2025年無損檢測員(技師)無損檢測領(lǐng)域試卷(含答案)一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共30分）1.在射線照相檢測中，決定底片對比度的首要因素是A.射線能量??B.膠片類型??C.曝光量??D.散射控制答案：B2.采用10MHz水浸超聲檢測鋁合金薄板時，發(fā)現(xiàn)底面回波前移且幅度降低，最可能的原因是A.耦合層過厚??B.板材內(nèi)部存在分層??C.水距不足??D.探頭楔塊磨損答案：B3.磁粉檢測中，下列關(guān)于A130/100試片的敘述正確的是A.適用于剩磁法??B.槽深30μm??C.表示最小可檢出裂紋寬度100μm??D.僅可用于干法答案：B4.滲透檢測時，顯像劑層過厚會導(dǎo)致A.背景熒光增強(qiáng)??B.缺陷顯示放大??C.滲出時間縮短??D.缺陷漏檢答案：D5.TOFD技術(shù)中，若兩探頭中心距2s不變，板厚t增加，則A.直通波時間不變??B.底面反射波前移??C.缺陷尖端衍射波幅度升高??D.時間窗需加寬答案：D6.在數(shù)字射線DR系統(tǒng)中，下列參數(shù)與圖像空間分辨率無關(guān)的是A.像素尺寸??B.幾何放大倍數(shù)??C.管電流??D.焦點(diǎn)尺寸答案：C7.相控陣超聲檢測中，若電子聚焦深度增加，則A.晶片有效孔徑減小??B.聲束擴(kuò)散角減小??C.幀頻提高??D.近場長度縮短答案：B8.對于外徑219mm、壁厚8mm的環(huán)焊縫，按GB/T33232019進(jìn)行雙壁單影透照，最小透照次數(shù)為A.2??B.3??C.4??D.5答案：C9.采用交流電磁軛檢測時，提升力應(yīng)不小于A.30N??B.45N??C.118N??D.177N答案：C10.在超聲檢測中，若材料聲速c=5900m/s，探頭頻率5MHz，則波長約為A.0.84mm??B.1.18mm??C.1.20mm??D.1.34mm答案：B11.滲透檢測中，乳化時間取決于A.滲透劑粘度??B.表面粗糙度??C.乳化劑類型??D.以上全部答案：D12.射線底片黑度D=2.5，觀片燈亮度為100cd/m2，則透過光強(qiáng)度為A.0.1cd/m2??B.0.32cd/m2??C.1cd/m2??D.3.16cd/m2答案：B13.在磁粉檢測中，若周向磁化電流按I=25D（mm）計(jì)算，則直徑80mm工件所需電流為A.500A??B.1000A??C.2000A??D.2500A答案：C14.采用7.5MHz縱波直探頭檢測鋼件，發(fā)現(xiàn)一次底波與二次底波間距為80mm，則工件厚度為A.40mm??B.80mm??C.120mm??D.160mm答案：A15.在DR系統(tǒng)中，DQE指標(biāo)主要反映A.空間分辨率??B.對比度靈敏度??C.探測效率與噪聲綜合性能??D.動態(tài)范圍答案：C16.對于非鐵磁性材料，表面裂紋最適合的檢測方法是A.磁粉??B.超聲??C.滲透??D.渦流答案：C17.在TOFD掃查中，若發(fā)現(xiàn)一缺陷信號位于直通波與底面波之間，深度計(jì)算需減去A.探頭延遲??B.楔塊聲程??C.表面耦合層聲程??D.以上全部答案：D18.按GB/T18851.22018，熒光滲透檢測的紫外線輻照度應(yīng)不低于A.50μW/cm2??B.100μW/cm2??C.500μW/cm2??D.1000μW/cm2答案：C19.射線管焦點(diǎn)尺寸越大，則A.幾何不清晰度減小??B.固有不清晰度增大??C.對比度靈敏度提高??D.幾何放大倍數(shù)受限答案：D20.在相控陣S掃圖像中，出現(xiàn)“月牙”狀偽影的主要原因是A.楔塊磨損??B.晶片失效??C.聲速設(shè)置錯誤??D.增益過高答案：B21.采用渦流檢測時，提離效應(yīng)主要影響A.相位角??B.頻率??C.電導(dǎo)率??D.磁導(dǎo)率答案：A22.在超聲檢測中，若缺陷回波位于5格，底波位于10格，則缺陷深度占板厚的A.25%??B.33%??C.50%?D.75%答案：C23.