聚四海星火，淬國之重器——全面為國產(chǎn)算力生產(chǎn)配套-2026年機械行業(yè)年度投資策略AI發(fā)展方興未艾，IDC預(yù)計全球生成式AI市場五年復合增長率或達56.3%，而芯片是AI產(chǎn)業(yè)鏈的核心上游環(huán)節(jié)之一，SEMI預(yù)測AI驅(qū)動下2030年全球半導體市場規(guī)模將突破1萬億美元，其中，服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和存儲領(lǐng)域的市場規(guī)模復合增速達到18%，領(lǐng)先下游其他領(lǐng)域。而半導體設(shè)備作為芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游同步受益，LAM預(yù)計未來5年全球數(shù)據(jù)中心累計2.5萬億美元的資本開支將催生2000億美元的半導體設(shè)備需求。國內(nèi)AI產(chǎn)業(yè)鏈投資同樣旺盛，同時，算力、存儲芯片仍然面臨較高的海外依賴度，進口受限疊加國內(nèi)政策引導，國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)鏈有望實現(xiàn)從上游設(shè)備到下游設(shè)先進邏輯方面，國產(chǎn)算力突破，帶動國內(nèi)先進邏輯代工需求。與非網(wǎng)指出，國產(chǎn)AI芯片核心應(yīng)用場景包括智算、智駕、機器人和端側(cè)AI等。我們測算了中期維度（2028年）國內(nèi)智能算力、智能駕駛的AI芯片和華為手機SOC芯片產(chǎn)生的先進邏輯代工需求，合計需求有望達到7.12萬片，當前國內(nèi)14nm及以下的先進制程產(chǎn)能約為3.25萬片/月，7nm及以下制程產(chǎn)能預(yù)計更少，因此本土先進邏輯代工產(chǎn)能存在明顯的供需缺口，將帶動塑。2025年三季度，需求旺盛疊加產(chǎn)出有限，全球存儲產(chǎn)業(yè)迎來漲價潮，明年來看，CFM閃存預(yù)測DRAM/NAND位元需求量增速分別為20%/20%，而供給端來看，國際大廠應(yīng)對措施從以往的大規(guī)模擴產(chǎn)變成了專注技術(shù)節(jié)點升級和結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能擴張，國內(nèi)兩家存儲廠商已經(jīng)取得了一定的技術(shù)進展，我們預(yù)計2025年底長鑫/長存在各自領(lǐng)域的產(chǎn)能市占率為15%/9%，近期長存三期的成立和長鑫IPO進展都指向兩存有望繼續(xù)規(guī)?；瘮U產(chǎn)，中長期維度看好兩存重塑全球存儲產(chǎn)能投資建議：先進節(jié)點擴產(chǎn)景氣度提升，疊加政策引導，看好國產(chǎn)半導體設(shè)備投資機會，建議關(guān)注：1）擴產(chǎn)受益高確定性：北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、盛美上海、華海清科、京儀裝備；2）低國產(chǎn)化率：中科飛測（已覆蓋）、芯源微、精測電子；3）后道設(shè)備：長川科技、華峰測控、精智達、驕成超聲（已覆蓋）。風險提示:下游擴產(chǎn)進度和規(guī)模不及預(yù)期風險，行業(yè)競爭加劇，毛利率提升不及預(yù)2024-122025-04 03AI驅(qū)動全球存儲周期，看好國產(chǎn)存儲廠商擴產(chǎn) 04擴產(chǎn)景氣與自主可控共振，設(shè)備深度受益 資料來源：Bloomberg，IDC，浪潮信息，西部證券研發(fā)中心全球來看，海外四大云廠商不斷增加AI資本開支，推高算力芯片需求量，IDC數(shù)據(jù)顯示，2024年全球人工智能（AI）IT總投資規(guī)模為3,159億美元，并有望在2029年增至12,619億美元，五年復合增長率（CAGR）為31.9%。