四川省綿陽市開元中學2025-2026學年高三上學期入學考試數(shù)學試題(含解析)_第1頁
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答案第=page11頁,共=sectionpages22頁答案第=page11頁,共=sectionpages22頁四川省綿陽市開元中學2025-2026學年高三上學期入學考試數(shù)學試題學校:___________姓名:___________班級:___________考號:___________一、單選題1.已知集合,,則A與B的交集是(

)A. B. C. D.ABC均錯誤2.設,則(

)A. B. C. D.3.已知命題:,,那么是(

)A., B.,C., D.,4.已知向量,,若,則(

)A.5 B.15 C. D.5.直三棱柱ABC-A1B1C1中,∠BCA=90°,M,N分別是A1B1,A1C1的中點,BC=CA=CC1,則BM與AN所成角的余弦值為()A. B. C. D.6.已知點P在以,為左、右焦點的橢圓上,橢圓內(nèi)存在一點Q在的延長線上,且滿足,若,則該橢圓離心率取值范圍是(

)A. B. C. D.7.已知等差數(shù)列{an}的前n項和Sn,公差d≠0,.記b1=S2,bn+1=S2n+2–S2n,,下列等式不可能成立的是(

)A.2a4=a2+a6 B.2b4=b2+b6 C. D.8.設函數(shù),若關于的方程恰好有4個不相等的實數(shù)解,則實數(shù)的取值范圍是(

)A. B. C. D.二、多選題9.已知,則(

)A. B.C. D.角可能是第二象限角10.設樣本空間,且每個樣本點是等可能的,已知事件,則下列結(jié)論正確的是(

)A.事件A與B為互斥事件B.事件A,B,C兩兩相互獨立.C.D.11.曲線的左右焦點分別為,以為直徑的圓與漸近線和雙曲線分別交于(均在第一象限),連接,交另一支漸近線于E,且E為的中點,O是坐標原點.下列說法正確的是(

