2025年1+X集成電路理論測試題及答案一、單選題（共20題，每題1分，共20分）1.試題：低壓化學氣相淀積的英文縮寫是（）。選項A．PECVD選項B．HDPCVD選項C．APCVD選項D．LPCVD2.試題：化學機械拋光中,拋光液的作用是()。選項A．向拋光墊施加壓力選項B．將反應生成物從硅片表面卻除選項C．清洗硅片選項D．與硅片表面材料反應,變成可溶物質或將一些硬度過高的物質軟化3.試題：單晶爐中籽晶軸的作用是()。選項A．帶動籽晶上下移動和旋轉選項B．提供一個原子重新排列標準選項C．保證爐內溫度均勻分布及散熱選項D．起支撐作用4.試題：用轉塔式分選機設備進行芯片檢測的第二個環(huán)節(jié)是()。選項A．上料選項B．外觀檢查選項C．測試選項D．編帶5.試題：()可以實現探針測試卡的探針和晶圓的每個晶粒上的測試模塊之間一一對應。選項A．探針臺選項B．塑封機選項C．真空包裝機選項D．測試機6.試題：在AltiumDesigner軟件中完成電路設計之后，為了驗證所布線的電路板是符合設計規(guī)則的，現在設計者要運行（）。選項A．BoardLayers&Colors選項B．ProjectOutputsforMultivibrator選項C．DesignRuleCheck選項D．PCBRulesandconstraintsEditor7.試題：元器件的引線直徑與印刷焊盤孔徑應有（）的合理間隙。選項A．0.2~0.4mm選項B．0.1~0.4mm選項C．0.2~0.3mm選項D．0.1~0.3mm8.試題：CMP是實現()的一種技術。選項A．部分平坦化選項B．平滑處理選項C．局部平坦化選項D．全局平坦化9.試題：管裝包裝時，將真空包裝的編帶盤放入內盒、合上蓋子后，需要在內盒的封口邊()處貼上“合格”標簽。選項A．中央選項B．右側選項C．任意位置選項D．左側10.試題：晶圓檢測工藝中，在進行打點工序以后，需要進行的工序是（）。選項A．烘烤選項B．扎針測試選項C．扎針調試選項D．外觀檢查11.試題：通常情況下，一個內盒中裝入的DIP管裝芯片()顆。選項A．3000選項B．5000選項C．1000選項D．200012.試題：用重力式選機設備進行芯片檢測的第二個環(huán)節(jié)是()。選項A．測試選項B．分選選項C．上料選項D．外觀檢查13.試題：重力式分選設備進行芯片并行測試時，在測試軌道完成芯片測試后，下一環(huán)節(jié)需要進行（）操作。選項A．分選選項B．真空入庫選項C．外觀檢查選項D．上料14.試題：銅電鍍之前，需要沿著側壁和底部，淀積一層連續(xù)的薄種子層，若種子層不連續(xù)可能導致電鍍的銅產生。選項A．空洞選項B．電遷移選項C．尖刺選項D．肖特基現象15.試題：重力分選機自動裝料步驟中將待測料管放在篩選機的入料區(qū)內，料管隨傳送帶上升到（）。選項A．入料區(qū)選項B．激光檢測區(qū)選項C．廢料區(qū)選項D．顯示區(qū)16.試題：在版圖設計過程中，NMOS管的源極接（），漏極接（），PMOS管的源極接（），漏極接（）。選項A．地、高電位、GND、低電位選項B．電源、高電位、GND、低電位選項C．地、高電位、電源、低電位選項D．地、高電位、GND、高電位17.試題：重力式分選機進行芯片檢測時，芯片測試完成后，下一個環(huán)節(jié)需要進行()操作。選項A．上料選項B．外觀檢查選項C．分選選項D．真空入庫18.試題：晶圓檢測工藝對環(huán)境要求（）芯片檢測的環(huán)境要求，這是由工藝的加工對象特性所決定的。選項A．等于選項B．高于選項C．時高時低時等于選項D．低于19.試題：轉塔式分選機常見故障不包括（）。選項A．真空吸嘴無芯片選項B．IC定位錯誤選項C．料軌堵塞選項D．測試卡與測試機調用的測試程序錯誤20.試題：LK32T102最大支持（）個I/O端口。選項A．72選項B．64選項C．36選項D．48二、多選題（共10題，每題1分，共10分）1.試題：通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機設備進行測試。選項A．QFN選項B．SOP選項C．LGA選項D．DIP2.