聚焦生成式AI（GenerativeAIIDC預(yù)測，全球生成式AI市場五年復合增長率或達56.3%，到2029年全球生成式AI市場規(guī)模將達6,071億美元，占AI市場投資總規(guī)模的48.1%。國內(nèi)來看，IDC基于《IDC中國加速計算服務(wù)器半年度市場跟蹤報告》及智能加速卡半精度（FP16）相當運算能力數(shù)據(jù)，測算了中國智能算力規(guī)模。結(jié)果顯示，2025年中國智能算力規(guī)模將達到1,037.3EFLOPS，預(yù)計到2028年將達到2,781.9EFLOPS，2023-2028年期間，中國智能算力規(guī)模的五年年復合增長率預(yù)計達到46.2%，相比之下，通用算力規(guī)模復合增速預(yù)計僅為18.8%。0資料來源：拓荊科技招股書，ASML，wind，西部證券研發(fā)中心AI將引領(lǐng)下一個半導體大周期的發(fā)展。半導體產(chǎn)業(yè)鏈包括上游的半導體設(shè)備和材料，中游的半導體制造產(chǎn)業(yè)和下游的半導體應(yīng)用，AI作為半導體的應(yīng)用領(lǐng)域之一，未來將成為半導體產(chǎn)業(yè)的主要驅(qū)動力。最新WSTS公布數(shù)據(jù)顯示，2024年全球半導體銷售額同比增長19.7%至6,305億美元，預(yù)估2025年全球半導體市場銷售額將繼續(xù)保持強勢增長，突破7,000億美元，同比增長11.2%。在AI的推動下，預(yù)測2030年全球半導體市場規(guī)模將達突破1萬億美元，服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和存儲領(lǐng)域的市場規(guī)模將會達到3610億美元，占比達到34.32%，2024-2030年復合增速達到了18%，是成長速度最為領(lǐng)先的細分領(lǐng)域。LAM指出，未來5年全球數(shù)據(jù)中心累計2.5萬億美元的資本開支將催生2000億美元的半導體設(shè)備需求。資料來源：TrendForce，CFM閃存市場，Wind，西部證券研發(fā)中心請務(wù)必仔細閱讀報告尾部的投資評級說明和聲明6片比例約63%，預(yù)計2025年會下降至約42%，而中國本土芯片供應(yīng)商(如華為等)在國有AI芯片政策支持下，預(yù)期2025年占比將提升至40%，幾乎與制造端：2025Q2，國產(chǎn)邏輯代工和存儲器廠商全球市占率不足10%（上市公司收入口），們以2025年Q2作為統(tǒng)計窗口，在代工端，臺積電以302億美元的收入居于市占率第一，占比70.2%，中國大陸的三家廠商（中芯國際、華虹集團和迪合計市占率接近93%。從需求端來看，2025年Q2中國大陸半導體銷售額約505.4億美元，全球占比28.74%設(shè)備端：2025H1，國內(nèi)半導體設(shè)備綜合國產(chǎn)化率不足25%。我們以2025年上半年為統(tǒng)計時間窗口，國內(nèi)主要半導體設(shè)備公司的半導體業(yè)務(wù)銷售額合計約354億元，而上半年中國大陸半導體設(shè)備銷售額約1513億元人民幣（中美），資料來源：芯智訊，金杜律師事務(wù)所，西部證券研發(fā)中心1）外圍來看，美國政府頻頻對我國半導體產(chǎn)業(yè)實施限制以遏制我國人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在設(shè)計端，不允許我國進口高端算力芯片，并且對國產(chǎn)設(shè)計廠商流片實施限制；制造端，限制高端半導體設(shè)備進口以削弱國內(nèi)的尖端半導體代工能力，設(shè)備端，將諸多設(shè)備公司加入清單，實施關(guān)鍵零部件管制。2）政策端引導尖端半導體全鏈路國產(chǎn)化。大基金三期持續(xù)“補鏈強鏈”引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2025年1月，大基金三期的三支子基金（華芯鼎新、國投集新、國家人工智能產(chǎn)業(yè)投資基金）先后完成備案，2025年9月，國投集新以不超過4.5億元認繳拓荊鍵科新增注冊資本192.1574萬元，交易完成后持股比例約12.7137%。