按ISO176362:2022，雙壁雙影透照時，橢圓開口寬度應(yīng)控制在A.3–10mm??B.5–15mm??C.8–20mm??D.10–25mm答案：A24.磁粉檢測中，若使用熒光濕法，白光照度應(yīng)不超過A.5lx??B.20lx??C.50lx??D.100lx答案：B25.在DR圖像中，出現(xiàn)“帶狀”偽影最可能的原因是A.探測器行像素響應(yīng)不一致??B.射線管老化??C.散射過大??D.像素壞點(diǎn)答案：A26.采用超聲表面波檢測時，表面粗糙度Ra應(yīng)不高于A.6.3μm??B.12.5μm??C.25μm??D.50μm答案：A27.滲透檢測中，若干燥溫度超過60°C，可能導(dǎo)致A.背景熒光降低??B.缺陷中滲透劑干涸??C.顯像劑結(jié)塊??D.水洗時間縮短答案：B28.在射線檢測中，使用Ir192源對40mm鋼件透照，曝光系數(shù)為1.2，若源活度20Ci，焦距600mm，所需曝光時間為A.1.2min??B.2.4min??C.4.8min??D.7.2min答案：C29.相控陣超聲檢測中，若掃描角度范圍30°–70°，晶片間距0.5mm，聲速3230m/s，則最大可偏轉(zhuǎn)頻率約為A.3MHz??B.5MHz??C.7MHz??D.9MHz答案：B30.按GB/T269512020，磁粉檢測綜合性能校驗(yàn)應(yīng)A.每班一次??B.每批工件一次??C.每換規(guī)格一次??D.每日一次答案：A二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）31.下列因素會導(dǎo)致超聲檢測盲區(qū)增大的是A.探頭晶片直徑增大??B.脈沖寬度增加??C.阻尼塊磨損??D.頻率升高??E.增益降低答案：B、C32.關(guān)于射線散射，下列說法正確的是A.康普頓散射與原子序數(shù)無關(guān)??B.瑞利散射導(dǎo)致圖像對比度下降??C.背散射可用鉛板屏蔽??D.散射比隨厚度增加而增大??E.散射能量一定低于初級射線答案：A、C、D33.滲透檢測中，下列哪些情況會導(dǎo)致虛假顯示A.顯像劑污染??B.工件表面銹蝕??C.清洗不足??D.過乳化??E.滲透劑過期答案：A、B、C34.在TOFD檢測中，可導(dǎo)致直通波消失的原因有A.表面耦合不良??B.探頭間距過大??C.缺陷高度超過聲束寬度??D.增益過低??E.楔塊脫落答案：A、B、C、D、E35.下列關(guān)于磁化規(guī)范的敘述，正確的是A.周向磁化適用于發(fā)現(xiàn)橫向裂紋??B.縱向磁化可用線圈法??C.復(fù)合磁化可一次發(fā)現(xiàn)任意方向裂紋??D.剩磁法僅適用于高矯頑力材料??E.交流磁化趨膚效應(yīng)顯著答案：A、B、C、E36.數(shù)字射線檢測中，導(dǎo)致圖像灰度失真的因素有A.探測器非線性響應(yīng)??B.射線束硬化??C.散射??D.幾何放大??E.電子噪聲答案：A、B、C、E37.相控陣檢測校準(zhǔn)內(nèi)容包括A.晶片靈敏度一致性??B.聲速校準(zhǔn)??C.楔塊延遲校準(zhǔn)??D.角度增益補(bǔ)償??E.聚焦法則驗(yàn)證答案：A、B、C、D、E38.渦流檢測中，下列哪些參數(shù)可用于裂紋深度評估A.相位角??B.阻抗幅值??C.頻率??D.電導(dǎo)率??E.提離距離答案：A、B、C39.超聲檢測中，下列哪些缺陷類型通常表現(xiàn)為“多峰”回波A.夾渣??B.未熔合??C.密集氣孔??D.裂紋??E.縮松答案：A、C、E40.按GB/T332092016，DR系統(tǒng)長期穩(wěn)定性校驗(yàn)應(yīng)包含A.本底灰度??B.壞像素圖??C.信噪比??D.空間分辨率??E.對比度靈敏度答案：A、B、C、D、E三、判斷題（每題1分，共10分）41.射線能量越高，固有不清晰度越小。答案：錯42.滲透檢測中，乳化時間越長，靈敏度越高。答案：錯43.超聲表面波不能在有油漆的表面上傳播。答案：對44.