11Al系列深度(八):Al服務(wù)器大拆解,架起材料"軍火庫"件，以材料功能類型進(jìn)行重新分類出五大板塊，更加全面綜合的視角尋找材料端的投資機(jī)遇。①晶圓加工與封裝材料：這一環(huán)節(jié)是材料投入密度最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)，涉及零部件包括GPU、②覆銅板材料：H100整機(jī)中涉及多層高速、高功率密度的P具體包括GPUUBB、主板、交換機(jī)主板等。主要材料包括：樹脂、銅箔、玻纖看，供給端呈現(xiàn)“樹脂高端化、銅箔高性能化、玻纖差異化”的協(xié)同升級(jí)趨勢。③導(dǎo)熱散熱材料：受益于算力需求的持續(xù)攀升與機(jī)架功率密度提升，散熱材料正成為環(huán)節(jié)，散熱主要應(yīng)用在GPU核心裸晶、封裝蓋板、HBM堆疊存儲(chǔ)、高速接口芯片、存儲(chǔ)、電源等，從產(chǎn)業(yè)端2025產(chǎn)能，全氟/烴基/硅油等路線并行，面向數(shù)據(jù)中心與半導(dǎo)體制程冷卻的合規(guī)與長④光學(xué)材料：光學(xué)材料主要應(yīng)用在光模塊中，其組成部件主要為激光器芯片、光發(fā)射組件、光接耗將會(huì)是配電材料未來重要方向。2025年上半年產(chǎn)業(yè)端穩(wěn)步推進(jìn)：軟磁金屬/非晶與納米晶粉體迭代帶動(dòng)一體化代；5N級(jí)超高純鋁電極材料實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)突破，帶動(dòng)鋁樹脂/銅箔/玻纖、光刻膠、濕電子化學(xué)品、電子特氣、光芯片襯底與電磁材料的優(yōu)質(zhì)標(biāo)的。下游需求不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；AI普及速度不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；原材料價(jià)替代進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；新建項(xiàng)目與產(chǎn)品驗(yàn)證進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn);下游資本開支不及預(yù)期;新技術(shù)迭代風(fēng)行業(yè)深度研究22 4 4 5 8 9 三、投資建議 4 4 4 4 5 5 5 6 7 7 8 8 8 8 9 9 9 9 行業(yè)深度研究33 圖表34：面向數(shù)據(jù)中心與半導(dǎo)體制程冷卻的合規(guī) 行業(yè)深度研究44達(dá)2309.5億美元，約為2025年的26倍，體現(xiàn)出由應(yīng)用滲透與產(chǎn)業(yè)化落地共同驅(qū)動(dòng)的長算力成AI發(fā)展的核心要素，全球與中國智能算復(fù)合增速約50%。中國方面，IDC數(shù)據(jù)顯4.124.120來源：PrecedenceResearch、國金證券研究所來源：infineon、國金證券研究所的使用強(qiáng)度顯著提升；從結(jié)構(gòu)看，AnthropicClaude、GoogleGemini、OpenAIGPT、DeepSeek與X-aiGrok五大系列合計(jì)周度使用量約5.9萬位，表明需求主要由頭部模型驅(qū)動(dòng)，市場呈現(xiàn)規(guī)?；瘮U(kuò)張與集中度提升并行的態(tài)勢。mmgooglemmmmgooglemmanthropic040%600050004000300020000來源：openrouter、國金證券研究所來源：openrouter、國金證券研究所上游材料需求走強(qiáng)。過去五年，其季度資本開支平均環(huán)比增速約8%，分項(xiàng)看亞馬遜、微55來源：Ifind、國金證券研究所注：微軟2025年全年實(shí)際資本支出為882億美元，同比增長約58%。