如果進展順利，拓荊鍵科或?qū)⒊蔀榇蠡鹑谕断虻氖讉€半導體項目。戰(zhàn)略角度來看，2025年10月二十屆四中全會審議通過了《中共中央關(guān)于制定國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十五個五年規(guī)劃的建議》，文中（11）條指出將加強原始創(chuàng)新和關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)。完善新型舉國體制，采取超常規(guī)措施，全鏈條推動集成電路、工業(yè)母機、高端儀器、基礎(chǔ)軟件、先進材料、生物制造等重點領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)取得決定性突破?？萍碱I(lǐng)域，集成電路被放在首位，我們認為集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控必然實現(xiàn)。一方面，限制美國高端算力芯片出口至美國，另一方面，對于不在美國商務(wù)部白名（b）最終封裝的IC不包含高帶寬存儲器（HB 01AI為矛，政策引導，集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控 03AI驅(qū)動全球存儲周期，看好國產(chǎn)存儲廠商擴產(chǎn) 04擴產(chǎn)景氣與自主可控共振，設(shè)備深度受益 資料來源：與非網(wǎng)，西部證券研發(fā)中心根據(jù)與非網(wǎng)《2025年度國產(chǎn)AI芯片產(chǎn)業(yè)白皮書》，國產(chǎn)AI芯片核心應(yīng)用場景包括智算、智駕、機器人和端側(cè)AI。我們測算了中期維度（2028年）國內(nèi)智能算力、智能駕駛的AI芯片和華為手機SOC芯片產(chǎn)生的先進邏輯代工需求，合計需求有望達到7.12萬片，總表如下。），割的芯片數(shù)量），其中，π表示圓周率，d表示晶圓直徑，w表示晶粒寬度，H表示晶粒長度，w*H表示晶粒資料來源：IDC，浪潮信息，Semianalysis，英創(chuàng)力科技，西部證券研發(fā)中心請務(wù)必仔細閱讀報告尾部的投資評級說明和聲基于以下核心假設(shè)，我們測算得到國內(nèi)中期算力芯片晶圓消耗量為2.1萬片/月1）預(yù)計2028年國內(nèi)智能算力芯片需求500萬顆（等效H20）。IDC及浪潮信息發(fā)布的《2025年中國人工智能計算力發(fā)展評估報告》顯示，2024年國內(nèi)智能算力需求為725.3EFLOPS，新增需求為308.6EFLOPS，H20單卡算力為148TFLOPS（FP16），對應(yīng)2024年算力芯片（等效H20）需求量209萬顆，若2028年國內(nèi)智能算力需求達到2781.9EFLOPS，當年將新增515萬顆算力芯片需求（等效H20）；2)根據(jù)Semianalysis，H20的芯片面積為814mm2，測算DPW時按800mm2計算；3）國內(nèi)無法進口EUV，通過多重曝光實現(xiàn)先進工藝生產(chǎn)，預(yù)計良率較低，假設(shè)為30%；4）不考慮算力利用率和業(yè)務(wù)冗余。資料來源：蓋世汽車研究院，Canalys，NE新能源時代，英創(chuàng)力科技，西部證券研發(fā)中心基于以下核心假設(shè)，我們測算得到國內(nèi)2028年智能駕駛（L2+/L2++）芯片晶圓消耗量為4.2萬片/月1）2024年國內(nèi)乘用車銷量2289萬輛，不考慮增長，我們假設(shè)國內(nèi)乘用車銷量保持在2300萬輛左右。