K0169:2012(ISO20341:2003)序文 11適用範(fàn)囲 12引用規(guī)格 22A用語及び定義 23記號及び略語 24デルタ多層標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)に対する要求事項 25手順 36分析結(jié)果の報告 4附屬書A(規(guī)定)SIMS深さ分解能パラメータの簡易評価 5K0169:2012(ISO20341:2003)この規(guī)格は,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化法第12條第1項の規(guī)定に基づき,財団法人日本規(guī)格協(xié)會(JSA)から,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)原案を具して日本工業(yè)規(guī)格を制定すべきとの申出があり,日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)査會の審議を経て,経済産業(yè)この規(guī)格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵觸する可能性があることに注意を喚起する。経済産業(yè)大臣及び日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)査會は,このような用新案権に関わる確認(rèn)について,責(zé)任はもたない。日本工業(yè)規(guī)格JIS(ISO20341:2003)表面化學(xué)分析一二次イオン質(zhì)量分析法一デルタ多層Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry(SIMS)一withmultipledelta-layerreferencematerials序文この規(guī)格は,2003年に第1版として発行されたISO20341を基に,技術(shù)的內(nèi)容を変更することなく作成した日本工業(yè)規(guī)格である。なお,この規(guī)格で側(cè)線を施してある補(bǔ)足事項は,対応國際規(guī)格にはない事項である。深さ分解能は二次イオン質(zhì)量分析法(SIMS)の深さ方向の分析において重要なパラメータの一つである。ビーム誘起ミキシング,偏析,電荷誘起拡散,マトリックス効果,クレータの形狀,表面の凹凸などである。最適な深さ分解能を得るために,これらの要因による深さ分解能の劣化を理解し,最小限にする必要最適な深さ分解能を得るには非常に低い一次イオンビームエネルギー,斜入射,試料回転,極低溫の試料冷卻などを含む特別な條件が必要である。これら條件である。これに加えて,各々の試料に対して分析條件の最適值は全く異なる。さらに,異なる側(cè)面では,深さ分解能はクレータ形狀,イオンビームの均一性,クレータ形狀効果の除去,質(zhì)量干涉,メモリー効果,殘留ガス効果などの裝置因子によって影響を受ける。したがって,日常のSIMSの測定條件で與えられる深さ分解能を評価することは簡単ではない。この規(guī)格では,深さ方向分解能の三つの基本的な因子である上昇端ディケイ長,下降端ディケイ長及びガウス分布幅を示し,かつ,各々のパラメータを測定するための方法について規(guī)定する。日常のSIMS測定條件における深さ分解能パラメータは,デルタ多層標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)を用いて評価することが1.1この規(guī)格は,デルタ多層標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)を用いたSIMS深さ方向分布の測定における上昇端ディケイ長,下降端ディケイ長及びガウス分布帖の三つの深さ分解能パラメータを評価するための方法について規(guī)定す1.2この規(guī)格は,一次イオン入射によって化學(xué)的及び物理的狀態(tài)が定常狀態(tài)にはない表面近傍のデルタ注記この規(guī)格の対応國際規(guī)格及びその対応の程度を表す記號を,次に示す。ISO20341:2003,Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Methodfor2K0169:2012(ISO20341:2003)estimatingdepthresolutionparameterswithmultipledelta-layerreferencematerials(IDT)なお,対応の私度を表す記!號“IDT”は,ISO/IECGuide21-1にはづき,“一致している”こ規(guī)格は,その最新版(追補(bǔ)を含む。)を適用する。JISK0147表面化學(xué)分析一用語注記対応國際規(guī)格:ISO18115:2001,Surfacechemicalanalysis—Vocabulary(IDT)2A用語及び定義2A.1基板上に,成膜中に形成される不連続組成をもつ一原子厚さの層(JISK0147參照)。2A.2極大値を通過する前の深さとともに,増大する信號強(qiáng)度のデイ2A.3σ:ガウス分布幅(nm)SIMS:(SecondarylonMassSpectrometry)手できない場合には,標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)として用いられる非理想デルタ層に対して次の規(guī)定を適用する。3K0169:2012(ISO20341:2003)5手順式(1)で定義された指數(shù)関數(shù)的な上昇端としてのん(z),式(2)で定義された指數(shù)関數(shù)的な下降端としてのf(z)の二つの指數(shù)関數(shù),及び式(3)で定義されるガウス形分布g(z)のコンボリューションで表されると仮定するz<z<zo (1)z>z? (2)4K0169:2012(ISO注記式(4)の導(dǎo)出は參考文獻(xiàn)[1]に記載されており,また,參考文獻(xiàn)[1]及び[2]にフィッティング例が6分析結(jié)果の報告D分析中の通常とは異なる特徴的な記述5K0169:2012(ISO20341:2003)A.1一般一つ又は二つのSIMS深さ分解能パラメータを簡易に評価する方法を利用することができる。一つの深さ分解能パラメータの場合は下降端ディケイ長を用いて評価する。二つの深さ分解能パラメータの場合は下降端ディケイ長及び上昇端ディケイ長を用いて評価する。SIMS深さ方向分解能パラメータの簡易評価法は,次のとおりである。深さに対し自然対數(shù)軸で表示された二次イオン強(qiáng)度の直線部分を用いて,二次イオン強(qiáng)度がe倍又は1eとなる深さ(通常ナノメートルで表記)として,上昇端ディケイ長及びノ又は下降端ディケイ長を決定する。直線部分は,少なくとも二次イオン強(qiáng)度が10倍変化する部分でなければならない。5.1及び5.3に示しを超えるデータ點(diǎn)數(shù)が載るようにSIMS分析の條件を調(diào)整し,最大強(qiáng)度の1%以下になるまでSIMS深さ方向分布を記録する。參考文獻(xiàn)[1]DOWSETTM.G,ROWLANDG,ALLENP.N.andBARLOWR.D:AnanalyticformfortheSIMSresponsefunctionmeasuredfromultra-thinimpuritylayers,Surf.InterfaceAnal.,21,pp.310-315(1994)[2]MOOND.W,WONJ.Y,KIMK.J.,KIMH.J.,KANG