7月Q4電以更加全面的視角將AI計(jì)算機(jī)的組成材料整體梳成同一個(gè)封裝的，通常是“GPU核心裸片+多顆HB66觸點(diǎn)。這一步的本質(zhì)是把裸硅轉(zhuǎn)化為“標(biāo)準(zhǔn)算力但要實(shí)現(xiàn)多卡強(qiáng)耦合并擴(kuò)展到系統(tǒng)級(jí)吞吐，還需要一層面向的要求。無論形態(tài)差異如何，托盤層完成了“從電路到產(chǎn)品”的關(guān)鍵跨越：將高帶寬互聯(lián)與高功耗散熱在機(jī)械空間內(nèi)穩(wěn)定落地，為理與與操作系統(tǒng)/驅(qū)動(dòng)層協(xié)同，通過中板或背板與GPU托盤完成PCIe傳輸、管理與供電連接，并在運(yùn)行時(shí)將數(shù)據(jù)有序地輸送至GPU計(jì)算島，再匯總結(jié)果。由此，計(jì)算系統(tǒng)77合機(jī)房的冷熱通道設(shè)計(jì)，形成可預(yù)期的熱功耗邊界條件與維護(hù)策略。此外，為了讓H100交換機(jī)、帶外管理交換機(jī)、管理服務(wù)器、管理存儲(chǔ)。88務(wù)機(jī)柜更傾向于采用“超節(jié)點(diǎn)”架構(gòu)。比如，NVL72就是典型的“機(jī)柜級(jí)超節(jié)點(diǎn)”有72塊GPU，機(jī)柜內(nèi)通過NVLink-超節(jié)點(diǎn)”以達(dá)到更高的性能。從結(jié)構(gòu)上來講，超節(jié)點(diǎn)架構(gòu)主要是改變了互聯(lián)的方式，域內(nèi)GPU不再需要外部交換機(jī)，更高密度的集成來源：英偉達(dá)官網(wǎng)、國金證券研究所來源：英偉達(dá)官網(wǎng)、國金證券研究所在第一部分，我們梳理出來了整個(gè)H100數(shù)據(jù)中心的主要架構(gòu)和零部理體量從小到大的分類容易出現(xiàn)材料重復(fù)冗雜的情況，我們以材料的功能類型重新分為5類：晶圓加工材料、覆銅板材料、導(dǎo)熱散熱材料、光學(xué)材料、供配99463注入-清洗-CMP-熱處理”等循環(huán)工序在硅片上構(gòu)建數(shù)百層復(fù)雜結(jié)構(gòu)，對(duì)材料純度、缺陷密來源：半導(dǎo)體材料與工藝公眾號(hào)、國金證券研究所來源：infineon、國金證券研究所超低氧、高阻、低缺含氬氣、含氟氣體蝕刻劑等。封裝工藝的演進(jìn)遵循“邊緣引腳、通孔裝配”走向“陣列互連、三腳（QFP/TQFP/LQFP邊緣引腳數(shù)量逐漸接近極限。小型化的需求催化了CSP（芯片尺寸級(jí)封裝）和WLP所熱膨脹系數(shù)（CTE）不匹配，因?yàn)榫酆衔锏呐蛎浵禂?shù)遠(yuǎn)大于硅，這會(huì)導(dǎo)致應(yīng)力、翹曲和缺可靠性高算力應(yīng)用的300mmSOI硅片已正式寸區(qū)熔硅片、超低氧硅片及多晶硅鑄錠產(chǎn)品順利推進(jìn)客戶認(rèn)證；超低阻硅片已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體晶棒、研磨片、化腐片、拋光片、半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體大尺寸硅片業(yè)務(wù)仍處于工藝優(yōu)化和客戶認(rèn)證開拓期續(xù)攀升。40-80um超厚膜負(fù)性抗電鍍光刻膠開發(fā)測試進(jìn)展順公司自主研發(fā)的半導(dǎo)體先進(jìn)封裝用厚膜負(fù)性光刻膠取得成電路制造對(duì)高純度、穩(wěn)定供給的剛性需求，企業(yè)普遍以新建/擴(kuò)建裝置與本地化產(chǎn)線為酸/氫氟酸/過氧化氫/氨水及顯影、去膠、清洗與配套溶覆蓋超高純?nèi)⒊呒兞u、高純氯化氫、高純氟化氫、高純四氟化硅、高純氘氣、高純六氟丁二高純電子氣體項(xiàng)目取得試生產(chǎn)許可意見，達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)成，設(shè)備安裝進(jìn)度達(dá)30%；上海子公司電子特氣和先進(jìn)材料生產(chǎn)及研發(fā)項(xiàng)目建設(shè)及整體施工進(jìn)度已達(dá)50%氣及電子化學(xué)品項(xiàng)目所規(guī)劃的主要產(chǎn)品已全部建成，整體進(jìn)入穩(wěn)產(chǎn)和增產(chǎn)階段。