根據(jù)蓋世汽車研究院，2024年，國內(nèi)L2/L2+/L2++級別智能輔助駕駛滲透率為36.6%/4.0%/3.7%，Canalys預(yù)測2025年中國市場L2級及以上功能滲透率將達62%，高速NOA與城市NOA分別達到10.8%和9.9%，預(yù)計2027-2028年，城市NOA增速將反超高速NOA，可以預(yù)見，智能駕駛滲透率提升的過程中內(nèi)部結(jié)構(gòu)也會發(fā)生變化，我們假設(shè)L2++的滲透率從2025年的9.9%提升至2028年的45%，L2+的滲透率從2025年的10.8%提升至2028年的20%，由于智能駕駛向更高階技術(shù)演進，L2滲透率下滑至2028年的30%。L2+/L2++標配域控制器，假設(shè)L2+級自動輔助駕駛不考慮冗余配置，L2++考慮雙冗余配置，得到2028年國內(nèi)智能駕駛（L2+/L2++）產(chǎn)生的智能駕駛芯片需求為2530萬顆；2）華為Ascend610的面積為401mm2，測算按400mm2進行；3）國內(nèi)無法進口EUV，通過多重曝光實現(xiàn)先進工藝生產(chǎn)，預(yù)計良率較低，假設(shè)良率為35%。41.3%47.9%資料來源：IT之家，半導體產(chǎn)業(yè)縱橫，芯智訊，鴻蒙開發(fā)者社區(qū)，西部證券研發(fā)中心基于以下核心假設(shè)，我們測算得到國內(nèi)2028年華為手機SOC芯片晶圓消耗量為0.8萬片/月（不區(qū)分中高端手機品牌）1）2024年國內(nèi)智能手機銷量2.86億臺，其中華為手機占比達到16.6%，對應(yīng)銷量約4748萬臺，我們假設(shè)2028年華為手機銷量為4750萬臺，并且全部在國內(nèi)代工；2）手機SOC芯片面積一般在100mm2左右；3）2020年臺積電5nm工藝良率大概為80%，峰值大概能到90%，我們假設(shè)華為手機SOC總體良率在80%。9資料來源：中芯國際招股說明書，IBS，西部證券研發(fā)中心中期存在供需缺口。根據(jù)愛集微，截至2025年7月，國內(nèi)12英寸月產(chǎn)能約197.1萬片，按工藝劃分，110nm及以上成熟制程產(chǎn)能占比約30%，28-90nm制程為主要構(gòu)成部分，而14nm及以下先進制程產(chǎn)能占比僅1.7%，也就是說，國內(nèi)當前14nm及以下的先進制程產(chǎn)能約為3.25萬片/月，預(yù)計7nm及以下節(jié)點產(chǎn)能小于該值，按照2028年智能算力、智能駕駛的AI芯片和華為手機SOC芯片產(chǎn)生的7.12萬片/月的先進邏輯代工需求，國內(nèi)先進邏輯存在一定的供需缺口。按照7nm節(jié)點的每萬片月產(chǎn)能的設(shè)備投資額23億美元計算，國內(nèi)至少需要89億美元的設(shè)備投資。50 01AI為矛，政策引導，集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控 04擴產(chǎn)景氣與自主可控共振，設(shè)備深度受益 資料來源：wind，半導體產(chǎn)業(yè)縱橫，西部證券研發(fā)中心AI驅(qū)動新一輪漲價周期。存儲器是集成電路的一種，由于產(chǎn)品相對標準化，周期性屬性顯著強于整體集成電路市場。2010年以來，存儲行業(yè)經(jīng)歷了三輪周期，每輪周期持續(xù)3-4年，會經(jīng)歷需求拉動+產(chǎn)能受限而引起的漲價，伴隨原廠擴產(chǎn)產(chǎn)能釋放行業(yè)進入下行周期，此循環(huán)周而復始。進入2024年，在AI驅(qū)動下存儲行業(yè)開啟新一輪漲價周期，具體而言，DRAM方面，AI服務(wù)器需求帶動疊加HBM導致的產(chǎn)能排擠效應(yīng)，Trendforce預(yù)計四季度通用DRAM價格漲幅為18-23%。NAND方面，AI需求激增疊加HDD供應(yīng)受限，CSP采購轉(zhuǎn)向企業(yè)級SSD，而原廠在供應(yīng)上保持保守，導致價格上漲。資料來源：TrendForce，半導體產(chǎn)業(yè)縱橫，CFM閃存市場，電子工程特輯，IT之家，澎湃網(wǎng)，西部證券研發(fā)中心請務(wù)必仔細閱讀報告尾部的投資評級說明和聲明結(jié)構(gòu)性需求拉動，原廠控產(chǎn)導致出現(xiàn)供需缺口每一輪存儲漲價周期都沿著存儲漲價->原廠盈利能力提升->出現(xiàn)供需缺口->原廠進行產(chǎn)能擴張->供給增多->存儲價格下跌的循環(huán)演繹。