在TOFD檢測中，缺陷高度可通過衍射信號時間差計(jì)算。答案：對45.磁粉檢測時，紫外燈啟動后需預(yù)熱5min方可使用。答案：對46.相控陣探頭晶片越多，則聲束電子聚焦能力越差。答案：錯47.渦流檢測可區(qū)分非導(dǎo)電涂層厚度與基體裂紋。答案：對48.射線底片黑度越高，則對比度靈敏度一定越高。答案：錯49.采用Ir192檢測時，散射比隨鋼厚度增加而單調(diào)增大。答案：對50.數(shù)字射線圖像的SNR與曝光量成正比關(guān)系。答案：對四、填空題（每空1分，共20分）51.按GB/T239052009，射線源至工件最小距離f與工件表面至膠片距離b的關(guān)系應(yīng)滿足f≥________·b。答案：7.552.超聲檢測中，當(dāng)探頭折射角為45°，缺陷水平距離為80mm，則缺陷深度為________mm。答案：8053.磁粉檢測中，若線圈匝數(shù)N=5，電流I=2000A，線圈長度L=1.2m，則線圈磁化力NI=________A·t。答案：1000054.滲透檢測時，干燥時間一般控制在________min范圍內(nèi)。答案：5–1055.TOFD檢測中，若兩探頭間距2s=100mm，板厚t=40mm，則聲束覆蓋角θ≈________°。答案：6856.射線透照中，散射比n定義為散射射線強(qiáng)度與________強(qiáng)度之比。答案：初級射線57.相控陣超聲的“FMC”全稱是________。答案：FullMatrixCapture58.渦流檢測中，當(dāng)裂紋深度等于趨膚深度δ時，其相位角約為________°。答案：4559.在DR系統(tǒng)中，DQE的測量需使用________模體。答案：ROA（或?qū)Ρ榷燃?xì)節(jié)模體）60.超聲檢測中，若材料聲速c=6300m/s，頻率2.5MHz，則波長λ=________mm。答案：2.5261.按GB/T18851.3，熒光滲透檢測的觀察時間應(yīng)在顯像后________min內(nèi)進(jìn)行。答案：10–3062.射線底片黑度D=2.0，對應(yīng)透光率為________%。答案：163.磁粉檢測中，若使用交流電磁軛，其磁化深度約為趨膚深度的________倍。答案：164.在TOFD掃查中，若缺陷衍射信號與直通波時間差為2μs，則缺陷高度約為________mm（鋼）。答案：6.465.相控陣探頭晶片間距0.6mm，最大允許偏轉(zhuǎn)頻率fmax≈________MHz（鋼縱波）。答案：5.466.滲透檢測中，乳化劑的作用是使多余滲透劑________。答案：可水洗67.射線檢測中，曝光量E=I·t，若I=10mA，t=2min，則E=________mA·min。答案：2068.超聲檢測中，若缺陷回波比底波低20dB，則兩者幅度比為________。答案：1069.渦流檢測中，電導(dǎo)率σ的單位為________。答案：MS/m70.數(shù)字射線圖像的灰度級數(shù)由________位數(shù)決定。答案：ADC（或位深）五、簡答題（每題6分，共30分）71.簡述射線檢測中散射比n的測量步驟及注意事項(xiàng)。答案：（1）在工件與膠片之間放置鉛板，屏蔽初級射線，測量散射強(qiáng)度Is；（2）移除鉛板，測量總強(qiáng)度It；（3）計(jì)算n=(It?Ip)/Ip，其中Ip為初級強(qiáng)度，Ip=It?Is；（4）注意事項(xiàng)：鉛板尺寸應(yīng)大于場尺寸；電離室需校準(zhǔn)；測量點(diǎn)應(yīng)遠(yuǎn)離邊緣；多次取平均。72.說明相控陣超聲檢測中“角度增益補(bǔ)償（ACG）”的目的與實(shí)現(xiàn)方法。答案：目的：消除不同偏轉(zhuǎn)角度下晶片增益差異導(dǎo)致的幅度誤差，保證同一反射體在各角度下回波幅度一致。實(shí)現(xiàn)：使用橫孔試塊，記錄各角度回波幅度，建立ACG曲線，通過軟件對每角度施加反向增益修正，實(shí)時補(bǔ)償。73.