其中，電子級(jí)高純氨、高純一體、面板企業(yè)認(rèn)證和銷售工作。宜昌電子特氣及功能性材料產(chǎn)業(yè)園一期規(guī)劃的電子級(jí)硅烷、三氟化氮、光纖級(jí)四氯化硅、電子級(jí)四氯化硅、電子級(jí)三氯氫硅、電子級(jí)二氯二氫硅、六氟化鎢等產(chǎn)品均在試生產(chǎn)過程中，力爭金宏氣體公司自主創(chuàng)新研發(fā)的超純氨、高純氧化亞氮、正硅酸乙酯、高純二氧化碳、八氟環(huán)丁烷、六氟丁二烯、一氟甲烷、硅烷混合氣等各類電子級(jí)超高純氣體品質(zhì)和技術(shù)已達(dá)到替代進(jìn)口的水平，能夠滿足國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的使用公司高品質(zhì)電子特種氣體產(chǎn)品已得到國內(nèi)外多家客戶的認(rèn)可，并通過多家國際頭部企化學(xué)品項(xiàng)目、3萬噸/年電子級(jí)雙氧水?dāng)U建等項(xiàng)目，建成后將進(jìn)一公司覆蓋電子級(jí)氫氟酸/硫酸/硝酸/鹽酸/氟化銨/氨水，功能電子濕化學(xué)品緩沖氧化物刻蝕液、硅刻蝕液鎮(zhèn)江江化微順利完成二期項(xiàng)目的G5等級(jí)產(chǎn)來源：DOOSAN、國金證券研究所來源：ALCANTAPCB、國金證券研究所①常規(guī)損耗（Df≥0.013）時(shí)以改性環(huán)氧/多官能環(huán)氧為主，成本低、工藝窗口大；④甚低損耗（0.002-<0.005）進(jìn)一步提高PPO含量或采用PPO+苯并惡嗪/氰酸酯體系，常配合陶瓷填充以穩(wěn)定Dk，但對(duì)壓合、鉆與成本遞增，需要與HVLP/ULP銅箔、鋪展玻纖及低損耗填料協(xié)同設(shè)計(jì)。超低損耗VLP低介電玻璃纖維布為主（如D玻璃、S玻4.6-4.9產(chǎn)廠商在環(huán)氧、聚酰亞胺、PPO/OPE、烯烴類以樹脂公司自主研發(fā)出雙馬來酰亞胺樹脂、活性酯樹脂、碳?xì)錁渲⒕郾矫褬渲?、苯并噁嗪樹脂和特種環(huán)氧樹脂樹脂現(xiàn)了芯片封裝用高純液體環(huán)氧和特種封裝用環(huán)氧樹脂的規(guī)?；慨a(chǎn)，產(chǎn)品樹脂樹脂在高頻高速覆銅板適用的電子樹脂領(lǐng)域，突破了苯并噁嗪樹脂、馬來酰亞胺樹脂、官能化聚苯醚樹脂樹脂等關(guān)鍵核心技術(shù)，目前相關(guān)產(chǎn)品正處于小批量或中試階段樹脂樹脂樹脂金發(fā)科技公司研發(fā)了耐電子氟化液無鹵阻燃半芳香聚酰胺，廣泛應(yīng)用于浸沒式冷卻服務(wù)器用存儲(chǔ)連接器，實(shí)現(xiàn)12800MT/s高速數(shù)據(jù)傳輸；公司1.5萬噸/年LCP合成樹脂項(xiàng)目首期5000噸/年裝樹脂公司第一個(gè)HVLP5銅箔細(xì)胞工廠已完成建設(shè)，設(shè)備陸續(xù)裝機(jī)中。已向中國（公司自主研發(fā)的RTF超薄銅箔及新一代HV維布和低熱膨脹系數(shù)玻璃纖維布已獲得下游客戶的認(rèn)證公司研發(fā)的超薄石英電子布產(chǎn)品正處于客戶端小批量測試及終端客戶的認(rèn)金安國紀(jì)核心裸晶、封裝蓋板、HBM堆疊存儲(chǔ)、高速接口芯片、存儲(chǔ)在實(shí)際的AI服務(wù)器里，散熱幾乎都是混合方案而非單一模式：即便CPU/GPU采低，進(jìn)而降低了散熱效率。熱界面材料（TIM）則用于填充這些空氣間隙，可有效降低接鉬、錫、銀、銅、鋼、鈦即可。而間接液冷在實(shí)際應(yīng)用方面，又分為冷鏈氟化物混合物。