電子級(jí)氧化亞氮國家標(biāo)準(zhǔn)修訂立項(xiàng)報(bào)告:目的意義、范圍與主要技術(shù)內(nèi)容_第1頁
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電子級(jí)氧化亞氮國家標(biāo)準(zhǔn)修訂立項(xiàng)報(bào)告:目的意義、范圍與ProjectReportontheRevisionofNationalStandardforElectronicGradeNitrousOxide:Purpose,Significance,ScopeandMainTe摘要隨著集成電路制造工藝的不斷進(jìn)步,特別是12英寸晶圓成為主流,對(duì)電子級(jí)高純氣體的質(zhì)量要求日益提高。氧化亞氮作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中用量大、純度要求高的關(guān)鍵電子氣體,其現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14600-2009已實(shí)施近14年,在技術(shù)指標(biāo)、分析方法和適用范圍等方面均難以適應(yīng)當(dāng)前產(chǎn)業(yè)需求。本報(bào)告系統(tǒng)闡述了電子級(jí)氧化亞氮標(biāo)準(zhǔn)修訂的目的與意義,指出其符合《“十四五”推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展的國家標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)規(guī)劃》和《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019年版)》的戰(zhàn)略方向。報(bào)告詳細(xì)說明了標(biāo)準(zhǔn)修訂的主要技術(shù)內(nèi)容,包括術(shù)語定義、純度計(jì)算、雜質(zhì)檢測方法、包裝貯存要求及安全規(guī)范等方面的更新。修訂后的標(biāo)準(zhǔn)將進(jìn)一步提升我國電子氣體質(zhì)量水平,增強(qiáng)高端電子材料自主保障能力,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展,為國家集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略提供重要支撐。關(guān)鍵詞電子級(jí)氧化亞氮;國家標(biāo)準(zhǔn)修訂;高純電子氣體;集成電路材料;半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè);雜質(zhì)檢測;特種氣體Electronicgradenitrousoxide;Nationalstandardrevision;High-puritygas;Integratedcircuitmaterials;Semiconductorindustry;Impuritytesting;一、目的與意義電子級(jí)氧化亞氮是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵高純氣體材料,具有純度高、穩(wěn)定性好、反應(yīng)性能優(yōu)異等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體蝕刻、化學(xué)氣相沉積等核心工藝環(huán)節(jié)。隨著我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,晶圓制造技術(shù)已全面進(jìn)入12英寸時(shí)代,線寬不斷縮小,工藝精度要求不斷提高,對(duì)電子氣體的純度、雜質(zhì)含量和控制精度現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)用氣體氧化亞氮》(GB/T14600-2009)自發(fā)布實(shí)施已近14年,其在技術(shù)指標(biāo)、檢測方法、適用范圍等方面已明顯滯后于當(dāng)前技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)需求。該標(biāo)準(zhǔn)在雜質(zhì)檢測限、分析方法準(zhǔn)確性、包裝運(yùn)輸規(guī)范等方面存在不足,無法滿足先進(jìn)制程對(duì)氣體質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。本次標(biāo)準(zhǔn)修訂工作積極響應(yīng)國家政策導(dǎo)向,符合《“十四五”推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展的國家標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)規(guī)劃》中關(guān)于制造業(yè)高端化領(lǐng)域材料標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)的要求,同時(shí)對(duì)接《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019年版)》中將電子級(jí)氧化亞氮列為“特種氣體”的重要定位。通過標(biāo)準(zhǔn)修訂,旨在建立更加科學(xué)、完善的技術(shù)規(guī)范體系,為電子級(jí)氧化亞氮的生產(chǎn)、檢測、質(zhì)量控制和市場應(yīng)用提供權(quán)威技術(shù)依據(jù)。修訂后的標(biāo)準(zhǔn)將顯著提升我國電子氣體產(chǎn)品的質(zhì)量水平,增強(qiáng)高端電子材料的自主保障能力,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定,同時(shí)有利于提高我國高純電子材料在國際市場上的競爭力和影響力,有效服務(wù)于國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略。