間結合，形成穩(wěn)定連接。五、計算題1.總損耗=光纖損耗+熔接損耗+連接器損耗=45km×0.22dB/km+8×0.08dB+6×0.3dB=9.9dB+0.64dB+1.8dB=12.34dB2.距離分辨率=(100ns×2×10?m/s)/(2×1.46)=(100×10??s×2×10?m/s)/(2×1.46)=(20m)/(2×1.46)≈6.85m（注：公式中除以2是因為光脈沖往返時間對應單程距離）六、案例分析題可能原因：（1）光纖受到外力擠壓或微彎：施工導致管道變形，光纖局部彎曲半徑過?。?lt;20mm），產(chǎn)生微彎損耗；（2）光纖內(nèi)部損傷：施工過程中光纖被劃傷或部分斷裂，形成隱形斷點；（3）光纖接續(xù)點遺漏：可能存在未記錄的熔接點（如施工時的臨時接續(xù)）；（4）光纖類型不匹配：該位置可能存在不同型號光纖（如G.652與G.655混接）。排查步驟：1.重新核查路由施工記錄，確認20km處是否有隱蔽工程（如手孔、過橋）；2.使用高分辨率OTDR（脈寬≤10ns）在兩端雙向測試，定位損耗點精確位置；3.提取該段光纖的成端跳纖，用VFL（可見紅光筆）注入，觀察是否有漏光點（紅色光斑）；4.截取懷疑段光纖（約200m），用剪斷法測量衰減，確認是否為局部損耗異常。解決