試題：編帶具有()等優(yōu)點。選項A．體積小選項B．容量大選項C．節(jié)約存放空間選項D．保護元器件不受污染或損壞3.試題：待測芯片的封裝形式決定了測試、分選和包裝的不同類型，而不同的性能指標又需要對應的測試方案進行配套完成測試，經（）即可進入市場。（）。選項A．運行測試選項B．人工目檢選項C．包裝選項D．塑封4.試題：ESD防靜電門禁支持（）的靜電測試。選項A．手指選項B．手掌選項C．右腳選項D．人臉選項E．左腳5.試題：編帶外觀檢查前需要準備的工具是（）。選項A．放大鏡選項B．保護帶選項C．紙膠帶選項D．防靜電鋁箔袋6.試題：測試機可以實現()等功能。選項A．電性的測試選項B．測試程序的下載選項C．采集測試數據選項D．施加電壓電流7.試題：下列描述正確的是（）。選項A．輸入失調電壓指在差分放大器或差分輸入的運算放大器中，為了在輸出端獲得恒定的零電壓輸出，而需在兩個輸入端所加的直流電壓之差，越大越好選項B．在測量相關參數時需要按照待測芯片數據手冊向待測芯片施加電源、輸入等條件。選項C．輸入失調電壓測試方法有輔助運放測試法和簡易測試法選項D．輸入失調電壓的范圍幾微伏到幾十毫伏8.試題：電子產品性能測試包括（）。選項A．幾何性能測試選項B．功能性測試選項C．物理性能測試選項D．穩(wěn)定性測試9.試題：在晶圓在進行扎針測試的過程中，在MAP圖界面可能會看到（）。選項A．故障區(qū)域選項B．沿邊直接剔除區(qū)域選項C．待測區(qū)域選項D．測試合格區(qū)域10.試題：下列描述正確的是（）。選項A．HC系列速度比LS系列快選項B．LS系列速度比HC系列快選項C．LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列大選項D．LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列小三、判斷題（共10題，每題1分，共10分）1.試題：設備在使用過程中，由于受到各種力和化學作用，使用方法、工作規(guī)范、工作持續(xù)時間等影響，其技術狀況發(fā)生變化而逐漸降低工作能力。實踐證明，設備的壽命在很大程度上決定于維護保養(yǎng)的程度。（）選項A．正確選項B．錯誤2.試題：集成電路測試包括邏輯功能測試和交/直流參數測試。選項A．正確選項B．錯誤3.試題：一般情況下，與濕法刻蝕相比，干法刻蝕具有較高的選擇比。選項A．正確選項B．錯誤4.試題：以下循環(huán)在LK32T102單片機上表現為，8個LED燈點亮0.5秒后再熄滅0.5秒，然后再點亮無限循環(huán)。While(1){PB->OUT=0xff00;Delay_ms(500);PB->OUT=0xffff;Delay_ms(500);}選項A．正確選項B．錯誤5.試題：輔助運放測試法的注意事項如下：測量時被測運放應在指定條件（依據芯片數據手冊要求）下工作；如果待測器件的失調電壓可能超過幾mV，則輔助運放的供電應當用±5V。（）選項A．正確選項B．錯誤6.試題：光刻質量的好壞會直接影響器件的電學性能，涉及產品的可靠性和合格率。選項A．正確選項B．錯誤7.試題：利用平移式分選機進行芯片測試時是采用壓測的方式，壓測可以同時完成多個芯片的測試，并且各個芯片能夠均勻受力，確保各個工位的芯片引腳和測試座穩(wěn)定接觸。選項A．正確選項B．錯誤8.試題：重力式分選機進行手動裝料時無需注意芯片管腳方向。選項A．正確選項B．錯誤9.試題：載片臺上吸取芯片的位置是固定不變的，且與對應的攝像機的十字光標所在的位置一致。選項A．正確選項B．錯誤10.試題：進入芯片檢測車間前需要換上無塵衣、發(fā)罩等。選項A．正確選項B．錯誤答案與解析一、單選題答案1.答案：(D)答案解析：APCVD是常壓化學氣相淀積；PECVD是等離子體增強型化學氣相淀積；LPCVD是低壓化學氣相淀積；HDPCVD是高密度等離子體化學氣相淀積。2.答案：(D)答案解析：硅片固定在拋光盤上后，拋光盤和裝有拋光墊的旋轉盤開始旋轉，同時噴淋拋光液；然后拋光盤向拋光墊施加壓力，此時拋光液在硅片和拋光墊之間流動，拋光液中的物質與硅片表面材料反應，變?yōu)榭扇芪镔|或將一些硬度過高的物質軟化；通過研磨作用將反應生成物從硅片表面去除，進入流動的液體排出。