二、范圍與主要技術(shù)內(nèi)容本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子級(jí)氧化亞氮的技術(shù)要求、檢驗(yàn)規(guī)則、試驗(yàn)方法以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等要求,適用于以工業(yè)級(jí)氧化亞氮為原料經(jīng)純化處理制得的電子級(jí)氧化1.標(biāo)準(zhǔn)名稱與范圍更新:更改標(biāo)準(zhǔn)名稱使其更準(zhǔn)確反映標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容;擴(kuò)大適用范圍,明確適用于12英寸及以下集成電路制造用高純氧化亞氮產(chǎn)品。2.規(guī)范性引用文件更新:根據(jù)當(dāng)前技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀,更新引用的標(biāo)準(zhǔn)和方法文件,確保標(biāo)準(zhǔn)體系的先進(jìn)性和協(xié)調(diào)性。3.術(shù)語和定義補(bǔ)充:新增“電子級(jí)氧化亞氮”、“純度”、“雜質(zhì)含量”等關(guān)鍵術(shù)語的明確定義,避免理解歧義。4.技術(shù)要求提升:大幅提高產(chǎn)品純度指標(biāo),嚴(yán)格限制氧+氬、氮?dú)狻⒁谎趸?、二氧化碳、水分等關(guān)鍵雜質(zhì)含量的上限值,滿足先進(jìn)制程工藝要求。-更新純度計(jì)算方法,采用更科學(xué)準(zhǔn)確的計(jì)算模型一改進(jìn)氧+氬、氮、一氧化碳、二氧化碳含量的測定方法,提高檢測精度和靈敏度一新增氫含量的測定方法,完善雜質(zhì)控制體系-修訂總烴含量的測定方法,采用氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用等先進(jìn)技術(shù)一更新氨、一氧化氮、二氧化氮含量的測定方法,降低檢測限一改進(jìn)水分含量的測定方法,提高測量準(zhǔn)確性和重復(fù)性6.采樣與檢驗(yàn)規(guī)則完善:修訂采樣要求和檢驗(yàn)規(guī)則,明確抽樣方案、驗(yàn)收規(guī)則和判定標(biāo)準(zhǔn),增強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的可操作性。7.包裝儲(chǔ)運(yùn)規(guī)范更新:更新標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存要求,明確包裝容器材質(zhì)、充裝壓力、儲(chǔ)存條件等關(guān)鍵技術(shù)參數(shù),確保產(chǎn)品運(yùn)輸和儲(chǔ)存過程中的質(zhì)量穩(wěn)定性。8.安全信息補(bǔ)充:增加附錄A安全信息內(nèi)容,詳細(xì)說明氧化亞氮的物理化學(xué)性質(zhì)、危險(xiǎn)特性、安全防護(hù)措施和應(yīng)急處理方法,保障生產(chǎn)、使用和運(yùn)輸安全。9.參考文獻(xiàn)增補(bǔ):補(bǔ)充國內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)文獻(xiàn),為標(biāo)準(zhǔn)使用提供更全面的參介紹修訂的主要參與單位本次標(biāo)準(zhǔn)修訂工作主要由中國計(jì)量科學(xué)研究院牽頭組織。該院是國家最高計(jì)量科學(xué)研究機(jī)構(gòu),在氣體標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制、氣體分析檢測技術(shù)、計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)等領(lǐng)域具有深厚的技術(shù)積累和權(quán)威地位。研究院擁有國際先進(jìn)的氣體分析實(shí)驗(yàn)室和專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì),長期從事電子氣體相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的研究和制修訂工作,參與多項(xiàng)國際標(biāo)準(zhǔn)和國家標(biāo)準(zhǔn)的制定。在本次標(biāo)準(zhǔn)修訂過程中,中國計(jì)量科學(xué)研究院聯(lián)合半導(dǎo)體制造企業(yè)、電子氣體生產(chǎn)企業(yè)、檢測機(jī)構(gòu)等多方力量,開展大量實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證和技術(shù)論證工作,確保標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容的科學(xué)性、先進(jìn)性和實(shí)用性,為提升我國電子氣體標(biāo)準(zhǔn)水平做出了重要貢獻(xiàn)。結(jié)論電子級(jí)氧化亞氮國家標(biāo)準(zhǔn)的修訂是適應(yīng)集成電路技術(shù)發(fā)展、滿足產(chǎn)業(yè)升級(jí)需求的必然要求。通過本次修訂,建立了更加先進(jìn)、科學(xué)、完善的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系,大幅提升了產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)和檢測方法要求,為電子級(jí)氧化亞氮的生產(chǎn)、質(zhì)量控制和市場應(yīng)用提供了權(quán)威技術(shù)依據(jù)。新標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施將有力促進(jìn)我國電子氣體產(chǎn)品質(zhì)量提升,增強(qiáng)高端電子材料自主保障能力,推動(dòng)半

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