寫出磁粉檢測中“復(fù)合磁化”兩種實(shí)現(xiàn)方式并比較其優(yōu)缺點(diǎn)。答案：方式1：交叉磁軛法——兩交流磁軛空間垂直布置，產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場。優(yōu)點(diǎn)：一次掃查檢測各向裂紋；缺點(diǎn)：設(shè)備笨重，邊緣效應(yīng)大。方式2：直流+交流疊加——直流產(chǎn)生縱向場，交流產(chǎn)生周向場。優(yōu)點(diǎn)：靈敏度高，可剩磁法；缺點(diǎn)：需兩套電源，控制復(fù)雜。74.解釋TOFD檢測中“直通波”與“底面波”的作用，并說明如何利用二者校驗(yàn)探頭間距。答案：直通波提供時間參考零點(diǎn)，底面波提供板厚信息。校驗(yàn)：將探頭對稱置于試塊上，測量直通波至底面波時間差Δt，計(jì)算理論Δt=2t/c，若實(shí)測與理論偏差>2%，則調(diào)整探頭間距直至吻合，確保深度測量準(zhǔn)確。75.列舉滲透檢測中導(dǎo)致“過度清洗”的三項(xiàng)表現(xiàn)，并提出預(yù)防措施。答案：表現(xiàn)：缺陷熒光減弱、背景降低、缺陷輪廓模糊。預(yù)防：設(shè)定最大沖洗時間；使用水壓≤0.2MPa；采用自動計(jì)時噴淋；對粗糙表面縮短沖洗；使用對比試塊監(jiān)控。六、計(jì)算題（共30分）76.（10分）用Ir192透照30mm鋼焊縫，已知源活度30Ci，初始曝光系數(shù)1.8（Ci·min）,焦距700mm，要求底片黑度2.5，膠片特性梯度G=3.8，散射比n=2.5，透照幾何布置如圖，求所需曝光時間。解：有效曝光系數(shù)E0=1.8×(700/600)2=2.45Ci·min考慮散射，實(shí)際曝光量E=E0×(1+n)=2.45×3.5=8.575Ci·min時間t=E/A=8.575/30=0.286min≈17.1s答案：17s77.（10分）超聲檢測中發(fā)現(xiàn)一缺陷，其回波幅度比基準(zhǔn)孔低14dB，基準(zhǔn)孔直徑2mm，深度40mm，探頭折射角60°，求缺陷當(dāng)量橫孔直徑（忽略材質(zhì)衰減）。解：ΔA=14dB，幅度比=10^(14/20)=5.0當(dāng)量孔面積比=1/5，直徑比=1/√5≈0.447當(dāng)量直徑=2×0.447≈0.89mm答案：0.9mm78.（10分）相控陣探頭參數(shù)：晶片數(shù)64，晶片間距0.5mm，頻率5MHz，楔塊縱波聲速2350m/s，鋼中橫波聲速3230m/s，要求偏轉(zhuǎn)角度40°–65°，步距1°，求最大可聚焦深度（假設(shè)孔徑可用晶片數(shù)50）。解：有效孔徑D=50×0.5=25mm最大偏轉(zhuǎn)65°，橫波λ=3.23/5=0.646mm近場長度N=D2/(4λcosθ)=252/(4×0.646×cos65°)=625/(4×0.646×0.423)≈572mm聚焦深度≤N/2≈286mm答案：286mm七、綜合應(yīng)用題（共30分）79.（15分）某石化裝置φ508mm×14mm16MnR環(huán)焊縫，要求按NB/T47013.22022AB級檢測，雙面雙側(cè)透照，已知X射線機(jī)焦點(diǎn)3×3mm，管電壓300kV，曝光曲線給出：焦距600mm時，曝光量15mA·min可得黑度2.0。現(xiàn)場限制最大焦距800mm，透照一次有效長度L=150mm，問：（1）確定透照次數(shù)；（2）計(jì)算實(shí)際曝光時間（管電流5mA）；（3）若改用Ir192，是否滿足厚度寬容度要求？給出計(jì)算與結(jié)論。解：（1）焊縫周長π×508≈1596mm，搭接長度ΔL≥20mm，有效長度150mm，則次數(shù)n=1596/(150?20)=12.3→13次（2）曝光量與焦距平方成正比，E2=E1×(800/600)2=15×1.78=26.7mA·min，t=26.7/5=5.34min（3）Ir192平均能量380keV，14mm鋼位于寬容度下限（約10mm）之上，上限約60mm