)A.雙曲線的離心率 B.雙曲線的漸近線方程為C.當時,的面積為3 D.當時,的周長為三、填空題12.若函數(shù)是奇函數(shù),則.13.設,過定點A的動直線和過定點B的動直線交于點,則的最大值是.14.若不等式對恒成立,則實數(shù)的取值范圍是.四、解答題15.已知,且.(1)求的值;(2)求的值.16.設橢圓經(jīng)過點,其離心率.(1)求橢圓的方程;(2)直線與橢圓交于、兩點,且的面積為,求的值.17.如圖,在四棱錐中,底面是正方形,側(cè)棱底面是的中點,作交于點.(1)求證:平面;(2)求證:平面;(3)求平面與平面的夾角的大?。?8.已知函數(shù),.(1)討論的單調(diào)性;(2)當時,恒成立,求的取值范圍;(3)當時,設,證明:在上存在唯一的極小值點且.參考數(shù)據(jù):.19.近年來國產(chǎn)芯片技術日趨成熟,其中有一項工藝稱為“二次曝光技術”,即在同一塊晶片上先進行一次曝光,清洗,然后再進行一次曝光.只有兩次曝光都成功,該晶片方可成功制作成1塊芯片.假設第一次曝光的成功率為,第二次曝光的成功率為,每次曝光過程相互獨立.現(xiàn)要制作1塊芯片,依次對塊晶片進行曝光,操作要求如下:①若對第塊晶片進行第一次曝光失敗,則不繼續(xù)對該晶片進行第二次曝光,并認為對該晶片的制作失敗,接著對第塊晶片進行曝光;②若對第塊晶片進行第一次曝光成功,則繼續(xù)對該晶片進行第二次曝光,若第二次曝光失敗,則也認為對該晶片的制作失敗,接著對第塊晶片進行曝光;若第二次曝光成功,即成功制作出1塊芯片,則不再對后續(xù)的晶片進行曝光;③若對這塊晶片都曝光完畢,無論是否成功制作出1塊芯片,則停止制作.(1)當時,求成功制作出至少1塊芯片的概率;(2)用這塊晶片制作1塊芯片,記隨機變量為曝光的晶片個數(shù),求的分布列和數(shù)學期望;(3)若一塊晶片第一次曝光失敗,則記該芯片曝光1次;若一塊晶片第一次曝光成功,無論第二次曝光成功還是失敗,都記該芯片共曝光2次.在曝光完這塊晶片,并成功制作出1塊芯片的條件下,記隨機變量為這塊晶片曝光的總次數(shù),求的數(shù)學期望.《四川省綿陽市開元中學2025-2026學年高三上學期入學考試數(shù)學試題》參考答案題號12345678910答案DCBCCBDBBCBC題號11答案ACD1.D【分析】根據(jù)題意可得,再判斷即可.【詳解】由題知,故選:D.2.C【分析】設,利用共軛復數(shù)的定義以及復數(shù)的加減法可得出關于、的等式,解出這兩個未知數(shù)的值,即可得出復數(shù).【詳解】設,則,則,所以,,解得,因此,.故選:C.3.B【分析】由特稱命題的否定,直接判斷得出答案.【詳解】解:已知命題:,,則為:,.故選:B.4.C【分析】由向量平行的坐標表示求出,再由向量的加法和數(shù)量積的坐標運算即可求出答案.【詳解】若,則,解得:.所以,所以,所以.故選:C.5.C【詳解】以C為原點,直線CA為x軸,直線CB為y軸,直線為軸,則設CA=CB=1,則,,A(1,0,0),,故,,所以,故選C.考點:本小題主要考查利用空間向量求線線角,考查空間向量的基本運算,考查空間想象能力等數(shù)學基本能力,考查分析問題與解決問題的能力.6.B【分析】首先滿足,點Q在橢圓的內(nèi)部,設線段長度及,利用余弦定理可得,結(jié)合對勾函數(shù)的性質(zhì)得到答案.【詳解】解:因為,,不妨設,則,故,設,則,,因為點在線段的延長線上,且點在橢圓內(nèi),所以且,所以,又,所以,則離心率滿足,因為,由對勾函數(shù)的性質(zhì)可得,所以,所以,所以故選:B.7.D【分析】根據(jù)題意可得,,而,即可表示出題中,再結(jié)合等差數(shù)列的性質(zhì)即可判斷各等式是否成立.【詳解】對于A,因為數(shù)列為等差數(shù)列,所以根據(jù)等差數(shù)列的下標和性質(zhì),由可得,,A正確;對于B,由題意可知,,,∴,,,.∴,.根據(jù)等差數(shù)列的下標和性質(zhì),由可得,B正確;對于C,,當時,,C正確;對于D,,,.當時,,∴即;當時,,∴即,所以,D不正確.故選:D.【點睛】本題主要考查等差數(shù)列的性質(zhì)應用,屬于基礎題.8.B【分析】由題可得圖象與直線,共4個交點,分別利用導數(shù)研究函數(shù)與函數(shù),可得大致圖象,據(jù)此可得答案.【詳解】,由題則圖象與直線,共4個交點.令,則,.則在上單調(diào)遞增,在上單調(diào)遞減,.又,據(jù)此可得大致圖象如下.令,則,又,據(jù)此可得大致圖象如下.由圖易得圖象與直線有1個交點,則圖象與直線有3個交點.則.故選:B9.BC【分析】根據(jù)給定條件結(jié)合誘導公式、同角公式逐項分析、計算并判斷作答.【詳解】因,則是第一象限或者第四象限角,當是第四象限角時,,A不正確;,B正確;,C正確;因是第一象限或者第四象限角,則不可能是第二象限角.故選:BC10.BC【分析】根據(jù)互斥事件、獨立事件的概率公式即可解答.【詳解】對于選項A,因為,所以事件與不互斥,故A錯誤;對于選項B,,,故B正確;對于選項C,表示,,即,故C正確;對于選項D,交集為,則,故D錯誤.故選:BC.11.ACD【分析】由題意得以為直徑的圓的方程為,雙曲線的漸近線方程為,,然后將圓方程與漸近線方聯(lián)立求出點,從而可求出點,再將點的坐標代入中可求得,進而可求得離心率,漸近線方程,當時,可得雙曲線方程和圓方程,從而可求出點的坐標,進而可求出的面積和周長【詳解】由題意得以為直徑的圓的方程為,雙曲線的漸近線方程為,,由,得,即,因為E為的中點,所以,因為點在漸近線上,所以,解得,所以離心率,所以A正確,由,得,所以漸近線方程為,即,所以B錯誤,當時,,所以雙曲線方程為,以為直徑的圓的方程為,由,得,因為點在第一象限,所以,所以的面積為,所以C正確,的周長為,所以D正確,故選:ACD12.