而供需缺口出現(xiàn)的原因，一方面是因為需求提升，另一方面是因為行業(yè)集中度高，幾大原廠形成的存儲“卡特爾”組織會主動控制產(chǎn)能以謀求高利潤。供給端，大廠主動控產(chǎn)，TrendForce預(yù)計2026年行業(yè)Capex增速有限。DRAM大廠基本都將重點放在制程升級和HBM產(chǎn)能的擴充上，TrendForce預(yù)計2026年資本開支增速14%，顯著低于24-25年資本開支增速。NAND端，大廠在看到漲價之后紛紛實施主動減產(chǎn)，TrendForce預(yù)計明年的資本開支主要來自鎧俠/閃迪，預(yù)計投入45億美元，年增41%，總體增長仍然有限，預(yù)計2026年NAND行業(yè)資本支出增速大約5%左右。//0 202220232024資料來源：集微咨詢，SK海力士，CFM閃存，閃迪西部證券研發(fā)中心結(jié)構(gòu)性需求拉動，原廠控產(chǎn)導致出現(xiàn)供需缺口需求端來看，AI服務(wù)器成為主要驅(qū)動力。在服務(wù)器方面，隨著人工智能由訓練向推理的轉(zhuǎn)變令并發(fā)用戶和Token數(shù)量急劇增加，AI服務(wù)器的工作負載正在向通用服務(wù)器和邊緣設(shè)備中轉(zhuǎn)移。同時由于鍵值緩存（Key-valueCache）從HBM到傳統(tǒng)DRAM和SSD的順序卸載，以及多個請求的并行處理，memory使用量呈指數(shù)級增長。DRAM（HBM、高性能DDR5）和NAND（eSSD）的需求都在發(fā)生結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變。在PC/智能手機方面，SK海力士預(yù)計2026年P(guān)C和智能手機的出貨量都將溫和增長，但人工智能功能的日益普及將推動其單機容量的增長。綜合來看，CFM閃存預(yù)計2025-2026年，全球DRAM位元需求量增速將分別達到17-19%/20%，全球NAND位元需求量增速將分別達到18%/20%。而前文提到大廠主動控產(chǎn)，明年DRAM/NAND行業(yè)資本支出增速在14%/5%，預(yù)計對位元產(chǎn)出貢獻較少，因此明年供需缺口可能進一步拉大。020242025E020242025E資料來源：Trendforce，Yole，西部證券研發(fā)中心DRAM領(lǐng)域：三星等巨頭此前宣布減產(chǎn)DDR4，并且將重點放在先進技術(shù)節(jié)點轉(zhuǎn)產(chǎn)上，根據(jù)TrendForce，海外大廠目前重點在于HBM產(chǎn)能的擴充，從產(chǎn)能統(tǒng)計可以看出，三星、SK海力士和美光的TSV產(chǎn)能占比在逐年提升，而在技術(shù)節(jié)點上，大廠專注1b/1阝和1c/1Y制程的開發(fā)，相比之下，長鑫存儲和南亞科因為在HBM上處在落后地位，大廠轉(zhuǎn)產(chǎn)釋出空間，因此產(chǎn)能擴張較快。長鑫存儲逐步具備競爭力，EUV光刻機難以獲取背景下有望率先開啟DDR3/DDR4獲取市場份額，當年底，公司啟動DDR5的生產(chǎn)，目前其基于G4的DDR5性能基本可以和三個大廠的1y/1z制程產(chǎn)品媲美。HBM方面，2026-2027年，長鑫有望實現(xiàn)HBM3的量產(chǎn)。此外，由于制程微縮，更高階產(chǎn)品需要使用EUV完成，國內(nèi)進口EUV受限情況下，長鑫存儲有望率先開啟4F2DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)落地。0資料來源：CSIA，Omdia，KIOXIA，超能網(wǎng)，CFM閃存市場，西部證券研發(fā)中心NANDFLASH領(lǐng)域：大廠實施主動減產(chǎn)以控制供給，業(yè)務(wù)相對單一的長江存儲和鎧俠成為產(chǎn)能擴充的主力。