匯報人：2025-10-23電磁屏蔽復(fù)合薄膜研究contents目錄亮點匯總研究背景內(nèi)容簡介圖文導(dǎo)讀結(jié)論0201030405contentscontents01研究背景電磁污染問題隨著通訊技術(shù)與柔性電子產(chǎn)品的不斷進(jìn)步，電磁污染問題日益凸顯，不僅威脅人類健康，還干擾其他電子設(shè)備的正常運(yùn)行。電磁污染問題開發(fā)高強(qiáng)韌電磁屏蔽復(fù)合薄膜成為緩解電磁污染問題的關(guān)鍵。MXene納米片憑借其卓越性能，成為聚合物基電磁屏蔽復(fù)合材料中的熱門添加物。電磁屏蔽薄膜0102力學(xué)性能挑戰(zhàn)MXene的高導(dǎo)電特性雖強(qiáng)，卻易引發(fā)電磁波的高反射，進(jìn)而產(chǎn)生二次反射污染問題，這在柔性薄膜材料的開發(fā)中尤為棘手。二次反射問題制備工藝探索探索高效簡便制備工藝，旨在生產(chǎn)高強(qiáng)度多功能復(fù)合材料，減少電磁波二次反射，對推動功能復(fù)合材料領(lǐng)域發(fā)展具有重要意義。高導(dǎo)電填料提升電磁屏蔽性能，但易致力學(xué)性能下降。平衡機(jī)械強(qiáng)度與功能性，制造堅韌且電磁屏蔽性能優(yōu)異的復(fù)合材料，是當(dāng)前面臨的一大挑戰(zhàn)。制備工藝挑戰(zhàn)02亮點匯總MoS?的加入性能顯著提升當(dāng)MoS?被整合進(jìn)MXene/ANF(60:40)復(fù)合體系時，薄膜的應(yīng)變能力和韌性分別實現(xiàn)了53.5%的增長和61.7%的提升，同時電磁波二次反射率（SER）下降了22.4%。三重積極效應(yīng)MoS?的加入提升了薄膜的潤滑增韌力學(xué)性能，減少了電磁波的二次反射現(xiàn)象，增強(qiáng)了材料的光熱轉(zhuǎn)換能力，此外，該復(fù)合薄膜還展現(xiàn)出了出色的電加熱性能。力學(xué)性能提升MoS?納米片引入到MXene/ANF復(fù)合體系后，MXene/ANF復(fù)合薄膜的力學(xué)性能展現(xiàn)出極大改善，在保留電磁屏蔽性能的同時降低了電磁波的二次反射，增強(qiáng)了光熱轉(zhuǎn)變性能。力學(xué)性能優(yōu)化三組份MXene/ANF-MoS?電磁屏蔽復(fù)合薄膜具有優(yōu)良的電磁屏蔽性能，同時MoS?的引入降低了電磁波的二次反射污染，并且提升了薄膜內(nèi)部的電磁波反射。電磁屏蔽性能03內(nèi)容簡介內(nèi)容簡介隨著通訊技術(shù)與柔性電子產(chǎn)品的不斷進(jìn)步，電磁污染問題日益凸顯，不僅威脅人類健康，還干擾其他電子設(shè)備的正常運(yùn)行。01開發(fā)高強(qiáng)韌電磁屏蔽復(fù)合薄膜成為緩解這一問題的關(guān)鍵，而MXene納米片憑借其卓越的導(dǎo)電性、電磁屏蔽效能及機(jī)械性能，備受關(guān)注。02面臨挑戰(zhàn)高導(dǎo)電填料提升性能卻減損力學(xué)，如何平衡材料的機(jī)械強(qiáng)度與功能性，制造出多功能復(fù)合材料仍是目前面臨的一大挑戰(zhàn)。03MXene的高導(dǎo)電特性雖強(qiáng)，卻易引發(fā)電磁波的高反射，進(jìn)而產(chǎn)生二次反射污染問題，這在柔性薄膜材料的開發(fā)中尤為棘手。04探索一種高效且簡便的制備工藝，旨在生產(chǎn)出既高強(qiáng)度又多功能（包括降低電磁波二次反射）的復(fù)合材料，推動領(lǐng)域發(fā)展。