【解析】由函數(shù)是奇函數(shù),得到,即可求解,得到答案.【詳解】由題意,函數(shù)是奇函數(shù),所以,解得,當時,函數(shù)滿足,所以.故答案為:.13.5【詳解】試題分析:易得.設,則消去得:,所以點P在以AB為直徑的圓上,,所以,.法二、因為兩直線的斜率互為負倒數(shù),所以,點P的軌跡是以AB為直徑的圓.以下同法一.【考點定位】1、直線與圓;2、重要不等式.14.【分析】當時顯然成立,當時,構(gòu)造,則原不等式等價于,利用導函數(shù)求單調(diào)性可得對恒成立,再構(gòu)造求最大值即可.【詳解】當,時,,,所以恒成立;當,時,恒成立;當,時,由可得對恒成立,構(gòu)造,則,所以當時,,單調(diào)遞減,當時,,單調(diào)遞增,又,,,由單調(diào)性可知,整理得對恒成立,令,,則,所以當時,,單調(diào)遞增,所以,綜上,實數(shù)的取值范圍為.故答案為:.【點睛】導函數(shù)中常用的兩種轉(zhuǎn)化方法:一是利用導數(shù)研究含參函數(shù)的單調(diào)性,?;癁椴坏仁胶愠闪栴};二是函數(shù)的零點、不等式證明常轉(zhuǎn)化為函數(shù)的單調(diào)性、極(最)值問題處理,本題的關鍵是利用同構(gòu)的思路,將不等式變形為,再構(gòu)造函數(shù),問題就會迎刃而解.15.(1)(2)【分析】(1)根據(jù)同角三角函數(shù)基本關系求的值,進而可得的值;(2)利用誘導公式化簡,再化弦為切,將的值代入即可求解.【詳解】(1)因為,且,所以,所以,(2).16.(1);(2).【分析】(1)由經(jīng)過點,得,由離心率為得=,再根據(jù)聯(lián)立解方程組即可;(2)聯(lián)立直線方程與橢圓方程消y,得,易知判別式,設,弦長公式及點到直線的距離公式可表示出的面積,令其為,即可解出值,驗證是否滿足.【詳解】(1)解:因為橢圓經(jīng)過點,其離心率,所以,,解得,,所以,橢圓的方程為.(2)解:由得:由得:設,,則,所以又到的距離為,所以,整理得:,解得:,符合,所以,.17.(1)證明見解析;(2)證明見解析;(3).【分析】(1)以為原點,直線分別為軸建立空間直角坐標系,求出平面的法向量坐標,再利用空間位置關系的向量證明推理即得.(2)由,結(jié)合,利用線面垂直的判定定理證明.(3)求得平面和平面的法向量坐標,再利用面面角的向量求法求解.【詳解】(1)在四棱錐中,底面,底面,則,由底面是正方形,得,以為原點,直線分別為軸建立空間直角坐標系,設,則,,設平面的法向量為,則,令,得,則,而平面,所以平面.(2)由(1)知,,由,得,又,且平面,所以平面.(3)由(1)知,,且,設平面的法向量為,則,取,得,,而,則,即,則的一個法向量為,因此,而,則,所以平面與平面的夾角為.18.(1)答案見解析(2)(3)證明見解析【分析】(1)求得,分、兩種情況討論,分析導數(shù)的符號變化,由此可求得函數(shù)的增區(qū)間和減區(qū)間;(2)由已知不等式結(jié)合參變分離得出對任意的恒成立,利用導數(shù)求出函數(shù)在上的最小值,即可得出實數(shù)的取值范圍;(3)當時,利用導數(shù)分析函數(shù)的單調(diào)性,利用極值點與導數(shù)的關系結(jié)合零點存在定理可證得在上存在唯一的極小值點,并可得出,再結(jié)合二次函數(shù)的基本性質(zhì)可證得.【詳解】(1)因為,其中,.①當時,恒成立,的增區(qū)間為,無減區(qū)間;②當時,令,得,由可得;由可得.此時,函數(shù)的減區(qū)間為,增區(qū)間為.綜上所述:當時,的增區(qū)間為,無減區(qū)間;當時,函數(shù)的減區(qū)間為,增區(qū)間為.(2)當時,恒成立,即恒成立.令,則,其中,由可得;由可得.所以,函數(shù)的減區(qū)間為,增區(qū)間為.所以,即,故的取值范圍是.(3)當時,,,令,則.當時,,單調(diào)遞減;當時,,單調(diào)遞增,又因為,且,所以存在唯一的,使得,即.①當時,,即,單調(diào)遞減,當時,,即,單調(diào)遞增,所以是在上唯一的極小值點.則,由①可知.19.(1)(2)分布列見解析,(3)【分析】(1)根據(jù)題意,得到成功的概率為,失敗的概率為,結(jié)合對立事件的概率計算公式,即可求得成功制作出1塊芯片的概率;(2)根據(jù)題意,得到隨機變量的可能取值為,結(jié)合當時,概率為,當時,概率為,列出隨機變量的分布列,求得再利用乘公比錯位相減法求和,即可得到答案;(3)法一:記事件“曝光完這塊晶片,并成功制作出1塊芯片”,記事件“曝光的總次數(shù)為次”,根據(jù)題意,得到的可能取值為,利用條件概率和獨立重復試驗的概率的計算公式,求得相應的概率,列出分布列,求得期望的表達式,結(jié)合組合數(shù)的計算公式,進行化簡,即可得到答案;法二:考慮前塊晶片中任意某塊的曝光情況,記晶片的曝光次數(shù)為隨機變量,事件“這塊晶片曝光失敗”,事件“這塊晶片的曝光次數(shù)為次”,根據(jù)條件概率的計算公式,求得,得到,進而得到前塊晶片曝光的總次數(shù)的數(shù)學期望.【詳解】(1)解:由題意得,用1塊晶片制作,成功的概率為,失敗的概率為,當時,要成功制作出至少1塊芯片,概率為.(2)解:由題意,隨機變量的可能取值為,當時,可得其概率為,當時,可得其概率為,所以的分布列為123可得期望為令,則,兩式相減,可得,所以.(3)解:法一:記事件“曝光完這塊晶片,并成功制作出1塊芯片”,記事件“曝光的總次數(shù)為次”,可得,對于前塊晶片,每塊晶片都至少曝光1次,

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