根據(jù)SEMI，2025年全球NAND產(chǎn)能為450萬片/月（8英寸當量），折合12英寸大約為164萬片/月，其中鎧俠/長江存儲分別為50/15萬片，今年來看，大廠都在主動減產(chǎn)以控制供給，明年資本開支增速有限，三星以轉(zhuǎn)產(chǎn)V8（286L）為主，美光沒有明確的資本支出計劃，而鎧俠和長江存儲因為只有NAND單一業(yè)務(wù)，因此擴充產(chǎn)能較為激進，根據(jù)鎧俠此前規(guī)劃，2026年上半年之前會再新增3萬片/月的產(chǎn)能，產(chǎn)品為V8（218L）。而長江存儲的擴產(chǎn)預(yù)計會更加激進，預(yù)計2026年產(chǎn)能可達到20萬片/月。技術(shù)領(lǐng)域，長江存儲基本處在世界第一梯隊，伴隨三期擴產(chǎn)，全球NAND產(chǎn)能格局有望重塑。根據(jù)Techinsights，2025年，長江存儲已經(jīng)實現(xiàn)267L3DNANDTLC產(chǎn)品的量產(chǎn)，和國際大廠進一步縮小差距，更高階產(chǎn)品在研中。此外，大廠規(guī)劃在NAND制造過程中導入混合鍵合，而該工藝中長江存儲應(yīng)用具備先發(fā)優(yōu)勢，追平和國際巨頭的技術(shù)差距指日可待。伴隨三期產(chǎn)能落地，全球NAND產(chǎn)能格局有望得到重塑。77資料來源：wind，西部證券研發(fā)中心請我們認為本輪周期和2012年Q3由智能手機引起的存儲成長周期類似，因此選擇該段時間復盤存儲漲價周期對于設(shè)備股價的影響，得到的核心結(jié)論為：高存儲敞口的標的顯著跑贏：LAM2012年存儲收入占比高達45%，其在2012Q3到那一輪周期的高點實現(xiàn)了144%的漲幅，高于AMAT和ASML。7202012-01-032012-07-032013-01-032013-07-032014-01-032014-02012-01-032012-07-032013-01-032013-07-032014-01-032014-07- 01AI為矛，政策引導，集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控 03AI驅(qū)動全球存儲周期，看好國產(chǎn)存儲廠商擴產(chǎn) 資料來源：wind，SEMI，西部證券研發(fā)中心AI繼續(xù)成為全球半導體行業(yè)的變革力量，推動先進制造產(chǎn)能的顯著擴張。SEMI報告指出，全球前端半導體供應(yīng)商正在加速擴張，以支持生成式人工智能（AI）應(yīng)用的激增需求。預(yù)計從2024年底到2028年，產(chǎn)能將以7%的復合年增長率增長，達到每月1110萬片晶圓。推動這一增長的關(guān)鍵因素是先進工藝產(chǎn)能（7納米及以下）的持續(xù)擴張，預(yù)計將從2024年的每月85萬片晶圓增長到2028年的歷史新高140萬片晶圓，增長約69%，復合年增長率約為14%，是行業(yè)平均水平的兩倍。按照下游領(lǐng)域來講，Logic/代工、DRAM、NAND在2026年的設(shè)備資本開支中有望達到691/233/150億美元，同步增速分別為6.6%/12.10%/9.7%，比重有望預(yù)計分別為50%/17%/11%。7nm及以下產(chǎn)能7nm以上產(chǎn)能yoy-7nm及以下yoy-7nm以上0yoy-7nm及以下yoy-7nm以上020242025E資料來源：恒運昌IPO回復函，上海市發(fā)改委官網(wǎng)，風鳥，wind，西部證券研發(fā)中心國內(nèi)先進節(jié)點擴產(chǎn)景氣度持續(xù)提升，資本支出領(lǐng)跑全球。SEMI數(shù)據(jù)顯示，2025年，全球半導體設(shè)備市場規(guī)模預(yù)計為1225億美元，中國大陸半導體設(shè)備市場規(guī)模預(yù)計為389億美元，市場規(guī)模占比為31%。