液冷介質(zhì)企業(yè)普遍擴(kuò)建浸沒/冷卻液產(chǎn)能，全氟/烴基/硅油等路線并行，面向數(shù)據(jù)中心與TIM1.5/TIM2等成熟產(chǎn)品持續(xù)放量，市場份額逐步擴(kuò)大;芯片級(jí)導(dǎo)熱材公司產(chǎn)品包括導(dǎo)熱墊片、導(dǎo)熱凝膠、導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱相變材料、儲(chǔ)熱材料、界面石墨公司重視并加大研發(fā)投入，積極推進(jìn)液冷、石墨烯＆合成石墨垂直取向熱界面材料等多個(gè)新興產(chǎn)業(yè)相關(guān)的在研子公司三明海斯福主要涉及含氟冷卻液，用于數(shù)據(jù)中心浸沒式冷公司全氟聚醚浸沒式冷卻液可用于單相浸沒式數(shù)公司已開發(fā)出符合產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要求的多個(gè)型號(hào)硅油冷卻液產(chǎn)品，正在與部分服務(wù)器廠商對(duì)接測試。由于涉及服務(wù)器的浸潤測試，需要較長的周期，目前整個(gè)行業(yè)還公司正在推動(dòng)電子浸沒式冷卻液、全氟己酮等新興產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)光接收組件、探測器芯片。光模塊主要作用是實(shí)現(xiàn)光纖通信中的光電轉(zhuǎn)換和電發(fā)送接口輸入一定碼率的電信號(hào)，經(jīng)過內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)芯片處理后由驅(qū)動(dòng)半或者發(fā)光二極管(LED)發(fā)射出相應(yīng)速率的調(diào)制光信號(hào)，通過光纖傳輸后，接收接口再把光信號(hào)由光電檢測轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，并經(jīng)過前置放大器后輸出相應(yīng)碼率的電信號(hào)。光芯片又稱為無源芯片，相比于CPU、X其本征物理響應(yīng)工作，其材料、工藝有源芯片有顯著區(qū)別。光芯片原材料主要是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體和寬禁帶半導(dǎo)體，典型材料包括磷化銦（InP）和砷化鎵（GaAs）等。這類材料具備高頻性能好、寬溫穩(wěn)定、低噪聲、抗輻射2022年，200G、400G產(chǎn)品大規(guī)模放提出更高的要求，比如更高帶寬、更低損耗光學(xué)芯片。來源：易天光通信、國金證券研究所來源：MILLI-TECH、國金證券研究所2025年上半年，國內(nèi)光芯片襯底與關(guān)鍵晶體材料進(jìn)展整體穩(wěn)步推進(jìn)，但可獨(dú)立披露的材料公司數(shù)量有限，主要因下游光模塊/IDM廠商普遍采取垂直一體化與聯(lián)合開發(fā)模式，晶圓外延、鍵合與晶體加工高度綁定客戶認(rèn)證周期，供應(yīng)鏈外溢度低。公司覆蓋碳化硅MOSFET、碳化硅二極管、碳化硅襯底/外延AI數(shù)據(jù)中心的配電設(shè)備整體形成“市電/柴油—ATS—UPS/電池—低壓配電/母線槽—機(jī)柜從而能實(shí)現(xiàn)更高的效率，支持更高的輸出功率電阻器、金屬箔電阻器、繞線電阻器、記憶電阻等器件的①磁性元件（電感、變壓器48/54V架構(gòu)粉料、氧化鋯微珠等材料；硅電容使用氧化硅、氮化硅等③電阻：在高功率密度電源里，電阻承擔(dān)采樣、均壓/泄放、浪涌與阻尼等關(guān)鍵功片電阻器、金屬箔電阻器、繞線電阻器、記憶電阻，涉及到鎳鉻合金、氧化鋁、鐵氧體、硅鋼、金屬復(fù)合粉末芯（如鐵硅鋁、鐵鎳鈮等公司層面，軟磁金屬/非晶與納米晶粉體迭代帶動(dòng)一體化電感與芯片電感小批量落地。面向MLCC/熱敏電阻的納米級(jí)鈦酸鎂鈣等基礎(chǔ)粉、銀粉/銀漿與銅粉體系加速國產(chǎn)替代，純公司自主研發(fā)金屬軟磁粉和非晶納米晶粉末公司重點(diǎn)推進(jìn)了金屬軟磁新型一體化電感等技術(shù)的研發(fā)和市場開拓，已批量生產(chǎn)組合式