05關(guān)鍵技術(shù)制備工藝探索MXene的難題電磁屏蔽挑戰(zhàn)04圖文導(dǎo)讀制備與結(jié)構(gòu)特點制備過程將MXene水分散液加入ANF/DMSO分散體系，芳綸納米纖維質(zhì)子化形成3D互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。薄膜結(jié)構(gòu)采用真空輔助過濾自組裝和熱壓法制備具有仿貝殼層狀結(jié)構(gòu)的MXene/ANF-MoS?復(fù)合薄膜。在引入MoS?納米片后，通過攪拌實現(xiàn)納米片與ANF纖維網(wǎng)絡(luò)的均勻混合。制備工藝力學(xué)性能分析力學(xué)性能改善引入MoS?后，MXene/ANF-MoS?復(fù)合薄膜斷裂應(yīng)變和韌性分別提高53.5%和61.7%。01應(yīng)力應(yīng)變曲線MXene/ANF-MoS?復(fù)合薄膜在拉伸過程中表現(xiàn)出色，斷裂應(yīng)變、拉伸強(qiáng)度和韌性均顯著增強(qiáng)。02斷裂機(jī)制MoS?的潤滑增韌作用及層間互聯(lián)ANF納米纖維的3D網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)變形斷裂，共同耗散外部應(yīng)力能量。03電磁屏蔽性能電磁屏蔽性能MXene/ANF-MoS?復(fù)合薄膜具有優(yōu)良的電磁屏蔽性能，6AMMO薄膜的電磁屏蔽值高達(dá)43.9dB。電磁屏蔽機(jī)制MoS?增強(qiáng)了界面極化損失，增大了薄膜內(nèi)部電磁波的反射，與導(dǎo)電損失協(xié)同作用，實現(xiàn)優(yōu)良電磁屏蔽性能。MoS?的引入顯著降低了電磁波的二次反射污染，5AMMO和6AMMO薄膜的SER值分別下降10.8%和22.2%。二次反射污染降低MXene/ANF-MoS?復(fù)合薄膜內(nèi)部的MXene具有優(yōu)良的電熱性能，同時復(fù)合薄膜內(nèi)部具有良好的導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)，從而復(fù)合薄膜展現(xiàn)出優(yōu)良的電熱性能。電熱性能MoS?的引入顯著改善了雙組份MXene/ANF復(fù)合薄膜的光熱性能，光熱轉(zhuǎn)變溫度由原始的MXene/ANF的~45℃提升到~55℃。光熱性能改善熱性能探討綜合性能對比性能對比對比MXene/ANF與MXene/ANF-MoS?復(fù)合薄膜的性能，發(fā)現(xiàn)引入MoS?后，力學(xué)性能、電磁屏蔽性能和光熱轉(zhuǎn)變性能均顯著提升。綜合優(yōu)勢在MXene:ANF(質(zhì)量比60:40)的復(fù)合體系中引入MoS?后，斷裂應(yīng)變增大，SER值降低，電磁屏蔽值達(dá)到43.9dB，光熱轉(zhuǎn)變溫度升高至55℃。薄膜優(yōu)勢MXene/ANF-MoS?復(fù)合薄膜在不同填料含量下均顯現(xiàn)出極大的優(yōu)勢，同時具有良好的力學(xué)性能和電磁屏蔽性能。05結(jié)論結(jié)論制備方法與結(jié)構(gòu)真空輔助過濾、自組裝和熱壓法制備三組份MXene/ANF-MoS?復(fù)合薄膜，具有仿貝殼層狀結(jié)構(gòu)。應(yīng)用潛力MXene/ANF-MoS?復(fù)合薄膜為制備高韌性電磁屏蔽復(fù)合薄膜提供了新方法，同時表現(xiàn)出