Semi預(yù)計從2026年到2028年，全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將達到3,740億美元，中國大陸將繼續(xù)領(lǐng)先全球300mm設(shè)備支出，2026至2028年間投資總額將達940億美元。國內(nèi)主要FAB的擴產(chǎn)規(guī)劃如下表格所示，預(yù)計國內(nèi)先進工藝擴產(chǎn)節(jié)點擴產(chǎn)將進入高景氣區(qū)間。020182019202020212022資料來源：wind,，各公司公告，SEMI，沙利文研究，智研咨詢，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，西部證券研發(fā)中心請務(wù)必仔細閱讀報告尾部的投資評級說明和聲明24細分設(shè)備國產(chǎn)化進展不同。我們以2025年的國內(nèi)總體半導體設(shè)備規(guī)模為基礎(chǔ)測算了不同細分品類的市場規(guī)模，考慮數(shù)據(jù)可得性，以2024年各個上市公司的收入口徑測算了國產(chǎn)化情況，預(yù)計2025年國產(chǎn)化率情況比表格中更高。當前來看，光刻、量測檢測、涂膠顯影和離子注入國產(chǎn)化率僅為個位數(shù)，國產(chǎn)替代空間廣闊。ASML、Nikon、Canon22.0%20.8%22.0%28.7%金海通、長川科技 01AI為矛，政策引導，集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控 03AI驅(qū)動全球存儲周期，看好國產(chǎn)存儲廠商擴產(chǎn) 04擴產(chǎn)景氣與自主可控共振，設(shè)備深度受益 資料來源：wind，西部證券研發(fā)中心請擴產(chǎn)受益高確定性：北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技、盛美上海、華海清科、京儀裝備低國產(chǎn)化率：中科飛測（已覆蓋）、芯源微、精測電子后道設(shè)備：長川科技、華峰測控、精智達、驕成超聲（已覆蓋）請務(wù)必仔細閱讀報告尾部的投資評級說明和聲明?下游擴產(chǎn)進度和規(guī)模不及預(yù)期風險。國內(nèi)FAB總體處在技術(shù)追趕中，若工藝、良率等不及預(yù)期會導致擴產(chǎn)進度和規(guī)模不及預(yù)期，這會導致設(shè)備廠的新簽訂單受到影響。?行業(yè)競爭加劇。當國產(chǎn)化率提升到一定階段，國產(chǎn)半導體設(shè)備廠商可能會遇到正面競爭，若一些領(lǐng)域有新廠商加入，可能會導致競爭加劇。?毛利率提升不及預(yù)期風險。今年以來，由于新品驗證較多導致多家設(shè)備廠商毛利率向下呈現(xiàn)不同程度的波動，若設(shè)備供應(yīng)商如法管控好毛利率，可能會導致盈利能力恢復受到阻礙。?地緣政治風險。若國際加強對我國半導體行業(yè)限制，比如國產(chǎn)化率極低的環(huán)節(jié)的設(shè)備無法進口，可能會影響整體資本開支。2828行業(yè)預(yù)期未來6-12個月內(nèi)的波動幅度介于市場基準公司未來6-12個月的投資收益率領(lǐng)先市場基準指數(shù)20%以上公司未來6-12個月的投資收益率領(lǐng)先市場基準指數(shù)5%到20%之間公司未來6-12個月的投資收益率與市場基準指數(shù)變動幅度相差-5%到公司未來6-12個月的投資收益率落后市場基準指數(shù)大于5%本人具有中國證券業(yè)協(xié)會授予的證券投資咨詢執(zhí)業(yè)資格并注冊為客觀地出具本報告。本報告清晰準確地反映了本人的研究觀點。本人不曾因，不因，也將不會29本報告由西部證券股份有限公司（已具備中國證監(jiān)會批復的證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格）制作。本報告僅供西部證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）機構(gòu)客戶使用。本報告在未經(jīng)本公司公開披露或