3.答案：(A)答案解析：籽晶軸的作用是帶動籽晶上下移動和旋轉；籽晶的作用是提供一個原子重新排列的標準；坩堝外的高純石墨坩堝托起支撐作用；爐腔可以保證爐內溫度均勻分布及散熱。4.答案：(C)答案解析：轉塔式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。5.答案：(A)答案解析：探針臺可以實現探針測試卡的探針和晶圓的每個晶粒上的測試模塊之間一一對應。6.答案：(C)答案解析：運行DesignRuleCheck（設計規(guī)則檢查）可以驗證所布線的電路板是否符合設計規(guī)則。而BoardLayers&Colors用于設置電路板的層和顏色等顯示相關的參數；ProjectOutputsforMultivibrator主要用于項目輸出相關操作，比如生成多諧振蕩器的相關輸出文件等；PCBRulesandconstraintsEditor是用于編輯PCB設計規(guī)則的工具，不是直接用于驗證是否符合規(guī)則的操作。7.答案：(A)8.答案：(D)答案解析：化學機械拋光(CMP)是通過比去除低處圖形快的速度去除高處圖形來獲得均勻表面,利用化學腐蝕和機械研磨加工硅片和其他襯底材料的凸出部分,實現全局平坦化的一種技術。9.答案：(A)答案解析：管裝包裝時，將真空包裝的編帶盤放入內盒、合上蓋子后，需要在內盒的封口邊中央處貼上“合格”標簽。10.答案：(A)11.答案：(D)答案解析：一般情況下，一個內盒中裝入的DIP管裝芯片2000顆。12.答案：(A)答案解析：重力式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→編帶（SOP）→外觀檢查→真空包裝。13.答案：(A)答案解析：重力式分選設備在測試軌道完成芯片測試后，接下來要對芯片按照不同參數進行分選操作，將合格芯片與不合格芯片區(qū)分開等，所以下一環(huán)節(jié)是分選。14.答案：(A)答案解析：如果種子層不連續(xù)，就可能在電鍍的銅中產生空洞15.答案：(B)答案解析：重力分選機自動裝料時，待測料管先放在篩選機入料區(qū)，然后隨傳送帶上升，上升到激光檢測區(qū)，在這里對物料進行檢測等后續(xù)操作，而不是入料區(qū)、廢料區(qū)和顯示區(qū)。16.答案：(A)答案解析：在版圖設計中，NMOS管工作時源極接低電位（通常是地GND），漏極接高電位；PMOS管工作時源極接高電位，漏極接低電位。選項A符合這一描述。在NMOS管中，源極接低電位（對應地、GND），漏極接高電位；PMOS管則相反，源極接高電位，漏極接低電位。17.答案：(C)答案解析：重力式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。18.答案：(B)答案解析：由于晶圓檢測工藝中芯片是裸露狀態(tài)，而芯片檢測工藝中芯片是非裸露狀態(tài)，所以晶圓檢測對環(huán)境質量要求會高于芯片檢測。19.答案：(B)20.答案：(D)二、多選題答案1.答案：(BD)答案解析：通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機進行測試，LGA封裝采用轉塔式分選機進行測試，QFN封裝采用平移式分選機進行測試。2.答案：(ABCD)答案解析：編帶具有以下優(yōu)點：①容量大、體積小，可以節(jié)約存放空間；②在運輸過程中可以起到保護元件不受污染和損壞的作用。3.答案：(BC)4.答案：(ACE)答案解析：ESD防靜電門禁支持左右腳和手指靜電測試。5.答案：(ABC)6.答案：(ABCD)答案解析：測試機可以實現電性的測試、測試程序的下載、施加電壓電流、采集測試數據等功能。7.答案：(BCD)答案解析：選項A錯誤，輸入失調電壓是為使輸出電壓為零在輸入端加的直流電壓之差，越小越好，它反映了放大器輸入級差分對管的不對稱程度。選項B正確，輸入失調電壓測試方法有輔助運放測試法和簡易測試法等。選項C正確，測量芯片相關參數時需按照數據手冊施加電源、輸入等條件。選項D正確，輸入失調電壓的范圍通常是