華潤(rùn)微電子秋招面試題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體中載流子主要是（）A.電子B.空穴C.電子和空穴D.離子2.以下哪種不是常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料（）A.硅B.鍺C.銅D.砷化鎵3.MOSFET屬于（）A.電流控制型器件B.電壓控制型器件C.雙向?qū)щ娖骷﨑.不可控器件4.集成電路制造中光刻的作用是（）A.刻蝕材料B.圖形轉(zhuǎn)移C.摻雜D.氧化5.以下哪個(gè)是數(shù)字電路的基本邏輯門（）A.與門B.積分器C.放大器D.濾波器6.半導(dǎo)體器件中PN結(jié)具有（）特性A.雙向?qū)˙.單向?qū)–.不導(dǎo)通D.不確定7.衡量集成電路速度的指標(biāo)通常是（）A.功率B.頻率C.電壓D.電流8.以下哪種封裝形式散熱性能較好（）A.DIPB.QFPC.BGAD.SOP9.模擬電路處理的信號(hào)是（）A.數(shù)字信號(hào)B.連續(xù)變化的信號(hào)C.脈沖信號(hào)D.二進(jìn)制信號(hào)10.半導(dǎo)體制造中清洗的目的是（）A.去除雜質(zhì)B.增加厚度C.改變顏色D.提高硬度多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.常見(jiàn)的半導(dǎo)體制造工藝步驟包括（）A.光刻B.刻蝕C.摻雜D.封裝2.以下屬于數(shù)字集成電路的有（）A.CPUB.存儲(chǔ)器C.放大器D.濾波器3.半導(dǎo)體器件的參數(shù)包括（）A.耐壓B.電流C.功率D.頻率特性4.集成電路設(shè)計(jì)流程包含（）A.系統(tǒng)設(shè)計(jì)B.邏輯設(shè)計(jì)C.物理設(shè)計(jì)D.測(cè)試驗(yàn)證5.以下關(guān)于MOSFET說(shuō)法正確的是（）A.有N溝道和P溝道B.輸入阻抗高C.可用于開(kāi)關(guān)電路D.是電流控制型6.半導(dǎo)體封裝的作用有（）A.保護(hù)芯片B.電氣連接C.散熱D.減小體積7.模擬集成電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)有（）A.精度B.帶寬C.噪聲D.功耗8.影響半導(dǎo)體器件性能的因素有（）A.溫度B.濕度C.光照D.電壓波動(dòng)9.常見(jiàn)的半導(dǎo)體測(cè)試方法有（）A.功能測(cè)試B.參數(shù)測(cè)試C.老化測(cè)試D.外觀檢查10.以下屬于半導(dǎo)體材料特性的有（）A.導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間B.熱敏性C.光敏性D.摻雜性判斷題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性不隨外界條件變化。（）2.數(shù)字電路比模擬電路抗干擾能力強(qiáng)。（）3.MOSFET是電流控制型器件。（）4.光刻是集成電路制造中圖形轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵步驟。（）5.半導(dǎo)體封裝只是為了美觀。（）6.模擬電路只能處理直流信號(hào)。（）7.集成電路設(shè)計(jì)不需要進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。（）8.半導(dǎo)體器件的性能不受溫度影響。（）9.清洗在半導(dǎo)體制造中可有可無(wú)。（）10.數(shù)字集成電路只能處理二進(jìn)制信號(hào)。（）簡(jiǎn)答題（每題5分，共4題）1.簡(jiǎn)述PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?.集成電路設(shè)計(jì)的主要流程有哪些？3.半導(dǎo)體封裝有什么作用？4.模擬電路和數(shù)字電路的區(qū)別是什么？討論題（每題5分，共4題）1.討論半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。2.談?wù)勗诩呻娐吩O(shè)計(jì)中如何提高芯片的性能。3.分析半導(dǎo)體制造中清洗工藝的重要性。4.探討數(shù)字電路和模擬電路在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)缺點(diǎn)。答案單項(xiàng)選擇題1.C2.C3.B4.B5.A6.B7.B8.C9.B10.A多項(xiàng)選擇題1.ABCD2.AB3.ABCD4.ABCD5.ABC6.ABC7.ABCD8.ABCD9.ABC10.ABCD判斷題1.×2.√3.×4.√5.×6.×7.×8.×9.×10.√簡(jiǎn)答題1.PN結(jié)正向偏置時(shí)，外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng)，多子擴(kuò)散加強(qiáng)，形成較大正向電流，導(dǎo)通；反向偏置時(shí)，外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)，少子漂移形成很小反向電流，截止，即單向?qū)щ姟?.主要流程有系統(tǒng)設(shè)計(jì)、邏輯設(shè)計(jì)、物理設(shè)計(jì)、測(cè)試驗(yàn)證等，先確定功能指標(biāo)，再進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)、版圖設(shè)計(jì)，最后驗(yàn)證性能。3.保護(hù)芯片免受外界環(huán)境影響，實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接，幫助芯片散熱，方便安裝和使用。4.模擬電路處理連續(xù)變化信號(hào)，注重信號(hào)的精度、帶寬等；數(shù)字電路處理離散數(shù)字信號(hào)，抗干擾強(qiáng)，以二進(jìn)制運(yùn)算為主。討論題1.未來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)向高性能、低功耗、小型化發(fā)展，如5G、人工智能等推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，還會(huì)拓展新應(yīng)用領(lǐng)域。2.可優(yōu)化電路架構(gòu)，合理選擇器件參數(shù)，采用先進(jìn)工藝，做好布局布線，加強(qiáng)測(cè)試驗(yàn)